JPH0750814B2 - 多点発光型半導体レーザ装置 - Google Patents
多点発光型半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0750814B2 JPH0750814B2 JP63243375A JP24337588A JPH0750814B2 JP H0750814 B2 JPH0750814 B2 JP H0750814B2 JP 63243375 A JP63243375 A JP 63243375A JP 24337588 A JP24337588 A JP 24337588A JP H0750814 B2 JPH0750814 B2 JP H0750814B2
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- Japan
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- laser
- face
- type semiconductor
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は多点発光型半導体レーザ装置に関し、特にそ
の端面のコーティングに関するものである。
の端面のコーティングに関するものである。
〔従来の技術〕 第７図は従来の多点発光型半導体レーザ装置の構造の一
例を示す概略図であり、図において、１はレーザダイオ
ードＡの発光前端面部、２はレーザダイオードＢの発光
前端面部、3,4はレーザダイオードＡ及びＢの共振器前
端面コーティング膜、5,6はレーザダイオードＡ及びＢ
の共振器後端面コーティング膜である。７はレーザダイ
オードＡ及びＢの分離溝であり、これによりレーザダイ
オードA,Bの注入電流を分離している。
例を示す概略図であり、図において、１はレーザダイオ
ードＡの発光前端面部、２はレーザダイオードＢの発光
前端面部、3,4はレーザダイオードＡ及びＢの共振器前
端面コーティング膜、5,6はレーザダイオードＡ及びＢ
の共振器後端面コーティング膜である。７はレーザダイ
オードＡ及びＢの分離溝であり、これによりレーザダイ
オードA,Bの注入電流を分離している。
ここでレーザダイオードＡの前端面と後端面の反射率は
それぞれ２％,90％、レーザダイオードＢの前端面と後
端面の反射率はそれぞれ30％,60％に設定されている。
またレーザ光の放射角は、ダブル・ヘテロ接合面に垂直
方向に30°、水平方向に10°程度に設定されている。
それぞれ２％,90％、レーザダイオードＢの前端面と後
端面の反射率はそれぞれ30％,60％に設定されている。
またレーザ光の放射角は、ダブル・ヘテロ接合面に垂直
方向に30°、水平方向に10°程度に設定されている。
以上のように構成されたレーザダイオードＡは30mW以上
の光出力が可能であり、光ディスクメモリの書込み用光
源として、又、レーザダイオードＢは低雑音特性として
RIN＝−120dB/Hz程度にあり、光ディスクメモリの読取
り用光源として、充分実用可能な特性を有している。
の光出力が可能であり、光ディスクメモリの書込み用光
源として、又、レーザダイオードＢは低雑音特性として
RIN＝−120dB/Hz程度にあり、光ディスクメモリの読取
り用光源として、充分実用可能な特性を有している。
しかしながら、上述の多点発光型半導体レーザ装置を光
ディスクメモリ用２ビームアレイレーザダイオードとし
て用い、一方のレーザダイオードを約3mWの低光出力、
他方のレーザダイオードを約20mWの高出力で作動させた
場合、それぞれの光出力ビームの発振波長の差が10nm程
度と大きくずれ、ピックアップ光学系の色収差により、
単一の光学系で両ビームを同時に、ディスク板面上に集
光する事が困難であるという問題があった。
ディスクメモリ用２ビームアレイレーザダイオードとし
て用い、一方のレーザダイオードを約3mWの低光出力、
他方のレーザダイオードを約20mWの高出力で作動させた
場合、それぞれの光出力ビームの発振波長の差が10nm程
度と大きくずれ、ピックアップ光学系の色収差により、
単一の光学系で両ビームを同時に、ディスク板面上に集
