JPH01183186A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH01183186A JPH01183186A JP730588A JP730588A JPH01183186A JP H01183186 A JPH01183186 A JP H01183186A JP 730588 A JP730588 A JP 730588A JP 730588 A JP730588 A JP 730588A JP H01183186 A JPH01183186 A JP H01183186A
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- JP
- Japan
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- optical output
- semiconductor laser
- reflectance
- end surface
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、例えばプリンタ用光源として適した半導体
レーザに関するものである。
レーザに関するものである。
レーザビームプリンタは半導体レーザ（以下にはＬＤと
略す）をパルス電流駆動し、駆動電流波形に対応した光
出力によって印字するものである。ＬＤとしては、第３
図に示すようなファブリベロー型のものが一般的である
。
略す）をパルス電流駆動し、駆動電流波形に対応した光
出力によって印字するものである。ＬＤとしては、第３
図に示すようなファブリベロー型のものが一般的である
。
第３図に示したＬＤチップ１は２つの共振器の端面２．
２ａを介して出射光３．３８が得うレ、ＧａＡｓを材料
とした場合、両端面２，２ａは３２％の反射率を有して
いる。このＬＤチップ１を第４図に示すように、放熱用
ブロック４に組み立て、さらにＬＤの光出力制御用受光
素子５が組み込まれたステム６に組み立て、窓ガラス７
付きのキャップ８を装着すれば、半導体レーザ装置が得
られる。
２ａを介して出射光３．３８が得うレ、ＧａＡｓを材料
とした場合、両端面２，２ａは３２％の反射率を有して
いる。このＬＤチップ１を第４図に示すように、放熱用
ブロック４に組み立て、さらにＬＤの光出力制御用受光
素子５が組み込まれたステム６に組み立て、窓ガラス７
付きのキャップ８を装着すれば、半導体レーザ装置が得
られる。
そして、この半導体レーザでは、ＬＤの前端面２からの
出射光３がプリンタ用光源となり、光出力制御用受光素
子５に入射される後端面２ａからの出射光３ａにより強
度が制御される。
出射光３がプリンタ用光源となり、光出力制御用受光素
子５に入射される後端面２ａからの出射光３ａにより強
度が制御される。
ところで、通常ＬＤに第５図（ａ）に示すようなパルス
駆動電流Ｉを流した場合、駆動電流波形に対応した波形
で光出力ｐが得られることが望ましいが、実際には第５
図（ｂ）に示すように、ＬＤの熱特性のためにパルス初
期ｔ１の光出力ＰＦ比べ、パルス終期ｔ２で光出力Ｐの
低下△Ｐが生ずる。これは第６図に示すように、ＬＤの
光出力Ｐ−電梳Ｉ特性が温度により著しく変動し易いこ
とに起因しており、動作電流■。いを一定に保つていて
も、温度上昇によって図中の矢印で示すようにシフトす
る。すなわち、ＬＤが駆動電流により通電されると、Ｌ
Ｄの活性層゛の温度が上昇し、第６図に示すように、光
出力Ｐ−電電流時特性変化し、パルス電流が一定であっ
てもパルス初期ｔ１に比べ、パルス終期ｔ２では光出力
Ｐの低下が生ずることになる。
駆動電流Ｉを流した場合、駆動電流波形に対応した波形
で光出力ｐが得られることが望ましいが、実際には第５
図（ｂ）に示すように、ＬＤの熱特性のためにパルス初
期ｔ１の光出力ＰＦ比べ、パルス終期ｔ２で光出力Ｐの
低下△Ｐが生ずる。これは第６図に示すように、ＬＤの
光出力Ｐ−電梳Ｉ特性が温度により著しく変動し易いこ
とに起因しており、動作電流■。いを一定に保つていて
も、温度上昇によって図中の矢印で示すようにシフトす
る。すなわち、ＬＤが駆動電流により通電されると、Ｌ
Ｄの活性層゛の温度が上昇し、第６図に示すように、光
出力Ｐ−電電流時特性変化し、パルス電流が一定であっ
てもパルス初期ｔ１に比べ、パルス終期ｔ２では光出力
Ｐの低下が生ずることになる。
上記のような従来のＬＤでは、第５図（ｂ）に示すよう
