JPH01183204A - 高周波掃引装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、周波数が掃引された高周波を出力する高周波
掃引装置、特に詳細には小型、安価の電圧制御発振器を
用いた上で周波数確度も高められるようにした高周波掃
引装置に関するものである。

（従来の技術） 例えば光走査記録装置や光走査読取装置等において光ビ
ームを偏向させる光偏向装置として、従来より、ガルバ
ノメータミラーやポリゴンミラー等の機械式光偏向器や
、ＥＯＤ　（電気光学光偏向器）　、ＡＯＤ　（音響光
学光偏向器）が多く用いられている。しかし機械式光偏
向器においては、耐久性に難がある、大型化しやすいと
いった問題があり、一方ＥＯＤやＡＯＤにおいては、光
偏向角が大きく取れないのでビーム光路が長くなり、光
走査記録装置等の大型化を招くといった問題がある。

上述のような問題を解消しうる光偏向装置として近時、
先導波路を用いる光偏向装置が注目されている。この光
偏向装置は、表面弾性波が伝播可能な材料から形成され
たスラブ状の先導波路と、この光導波路内を導波する光
ビームと交わる方向に進行して周波数が連続的に変化す
る表面弾性波を該光導波路において発生させる手段（例
えば交叉くし形電極対と、この電極対に周波数が連続的
に変化する高周波の交番電圧を印加するドライバとから
構成される）とを有するものである。この光偏向装置に
おいては、先導波路内を導波する光ビームが表面弾性波
との音響光学相互作用によりブラッグ回折し、そしてこ
の回折角は表面弾性波周波数に応じて変化するので、表
面弾性波周波数を上述のように変えることにより、光ビ
ームを先導波路内において連続的に偏向させることがで
きる。こうして偏向させた光ビームは、例えば先導波路
の表面に形成した回折格子（グレーティングカプラ）や
プリズムカプラ等によって先導波路外に出射させること
ができる。なおこのような光偏向装置については、例え
ば特開昭６２−７７７６１号公報に詳しい記載がなされ
ている。

一方、例えば本願出願人による特願昭６２−１８０７７
９号明細書に示されるように、上述の光偏向装置と同様
に光導波路において連続的に周波数が変化する表面弾性
波を進行させて、光ビームの波長を測定する光スペクト
ラムアナライザーも提案されている。この光スペクトラ
ムアナライザーは、光導波路を導波する光ビームが表面
弾性波によって回折する際、その回折角が前述のように
表面弾性波周波数に応じて変化するとともに該光ビーム
の波長にも応じて変化することを利用し、光ビームが所
定角度回折したときの表面弾性波周波数に基づいて該光
ビームの波長を求めるように構成されたものである。

以上述べた光導波路を用いる光偏向装置や光スペクトラ
ムアナライザーにおいては、光ビームの走査精度を高め
るため、あるいは光波長分析の精度を高めるために、表
面弾性波の周波数確度を十分に高くすることが必要であ
る。先に述べた通りこの表面弾性波は一般に、交叉くし
形電極対に掃引された高周波の交番電圧を印加すること
によって発生させるようにしているので、この場合、電
極対に印加する高周波の周波数確度を高めれば、必然的
に表面弾性波の周波数確度が向上する。

掃引された高周波を発生する高周波掃引装置として、よ
り具体的には、入力される電圧信号の値に応じて周波数
が変化する高周波を出力する電圧制御発振器（Ｖ　ＣＯ
：　Ｖｏｌｔａｇｅ　　ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＯｓｃｉ
　ｌ　１ａｔｏｒ　）と、この電圧制御発振器に漸増あ
るいは漸減する電圧信号を入力する信号発生源とからな
るものが従来より広く用いられている。このような高周
波掃引装置は、上記電圧制御発振器が比較的安価で、ま
た小型でもあるので、シンセサイザー等と比べれば光偏
向装置や光スペクトラムアナライザーの小型化、コスト
ダウンを図る上で有利である。