光する事が困難であるという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、実使用時の動作状態において、書き込み用高
出力と、読み取り用低出力の各ビームの波長差の小さい
多点発光型半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
たもので、実使用時の動作状態において、書き込み用高
出力と、読み取り用低出力の各ビームの波長差の小さい
多点発光型半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
本発明に係る多点発光型半導体レーザ装置は、単一の素
子内に複数個のレーザダイオードを有するアレイ型半導
体レーザにおいて、少なくとも、その前端面に施された
コーティング膜の反射率が１〜４％、後端面に施された
コーティング膜の反射率が50〜65％である第１の発光領
域と、前後端面に施されたコーティング膜の反射率がと
もに25〜33である第２の発光領域とを備えたものであ
る。
子内に複数個のレーザダイオードを有するアレイ型半導
体レーザにおいて、少なくとも、その前端面に施された
コーティング膜の反射率が１〜４％、後端面に施された
コーティング膜の反射率が50〜65％である第１の発光領
域と、前後端面に施されたコーティング膜の反射率がと
もに25〜33である第２の発光領域とを備えたものであ
る。
本発明における多点発光型半導体レーザ装置は、前端面
に施されたコーティング膜の反射率が１〜４％、後端面
に施されたコーティング膜の反射率が50〜65％である第
１の発光領域と、前後端面に施されたコーティング膜の
反射率がともに25〜33％である第２の発光領域とを備え
た構成としたから、上記第１の発光領域の光出力を書き
込み用光源として必要な18〜20mW、上記第２の発光領域
の光出力を読み取り用光源として必要な２〜4mWで使用
したときのレーザ光の波長差が2nm以下と小さくでき
る。
に施されたコーティング膜の反射率が１〜４％、後端面
に施されたコーティング膜の反射率が50〜65％である第
１の発光領域と、前後端面に施されたコーティング膜の
反射率がともに25〜33％である第２の発光領域とを備え
た構成としたから、上記第１の発光領域の光出力を書き
込み用光源として必要な18〜20mW、上記第２の発光領域
の光出力を読み取り用光源として必要な２〜4mWで使用
したときのレーザ光の波長差が2nm以下と小さくでき
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による多点発光型半導体レー
ザ装置の構造を示す図であり、図において、１はレーザ
ダイオードＡの発光前端面部、２はレーザダイオードＢ
の発光前端面部、13は反射率１〜４％のレーザダイオー
ドＡの共振器端面コーティング膜、14は反射率25〜33％
のレーザダイオードの共振前端面コーティング膜、15は
反射率50〜65％の共振器後端面コーティング膜、16は反
射率25〜33％のレーザダイオードの共振器後端面コーテ
ィング膜であり、７はレーザ・ダイオードＡ及びＢの分
離溝であり、これによりレーザダイオードＡ、Ｂの注入
電流を分離している。
ザ装置の構造を示す図であり、図において、１はレーザ
ダイオードＡの発光前端面部、２はレーザダイオードＢ
の発光前端面部、13は反射率１〜４％のレーザダイオー
ドＡの共振器端面コーティング膜、14は反射率25〜33％
のレーザダイオードの共振前端面コーティング膜、15は
反射率50〜65％の共振器後端面コーティング膜、16は反
射率25〜33％のレーザダイオードの共振器後端面コーテ
ィング膜であり、７はレーザ・ダイオードＡ及びＢの分
離溝であり、これによりレーザダイオードＡ、Ｂの注入
電流を分離している。
第２図は第１図の実施例における光出力と発振波長の関
係を示す図であり、図においてビームＡはレーザダイオ
ードＡのレーザビーム、ビームＢはレーザダイオードＢ
のレーザビームである。
係を示す図であり、図においてビームＡはレーザダイオ
ードＡのレーザビーム、ビームＢはレーザダイオードＢ
のレーザビームである。
