JPH0196378A - スパッタリング用クラッドターゲット材 - Google Patents
スパッタリング用クラッドターゲット材Info
- Publication number
- JPH0196378A JPH0196378A JP62251179A JP25117987A JPH0196378A JP H0196378 A JPH0196378 A JP H0196378A JP 62251179 A JP62251179 A JP 62251179A JP 25117987 A JP25117987 A JP 25117987A JP H0196378 A JPH0196378 A JP H0196378A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing plate
- target material
- clad
- target
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、と
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるタララドターゲット材の改良に関する。
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるタララドターゲット材の改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタリング用ターゲット材は、バンキングプ
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲット材をバッキングプ
レー１・から取外して交換することはむずかしいので、
バッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことに
なり、その交換に時間がかかったり、またターゲット材
の交換時にバッキングプレート側を冷却しているターゲ
ット材冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装
置の真空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要な
ど段取作業が甚だ面倒であった。
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲット材をバッキングプ
レー１・から取外して交換することはむずかしいので、
バッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことに
なり、その交換に時間がかかったり、またターゲット材
の交換時にバッキングプレート側を冷却しているターゲ
ット材冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装
置の真空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要な
ど段取作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲット材をメタルボンディング材でバッキ
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲット材ｌを環状の取付治具２を介してバッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲット材ｌを環状の取付治具２を介してバッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
この場合バッキングプレート３でのターゲット材ｌの冷
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲット材１の
バッキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＡｇ基板４をメタルボンディング材５にて接合
してタララドターゲット材６とし、これのＡｇ基板４を
第３図に示す如くバッキングプレート３に環状の取付金
具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製バッキ
ングプレートの場合、使用中にバッキングプレート３と
クラッドターゲット材６のＡｇ基板４とが圧着状態とな
り、使用後バンキングプレート３から取外すことが困難
になるという問題点があった。
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲット材１の
バッキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＡｇ基板４をメタルボンディング材５にて接合
してタララドターゲット材６とし、これのＡｇ基板４を
第３図に示す如くバッキングプレート３に環状の取付金
具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製バッキ
ングプレートの場合、使用中にバッキングプレート３と
クラッドターゲット材６のＡｇ基板４とが圧着状態とな
り、使用後バンキングプレート３から取外すことが困難
になるという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、使
用中にＡｇ基板がバッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用クラッドターゲット材を
提供することを目的とするものである。
用中にＡｇ基板がバッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用クラッドターゲット材を
提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、ク
ラッドターゲット材のＡｇ基板の高純度品位を損なうこ
となく、即ち基板のＡｇの純度を９９．５％以上とし、
且つＺｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ。
ラッドターゲット材のＡｇ基板の高純度品位を損なうこ
となく、即ち基板のＡｇの純度を９９．５％以上とし、
且つＺｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ。
Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｙ、、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ。
Ｓｎの少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重
量ｐｐｍ添加したことを特徴とするものである。
量ｐｐｍ添加したことを特徴とするものである。
（作用）
上記のように構成されたスパッタリング用クラッドター
ゲット材は、Ａｇ基板の純度を９９．５％以上としてい
るので、良好な熱伝導性によりバッキングプレート側か
らの冷却効果が十分である。またＡｇ基板に前述の金属
の少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重量ｐ
ｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると共に
再結晶が高くなって、使用中にバッキングプレートと熱
圧着されることがなくなる。
ゲット材は、Ａｇ基板の純度を９９．５％以上としてい
るので、良好な熱伝導性によりバッキングプレート側か
らの冷却効果が十分である。またＡｇ基板に前述の金属
の少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重量ｐ
ｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると共に
再結晶が高くなって、使用中にバッキングプレートと熱
圧着されることがなくなる。
前述の金属の添加量を、少なくとも１種以上合計で１０
０〜５，０００重量ｐｐｍとした理由は、１００重量ｐ
ｐｍ未満ではバッキングプレートとの熱圧着を防止する
ことができず、５．０００重Ｒｐｐｍを超えると、熱伝
導性が悪くなり、冷却効果が低下するからである。
０〜５，０００重量ｐｐｍとした理由は、１００重量ｐ
ｐｍ未満ではバッキングプレートとの熱圧着を防止する
ことができず、５．０００重Ｒｐｐｍを超えると、熱伝
導性が悪くなり、冷却効果が低下するからである。
（実施例）
本発明のスパッタリング用ターゲット材の実施例を従来
例と共に説明する。
例と共に説明する。
下記の表の左欄に示す成分組成の材料より成る直径１５