（発明が解決しようとする課題） しかしその反面上記電圧制御発振器は、シンセサイザー
等と比べると周波数安定性が劣り、そのため前述の周波
数確度が低いという問題を有している。すなわちこの電
圧制御発振器は、周囲温度や制御電圧の変化等により、
一般には数ＭＨｚ〜数１０ＭＨｚ程度の不安定性を有す
る。例えば前述の光偏向装置を光走査記録装置に適用す
る場合、表面弾性波周波数すなわち交叉くし形電極対に
印加する高周波の周波数が５００〜１００１００Ｏの間
で掃引されるとすると、周波数掃引範囲は５００ＭＨｚ
であるから、解像点数２０００点を得るためには、 ５００ＭＨｚ／２０００＝０．２５ＭＨｚの周波数確度
が要求される。従来、上述のように周波数安定性が低い
電圧制御発振器を用いる場合は、このような要求を満た
すことは不可能であった。

そこで本発明は、電圧制御発振器を用いた上で、周波数
確度も上記の値程度まで十分に高めることができる高周
波掃引装置を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明の高周波掃引装置は、電圧制御発振器と、前述し
たようにこの電圧制御発振器に漸増あるいは漸減する電
圧信号を入力する信号発生源に加えて、 電圧制御発振器に接続されて、該発振器が出力する高周
波を通過させる第１の状態と、この通過を制限する第２
の状態とを選択的にとりうる高周波出力制限手段と、 上記高周波の周波数を測定する周波数測定手段と、 この周波数測定手段の出力を受け、該手段が測定した周
波数が第１の設定値に達したとき上記高周波出力制限手
段を上記第１の状態に設定し、この周波数が第２の設定
値に達したとき高周波出力制限手段を上記第２の状態に
設定する制御回路とを設けたことを特徴とするものであ
る。

（作　　用） 上述のように電圧制御発振器から出力される高周波の周
波数を実際に測定し、この１１！Ｊ定値が第１の設定値
に達したとき該高周波を高周波出力制限手段から出力さ
せ、第２の設定値に達したときその出力を制限すれば、
この出力制限手段からは、正確に第１の設定値と第２の
設定値との間で周波数掃引された高周波が出力されるよ
うになる。そして、電圧制御発振器が出力する高周波の
周波数の不安定さは、入力電圧信号対出力周波数の特性
曲線が平行移動する形のものであるから、上述のように
周波数の上限値と下限値とを正確に抑えれば、これらの
値の範囲においても、該周波数は常に路間−の特性で変
化するものとなる。

（実　施　例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

第１図は本発明の一実施例による高周波掃引装置５０を
示すものであり、また第２図と第３図はこの高周波掃引
装置５０によって掃引させた高周波を受けて光ビームを
偏向させる光偏向装置１０を示している。まず第２図お
よび第３図を参照して、光偏向装置ＩＯについて説明す
る。この光偏向装置ｌＯは一例として光走査記録装置を
構成するものであり、透明基板１６上に形成されたスラ
ブ状先導波路１１と、この光導波路１１の側端部に設け
られた交叉くし形電極対（Ｉ　ｎｔｅｒ　　Ｄ　１ｇ１
ｔａｌ　　Ｔ　ｒａｎｓｄｕｃｅｒ、以下ＩＤＴと称す
る）１５と、この光導波路１１の表面において互いに離
して設けられた光入射用線状回折格子（ＬｌｎｅａｒＧ
ｒａｔｌｎｇ　　Ｃｏｕｐｌｅｒ：以下ＬＧＣと称する
）２０および光出射用ＬＧＣ２１とを有している。また
基板ＩＢの先導波路ｔｉと反対側の表面ｌｅａ上には、
光入射用プリズム３０と、光出射用プリズム３１が取り
付けられている。光入射用プリズム３０は断面三角形状
のもので、第１の光通過面３０ａと第２の光通過面３０
ｂを有し、上記第１の光通過面３０ａが基板表面ｔｅａ
に強く押圧されることにより、あるいは高屈折率の接着
剤を用いる等により、該表面１６ａに密着固定されてい
る。光出射用プリズム３１も上記光入射用プリズム３０
と同様の形状とされ、第１の光通過面３１８％第２の光
通過面Ｂｌｂを有し、上述と同様にして基板表面ｌｅａ
に固定されている。

