JPH01183129A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01183129A JPH01183129A JP63006852A JP685288A JPH01183129A JP H01183129 A JPH01183129 A JP H01183129A JP 63006852 A JP63006852 A JP 63006852A JP 685288 A JP685288 A JP 685288A JP H01183129 A JPH01183129 A JP H01183129A
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- wires
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- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体チップから同じリード片へ長さの異なる複数のワ
イヤが接続された半導体装置に関し、長いワイヤのチッ
プ付け部とのワイヤショートを防止することを目的とし
、 チップ付け部とリード片とが同一平面にあり、同一のリ
ード片とワイヤ接続されるべきパッドを複数有する半導
体チップが上記チップ付け部に固着され、上記各パッド
が別々のワイヤにより上記同一のリード片と電気的に接
続され、樹脂封止されてなる半導体装置において、上記
ワイヤを、そのうちの長いワイヤが短いワイヤの上を横
切る位置関係で配線して構成する。
イヤが接続された半導体装置に関し、長いワイヤのチッ
プ付け部とのワイヤショートを防止することを目的とし
、 チップ付け部とリード片とが同一平面にあり、同一のリ
ード片とワイヤ接続されるべきパッドを複数有する半導
体チップが上記チップ付け部に固着され、上記各パッド
が別々のワイヤにより上記同一のリード片と電気的に接
続され、樹脂封止されてなる半導体装置において、上記
ワイヤを、そのうちの長いワイヤが短いワイヤの上を横
切る位置関係で配線して構成する。
本発明は半導体チップから同じリード片へ長さの異なる
複数のワイヤが接続された半導体装置に関する。
複数のワイヤが接続された半導体装置に関する。
近年、従来に比べて電流容量、電力の大きい半導体チッ
プを有する半導体装置が必要とされつつある。この種の
半導体装置では、半導体チップとリード片とを接続する
のに複数本のワイヤを使用する。
プを有する半導体装置が必要とされつつある。この種の
半導体装置では、半導体チップとリード片とを接続する
のに複数本のワイヤを使用する。
この場合、電流分布等の関係から、ワイヤが接続される
個所としては、半導体チップの上面のうちできるだけ離
れた個所に定める。この結果、−のワイヤは短くて足り
るが、別のワイヤは相当良くなってしまう。
個所としては、半導体チップの上面のうちできるだけ離
れた個所に定める。この結果、−のワイヤは短くて足り
るが、別のワイヤは相当良くなってしまう。
ワイヤが長くなると、それだけ、ワイヤは垂れ下がり易
くなり、チップ付け部と不要な接触を起こし易くなる。
くなり、チップ付け部と不要な接触を起こし易くなる。
このため、ワイヤがチップ付け部と接触しないような対
策が必要となる。
策が必要となる。
第５図、第６図は夫々従来の半導体装置の１例であるパ
ワートランジスタ１の正面図、平面図である。
ワートランジスタ１の正面図、平面図である。
２はトランジスタチップであり、上面に−のベース用パ
ッド３、二つのエミッタ用パッド４゜５を有する。エミ
ッタ用パッド４．５の位置は離間している。
ッド３、二つのエミッタ用パッド４゜５を有する。エミ
ッタ用パッド４．５の位置は離間している。
６はリードフレームであり、チップ付け部７と、エミッ
タリード片８、コレクタリード片９、ベースリード片１
０とよりなる。これらは同一平面にあり、リードフレー
ム６は平面的な構造である。
タリード片８、コレクタリード片９、ベースリード片１
０とよりなる。これらは同一平面にあり、リードフレー
ム６は平面的な構造である。
チップ２はチップ付け部７に固着しである。
１１．１２．１３は夫々ワイヤであり、例えば、径が２
００μｍのアルミニウム製である。
００μｍのアルミニウム製である。
ワイヤ１１はエミッタ用パッド４とリード片８のワイヤ
付け部８ａとの間に超音波ボンディング゛により接続し
である。ワイヤ１２は別のエミッタ用パッド５とリード
片８のワイヤ付け部８ａとの、間に接続しである。ワイ
ヤ１３はベース用パッド３とベースリード１０との間に
接続しである。
付け部８ａとの間に超音波ボンディング゛により接続し
である。ワイヤ１２は別のエミッタ用パッド５とリード
片８のワイヤ付け部８ａとの、間に接続しである。ワイ
