JPH01180976A - スパッタリング用バッキングプレート - Google Patents
スパッタリング用バッキングプレートInfo
- Publication number
- JPH01180976A JPH01180976A JP409488A JP409488A JPH01180976A JP H01180976 A JPH01180976 A JP H01180976A JP 409488 A JP409488 A JP 409488A JP 409488 A JP409488 A JP 409488A JP H01180976 A JPH01180976 A JP H01180976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- substrate
- target material
- backing plate
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、と
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるパッキングプレートの改良に関する。
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるパッキングプレートの改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタリング用ターゲツト材は、ハンキングプ
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲツト材をパッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、パ
ラキンクプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、またターゲツト材の
交換時にパッキングプレート側を冷却しているターゲツ
ト材冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置
の真空槽への汚染か生じないようにする配慮が必要など
段取作業が甚だ面倒であった。
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲツト材をパッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、パ
ラキンクプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、またターゲツト材の
交換時にパッキングプレート側を冷却しているターゲツ
ト材冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置
の真空槽への汚染か生じないようにする配慮が必要など
段取作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲツト材をメタルボンディング材でバンキ
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲツト材１を環状の取付治具２を介してパッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如く
ターゲツト材１を環状の取付治具２を介してパッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
この場合パッキングプレート３でのターゲツト材１の冷
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲツト材１の
バンキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＣｕ基板４をメタルホンディング材５にて接合
してクラッドターケラト材６とし、これのＣｕ基板４を
第３図に示す如くパッキングプレート３に環状の取付金
具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製パッキ
ングプレートの場合、使用中にパッキングプレート３と
クラッドターゲツト材６のＣｕ基板４とが圧着状態とな
り、使用後ハシキングプレート３から取外すことが困難
になるという問題点があった。
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲツト材１の
バンキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＣｕ基板４をメタルホンディング材５にて接合
してクラッドターケラト材６とし、これのＣｕ基板４を
第３図に示す如くパッキングプレート３に環状の取付金
具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製パッキ
ングプレートの場合、使用中にパッキングプレート３と
クラッドターゲツト材６のＣｕ基板４とが圧着状態とな
り、使用後ハシキングプレート３から取外すことが困難
になるという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、使
用中にＣｕ基板がパッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バンキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用パッキングプレートを提
供することを目的とするものである。
用中にＣｕ基板がパッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後バンキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用パッキングプレートを提
供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、パ
ッキングプレートのＣｕの純度を９９．７％以上とし、
且つＺｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、ＣａＸＣｒＸＴｅ
、Ｙ、ＮｂＸＭｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なくとも１種以上合
計て１００〜３，０００重量ｐｐｍ添加したことを特徴
とするものである。
ッキングプレートのＣｕの純度を９９．７％以上とし、
且つＺｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、ＣａＸＣｒＸＴｅ
、Ｙ、ＮｂＸＭｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なくとも１種以上合
計て１００〜３，０００重量ｐｐｍ添加したことを特徴
とするものである。
（作用）
上記のように構成されたスパッタリング用パッキングプ
レートは、Ｃｕの純度を９９．７％以上としているので
、良好な熱伝導性により冷却効果が十分である。またＣ
ｕに前述の金属の少な（とも１種以上合計で１００〜３
，０００重量ｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散か抑
制されると共に再結晶が高くなって、使用中にタラッド
ターケ・ノド材のＣｕ基板と熱圧着されることかな（な
る。
レートは、Ｃｕの純度を９９．７％以上としているので
、良好な熱伝導性により冷却効果が十分である。またＣ
ｕに前述の金属の少な（とも１種以上合計で１００〜３
，０００重量ｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散か抑
制されると共に再結晶が高くなって、使用中にタラッド
ターケ・ノド材のＣｕ基板と熱圧着されることかな（な
る。
前述の金属の添加量を、少な（とも１種以上合計で１０
０〜３，０００重量ｐｐｍとした理由は、１００重量ｐ
ｐｍ未満てはクラッドターゲツト材のＣｕ基板との熱圧
着を防止することかできず、３．０００重量ｐｐｍを超
えると、熱伝導性が悪くなり、冷却効果か低下するから
である。
０〜３，０００重量ｐｐｍとした理由は、１００重量ｐ
ｐｍ未満てはクラッドターゲツト材のＣｕ基板との熱圧
着を防止することかできず、３．０００重量ｐｐｍを超
えると、熱伝導性が悪くなり、冷却効果か低下するから
である。
（実施例）
本発明のスパッタリング用パッキングプレートの実施例
を従来例と共に説明する。
を従来例と共に説明する。
下記の表の左欄に示す成分組成の材料より成る直径１７
０ ｍｍ、厚さ４ ｍｍのパッキングプレート３にクラ
ッドターゲツト材６を各１０個第３図に示す如＜ Ｓ’
Ｕ Ｓ ３０４より成る断面「型で外径１７０ｍｍ、上
端内径１５３ｍｍ、下端内径１４９ ｍｍ、厚さ６ ｍ
ｍの環状の取付治具２にて押え、周方向の８ケ所をねじ
にて締付けて夫々クラッドターゲツト材６をパッキング
プレート３に密着し、図示せぬスパッタリング装置の真
空槽内の陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリング
を３時間行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。こ
のスパッタリングにおいて、クラッドターゲツト材６の
パッキングプレート３との圧着の有無を調べた処、下記
の表の右欄に示すような結果を得た。
０ ｍｍ、厚さ４ ｍｍのパッキングプレート３にクラ
ッドターゲツト材６を各１０個第３図に示す如＜ Ｓ’
Ｕ Ｓ ３０４より成る断面「型で外径１７０ｍｍ、上
端内径１５３ｍｍ、下端内径１４９ ｍｍ、厚さ６ ｍ
ｍの環状の取付治具２にて押え、周方向の８ケ所をねじ
にて締付けて夫々クラッドターゲツト材６をパッキング
プレート３に密着し、図示せぬスパッタリング装置の真