第３図は本発明における端面反射率の選択の考え方を説
明するための図である。
明するための図である。
一般に、高出力化にはレーザ光出射側である前端面の反
射率を下げ、これとは反対側の後端面の反射率を上げ
る、いわゆる非対称反射率コーティングを施す。
射率を下げ、これとは反対側の後端面の反射率を上げ
る、いわゆる非対称反射率コーティングを施す。
レーザのミラー損失αMは αM＝（1/2L）・ln（1/RfRr …（１） の式で表わされる。ここでＬは共振器長さ、Rfは前端面
反射率、Rrは後端面反射率である。またレーザ発振閾値
電流密度Jthは の式で表わされる。ここでdALは活性層の厚さ、ηiは内
部量子効率、Joは利得電流密度、Γvは光閉じ込め係
数、αiは内部損失である。上述のように非対称反射率
コーティングを施すことにより、端面からの光放出に伴
うミラー損失は（１）式から増大し、レーザ発振閾値電
流密度Jthが（２）式から増加し、これにより活性層内
の少数キャリア密度が増大し、バンドフィリング効果に
よりレーザ発振波長λpは短波長側にシフトする。
反射率、Rrは後端面反射率である。またレーザ発振閾値
電流密度Jthは の式で表わされる。ここでdALは活性層の厚さ、ηiは内
部量子効率、Joは利得電流密度、Γvは光閉じ込め係
数、αiは内部損失である。上述のように非対称反射率
コーティングを施すことにより、端面からの光放出に伴
うミラー損失は（１）式から増大し、レーザ発振閾値電
流密度Jthが（２）式から増加し、これにより活性層内
の少数キャリア密度が増大し、バンドフィリング効果に
よりレーザ発振波長λpは短波長側にシフトする。
更に電流を注入し、光出力Poを増大させていくと、それ
に伴うレーザの内部発熱の効果により発振波長λpは長
波長側へシフトしてゆく。このλpのPoに対する変化率
をＫ〔nm/mW〕とし、読み取りビーム（Ｒビーム）の読
み取り動作光出力をPr、書き込みビーム（Ｗビーム）の
書き込み動作光出力をPw、またPr光出力時のＲビームと
Ｗビームの波長差をΔλとした場合、Ｒビームの読み取
り時とＷビームの書き込み時の波長差が０になるために
は という条件を満たさなければならない。
に伴うレーザの内部発熱の効果により発振波長λpは長
波長側へシフトしてゆく。このλpのPoに対する変化率
をＫ〔nm/mW〕とし、読み取りビーム（Ｒビーム）の読
み取り動作光出力をPr、書き込みビーム（Ｗビーム）の
書き込み動作光出力をPw、またPr光出力時のＲビームと
Ｗビームの波長差をΔλとした場合、Ｒビームの読み取
り時とＷビームの書き込み時の波長差が０になるために
は という条件を満たさなければならない。
第４図は例えば共振器長Ｌが250μｍ、活性層厚dALが0.
1μｍ、閉じ込め係数Γvが0.2、内部量子効率ηiが0.8
のレーザにおいて、ミラー損失αMに対するレーザ発振
波長の光出力変化率Ｋの実測値を示す図であり、横軸に
ミラーロス、縦軸に変化率Ｋを取っている。また第５図
は上記のパラメータを持つレーザにおいて、ミラー損失
αMに対する3mW光出力時のレーザ発振波長の変化の実測
値を示す図であり、横軸にミラーロス、縦軸にレーザ発
振波長を取っている。
1μｍ、閉じ込め係数Γvが0.2、内部量子効率ηiが0.8
のレーザにおいて、ミラー損失αMに対するレーザ発振
波長の光出力変化率Ｋの実測値を示す図であり、横軸に
ミラーロス、縦軸に変化率Ｋを取っている。また第５図
は上記のパラメータを持つレーザにおいて、ミラー損失
αMに対する3mW光出力時のレーザ発振波長の変化の実測
値を示す図であり、横軸にミラーロス、縦軸にレーザ発
振波長を取っている。
ここで、読み取り用のレーザにおける低雑音特性を得る
ためには、一般に外部共振器モードとの結合を大きくし
ない目的で、前端面反射率Rfは低すぎない方がよく、20
〜30％が適当であり、後端面反射率Rrも高すぎない方が
よく30〜60％が適当である。また書き込み用のレーザに
おける高出力特性を得るには、前述のように前／後面の
非対称反射率が効果的であるが、現実には、書き込み動
作中の雑音の問題上、読み取り用レーザの低雑音化と同
じ原理により後端面反射率Rrは高すぎない方がよく60〜