ヤ１３はベース用パッド３とベースリード１０との間に
接続しである。
ワイヤ１２の長さは約３ｊ＊と短いが、ワイヤ１１の長
さは例えば約７履と長い。
さは例えば約７履と長い。
ワイヤ１１．１２のパスは、第６図に示すように平面図
上平行である。
上平行である。
１４は合成樹脂体であり、チップ２及びワイヤ１１．１
２．１３を封止している。
２．１３を封止している。
短いワイヤ１２のパスは第５図中二点鎖線で示す如くに
なり、垂れ下がりは殆ど起こらず、ワイヤ１２のチップ
付け部７への接触は起きない。
なり、垂れ下がりは殆ど起こらず、ワイヤ１２のチップ
付け部７への接触は起きない。
しかし、長いワイヤ１１についてみると、このパスは第
６図中実線で示す如くになり、ワイヤ付け部８ａに到る
前に垂れ下がりが励こり、ワイヤ１１がチップ付け部７
に接触すること、所謂ワイヤショートが起こることがあ
る。
６図中実線で示す如くになり、ワイヤ付け部８ａに到る
前に垂れ下がりが励こり、ワイヤ１１がチップ付け部７
に接触すること、所謂ワイヤショートが起こることがあ
る。
このワイヤショートを防止するため、チップ付け部７の
サイズを小さくすることが考えられるが、このようにす
るとパワートランジスタ１の放熱性を損うため、チップ
付け部７の小サイズ化は出来ない。
サイズを小さくすることが考えられるが、このようにす
るとパワートランジスタ１の放熱性を損うため、チップ
付け部７の小サイズ化は出来ない。
また、ワイヤショートを防止するため、ワイヤをエミッ
タ用パッド４ヘボンデイングした後、ワイヤの引き上げ
高さを高くすることも考えられるが、これはパワートラ
ンジスタ１の外形寸法である高さＨにより制限を受ける
ため不可能である。
タ用パッド４ヘボンデイングした後、ワイヤの引き上げ
高さを高くすることも考えられるが、これはパワートラ
ンジスタ１の外形寸法である高さＨにより制限を受ける
ため不可能である。
本発明は長いワイヤのチップ付け部とのワイヤショート
を防止することのできる半導体装置を提供することを目
的とする。
を防止することのできる半導体装置を提供することを目
的とする。
本発明は、チップ付け部とリード片とが同一平面にあり
、同一のリード片とワイヤ接続されるべきパッドを複数
布する半導体チップが上記チップ付け部に固着され、上
記各パッドが別々のワイヤにより上記同一のリード片と
電気的に接続され、樹脂封止されてなる半導体装置にお
いて、上記ワイヤを、そのうちの長いワイヤが短いワイ
ヤの上を横切る位置関係で配線してなる構成としたもの
である。
、同一のリード片とワイヤ接続されるべきパッドを複数
布する半導体チップが上記チップ付け部に固着され、上
記各パッドが別々のワイヤにより上記同一のリード片と
電気的に接続され、樹脂封止されてなる半導体装置にお
いて、上記ワイヤを、そのうちの長いワイヤが短いワイ
ヤの上を横切る位置関係で配線してなる構成としたもの
である。
元々垂れ下がりにくい短いワイヤが、垂れ下がり易い長
いワイヤを迫り上げる。これにより、長いワイヤの垂れ
下がり量が抑制され、ワイヤのチップ取付１ノ部への接
触を防止出来る。
いワイヤを迫り上げる。これにより、長いワイヤの垂れ
下がり量が抑制され、ワイヤのチップ取付１ノ部への接
触を防止出来る。
〔実施例〕
第１図及び第２図は夫々本発明の半導体装置の一実施例
である。パワートランジスタ２０の正面図、平面図であ
る。
である。パワートランジスタ２０の正面図、平面図であ
る。
各図中、第５図、第６図に示す構成部分と対応する部分
には同一符号を付し、その説明は省略する。
には同一符号を付し、その説明は省略する。
ワイヤ１１と１２とは、リード片８のワイヤ付け部８ａ
の部分において、長いワイヤ１１が短いワイヤ１２の上
を横切る位置関係で配線されている。
の部分において、長いワイヤ１１が短いワイヤ１２の上
を横切る位置関係で配線されている。
１２ａは、ワイヤ１２のうちワイヤ付け部８ａへの接続
部２１の近傍のワイヤ部分であり、ワイヤ付け部８ａの
上面に横たわっている。
部２１の近傍のワイヤ部分であり、ワイヤ付け部８ａの
上面に横たわっている。
ワイヤ１１は、パッド４への接続部２２より離れるにつ
れて垂れ下がり始めるが、ワイヤ付け部８ａへの接続部
２３の近傍（根元）をワイヤ部分１２ａによりワイヤ１
２の径ｄに対応する高さ迫り上げられる。この迫り上げ
により、ワイヤ１１の垂れ下がりが抑制され、チップ付
け部７に最も接近する部分のワイヤ１１の高さはＨｌと
なり、チップ付け部７より確実に離れた高さとなり、ワ
イヤショートは起きない、。
れて垂れ下がり始めるが、ワイヤ付け部８ａへの接続部
２３の近傍（根元）をワイヤ部分１２ａによりワイヤ１
２の径ｄに対応する高さ迫り上げられる。この迫り上げ
により、ワイヤ１１の垂れ下がりが抑制され、チップ付