空槽内の陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリング
を３時間行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。こ
のスパッタリングにおいて、クラッドターゲツト材６の
パッキングプレート３との圧着の有無を調べた処、下記
の表の右欄に示すような結果を得た。
（以下余白）
上記の表で明らかなように従来例１．２のバンキングプ
レート３にクラッドターゲツト材６が圧着したものが１
０台のスパッタリング装置中９台と７台のスパッタリン
グ装置で発見され、その圧着したクラッドターゲツト材
６は、パッキングプレート３から取外すことができず、
バンキングプレート３ごと取外して交換せざるを得なか
−、た。−方、実施例のパッキングプレート３にクラッ
ドターゲツト材６が圧着するものか皆無であった。これ
はひとえにパッキングプレート３のＣｕにＺｎ、ＩｎＸ
Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、、Ｃａ、Ｃｒ、Ｔｅ、、Ｙ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なくとも１種以上を合計で１００
〜３，０００重量ｐｐｍ添加している為、Ｃｕ基板４の
パッキングプレート３との熱圧着が防止されるからに他
ならない。
レート３にクラッドターゲツト材６が圧着したものが１
０台のスパッタリング装置中９台と７台のスパッタリン
グ装置で発見され、その圧着したクラッドターゲツト材
６は、パッキングプレート３から取外すことができず、
バンキングプレート３ごと取外して交換せざるを得なか
−、た。−方、実施例のパッキングプレート３にクラッ
ドターゲツト材６が圧着するものか皆無であった。これ
はひとえにパッキングプレート３のＣｕにＺｎ、ＩｎＸ
Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、、Ｃａ、Ｃｒ、Ｔｅ、、Ｙ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なくとも１種以上を合計で１００
〜３，０００重量ｐｐｍ添加している為、Ｃｕ基板４の
パッキングプレート３との熱圧着が防止されるからに他
ならない。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリング用ハッ
キンクプレートは、Ｃｕの純度を９９．７％以上として
いるので、熱伝導性が良好で、パラキンクプレート側か
らの冷却か効率良く行われる。
キンクプレートは、Ｃｕの純度を９９．７％以上として
いるので、熱伝導性が良好で、パラキンクプレート側か
らの冷却か効率良く行われる。
またＣｕにＺｎ、ＩｎＸＭｎ、、Ｓｂ、ＢｅＸＣａ。
Ｃｒ、、ＴｅＸＹ、Ｎｂ、ＭｏＸＴａ、Ｓｎの少なくと
も１種以上を合計で１００〜３，０００重量ｐｐｍ添加
しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると共に再結晶温
度が高（なって、使用中にクラッドターゲツト材のＣｕ
基板と熱圧着されることがな（、使用後クラッドターゲ
ツト材を簡単に取外すことができるという効果かある。
も１種以上を合計で１００〜３，０００重量ｐｐｍ添加
しているので、Ｃｕの拡散が抑制されると共に再結晶温
度が高（なって、使用中にクラッドターゲツト材のＣｕ
基板と熱圧着されることがな（、使用後クラッドターゲ
ツト材を簡単に取外すことができるという効果かある。
第１図は従来のスパッタリング用ターゲツト材をパッキ
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クラッドターゲツト材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲツト材をパッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 ３・・パッキングプレート。 出願人 田中貴金属工業株式会社
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クラッドターゲツト材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲツト材をパッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 ３・・パッキングプレート。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- スパッタリング用ターゲットを構成するパッキングプ
レートに於いて、パッキングプレートのＣｕの純度が９
９．７％以上で且つＺｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｎの少なく
とも１種以上合計で１００〜３，０００重量ｐｐｍ添加
されていることを特徴とするスパッタリング用パッキン
グプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409488A JPH01180976A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | スパッタリング用バッキングプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409488A JPH01180976A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | スパッタリング用バッキングプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180976A true JPH01180976A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11575207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP409488A Pending JPH01180976A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | スパッタリング用バッキングプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180976A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6759143B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-07-06 | Nikko Materials Company, Limited | Tantalum or tungsten target-copper alloy backing plate assembly and production method therefor |
| US7740721B2 (en) * | 2003-03-17 | 2010-06-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Copper alloy sputtering target process for producing the same and semiconductor element wiring |
| EP1715077A4 (en) * | 2003-12-25 | 2010-09-29 | Nippon Mining Co | ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE |
| US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP409488A patent/JPH01180976A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6759143B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-07-06 | Nikko Materials Company, Limited | Tantalum or tungsten target-copper alloy backing plate assembly and production method therefor |
| US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
| US7740721B2 (en) * | 2003-03-17 | 2010-06-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Copper alloy sputtering target process for producing the same and semiconductor element wiring |
| EP1715077A4 (en) * | 2003-12-25 | 2010-09-29 | Nippon Mining Co | ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE |
| EP2626444A3 (en) * | 2003-12-25 | 2013-10-16 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
| US9472383B2 (en) * | 2003-12-25 | 2016-10-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
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