JPH02222932A - 光偏向器における光強度変動低減方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光導波路に表面弾性波を発生させ、この表面
弾性波の回折作用によって導波光を偏向させるようにし
た光偏向器において、偏向ビームの光強度変動を低減さ
せる方法および装置に関するものである。

（従来の技術） 従来より例えば特開昭８１−１８３［ｉ２Ｂ号公報に示
されるように、表面弾性波が伝播可能な材料から形成さ
れた光導波路に光を入射させ、この光導波路内を進行す
る導波光と交わる方向に表面弾性波を発生させて該表面
弾性波によって導波光をブラッグ回折させ、そして上記
表面弾性波の周波数を連続的に変化させることにより導
波光の回折角（偏向角）を連続的に変化させるようにし
た光偏向装置が公知となっている。

一方、例えば特開平１−２５０１５号公報に示されるよ
うに、上述の光偏向装置と同様に光導波路において連続
的に周波数が変化する表面弾性波を進行させて、光ビー
ムの波長をΔＦＪ定する光スペクトラムアナライザーも
提案されている。この光スペクトラムアナライザーは、
光導波路を導波する光ビームが表面弾性波によって回折
する際、その回折角が前述のように表面弾性波周波数に
応じて変化するとともに該光ビームの波長にも応じて変
化することを利用し、光ビームが所定角度回折したとき
の表面弾性波周波数に基づいて該光ビームの波長を求め
るように構成されたものである。

以上述べたように光ビームを連続的に偏向させる光偏向
装置や光スペクトラムアナライザーを構成する光偏向器
において、表面弾性波発生手段は通常、電極指間隔が変
化する交叉くし形電極対（Ｉ　ｎｔｅｒ　−Ｄ　１ｇ１
ｔａｌ　　Ｔ　ｒａｎｓｄｕｃｅｒ　、以下ＩＤＴと称
する）と、該ＩＤＴに周波数が連続的に変化する高周波
の交番電圧を印加するドライバーとから構成される。Ｉ
ＤＴとしてより詳しくは、電極指間隔が段階的に変化し
かつ各電極指の向きが段階的に変化する傾斜指チャーブ
Ｉ　ＤＴ　（Ｔｉｌｔｅｄ−Ｆｌｎｇｅｒ　　Ｃｈｉｒ
ｐｅｄ　　ＩＤＴ）や、電極指間隔が連続的に変化しか
つ各電極指が円弧状をなすいわゆる湾曲指ＩＤＴや、さ
らには電極指間隔が相異なる複数のＩＤＴが互いに異な
る傾きに配置されてなるマルチプル拳ティルテッドＩＤ
Ｔ（Ｍｕｌｔｌｐｌｅ　Ｔｉ１ｔｅｄ　Ｉ　ＤＴ）等が
用いられる。また上述のドライバーは一般に、高周波ア
ンプと周波数掃引用スィーパ−等から構成される。

（発明が解決しようとする課題） ところで、以上述べたようなＩＤＴやドライバーを用い
る場合には、発生した表面弾性波に周期的な強度変動（
ゆらぎ）が発生しやすいことが認められている。すなわ
ち上述の目的で使用されるＩＤＴや高周波アンプは、高
帯域に設計されるので、インピーダンスが通常の高周波
系のインピーダンス（５０Ω）から大きくずれることが
ある。そこで高周波ケーブルとＩＤＴの間で高周波信号
の反射が生じ、反射波が高周波アンプに戻るようになる
。このアンプも上記の通り高帯域設計のものであるから
、数％〜数十％の高周波信号が反射し、再度ＩＤＴ側へ
伝播するようになる。そこでこのＩＤＴへ向かう反射波
と、元来高周波アンプから出力される高周波信号（進行
波）とが干渉して、高周波強度が変動するようになる。

このようにしてＩＤＴに入力される高周波強度が変動す
ると、ＩＤＴから発せられる表面弾性波の強度が同様に
変動して、表面弾性波による導波光の回折効率が変動し
てしまう。そうなると、回折光量、つまり偏向された光
ビームの強度が変動してしまう。

また、以上述べた反射波に起因する他、高周波アンプや
スィーパ−の周波数特性が一様でないことに起因して、
偏向ビームの光強度が変動することも多い。つまり、Ｉ
ＤＴに川船される交番電圧の値がその周波数に応じて変
化すれば、上記と同様に導波光の回折効率が変動するか
らである。

