JPH01181551A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
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- JPH01181551A JPH01181551A JP410388A JP410388A JPH01181551A JP H01181551 A JPH01181551 A JP H01181551A JP 410388 A JP410388 A JP 410388A JP 410388 A JP410388 A JP 410388A JP H01181551 A JPH01181551 A JP H01181551A
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- JP
- Japan
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- terminals
- external
- external terminals
- flame
- semiconductor device
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Links
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に外部端子間の半田くず
等による端子間ショート防止に関する。
等による端子間ショート防止に関する。
従来この種の半導体装置の外゛部端子は、複数個連らな
ったフレーム状態で外部端子を半田メツキを行ない、特
性選別後半導体装置を個々に切断、外部端子成形加工を
行なっていた。
ったフレーム状態で外部端子を半田メツキを行ない、特
性選別後半導体装置を個々に切断、外部端子成形加工を
行なっていた。
上述した従来の半導体装置は、外部端子加工時に半田メ
ツキ時に付着した半田くず、端子加工時に発生するパリ
等が外部端子間に付着し、端子間をショートさせてしま
うという欠点がある。
ツキ時に付着した半田くず、端子加工時に発生するパリ
等が外部端子間に付着し、端子間をショートさせてしま
うという欠点がある。
本発明の半導体装置は最終外形時において外部端子と、
水素トーチのような還元作用をもつ炎を出すノズルを有
している。この炎により外部端子の一部又は全体を加熱
する。
水素トーチのような還元作用をもつ炎を出すノズルを有
している。この炎により外部端子の一部又は全体を加熱
する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置１１の外部
端子１２を水素トーチノズル１３より出る炎で外部端子
１２を矢印の方向に移動させ端子間に付着した半田くず
を溶かして端子間ショートをなくする。
端子１２を水素トーチノズル１３より出る炎で外部端子
１２を矢印の方向に移動させ端子間に付着した半田くず
を溶かして端子間ショートをなくする。
第２図は従来の半導体装置である外部端子２２０間に半
田くず２３が付着し端子間シＢ−トを起す。
田くず２３が付着し端子間シＢ−トを起す。
以上説明したように本発明は、水素トーチのような還元
効果をもった炎で端子間を次々に移動することによって
端子間に付着した半田くず等を溶かし端子間を正常にで
きる効果がある。
効果をもった炎で端子間を次々に移動することによって
端子間に付着した半田くず等を溶かし端子間を正常にで
きる効果がある。
また、この炎によって外部端子の半田メツキを変質させ
るおそれもあるが、炎の移動速度を調整することにより
熱容量の大きい外部端子は変質させず、熱容量の小さい
端子間の半田くず等のみを溶かすことができる。
るおそれもあるが、炎の移動速度を調整することにより
熱容量の大きい外部端子は変質させず、熱容量の小さい
端子間の半田くず等のみを溶かすことができる。
さらに、炎を水素トーチのように還元効果のなるものに
することによって、その後の半田付性の劣化を起すこと
もない。
することによって、その後の半田付性の劣化を起すこと
もない。
第１図は本発明の一実施例図、第２図は従来技術の斜視
図である。 １１．２１・・・・・・半導体装置、１２．２２・・・
・・・外部端子、１３・・・・・・水素トーチノズル、
２３・・・・・・端子間に付着した半田くず。 代理人 弁理士 内 原 音 芥 ／ｒ！Ｍ
図である。 １１．２１・・・・・・半導体装置、１２．２２・・・
・・・外部端子、１３・・・・・・水素トーチノズル、
２３・・・・・・端子間に付着した半田くず。 代理人 弁理士 内 原 音 芥 ／ｒ！Ｍ
Claims (1)
- 最終外型の状態で外部端子の一部又は、全体を水素ト
ーチのような還元効果をもった炎によって加熱すること
を特徴とする半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410388A JPH01181551A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410388A JPH01181551A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 半導体装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181551A true JPH01181551A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11575456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP410388A Pending JPH01181551A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114653A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | フラックス除去方法 |
| US5075255A (en) * | 1991-02-27 | 1991-12-24 | Motorola, Inc. | Method of removing contaminants from a plated article with a clean burning hydrogen flame |
-
1988
- 1988-01-11 JP JP410388A patent/JPH01181551A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114653A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | フラックス除去方法 |
| US5075255A (en) * | 1991-02-27 | 1991-12-24 | Motorola, Inc. | Method of removing contaminants from a plated article with a clean burning hydrogen flame |
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