70％が適当であろう。
ためには、一般に外部共振器モードとの結合を大きくし
ない目的で、前端面反射率Rfは低すぎない方がよく、20
〜30％が適当であり、後端面反射率Rrも高すぎない方が
よく30〜60％が適当である。また書き込み用のレーザに
おける高出力特性を得るには、前述のように前／後面の
非対称反射率が効果的であるが、現実には、書き込み動
作中の雑音の問題上、読み取り用レーザの低雑音化と同
じ原理により後端面反射率Rrは高すぎない方がよく60〜
70％が適当であろう。
低出力側即ち読み取り用レーザとして前後端面の反射率
を（Rf／Rr）＝（30％/30％）とした低雑音ビームでは
αM＝48cm-1となる。高出力側即ち書き込み用レーザの
前端面反射率Rfを低く、後端面反射率Rrを高くして、第
５図に示すようにミラーロスαMを85cm-1と大きくする
と、Δλ〜2nmとなる。それぞれの動作光出力をPr＝3m
W,Pw＝20mWとすると、上記（３）式よりＫ＝2/17＝0.12
（nm/mW）となる。第３図においてもαM＝85cm-1付近で
ちょうどＫ〜0.12となっている。書き込み用レーザとし
てその前後端面の反射率を（Rf／Rr）＝（２％/60％）
とすると上記（１）式よりαM＝88cm-1となり、上述の
条件によく符号する。ここで、コーティング膜として反
射率30％のものとしてAl2O3（λ/2）膜を、反射率２％
のものとしてAl2O3（λ/4）膜を、反射率60％のものと
してAl2O3（λ/4）/a−Si（λ/4）／Al2O3（λ/4）積層
膜を用いることができる。
を（Rf／Rr）＝（30％/30％）とした低雑音ビームでは
αM＝48cm-1となる。高出力側即ち書き込み用レーザの
前端面反射率Rfを低く、後端面反射率Rrを高くして、第
５図に示すようにミラーロスαMを85cm-1と大きくする
と、Δλ〜2nmとなる。それぞれの動作光出力をPr＝3m
W,Pw＝20mWとすると、上記（３）式よりＫ＝2/17＝0.12
（nm/mW）となる。第３図においてもαM＝85cm-1付近で
ちょうどＫ〜0.12となっている。書き込み用レーザとし
てその前後端面の反射率を（Rf／Rr）＝（２％/60％）
とすると上記（１）式よりαM＝88cm-1となり、上述の
条件によく符号する。ここで、コーティング膜として反
射率30％のものとしてAl2O3（λ/2）膜を、反射率２％
のものとしてAl2O3（λ/4）膜を、反射率60％のものと
してAl2O3（λ/4）/a−Si（λ/4）／Al2O3（λ/4）積層
膜を用いることができる。
第６図は、光出力に対するレーザ発振波長の変化を示す
図であり、Ｒビームに（30％/30％）コーティング,Wビ
ームに（２％/60％）コーティングを施した上記実施例
における変化を実線で示している。図に示されるよう
に、本実施例ではＲビーム3mW出力波長に対してＷビー
ムの出力波長が±1nmの範囲に入る領域は12mW〜28mWと
範囲であり、極めて実用性が高いことがわかる。第５図
中に破線で示した（Rf／Rr）の他の組み合わせでは、い
ずれも実用上問題がある。
図であり、Ｒビームに（30％/30％）コーティング,Wビ
ームに（２％/60％）コーティングを施した上記実施例
における変化を実線で示している。図に示されるよう
に、本実施例ではＲビーム3mW出力波長に対してＷビー
ムの出力波長が±1nmの範囲に入る領域は12mW〜28mWと
範囲であり、極めて実用性が高いことがわかる。第５図
中に破線で示した（Rf／Rr）の他の組み合わせでは、い
ずれも実用上問題がある。
このように本実施例ではレーザダイオードＡの前後端面
の反射率を（Rf／Rr）＝（２％/60％）とし、レーザダ
イオードＢの前後端面の反射率を（Rf／Rr）＝（30％/3
0％）としたから、レーザダイオードＡの光出力を書き
込み用光源として必要な18mW〜20mW、レーザダイオード
Ｂの光出力を読み取り用光源として必要な２〜4mWとし
たとき、これらのレーザダイオードの発振波長の差は第
２図に示すように2nm以下に納まり、実使用時の動作状
態において、書き込み用高出力と、読み取り用低出力の
各ビームの波長差の小さい多点発光型半導体レーザ装置