本実施例においては一例として、基板１８ＥＬｉＮｂＯ
，ウェハを用い、このウェハの表面にＴｉ拡散膜を設け
ることにより光導波路Ｕを形成している。なお基板ｔｅ
としてその他サファイア、Ｓｉ等からなる結晶性基板が
用いられてもよい。また光導波路１１も上記のＴｉ拡散
に限らず、基板１６上にその他の材料をスパッタ、蒸着
する等して形成することもできる。なお光導波路につい
ては、例えばティー　タミール（Ｔ、Ｔａ１ｒ）編「イ
ンチ−グレイテッド　オブティク７．　（Ｉ　ｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ　０ｐｔｌｃｓ）Ｊ（）ビックス　イン　ア
プライド　フィジックス（Ｔｏｐｉｃｓ　１ｎ　　Ａｐ
ｐＨｅｄ　　Ｐｈｙｓｌｃｓ）第７巻）スブリンガー　
フェアラーグ（Ｓ　ｐｒｌｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ）刊
（１９７５）；西原、音名、栖原共著「光集積回路」オ
ーム社刊（１９８５）等の成著に詳細な記述があり、本
発明では先導波路１１としてこれら公知の光導波路のい
ずれをも使用できる。ただしこの先導波路１１は、上記
Ｔｉ拡散膜等、後述する表面弾性波が伝播可能な材料か
ら形成される。また光導波路は２層以上の積層構造を有
していてもよい。

記録光を発する半導体レーザ１８は、光入射用プリズム
３０の第２の光通過面３０ｂに向けて垂直に光ビーム（
レーザビーム）　１３を射出するように配置されている
。発散ビームであるこの光ビーム１３は、コリメーター
レンズ２５によって平行ビームとされた上で上記第２の
光通過面３０ｂから光入射用プリズム３０内に入射し、
その第１の光通過面３０ａを通過して基板ｌＢ内に入射
し、光導波路ｌｌを透過して、その表面に形成された前
記ＬＧＣ２０の部分に入射する。それにより光ビーム１
３はこのＬＧＣ２０で回折して先導波路１１内に入射し
、該光導波路１１内を導波モードで矢印Ａ方向に進行す
る。

画像記録を行なう際には、例えばエンドレスベルト等の
移送手段２２上に感光体２３がセットされる。

そして半導体レーザｌＢはレーザ駆動回路１９により、
レーザビーム１３を射出するように駆動され、それとと
もにＩＤＴ１５には、高周波掃引装置５０から連続的に
周波数が変化する高周波の交番電圧が印加される（なお
、この高周波の発生については後に詳述する）。またレ
ーザ駆動回路１９は変調回路２４によって制御され、画
像信号Ｓに応じて光出力を変えるように（すなわち光ビ
ーム１３の強度や、光ビーム１３をパルス状に射出する
場合はパルス数やパルス幅を変えるように）半導体レー
ザ１８を駆動する。

ＩＤＴ１５は、線幅が少しずつ変えられた多数の電極指
が並設されてなるものであり、このＩＤＴ１５に上述の
ような電圧印加がなされることにより、表面弾性波１２
が発生する。この表面弾性波１２は光導波路１１の表面
を第３図の矢印Ｂ方向に進行する。

ＩＤＴ１５は、この表面弾性波１２が導波光（平行ビー
ム）　１３°の光路に交わる方向に進行するように配設
されている。したがって導波光１３°は、表面弾性波１
２を横切るように進行するが、その際該導波光１３°は
表面弾性波１２との音響光学相互作用によりブラッグ（
Ｂ　ｒａｇｇ）回折する。

表面弾性波による導波光のブラッグ回折については従来
から知られているが、ここで簡単に説明する。先導波路
１１を伝播する表面弾性波１２の進行方向と、導波光１
３°の進行方向とがなす角（Ｂｒａｇｇ角）をθとする
と、表面弾性波１２との音響光学トロ互作用による導波
光１３’　の偏向角（回折角）δは、δ−２θとなる。