け部７に最も接近する部分のワイヤ１１の高さはＨｌと
なり、チップ付け部７より確実に離れた高さとなり、ワ
イヤショートは起きない、。
なお、上記の交差させたワイヤの配線は、最初に短いワ
イヤ１２をボンディングし、次いで長いワイヤ１１をワ
イヤ１２の上を横切るように引きき廻してボンディング
することによりなされる。
イヤ１２をボンディングし、次いで長いワイヤ１１をワ
イヤ１２の上を横切るように引きき廻してボンディング
することによりなされる。
なお、ワイヤ１１と１２との交差により両ワイヤがショ
ートすることになるが、ワイヤ１１゜１２は元々同じ電
流を供給されるものであり、不都合はない。
ートすることになるが、ワイヤ１１゜１２は元々同じ電
流を供給されるものであり、不都合はない。
第３図及び第４図は夫々本発明の半導体装置の別の実施
例である。パワートランジスタ３０の正面図、平面図で
ある。
例である。パワートランジスタ３０の正面図、平面図で
ある。
各図中、第１図、第２図に示す構成部分と対応する部分
には同一符号を付し、その説明は省略する。
には同一符号を付し、その説明は省略する。
このパワートランジスタ３０は、エミッタリード片８の
ワイヤ付け部８ａの先端に上方へ折曲形成してなる凸部
８ａ−１を設けた以外は、前記パワートランジスタ３０
と同じである。
ワイヤ付け部８ａの先端に上方へ折曲形成してなる凸部
８ａ−１を設けた以外は、前記パワートランジスタ３０
と同じである。
ワイヤ部分１２ａは凸部８ａ−１の上面に横たわってお
り、ワイヤ１１は、ワイヤ１２の径ｄに凸部８ａ−１の
高さｈを加えた寸法迫り上げられ、ワイヤ１１の垂れ下
がりもその分抑制される。これにより、チップ付け部７
に最も接近する部分のワイヤ１１の高さは、上記の場合
の高さＨｌより更に＾いＨ２とされ、ワイヤショートは
起きない。
り、ワイヤ１１は、ワイヤ１２の径ｄに凸部８ａ−１の
高さｈを加えた寸法迫り上げられ、ワイヤ１１の垂れ下
がりもその分抑制される。これにより、チップ付け部７
に最も接近する部分のワイヤ１１の高さは、上記の場合
の高さＨｌより更に＾いＨ２とされ、ワイヤショートは
起きない。
本実施例は、ワイヤ１１の長さが長い場合に適用して効
果がある。
果がある。
以上説明した様に、本発明によれば、垂れ下がり易い長
いワイヤは元々垂れ下がりにくい短いワイヤにより迫り
上げられ、その分長いワイヤの垂れ下がり量を抑制出来
る。これにより、リードフレームが平面状のものである
場合にも、ワイヤのチップ取付け部との不要な接触を防
止することが出来る。
いワイヤは元々垂れ下がりにくい短いワイヤにより迫り
上げられ、その分長いワイヤの垂れ下がり量を抑制出来
る。これにより、リードフレームが平面状のものである
場合にも、ワイヤのチップ取付け部との不要な接触を防
止することが出来る。
第１図、第２図は夫々本発明の一実施例になる半導体装
置の内部の構造を示す正面図及び平面図、第３図、第４
図は夫々本発明の別の実施例になる半導体装置の内部の
構造を示す正面図及び平面図、 第５図、第６図は夫々従来の半導体装置の１例の内部の
構造を示す正面図、平面図である。 図において ２はトランジスタチップ、 ６はリードフレーム、 ７はチップ付け部、 ８はエミッタリード片、 ８ａはワイヤ付け部、 ８ａ−１は凸部、 １１は長いワイヤ、 １２は短いワイヤ、 １２ａはワイヤ部分、 ２０．２１はパワートランジスタ を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 代 理 人 弁理士 伊 東 忠 彦 ＃、氷の牛郁−ネ棒１艷の一７Ｉｐ９１ ／） Ｅ１困
１１４図 第６図
置の内部の構造を示す正面図及び平面図、第３図、第４
図は夫々本発明の別の実施例になる半導体装置の内部の
構造を示す正面図及び平面図、 第５図、第６図は夫々従来の半導体装置の１例の内部の
構造を示す正面図、平面図である。 図において ２はトランジスタチップ、 ６はリードフレーム、 ７はチップ付け部、 ８はエミッタリード片、 ８ａはワイヤ付け部、 ８ａ−１は凸部、 １１は長いワイヤ、 １２は短いワイヤ、 １２ａはワイヤ部分、 ２０．２１はパワートランジスタ を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 代 理 人 弁理士 伊 東 忠 彦 ＃、氷の牛郁−ネ棒１艷の一７Ｉｐ９１ ／） Ｅ１困
１１４図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チップ付け部（７）とリード片（８）とが同一平面に
あり、同一のリード片とワイヤ接続されるべきパッド（
４、５）を複数有する半導体チップ（２）が上記チップ
付け部（７）に固着され、上記各パッド（４、５）が別
々のワイヤ（１１、１２）により上記同一のリード片（
８）と電気的に接続され、樹脂封止されてなる半導体装
置において、 上記ワイヤを、そのうちの長いワイヤ（１１）が短いワ
イヤ（１２）の上を横切る位置関係で配線してなる構成
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006852A JPH01183129A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006852A JPH01183129A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183129A true JPH01183129A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11649763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63006852A Pending JPH01183129A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183129A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684332A (en) * | 1994-05-27 | 1997-11-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of packaging a semiconductor device with minimum bonding pad pitch and packaged device therefrom |
| JP2008166622A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010109254A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2010098501A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014127561A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Sanken Electric Co Ltd | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63006852A patent/JPH01183129A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684332A (en) * | 1994-05-27 | 1997-11-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of packaging a semiconductor device with minimum bonding pad pitch and packaged device therefrom |
| JP2008166622A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010109254A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2010098501A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN102334186A (zh) * | 2009-02-27 | 2012-01-25 | 安森美半导体贸易公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| US8633511B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-01-21 | On Semiconductor Trading, Ltd. | Method of producing semiconductor device packaging having chips attached to islands separately and covered by encapsulation material |
| JP2014127561A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Sanken Electric Co Ltd | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 |
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