このように偏向ビームの光強度が変動すると、例えば光
偏向器を光走査記録装置や光走査読取装置に用いる場合
には記録画像に濃度ムラが生じたり、読取精度が低下す
る等の不具合が生じ、一方前述の光スペクトラムアナラ
イザーにあっては、スペクトル分析の精度低下を招くこ
とになる。

以上述べた表面弾性波の強度変動を防止するため従来よ
り、例えば特開昭８３−５３５１６号公報に示されるよ
うに、ｌＤＴとドライバーとの間に非相反素子であるア
イソレーターを挿入することが考えられている。しかし
ながら上記反射波以外の原因による偏向ビームの光強度
変動は、上述のようなアイソレーターを設けても低減さ
せることはできない。

そこで本発明は、以上述べた種々の原因による偏向ビー
ムの光強度変動を低減させることができる、光偏向器に
おける光強度変動低減方法、および装置を提供すること
を目的とするものである。

（課題を解決するための手段及び作用）本発明による第
１の光強度変動低減方法は、先に述べたように表面弾性
波が伝播可能な材料から形成された光導波路と、 この光導波路内を進行する導波光の光路に交わる方向に
進行して該導波光を回折、偏向させる表面弾性波を該光
導波路において発生させる表面弾性波発生手段とを有し
、 この表面弾性波発生手段が、ＩＤＴと、該ＩＤＴに周波
数が連続的に変化する高周波の交番電圧を印加するドラ
イバーとから構成されてなる光偏向器を使用する際に、 偏向後の光ビームの強度を、上記交番電圧の各周波数毎
に／ｊｌＪ定し、 この測定された光強度と一定の基準強度との差に基づい
て、この差を解消するために交番電圧の値に加えるべき
補正値を、交番電圧の周波数毎に求め、 この補正値対交番電圧周波数の関係を記憶手段に記憶さ
せ、 その後導波光を回折、偏向させる際に、上記記憶手段か
ら上述の関係を読み出して、交番電圧の値をこの関係に
従って補正することを特徴とするものである。

また本発明による第２の光強度変動低減方法は、上記と
同じような光偏向器を使用する際に、光導波路内に入射
される光ビームの強度を光変調手段により変調可能とし
、 偏向後の光ビームの強度を、交番電圧の各周波数毎に測
定し、 この測定された光強度と一定の基準強度との差に基づい
て、この差を解消するために上記光変調手段に加えるべ
き変調制御信号を、交番電圧の周波数毎に求め、 この変調制御信号対交番電圧周波数の関係を記憶手段に
記憶させ、 その後前記導波光を回折、偏向させる際に、上記記憶手
段から上述の関係を読み田して、上記光変調手段をこの
関係に従って作動制御することを特徴とするものである
。

一方本発明による第１の光強度変動低減装置は、前述と
同様の構成の光偏向器において、偏向後の光ビームの強
度を一定に揃えるために前記交番電圧の値に加えるべき
補正値を、交番電圧の周波数毎に記憶した記憶手段と、 導波光を回折、偏向させる際に、上記記憶手段から上記
補正値対交番電圧周波数の関係を読み出して、交番電圧
の値をこの関係に従って補正する補正手段とが設けられ
てなるものである。

なお、上記の記憶手段に記憶させておく補正値対交番電
圧周波数の関係は、例えば前記第１の方法におけるよう
にして求めればよい。

また本発明による第２の光強度変動低減装置は、前述と
同様の構成の光偏向器において、光導波路内に入射され
る光ビームの強度を変調する光変調手段と、 偏向後の光ビームの強度を一定に揃えるために上記光変
調手段に加えるべき変調制御信号を、交番電圧の周波数
毎に記憶した記憶手段と、導波光を回折、偏向させる際
に、上記記憶手段から上記変調制御信号対交番電圧周波
数の関係を読み出して、上記光変調手段をこの関係に従
って作動制御する変調制御手段とが設けられてなるもの
である。