そして導波光１３°の波長、実効屈折率をλ、Ｎｅとし
、表面弾性波１２の波長、周波数、速度をそれぞれＡＳ
ｆＳｖとすれば、２θ−２５ｉｎ−１（λ／　（２Ｎｅ
　＠Ａ）１シλ／（Ｎｅ＠Ａ） 一λ・ｆ／（Ｎｅ−ｖ） となり、２θつまりδは表面弾性波１２の周波数ｆにほ
ぼ比例する。前述の通り高周波掃引装置５０はＩＤＴ１
５に、周波数が連続的に変化する交番電圧を印加するの
で、表面弾性波１２の周波数が連続的に変化し、上記偏
向角δが連続的に変化するようになる。つまりこの導波
光１３°は矢印Ｃで示す通り、回折角が連続的に変化す
るように回折、偏向する。このようにして偏向した導波
光１３°は、ＬＧＣ２１により回折して光導波路１１か
ら基板１６側に出射する。こうして先導波路１１から出
射して外部光となった光ビーム１３“は、光出射用プリ
ズム３１の第１の光通過面３１ａを通過して該プリズム
３１内に入射し、第２の光通過面ａｔｂを垂直に通過し
てプリズム外に出射する。

上述のようにして先導波路１１外に出射した光ビーム１
３’は、例えばｆθレンズからなる走査レンズ２Ｂを通
過して小さなビームスポットＱに絞られ、感光体２３上
を矢印Ｕ方向に走査（主走査）する。

それとともに感光体２３が、移送手段２２により上記主
走査の方向と略直角な矢印Ｖ方向に移送されて副走査が
なされるので、感光体２３は光ビーム１３“により２次
元的に走査される。前述したようにこの光ビーム１３“
は画像信号Ｓに基づいて変調されているので、感光体２
３上にはこの画像信号Ｓが担う画像が記録される。

なお１主走査ライン分の画像信号Ｓと光ビーム１３″の
主走査との同期をとるためには、この画像信号Ｓに含ま
れるブランキング信号ｓｂをトリガ信号として用いて、
ＩＤＴ１５への電圧印加タイミングを制御すればよい。

またこのブランキング信号ｓｂにより移送手段２２の駆
動タイミングを制御することにより、上記主走査と副走
査との同期をとることができる。

ここで、ＩＤＴ１５に印加される交番電圧の周波数が所
定のｆｌからｆｔ　　（ｆｌ　＜ｆｔとする）の間で正
確に掃引されれば、光ビーム１３”の偏向角範囲が一定
になってその感光体２３上における走査領域（走査始点
と終点との間の範囲）は一定に保たれるが、この周波数
掃引範囲が変動してしまうと、上記走査領域が変動して
記録画像が歪んでしまう。以下、このような不具合の発
生を防止できるようにした点について説明する。第１図
に示すように高周波掃引装置５０は、後述する減衰器５
９の状態を制御する制御回路としてのコンパレータ５１
、マイクロプロセッサ等のＣＰＵ　（中央処理装置）５
２、カウンター５３、ＲＯＭ５４、Ｄ／Ａ変換器５５、
先に述べたような電圧制御発振器５Ｂ、この電圧制御発
振器５ＢとＤ／Ａ変換器５５との間に挿入されたＣＲ回
路５７、分岐器５８、減衰器５９および分周器６０から
構成されている。光ビームの偏向に際しては、まずＣＰ
Ｕ５２がカウンター５３にスタートをかけてクロックパ
ルスを送り始める。カウンター５３はこのクロックパル
スをカウントして、そのカウント値を示すディジタル信
号ＳｄをＲＯＭ５４に送る。

ＲＯＭ５４は電圧制御発振器５Ｂの非線形性等を補正す
るテーブルを構成しており、この非線形性が補正される
ようにディジタル信号Ｓｄが変換されて出力される。こ
の変換信号Ｓｄ’　はＤ／Ａ変換器５５に送られて、ア
ナログの電圧信号Ｓｖに変換される。この電圧信号Ｓｖ
は前記クロックパルスのカウント値に対応するものであ
り、このカウント値は漸次増大するから、該電圧信号Ｓ
ｖは時間とともに漸次レベルが増大するものとなる。こ
の電圧信号ＳｖはＣＲ回路５７によって平滑化された上
で、電圧制御発振器５８に入力される。電圧制御発振器
５Ｂは第４図に示すような特性で、上記電圧信号Ｓｖの
値Ｖに対応した周波数ｆの高周波ＲＦ（交番電圧）を出
力する。この高周波ＲＦは分岐器５８によって分岐され
、減衰器５９に送られるとともに、分周器ＢＯに送られ
る。分周器６０は高周波ＲＦの周波数ｆを１／Ｍに分周
し、その周波数ｆ／Ｍを示す信号Ｓｆをコンパレータ５
１に送る。このコンパレータ５１には、ＩＤＴ１５に印
加する高周波の最低周波数ｆ１と最高周波数ｆ２を各々
１／Ｍ倍した第１の設定値（下限値）　Ｆｓ　−ｆｔ　
／Ｍｔおよび第２の設定値（上限値）Ｆ２−ｆ２／Ｍが
設定されており、該コンパレータ５１は上記信号Ｓｆが
示す周波数が第１の設定値Ｆ１に達したときゲート開信
号ＧＯを減衰器５９に送って、この減衰器５９を減衰率
Ｏ（ゼロ）ｄＢの状態にする。それにより高周波ＲＦは
この減衰器５９を通過してＩＤＴ１５に送られ、前述の
ように表面弾性波１２を発生させる。このときの高周波
ＲＦの周波数ｆは、上記から明らかな通り最低周波数ｆ
ｌである。その後電圧信号Ｓｖが漸増するのに従って、
高周波ＲＦの周波数ｆは次第に増大し、それにより導波
光１３°の偏向角が次第に増大する。

