JPH01183178A - 超伝導セラミック素子の製造方法 - Google Patents
超伝導セラミック素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01183178A JPH01183178A JP63008059A JP805988A JPH01183178A JP H01183178 A JPH01183178 A JP H01183178A JP 63008059 A JP63008059 A JP 63008059A JP 805988 A JP805988 A JP 805988A JP H01183178 A JPH01183178 A JP H01183178A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting ceramic
- laser beam
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- superconducting
- ceramic element
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- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、超伝導セラミック素子の製造方法に関する
もので、特に、超伝導セラミックスにレーザビームを照
射してジョセフソンジャンクションやスクイドを製造す
る方法である。
もので、特に、超伝導セラミックスにレーザビームを照
射してジョセフソンジャンクションやスクイドを製造す
る方法である。
従来、超伝導セラミックスを加工して超伝導セラミック
素子を製造する技術は確立されておらず、したがって、
製造に際しては、超伝導セラミックスの上をハンマでた
たいてひびを入れる等の非常に原始的な方法でしか行わ
れていなかった。
素子を製造する技術は確立されておらず、したがって、
製造に際しては、超伝導セラミックスの上をハンマでた
たいてひびを入れる等の非常に原始的な方法でしか行わ
れていなかった。
（発明が解決しようとする課題）
このため、上記のような従来の超伝導セラミック素子の
製造方法においては、超伝導セラミックスからジョセフ
ソンジャンクションやスクイドを確実に製造することは
非常に困難であるという問題点があった。
製造方法においては、超伝導セラミックスからジョセフ
ソンジャンクションやスクイドを確実に製造することは
非常に困難であるという問題点があった。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、超伝導セラミックスの表面にレーザビームを照射す
ることにより超伝導セラミック素子の製造かで剖るよう
にした超伝導セラミック素子の製造方法を得ることを目
的とする。
で、超伝導セラミックスの表面にレーザビームを照射す
ることにより超伝導セラミック素子の製造かで剖るよう
にした超伝導セラミック素子の製造方法を得ることを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる超伝導セラミック素子の製造方法は、
超伝導セラミックスの所定個所にレーザビームを照射し
て所要の深さのカッティングおよび／または熱処理を施
す工程を含むものである。
超伝導セラミックスの所定個所にレーザビームを照射し
て所要の深さのカッティングおよび／または熱処理を施
す工程を含むものである。
（作用）
この発明においては、超伝導セラミックスにレーザビー
ムを照射してカッティングおよび／または熱処理を施す
ことにより超伝導セラミック素子としての電気的特性が
発生する。
ムを照射してカッティングおよび／または熱処理を施す
ことにより超伝導セラミック素子としての電気的特性が
発生する。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略斜視図で、１は
レーザビーム、２は集光レンズ、３は超伝導セラミック
ス、４は前記レーザビーム１による照射部、５は前記レ
ーザビーム１の照射によって形成された超伝導セラミッ
ク素子である。
レーザビーム、２は集光レンズ、３は超伝導セラミック
ス、４は前記レーザビーム１による照射部、５は前記レ
ーザビーム１の照射によって形成された超伝導セラミッ
ク素子である。
次に、製造方法について説明する。
超伝導セラミックス３の表面の所定個所に集光レンズ２
で集光されたレーザビーム１を照射すると、その照射部
４は第２図の斜視図に示すようにカッティング部６とブ
リッジ７とが形成されて超伝導セラミック素子５が構成
される。そして、このブリッジ７の非常に薄くなった部