なおこの第２の装置においても、上記の記憶手段に記憶
させておく変調制御信号対交番電圧周波数の関係は、例
えば前記第２の方法におけるようにして求めればよい。

（実　施　例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

第１図は、本発明の第１実施例による光強度変動低減装
置を備えた光偏向器１０を示すものである。

この光偏向器ＩＯは、基板１１上に形成された光導波路
１２と、この光導波路Ｉ２上に形成された光ビーム入射
用集光性回折格子（Ｆ　ｏｅｕｓｉｎｇ　Ｇ　ｒａｔｉ
ｎｇ　　Ｃｏｕｐｌｅｒ、以下ＦＣＣと称する）　１３
と、光ビーム出射用Ｆ　Ｇ　Ｃ１４と、これらのＦ　Ｇ
　Ｃ１３，１４の間を進行する導波光の光路に交わる方
向に進行する表面弾性波１５．１Ｂをそれぞれ発生させ
る第１、第２の傾斜指チャープＩＤＴｉ７．１８と、上
記表面弾性波１５．１６を発生させるために傾斜指チャ
ーブＩＤＴ１７．１８に高周波の交番電圧を印加する高
周波アンプ１９と、上記電圧の周波数を連続的に変化（
掃引）させるスィーパ−２０とを有している。そして上
記高周波アンプ１９とスィーパ−２０との間には、コン
トローラ３０とともに光強度変動低減装置を構成する補
正部３１が設けられている。

本実施例においては一例′として、基板１１にＬｉＮｂ
Ｏ３ウェハを用い、このウェハの表面にＴｉ拡散膜を設
けることにより光導波路１２を形成している。なお基板
１１としてその他サファイア、Ｓｉ等からなる結晶性基
板が用いられてもよい。また光導波路１２も上記のＴｉ
拡散に限らず、基板ｌｌ上にその他の材料をスパッタ、
蒸着する等して形成することもできる。ただしこの光導
波路１２は、上記Ｔｉ拡散膜等、後述する表面弾性波が
伝播可能な材料から形成される。また光導波路は２層以
上の積層構造を有していてもよい。

偏向される光ビームＬは、例えば半導体レーザ等の光源
２１から、ＦＧＣＨに向けて出射される。

この光ビームＬ（発散ビーム）は、ＦＧＣ１３によって
平行ビームとされた上で光導波路１２内に取り込まれ、
該光導波路１２内を導波する。この導波光Ｌ１は、第１
の傾斜指チャープＩＤＴ１７から発せられた第１の表面
弾性波１５との音響光学相互作用により、図示のように
回折（Ｂ　ｒａｇｇ回折）する。

こうして回折、偏向した導波光Ｌ１は、第２の傾斜指チ
ャーブＩＤＴｌＢから発せられた第２の表面弾性波１Ｂ
との音響光学相互作用により、上記の偏向をさらに増幅
させる方向に回折する（第２図参照）。そして前述のよ
うに、第１の傾斜指チャーブＩＤＴ１７に印加される交
番電圧の周波数が連続的に変化するので、第１の表面弾
性波１５の周波数が連続的に変化する。周知のように、
表面弾性波１５によって回折した導波光ＬＺの偏向角は
表面弾性波１５の周波数にほぼ比例するので、上記のよ
うに表面弾性波１５の周波数が変化することにより、導
波光Ｌ２は矢印Ａで示すように連続的に偏向する。この
導波光Ｌ２は次に第２の表面弾性波１６によって偏向さ
れるが、この第２の表面弾性波１Ｂも第１の表面弾性波
１５と同様に周波数が連続的に変化するので、第２の表
面弾性波ＩＢを通過した後の導波光Ｌ３は、矢印Ｂで示
すように連続的に大きく偏向する。この導波光Ｌ３はＦ
ＧＣＩ４によって光導波路１２外に出射せしめられ、ま
たその集光作用によって１点に集束する。

以上述べた通り本装置においては、導波光Ｌ１を２回回
折、偏向させるようにしているので、導波光Ｌ３の偏向
角範囲Δδは、極めて大きなものとなり得る。つまり、
表面弾性波１５．１Ｂの周波数が最大周波数、最小周波
数のとき、２回回折した導波光し、の進行方向はそれぞ
れ、第２図に■、■°で示す向きであり、その差が偏向
角範囲Δδとなる。なお、このように導波光を２回回折
、偏向させる場合に得られる偏向角範囲については、例
えば特開昭８３−１３６０２１！号公報に詳しい記載が
なされている。

ここで、ＩＤＴ！？、１８に入力される高周波信号（交
番電圧）には、前述した反射波の影響により、また、高
周波アンプ１９やスィーパ−２０の周波数特性が一様で
ないことに起因して、強度変動が生じることがある。以
下、この強度変動を抑えて、偏向ビームＬ°の光強度変
動を低減する点について説明する。第３図はこの光強度
変動低減に関わる構成を示しており、以下、この第３図
を参照して説明する。図示されるように前記補正部３１
は、高周波アンプ１９とスィーパ−２０との間に設けら
れたミキサー３２と、アンプ３３と、Ｄ／Ａ変換器３４
と、テーブルメモリ３５とからなる。