を得ることができる。
の反射率を（Rf／Rr）＝（２％/60％）とし、レーザダ
イオードＢの前後端面の反射率を（Rf／Rr）＝（30％/3
0％）としたから、レーザダイオードＡの光出力を書き
込み用光源として必要な18mW〜20mW、レーザダイオード
Ｂの光出力を読み取り用光源として必要な２〜4mWとし
たとき、これらのレーザダイオードの発振波長の差は第
２図に示すように2nm以下に納まり、実使用時の動作状
態において、書き込み用高出力と、読み取り用低出力の
各ビームの波長差の小さい多点発光型半導体レーザ装置
を得ることができる。
なお、上記実施例では２点発光型の半導体レーザ装置に
ついて述べたが、３点以上の多点発光型の半導体レーザ
装置にも適用できることはいうまでもない。
ついて述べたが、３点以上の多点発光型の半導体レーザ
装置にも適用できることはいうまでもない。
また、上記実施例では高出力レーザの前後端面の反射率
を（２％/60％）、低出力レーザの前後端面の反射率を
（30％/30％）に設定したものを示したが、この数値に
限定されることはなく、高出力レーザの前端面の反射率
は１〜４％、後端面の反射率は50〜65％、低出力レーザ
の前後端面の反射率は各々25〜33％の範囲であれば所望
の組み合わせであっても上記実施例と同様の効果を奏す
る。
を（２％/60％）、低出力レーザの前後端面の反射率を
（30％/30％）に設定したものを示したが、この数値に
限定されることはなく、高出力レーザの前端面の反射率
は１〜４％、後端面の反射率は50〜65％、低出力レーザ
の前後端面の反射率は各々25〜33％の範囲であれば所望
の組み合わせであっても上記実施例と同様の効果を奏す
る。
以上のように、この発明によれば単一素子内に複数個の
レーザダイオードを有するアレイ型の多点発光型半導体
レーザ装置において、前端面に施されたコーティング膜
の反射率が１〜４％、後端面に施されたコーティング膜
の反射率が50〜65％である第１の発光領域と、前後端面
に施されたコーティング膜の反射率がともに25〜33％で
ある第２の発光領域とを備えた構成としたから、上記第
１の発光領域の光出力を書き込み用光源として必要な18
〜20mW、上記第２の発光領域の光出力を読み取り用光源
として必要な２〜4mWで使用したときのレーザ光の波長
差が2nm以下と小さくでき、単一の外部光学系で同時に
読取りと書込みが出来るような、光ディスクメモリでの
リアルタイムモニター機能を有する光源として実用に値
するマルチビームレーザダイオードを提供する事ができ
る効果がある。
レーザダイオードを有するアレイ型の多点発光型半導体
レーザ装置において、前端面に施されたコーティング膜
の反射率が１〜４％、後端面に施されたコーティング膜
の反射率が50〜65％である第１の発光領域と、前後端面
に施されたコーティング膜の反射率がともに25〜33％で
ある第２の発光領域とを備えた構成としたから、上記第
１の発光領域の光出力を書き込み用光源として必要な18
〜20mW、上記第２の発光領域の光出力を読み取り用光源
として必要な２〜4mWで使用したときのレーザ光の波長
差が2nm以下と小さくでき、単一の外部光学系で同時に
読取りと書込みが出来るような、光ディスクメモリでの
リアルタイムモニター機能を有する光源として実用に値
するマルチビームレーザダイオードを提供する事ができ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による多点発光型半導体レ
ーザ装置を示す概略図、第２図は第１図の実施例におけ
る光出力と発振波長の関係を示す図、第３図は本発明に
おける端面反射率の選択の考え方を説明するための図、
第４図はミラー損失に対するレーザ発振波長の光出力に
よる変化率を示す図、第５図はミラー損失に対するレー
ザ発振波長の変化を示す図、第６図は本実施例による端
面反射率の組み合わせでの光出力と発振波長の関係と他
の端面反射率の組み合わせでの光出力と発振波長の関係
とを比較して示した図、第７図は従来の多点発光型半導
体レーザ装置を示す概略図である。 1,2はそれぞれレーザダイオードＡ及びＢの発光前端面
部、７は分離溝、13は反射率１〜４％のＡの共振器前端