に、パルス初期ｔ１の光出力値に比べ、パルス終期ｔ２
で光出力Ｐの低下が生じるため、プリンタ用の光源とし
て用いた場合の印字に濃淡が生ずるという問題点があっ
た。
に、パルス初期ｔ１の光出力値に比べ、パルス終期ｔ２
で光出力Ｐの低下が生じるため、プリンタ用の光源とし
て用いた場合の印字に濃淡が生ずるという問題点があっ
た。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、温度上昇による光出力の低下を小さくしてパルス
駆動時に一定強度の光出力が得られる半導体レーザを得
ることを目的とする。
ので、温度上昇による光出力の低下を小さくしてパルス
駆動時に一定強度の光出力が得られる半導体レーザを得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、主として用いるレーザ
光を取り出す側の端面反射率を他方の端面反射率よりも
高くしたものである。
光を取り出す側の端面反射率を他方の端面反射率よりも
高くしたものである。
（作用〕
この発明においては、レーザ光を取り出す側の端面から
の出射効率が低下し、この端面から出射されるレーザ光
の光出力−電流特性の傾きが緩やかになる。
の出射効率が低下し、この端面から出射されるレーザ光
の光出力−電流特性の傾きが緩やかになる。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例を示す側面
図である。
図である。
この図において、第３図と同一符号は同一のものを示し
、９ａはλ／４厚のＡｕｚＯ３膜、９ｂはλ／２厚のＡ
Ｊ２２ｏ、膜、１０はλ／４厚のＳｉ膜であり（ただし
λは発振波長）、電子ビーム蒸着法またはスパッタ蒸着
法により形成されている。
、９ａはλ／４厚のＡｕｚＯ３膜、９ｂはλ／２厚のＡ
Ｊ２２ｏ、膜、１０はλ／４厚のＳｉ膜であり（ただし
λは発振波長）、電子ビーム蒸着法またはスパッタ蒸着
法により形成されている。
次に動作について説明する。
この実施例では前端面２にはλ／４厚のＡｆＬ２ｏ３膜
９ａ、Ｓｉ膜１０．Ａｎ２ｏ３膜９ａの３層からなる誘
電体膜を形成し、後端面２ａにはλ／２厚のＡＪ１２０
ｓ膜９ｂを形成している。このように屈折率ｎが違うλ
／４厚の膜（ｎＡ２０３＝１．６．ｎｓ＋＝４）による
多層膜が形成されると反射率が高くなり、前端面２での
反射率は約６０％となっている。一方、λ／２厚のＡＪ
２２ ｏ３膜９ｂが形成された後端面２ａでの反射率は
変化せず、３２％のままとなっている。ＡＪ１２０ｓ膜
９ａ、９ｂは両端面２，２ａの保護膜としても機能して
いる。
９ａ、Ｓｉ膜１０．Ａｎ２ｏ３膜９ａの３層からなる誘
電体膜を形成し、後端面２ａにはλ／２厚のＡＪ１２０
ｓ膜９ｂを形成している。このように屈折率ｎが違うλ
／４厚の膜（ｎＡ２０３＝１．６．ｎｓ＋＝４）による
多層膜が形成されると反射率が高くなり、前端面２での
反射率は約６０％となっている。一方、λ／２厚のＡＪ
２２ ｏ３膜９ｂが形成された後端面２ａでの反射率は
変化せず、３２％のままとなっている。ＡＪ１２０ｓ膜
９ａ、９ｂは両端面２，２ａの保護膜としても機能して
いる。
このように、主として用いるレーザ光を取り出す前端面
２の反射率を後端面２ａよりも高くした場合、前端面２
からの出射光３に対する光出力Ｐ−電電流時特性第２図
（ａ）に示すようになり、後端面２ａからの出射光３ａ
に対する光出力Ｐ−電電流時特性第２図（ｂ）に示すよ
うになる。
２の反射率を後端面２ａよりも高くした場合、前端面２
からの出射光３に対する光出力Ｐ−電電流時特性第２図
（ａ）に示すようになり、後端面２ａからの出射光３ａ
に対する光出力Ｐ−電電流時特性第２図（ｂ）に示すよ
うになる。
一般に、発振しきい値Ｉｔｈでの光出力なＰｔｈとし、
動作電流Ｉ。、での光出力をＰＯＩとした時、光表され
るので、反射率の高い前端面２からの出射光３は効率η
が後端面２ａからの出射光３ａに比べて低くなっている
。
動作電流Ｉ。、での光出力をＰＯＩとした時、光表され
るので、反射率の高い前端面２からの出射光３は効率η
が後端面２ａからの出射光３ａに比べて低くなっている
。
すなわち、ＬＤのパルス駆動電流Ｉの通電によって活性
層の温度が上昇しても、効率ηが低いため、光出力Ｐの
低下を第２図中の矢印で示されるように小さくできる。
層の温度が上昇しても、効率ηが低いため、光出力Ｐの
低下を第２図中の矢印で示されるように小さくできる。
したがって、例えばレーザビームプリンタ用の光源とし
