JPH01257380A - ジョセフソン素子 - Google Patents
ジョセフソン素子Info
- Publication number
- JPH01257380A JPH01257380A JP63086570A JP8657088A JPH01257380A JP H01257380 A JPH01257380 A JP H01257380A JP 63086570 A JP63086570 A JP 63086570A JP 8657088 A JP8657088 A JP 8657088A JP H01257380 A JPH01257380 A JP H01257380A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- josephson
- weak
- superconducting
- josephson device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超伝導特性を利用するジョセフソン素子に
関するものである。
関するものである。
第３図は例えば「超伝導エレクトロニクス、オーム社」
第１０３頁に記載された従来のジョセフソン素子を示す
構成図であり、図において１は基板、２は絶縁膜、３ａ
、３ｂはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜パターンか
らなる電極部、４はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜
パターンからなる弱結合部である。
第１０３頁に記載された従来のジョセフソン素子を示す
構成図であり、図において１は基板、２は絶縁膜、３ａ
、３ｂはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜パターンか
らなる電極部、４はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜
パターンからなる弱結合部である。
次に作製方法について説明する。
本従来例素子は、集積回路（ＩＣ）の製造で用いられる
スパッタ法、写真製版法、エツチング法等を用いて以下
のように作成される。
スパッタ法、写真製版法、エツチング法等を用いて以下
のように作成される。
まず超伝導薄膜３ａを基板１上にスパッタ法で形成し、
写真製版、エツチング等により超伝導薄膜パターン３ａ
を形成する。そして同様の工程で絶縁膜２．超伝導薄膜
パターン３ｂ及び超伝導薄膜パターン４を形成すればよ
い。
写真製版、エツチング等により超伝導薄膜パターン３ａ
を形成する。そして同様の工程で絶縁膜２．超伝導薄膜
パターン３ｂ及び超伝導薄膜パターン４を形成すればよ
い。
このように作成された従来のジョセフソン素子において
は、超伝導薄膜パターン４が弱結合部（ｗｅａｋ−１ｉ
ｎｋ）となっており、ジョセフソン素子として動作する
。
は、超伝導薄膜パターン４が弱結合部（ｗｅａｋ−１ｉ
ｎｋ）となっており、ジョセフソン素子として動作する
。
従来のジョセフソン素子は以上のように構成され、上述
のようにスバフタ法、写真製版法、エツチング法等を用
いて作成されるｅ Ｙ Ｂ ａ Ｃｕ−〇系のセラ
ミックス系高温超伝導体は、写真製版やエツチングの工
程で他の薬剤、水、雰囲気に曝されると、化学組成や結
晶構造が変化しやすく、このため従来の作成方法によっ
ては所望する超伝握持性を有しなくなりやすいという問
題点があった。
のようにスバフタ法、写真製版法、エツチング法等を用
いて作成されるｅ Ｙ Ｂ ａ Ｃｕ−〇系のセラ
ミックス系高温超伝導体は、写真製版やエツチングの工
程で他の薬剤、水、雰囲気に曝されると、化学組成や結
晶構造が変化しやすく、このため従来の作成方法によっ
ては所望する超伝握持性を有しなくなりやすいという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、容易な工程で所望の超伝導特性を有するジョ
セフソン素子を得ることを目的とする。
たもので、容易な工程で所望の超伝導特性を有するジョ
セフソン素子を得ることを目的とする。
この発明に係るジョセフソン素子は、化合物系超伝導体
の一部に高エネルギービームを照射することにより弱い
結合（ｗｅａｋ−ｌ １ｎｋ）を形成するようにしたも
のである。
の一部に高エネルギービームを照射することにより弱い
結合（ｗｅａｋ−ｌ １ｎｋ）を形成するようにしたも
のである。
この発明においては、化合物系超伝導体の一部に高エネ
ルギービームを照射して弱い結合（ｗｅａｋ−ｌ １ｎ
ｋ）を形成するようにしたから、容易な工程で所望の超
伝導特性を有するジョセフソン素子を得ることができる
。
ルギービームを照射して弱い結合（ｗｅａｋ−ｌ １ｎ
ｋ）を形成するようにしたから、容易な工程で所望の超
伝導特性を有するジョセフソン素子を得ることができる
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるジョセフソン素子を製
造する方法を示す図であり、図において、１は基板、３
はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜、４はＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザビーム等の高エネルギービームである。
造する方法を示す図であり、図において、１は基板、３
はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超伝導薄膜、４はＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザビーム等の高エネルギービームである。
本実施例ではＮｄ ： ＹＡＧレーザビームを出力０．
５Ｗにて図に示すように超伝導薄膜３を横切るように走
査することによりジョセフソン素子を得ることができる
。第２図はレーザビーム照射後の超伝導薄膜３．基板１