面コーティング膜、14は反射率25〜33％のＢの共振器前
端面コーティング膜、15は反射率50〜65％のＡの共振器
後端面コーティング膜、16は反射率25〜33％のＢの共振
器後端面コーティング膜である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
ーザ装置を示す概略図、第２図は第１図の実施例におけ
る光出力と発振波長の関係を示す図、第３図は本発明に
おける端面反射率の選択の考え方を説明するための図、
第４図はミラー損失に対するレーザ発振波長の光出力に
よる変化率を示す図、第５図はミラー損失に対するレー
ザ発振波長の変化を示す図、第６図は本実施例による端
面反射率の組み合わせでの光出力と発振波長の関係と他
の端面反射率の組み合わせでの光出力と発振波長の関係
とを比較して示した図、第７図は従来の多点発光型半導
体レーザ装置を示す概略図である。 1,2はそれぞれレーザダイオードＡ及びＢの発光前端面
部、７は分離溝、13は反射率１〜４％のＡの共振器前端
面コーティング膜、14は反射率25〜33％のＢの共振器前
端面コーティング膜、15は反射率50〜65％のＡの共振器
後端面コーティング膜、16は反射率25〜33％のＢの共振
器後端面コーティング膜である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】１素子内に複数個のレーザ発光領域を有す
る多点発光型半導体レーザにおいて、 少なくとも、 その前端面に施されたコーティング膜の反射率が１〜４
％、後端面に施されたコーティング膜の反射率が50〜65
％である第１の発光領域と、 前端面、後端面に施されたコーティング膜の反射率がと
もに25〜33％である第２の発光領域とを備えたことを特
徴とする多点発光型半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243375A JPH0750814B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 多点発光型半導体レーザ装置 |
| US07/412,095 US5012478A (en) | 1988-09-27 | 1989-09-25 | Monolithic multiple beam semiconductor laser |
| DE3932071A DE3932071C2 (de) | 1988-09-27 | 1989-09-26 | Monolithischer Dualstrahl-Halbleiterlaser |
| NL8902408A NL8902408A (nl) | 1988-09-27 | 1989-09-27 | Monolitische halfgeleiderlaser met meervoudige bundel. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243375A JPH0750814B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 多点発光型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290586A JPH0290586A (ja) | 1990-03-30 |
| JPH0750814B2 true JPH0750814B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=17102917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243375A Expired - Lifetime JPH0750814B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 多点発光型半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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