こうして高周波ＲＦの周波数ｆが次第に増大して行き、
前記最高周波数ｆ２に達すると、コンパレータ５１に入
力される信号Ｓｆが示す周波数が前記第２の設定値Ｆ２
に達する。この状態になるとコンパレータ５１はゲート
閉信号Ｇｃを減衰器５９に送って、この減衰器５９を減
衰率最大の状態に設定する。それにより高周波ＲＦはＩ
ＤＴ１５に送られなくなり、あるいは非常に低レベルの
状態で送られるようになり、表面弾性波１２の発生がそ
こで停止される。以上説明のようにして、ＩＤＴ１５に
送られる高周波ＲＦは、いかなる場合も前記最低周波数
ｆ１から最高周波数ｆ２の間で周波数が連続的に変化す
るものとなる。したがって表面弾性波１２の周波数は、
常にこの最低周波数ｆｌから最高周波数ｆ２の間で連続
的に変化するようになり、導波光１３°の偏向角範囲が
一定に保たれる。

すなわち第４図に示す電圧制御発振器５Ｂの特性が、例
えば周囲温度変化等によって破線表示のように変化して
も、実際に高周波ＲＦの周波数ｆがｆｌ、ｆｔとなった
ときに減衰器５９を操作しているから、常にｆ１〜ｆ２
の間で周波数が掃引された高周波ＲＦがＩＤＴ１５に送
られるようになる。

ちなみに、もし電圧制御発振器５Ｂへの入力電圧Ｖをｖ
１〜ｖ２の値をとるように制御することによって高周波
ＲＦの周波数範囲を設定する場合は、第４図の特性が破
線表示のように変動してしまった場合、ＩＤＴ１５に送
られる高周波ＲＦの周波数範囲は同図に示すｆｌ’　〜
ｆ２°の範囲に変動してしまう。また第４図に示す特性
の変動は、特性曲線が図中上下に平行移動する形のもの
であるから、上述のように高周波ＲＦの最低周波数ｆ１
と最高周波数ｆ２を抑えさえすれば、その間の周波数変
化特性はいかなる場合も路間−となる。

コンパレータ５１は、上述のようにゲート閉信号Ｇｃを
出力すると同時に、ＣＰＵ５２に偏向終了を示す信号Ｓ
ｅを送る。ＣＰＵ５２はこの信号Ｓｅを受けると前述し
たクロックパルスの出力を停止し、それとともにカウン
ター５３をリセットする。その後ＣＰＵ５２は、前記ブ
ランキング信号ｓｂの入力に応じたタイミングでクロッ
クパルスの出力を開始し、以後は以上述べた動作が繰り
返されて、光ビーム１３’の偏向が繰り返される。なお
第５図に、ＩＤＴ１５に送られる高周波ＲＦの周波数ｆ
の時間経過に伴なう変化の様子を示す。

以上の説明から明らかな通り、電圧制御発振器５６に入
力される電圧信号Ｓｖの値は、該発振器５６が、前記最
低周波数ｆ１よりもやや低い周波数から掃引開始するよ
うに設定される。この掃引開始の周波数を最低周波数ｆ
１よりもどの程度低く設定するかは、電圧制御発振器５
Ｂの特性変動がどの程度生じうるかを把握し、それに応
じて適当に定めればよい。また光ビーム１３”の偏向速
度は、ＣＰＵ５２から出力させる前記クロックパルスの
周波数を麦えることによって適当に定めることができる
。