２．０ｍｍ、厚さ４．０ｍｍの第２図に示されるＡｇ基
板４に、直径１５２．０ｍｍ、厚さ１．ｏｒｒＭのＩｒ
より成るターゲット材１を、Ｉｎのメタルボンディング
材５にて接合して、スパッタリング用クラッドターゲッ
ト材６を得た。
２．０ｍｍ、厚さ４．０ｍｍの第２図に示されるＡｇ基
板４に、直径１５２．０ｍｍ、厚さ１．ｏｒｒＭのＩｒ
より成るターゲット材１を、Ｉｎのメタルボンディング
材５にて接合して、スパッタリング用クラッドターゲッ
ト材６を得た。
これらのクラッドターゲット材６を各１０個、第３図に
示す如＜５ＵＳ３０４より成る断面Ｆ型で外径１７０．
０ｍｍ、上端内径１５３．０ｍｍ、下端内径１４９．０
胴、厚さ６．０印の環状の取付治具２にてＡｇより成る
バッキングプレート３に押え、周方Ｃｕ８ケ所をねじに
て締付けて夫々クラッドターゲット材６をバッキングプ
レート３に密着し、図示せぬスパッタリング装置の真空
槽内の陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリングを
３時間行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。この
スパッタリングにおいて、クラッドターゲット材６のバ
ッキングプレート３との圧着の有無を調べた処、下記の
表の右欄に示すような結果を得た。
示す如＜５ＵＳ３０４より成る断面Ｆ型で外径１７０．
０ｍｍ、上端内径１５３．０ｍｍ、下端内径１４９．０
胴、厚さ６．０印の環状の取付治具２にてＡｇより成る
バッキングプレート３に押え、周方Ｃｕ８ケ所をねじに
て締付けて夫々クラッドターゲット材６をバッキングプ
レート３に密着し、図示せぬスパッタリング装置の真空
槽内の陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリングを
３時間行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。この
スパッタリングにおいて、クラッドターゲット材６のバ
ッキングプレート３との圧着の有無を調べた処、下記の
表の右欄に示すような結果を得た。
（以下余白）
上記の表で明らかなように従来例１．２のクラッドター
ゲット材６は、バッキングプレート３と圧着したものが
１０台のスパッタリング装置中７台と５台のスパッタリ
ング装置で発見され、その圧着したクラッドターゲット
材６は、バッキングプレート３から取外すことができず
、バンキングプレート３ごと取外して交換せざるを得な
かった。
ゲット材６は、バッキングプレート３と圧着したものが
１０台のスパッタリング装置中７台と５台のスパッタリ
ング装置で発見され、その圧着したクラッドターゲット
材６は、バッキングプレート３から取外すことができず
、バンキングプレート３ごと取外して交換せざるを得な
かった。
一方、実施例のクラッドターゲット材６はバッキングプ
レート３と圧着するものが皆無であった。
レート３と圧着するものが皆無であった。
これはひとえにクラッドターゲット材６のＡｇ基板４へ
Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｙ
、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なくとも１種以上を合計
で１００〜５，０００重ｌｐｐｍ添加している為、Ａｇ
基板４のバッキングプレート３との熱圧着が防止される
からに他ならない。
Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｙ
、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なくとも１種以上を合計
で１００〜５，０００重ｌｐｐｍ添加している為、Ａｇ
基板４のバッキングプレート３との熱圧着が防止される
からに他ならない。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリング用クラ
ッドターゲット材は、Ａｇ！板の純度を９９．５％以上
としているので、熱伝導性が良好で、バッキングプレー
ト側からの冷却が効率良く行われる。またＡｇ基板にＺ
ｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ。
ッドターゲット材は、Ａｇ！板の純度を９９．５％以上
としているので、熱伝導性が良好で、バッキングプレー
ト側からの冷却が効率良く行われる。またＡｇ基板にＺ
ｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ。
Ｂｅ、Ｃａ、、Ｃｒ、ＴｅＳ Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｓｎの少なくとも１種以上を合計で１００〜ｓ、ｏｏ。
Ｓｎの少なくとも１種以上を合計で１００〜ｓ、ｏｏ。
重ｆｆｉｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑制さ
れると共に再結晶温度が高くなって、使用中にバッキン
グプレートと熱圧着されることがなく、使用後バッキン
グプレートから簡単に取外すことができるという効果が
ある。
れると共に再結晶温度が高くなって、使用中にバッキン
グプレートと熱圧着されることがなく、使用後バッキン
グプレートから簡単に取外すことができるという効果が
ある。
第１図は従来のスパッタリング用ターゲット材をバッキ
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クラッドターゲット材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲット材をバッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クラッドターゲット材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲット材をバッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- Ａｇの基板にターゲット材が接合されて成るスパッタ
リング用クラッドターゲット材に於いて、基板のＡｇの
純度が９９．５％以上で且つＺｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ、
Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｎ
の少なくとも１種以上合計で１００〜５，０００重量ｐ
ｐｍ添加されていることを特徴とするスパッタリング用
クラッドターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251179A JPH0196378A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251179A JPH0196378A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196378A true JPH0196378A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17218858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251179A Pending JPH0196378A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用クラッドターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108315699A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-07-24 | 苏州精美科光电材料有限公司 | 一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62251179A patent/JPH0196378A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108315699A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-07-24 | 苏州精美科光电材料有限公司 | 一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法 |
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