分が導体、半導体または絶縁体に変化してジャンクショ
ン部分を構成し、ジョセフソンジャンクションやスクイ
ドとして作用する。
で集光されたレーザビーム１を照射すると、その照射部
４は第２図の斜視図に示すようにカッティング部６とブ
リッジ７とが形成されて超伝導セラミック素子５が構成
される。そして、このブリッジ７の非常に薄くなった部
分が導体、半導体または絶縁体に変化してジャンクショ
ン部分を構成し、ジョセフソンジャンクションやスクイ
ドとして作用する。
なお、超伝導セラミックス３にレーザビーム１を照射す
る部分の雰囲気は、活性、不活性、減圧、加圧等が適用
できる。
る部分の雰囲気は、活性、不活性、減圧、加圧等が適用
できる。
第３図（ａ）〜（ｃ）は超伝導セラミック素子５のブリ
ッジ７の部分を示す側面図で、第１図。
ッジ７の部分を示す側面図で、第１図。
第２図と同一符号は同一部分を示し、第３図（ａ）はレ
ーザビーム１によりカッティング６を形成したもの、第
３図（ｂ）はレーザビーム１により熱処理を施して超伝
導セラミックス３を導体、半導体または絶縁体等に変化
させ、熱処理部８を形成したもの、第３図（Ｃ）はカッ
ティング部６と熱処理部８とを形成したものである。
ーザビーム１によりカッティング６を形成したもの、第
３図（ｂ）はレーザビーム１により熱処理を施して超伝
導セラミックス３を導体、半導体または絶縁体等に変化
させ、熱処理部８を形成したもの、第３図（Ｃ）はカッ
ティング部６と熱処理部８とを形成したものである。
第４図（ａ）、（ｂ）は超伝導セラミック素子５の他の
形状を示す側面図で、第１図〜第３図と同一符号は同一
符号を示し、第４図（ａ）は超伝導セラミックス３のカ
ッティング部６の部分に絶縁体９を充填、接合したもの
、第４図（ｂ）は超伝導セラミックス３に施した熱処理
部８の上に絶縁体９を充填、接合したものである。
形状を示す側面図で、第１図〜第３図と同一符号は同一
符号を示し、第４図（ａ）は超伝導セラミックス３のカ
ッティング部６の部分に絶縁体９を充填、接合したもの
、第４図（ｂ）は超伝導セラミックス３に施した熱処理
部８の上に絶縁体９を充填、接合したものである。
第５図（ａ）、（ｂ）は超伝導セラミック素子５のさら
に他の形状を示すもので、第５図（ａ）は斜視図、第５
図（ｂ）は第５図（ａ）のＩ−Ｉ線による断面図で、第
１図、第２図と同一符号に同一部分を示す。第５図（ａ
）、（ｂ）においては、超伝導セラミック素子５のブリ
ッジ７を小さく薄くするため超伝導セラミックス３の上
方と下方に互いに直角方向のカッティング部６を形成し
たものである。
に他の形状を示すもので、第５図（ａ）は斜視図、第５
図（ｂ）は第５図（ａ）のＩ−Ｉ線による断面図で、第
１図、第２図と同一符号に同一部分を示す。第５図（ａ
）、（ｂ）においては、超伝導セラミック素子５のブリ
ッジ７を小さく薄くするため超伝導セラミックス３の上
方と下方に互いに直角方向のカッティング部６を形成し
たものである。
第６図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の実棒例により形成さ
れたジョセフソンジャンクションの各種形状を示す側面
図で、第１図〜第４図と同一符号は同一部分を示し、１
０はジョセフソンジャンクションを示す。
れたジョセフソンジャンクションの各種形状を示す側面
図で、第１図〜第４図と同一符号は同一部分を示し、１
０はジョセフソンジャンクションを示す。
第７図（ａ）〜（Ｃ）、第８図（ａ）、 （ｂ）。
第９図（ａ）、（ｂ）はこの発明の実施例により形成さ
れたスクイドの各種形状を示すもので、第７図（ａ）〜
（ｃ）は側面図、第８図（ａ）は平面図、第８図（ｂ）
は第８図（’ａ）のＩＩ −ＩＩ線による断面図、第９
図（ａ）は平面図、第９図（ｂ）は第９図（ａ）のＩＩ
Ｉ −ＩＩＩ線による断面図である。これらの図におい
て、第１図〜第４図と同一符号は同一部分を示し、１１
はスクイドを示す。
れたスクイドの各種形状を示すもので、第７図（ａ）〜
（ｃ）は側面図、第８図（ａ）は平面図、第８図（ｂ）
は第８図（’ａ）のＩＩ −ＩＩ線による断面図、第９
図（ａ）は平面図、第９図（ｂ）は第９図（ａ）のＩＩ
Ｉ −ＩＩＩ線による断面図である。これらの図におい
て、第１図〜第４図と同一符号は同一部分を示し、１１
はスクイドを示す。
〔発明の効果］
以上説明したようにこの発明は、超伝導セラミックスの
所定個所にレーザビームを照射して所要の深さのカッテ
ィングおよび／または熱処理を施す工程を含むようにし
たので、従来の技術では不可能であったジョセフソンジ
ャンクションまたはスクイド等の超伝導セラミック素子
の製造が可能となる利点を有する。
所定個所にレーザビームを照射して所要の深さのカッテ