先に述べたように最低周波数ｆ、−５００ＭＨ２１最高
周波数ｆｚ−１０００ＭＨｚとして周波数掃引範囲を５
００ＭＨｚとすると、解像点数２０００点を得るために
は、少なくとも０．　２５ＭＨｚステップで周波数掃引
する必要があり、周波数確度は６桁要求される。現在の
ところ、コンパレータ５１としては８桁以上の精度を有
するものが提供されているので、上記の要求は十分病た
されうる。また分周器６０が例えば１／１６０分周器で
あるとすると、コンパレータ５１には最大で６．２５Ｍ
Ｈｚ　（＝１０００／１６０）の信号が入力されること
になるが、この程度の値ならばコンパレータ５１は前述
の処理を十分正確に実行可能である。

以上説明した実施例においては、高周波ＲＦの周波数を
漸増するように掃引させているが、その反対にこの周波
数を漸減するように掃引させ、該周波数が所定の最大周
波数となったときに高周波ＲＦが高周波出力制限手段（
上記実施例では減衰器５９）を通過するようにし、所定
の最小周波数となったときに上記出力制限手段において
高周波ＲＦの通過を制限するようにしても構わない。

また以上説明した実施例の高周波掃引装置５０は光偏向
装置に適用されたものであるが、本発明の高周波掃引装
置は前述した光スペクトラムアナラ　　。

イザーを始め、正確な周波数範囲の高周波を必要とする
あらゆる装置に適用可能である。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明の高周波掃引装置は、電
圧制御発振器から出力される高周波の周波数を実際にｎ
１定し、この１９１定値が第１の設定値に達したとき該
高周波を制限手段から出力させ、第２の設定値に達した
ときその出力を制限するようにしているので、該高周波
掃引装置から高周波を受ける装置には、常に上記第１お
よび第２の設定値の間で正確に周波数掃引された高周波
が送られるようになる。したがってこの高周波掃引装置
を前述の導波路型光偏向器に適用すれば走査精度を十分
に高めることができ、また前記光スペクトラムアナライ
ザーに適用すれば光波長分析の精度を十分に高めること
ができる。また本発明の高周波掃引装置は、電圧制御発
振器を用いるものであるから、シンセサイザー等と比べ
れば極めて安価かつ小型に形成可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による高周波掃引装置を示す
ブロック図、 第２図と第３図はそれぞれ、上記高周波掃引装置を用い
た光偏向装置を示す側面図と概略斜視図、第４図は本発
明に係る電圧制御発振器の入力信号電圧対出力周波数の
関係を示すグラフ、第５図は上記高周波掃引装置による
高周波の周波数掃引特性を示すグラフである。 ｌＯ・・・光偏向装置　　　　１１・・・光導波路１２
・・・表面弾性波　　　　１３・・・光ビーム１３’　
・・・導波光 １３”・・・光導波路から出射した光ビーム１５・・・
ＩＤＴ　　　　　　　５０・・・高周波掃引装置５１・
・・コンパレータ５２・・・ＣＰＵ５３・・・カウンタ
ー　　　　５５・・・Ｄ／Ａ変換器５６・・・電圧制御
発振器　　５９・・・減衰器６０・・・分周器 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 入力される電圧信号の値に応じて周波数が変化する高周
   波を出力する電圧制御発振器と、 この電圧制御発振器に漸増あるいは漸減する電圧信号を
   入力する信号発生源と、 前記電圧制御発振器に接続されて、前記高周波を通過さ
   せる第１の状態と、この通過を制限する第２の状態とを
   選択的にとりうる高周波出力制限手段と、 前記高周波の周波数を測定する周波数測定手段と、 この周波数測定手段の出力を受け、該手段が測定した周
   波数が第１の設定値に達したとき前記高周波出力制限手
   段を前記第１の状態に設定し、この周波数が第２の設定
   値に達したとき前記高周波出力制限手段を前記第２の状
   態に設定する制御回路とからなる高周波掃引装置。