て用いれば印字に濃淡が生じなくなる。 なお、上記実
施例では前端面２の反射率を６０％、後端面２ａの反射
率を３２％とした場合を説明したが、この発明の効果は
前端面２からの出射光３の効率を下げることで得られる
ものであり、上述の反射率のみに限定されないことはい
うまでもない。
て用いれば印字に濃淡が生じなくなる。 なお、上記実
施例では前端面２の反射率を６０％、後端面２ａの反射
率を３２％とした場合を説明したが、この発明の効果は
前端面２からの出射光３の効率を下げることで得られる
ものであり、上述の反射率のみに限定されないことはい
うまでもない。
（発明の効果）
この発明は以上説明したとおり、主として用いるレーザ
光を取り出す側の端面反射率を他方の端面反射率よりも
高くしたので、パルス駆動時の光出力の低下が少なくて
すみ、プリンタ等の光出力の変動が許容されない機器の
光源として好適となるという効果がある。
光を取り出す側の端面反射率を他方の端面反射率よりも
高くしたので、パルス駆動時の光出力の低下が少なくて
すみ、プリンタ等の光出力の変動が許容されない機器の
光源として好適となるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例を示す側面
図、第２図は光出力−電流特性を説明するための図、第
３図は半導体レーザチップを示す図、第４図は半導体レ
ーザの構成を示す図、第５図は従来の半導体レーザにお
ける光出力の低下を説明するための図、第６図は従来の
半導体レーザの光出力−電流特性を説明するための図で
ある。 図において、１はＬＤチップ、２．２ａは共振器の端面
、３．３ａは出射光、９ａ、９ｂはＩＱ２０３膜、１０
はＳｔ膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第３図 第４図 −Ｙ 宿、７ ａ 第５図 ａ ３ａ ５ 第６図 −温度上昇
図、第２図は光出力−電流特性を説明するための図、第
３図は半導体レーザチップを示す図、第４図は半導体レ
ーザの構成を示す図、第５図は従来の半導体レーザにお
ける光出力の低下を説明するための図、第６図は従来の
半導体レーザの光出力−電流特性を説明するための図で
ある。 図において、１はＬＤチップ、２．２ａは共振器の端面
、３．３ａは出射光、９ａ、９ｂはＩＱ２０３膜、１０
はＳｔ膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第３図 第４図 −Ｙ 宿、７ ａ 第５図 ａ ３ａ ５ 第６図 −温度上昇
Claims (1)
- ２つの対向する共振器端面を有するファブリペロー型の
半導体レーザにおいて、主として用いるレーザ光を取り
出す側の端面反射率を他方の端面反射率よりも高くした
ことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP730588A JPH01183186A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP730588A JPH01183186A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183186A true JPH01183186A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11662300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP730588A Pending JPH01183186A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183186A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961194A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP730588A patent/JPH01183186A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961194A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
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