ィングおよび／または熱処理を施す工程を含むようにし
たので、従来の技術では不可能であったジョセフソンジ
ャンクションまたはスクイド等の超伝導セラミック素子
の製造が可能となる利点を有する。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略斜視図、第２図
は超伝導セラミック素子の一例を示す斜視図、第３図（
ａ）〜（Ｃ）は超伝導セラミック素子のブリッジの部分
を示す側面図、第４図（ａ）、（ｂ）は超伝導セラミッ
ク素子の他の形状を示す側面図、第５図（ａ）、（ｂ）
は超伝導セラミック素子のさらに他の形状を示すもので
、第５図（ａ）は斜視図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）
のＩ−Ｉ線による断面図、第６図（ａ）〜（ｄ）はこの
発明の実施例により形成されたジョセフソンジャンクシ
ョンの各種形状を示す側面図、第７図（ａ）〜（Ｃ）、
第８図（ａ）。 （ｂ）、第９図（ａ）、（ｂ）はこの発明の実施例によ
り形成されたスクイドの各種形状を示すもので、第７図
（ａ）〜（ｃ）は側面図、第８図（ａ）は平面図、第８
図（ｂ）は第８図（ａ）のＩＩ −ＩＩ線による断面図
、第９図（ａ）は平面図、第９図（ｂ）は第９図（ａ）
のＩＩＩ ’−ＩＩＩ線による断面図である。 図中、１はレーザビーム、２は集光レンズ、３は超伝導
セラミックス、４は照射部、５は超伝導セラミック素子
、６はカッティング部、７はブリ第８図 第９図 （ａ） 旦 １ｂ５１１
は超伝導セラミック素子の一例を示す斜視図、第３図（
ａ）〜（Ｃ）は超伝導セラミック素子のブリッジの部分
を示す側面図、第４図（ａ）、（ｂ）は超伝導セラミッ
ク素子の他の形状を示す側面図、第５図（ａ）、（ｂ）
は超伝導セラミック素子のさらに他の形状を示すもので
、第５図（ａ）は斜視図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）
のＩ−Ｉ線による断面図、第６図（ａ）〜（ｄ）はこの
発明の実施例により形成されたジョセフソンジャンクシ
ョンの各種形状を示す側面図、第７図（ａ）〜（Ｃ）、
第８図（ａ）。 （ｂ）、第９図（ａ）、（ｂ）はこの発明の実施例によ
り形成されたスクイドの各種形状を示すもので、第７図
（ａ）〜（ｃ）は側面図、第８図（ａ）は平面図、第８
図（ｂ）は第８図（ａ）のＩＩ −ＩＩ線による断面図
、第９図（ａ）は平面図、第９図（ｂ）は第９図（ａ）
のＩＩＩ ’−ＩＩＩ線による断面図である。 図中、１はレーザビーム、２は集光レンズ、３は超伝導
セラミックス、４は照射部、５は超伝導セラミック素子
、６はカッティング部、７はブリ第８図 第９図 （ａ） 旦 １ｂ５１１
Claims (1)
- 超伝導セラミックスの所定個所にレーザビームを照射
して所要の深さのカッティングおよび／または熱処理を
施す工程を含むことを特徴とする超伝導セラミック素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008059A JPH01183178A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 超伝導セラミック素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008059A JPH01183178A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 超伝導セラミック素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183178A true JPH01183178A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11682762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63008059A Pending JPH01183178A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 超伝導セラミック素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183178A (ja) |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63008059A patent/JPH01183178A/ja active Pending
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