を示す断面図である０図において、５はＮｄ ： ＹＡ
Ｇレーザビームの照射によって超伝導体から常伝導体に
変化した部分、６は超伝導体を保っている部分である。
５Ｗにて図に示すように超伝導薄膜３を横切るように走
査することによりジョセフソン素子を得ることができる
。第２図はレーザビーム照射後の超伝導薄膜３．基板１
を示す断面図である０図において、５はＮｄ ： ＹＡ
Ｇレーザビームの照射によって超伝導体から常伝導体に
変化した部分、６は超伝導体を保っている部分である。
このように形成された本実施例では超伝導特性を保って
いる部分６がその両側の超伝導体間の弱い結合（ｗｅａ
ｋ−１ｉｎｋ）を形成し、該素子はジョセフソン効果を
発揮するジョセフソン素子として機能し、超伝導量子干
渉装置等に利用できる。
いる部分６がその両側の超伝導体間の弱い結合（ｗｅａ
ｋ−１ｉｎｋ）を形成し、該素子はジョセフソン効果を
発揮するジョセフソン素子として機能し、超伝導量子干
渉装置等に利用できる。
なお、上記実施例では高エネルギービームとしてレーザ
ビームを用いるものを示したが、電子ビームやイオンビ
ーム等地の高エネルギービームを用いて超伝導薄膜を走
査して弱い結合（ｗｅａｋ−ｌ １ｎｋ）を形成するこ
とも可能であり、上記実施例と同様の効果を奏する。
ビームを用いるものを示したが、電子ビームやイオンビ
ーム等地の高エネルギービームを用いて超伝導薄膜を走
査して弱い結合（ｗｅａｋ−ｌ １ｎｋ）を形成するこ
とも可能であり、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、化合物系超伝導体の
一部に高エネルギービームを照射して弱い結合（ｗｅａ
ｋ−１ｉｎｋ）を形成することによりジョセフソン素子
を得るようにしたから、写真製版やエツチング等の工程
を省略できるとともに温度等に対して安定な超伝導特性
を有するジョセフソン素子を容易な工程で得ることがで
きる効果がある。
一部に高エネルギービームを照射して弱い結合（ｗｅａ
ｋ−１ｉｎｋ）を形成することによりジョセフソン素子
を得るようにしたから、写真製版やエツチング等の工程
を省略できるとともに温度等に対して安定な超伝導特性
を有するジョセフソン素子を容易な工程で得ることがで
きる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるジョセフソン素子を
製造する方法を示す図、第２図は上記実施例によるジョ
セフソン素子の構造を示す断面図、第３図は従来のジョ
セフソン素子の構成を示す図である。 ３は超伝導’１１１Ｍ、４は高エネルギービーム、６は
弱い結合部（ｗｅａｋ−１ｉｎｋ）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
製造する方法を示す図、第２図は上記実施例によるジョ
セフソン素子の構造を示す断面図、第３図は従来のジョ
セフソン素子の構成を示す図である。 ３は超伝導’１１１Ｍ、４は高エネルギービーム、６は
弱い結合部（ｗｅａｋ−１ｉｎｋ）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）化合物系超伝導体の一部に高エネルギービームを
照射して形成された弱い結合（ｗｅａｋ−ｌｉｎｋ）を
備えたことを特徴とするジョセフソン素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086570A JPH01257380A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | ジョセフソン素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086570A JPH01257380A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | ジョセフソン素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257380A true JPH01257380A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13890675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63086570A Pending JPH01257380A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | ジョセフソン素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514877A (en) * | 1990-09-27 | 1996-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting device and a method for manufacturing the same |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP63086570A patent/JPH01257380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514877A (en) * | 1990-09-27 | 1996-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting device and a method for manufacturing the same |
| US5683968A (en) * | 1990-09-27 | 1997-11-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing a superconducting device |
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