前述のように光偏向器ｌＯを実使用するのに先行して、
偏向した光ビームＬ゛の強度を検出しつる広い受光面を
持った光検出器（例えば光電子増倍管）３６が配置され
、コントローラ３０の掃引制御信号Ｓ１に基づいてスィ
ーパ−２０が作動される。このときミキサー３２はまず
、スィーパ−２０が出力する周波数掃引された高周波信
号Ｓ２を、そのまま高周波アンプ１９に入力する状態に
される。それにより、前述と同様にして光ビームＬ゛が
連続的に偏向する。この偏向した光ビームＬ°は光検出
器３６に受光され、その光強度を示す出力信号Ｓ３はＡ
／Ｄ変換器３７に送られる。こうしてデジタル化された
信号Ｓ４は、コントローラ３０に入力される。

マイクロコンピュータ等からなるコントローラ３０は、
上述のように表面弾性波１５．１６の周波数掃引タイミ
ングも制御するものであり、このタイミングに基づいて
、上記信号Ｓ４が示す光強度と高周波信号Ｓ２の（つま
り表面弾性波１５．１６の）周波数ｆとの関係を求める
。この関係は、連続的ニ示せば、例えば第４図の実線表
示のようなものとなる。コントローラ３０はこの測定さ
れた光強度Ｐと、予め設定されている一定の基準強度Ｐ
ｒとを上記周波数ｆ毎に比較し、両者の間に差が有れば
、その内部メモリに形成した補正テーブルにおいて微小
な補正値ΔＶを与える、という処理を各周波数ｆについ
て行なう。なお基準強度Ｐｒの設定値は、測定光強度Ｐ
に対してどこでも良い。

そしてコントローラ３０は、再度スィーパ−２０から周
波数掃引された高周波信号Ｓ２を出力させて表面弾性波
１５．１６を発生させるが、その際上記周波数ｆ毎の補
正値を担持する信号Ｓ５を、掃引制御信号Ｓ１と同期を
取った上で出力する。この信号Ｓ５は、補正部３１のＤ
／Ａ変換器３４でアナログ化された後、アンプ３３によ
って増幅されてミキサー３２に入力される。このミキサ
ー３２は、アンプ３３から送られる直流成分からなる補
正信号Ｓ６（信号Ｓ５と対応している）により、高周波
信号Ｓ２の振幅を増減させる機能を持つ。従って、ある
周波数ｆに対応する補正信号Ｓ６が、それと同じ周波数
ｆの高周波信号Ｓ２を増減させる。

以上のように高周波信号Ｓ２を補正信号Ｓ６により増減
し、表面弾性波１５．１６を周波数掃引すると、偏向さ
れた光ビームＬ゛の強度は、前回の偏向時と比べれば、
基準強度Ｐｒにより近いものとなる。コントローラ３０
はこの際も、ｎｊ定された光強度Ｐと基準強度Ｐｒとを
周波数ｆ毎に比較し、両者の間に差が有れば、内部メモ
リに記憶した前記テーブルにおいて、前記の微小な補正
値ΔＶをさらに加える、という処理を各周波数ｆ毎に行
なう。その後コントローラ３０は前記と同様に、上記テ
ーブルに基づく補正信号Ｓ６により高周波信号Ｓ２によ
り増減させて、表面弾性波１５．１６を周波数掃引させ
る。

こうして光ビームＬ°の偏向、およびテーブルの変更が
何回か繰り返されると、ついには実測される光強度Ｐが
、表面弾性波１５．１６の全周波数域に亘って基準強度
Ｐｒに収束するようになる。つまり、こうなったときの
補正信号Ｓ６による補正部は、第４図に破線で示す通り
、当初の測定光強度対周波数ｆの関係に対して、基準強
度Ｐｒをはさんでいわば裏返しのものとなる。なお本実
施例においては、以上述べたような補正値に基づいて補
正信号Ｓ６を生成しているが、この補正信号Ｓ６が高周
波信号Ｓ２の振幅を補正しているのであるから、上記補
正値は間接的に、ＩＤＴ１７．１８に加えるべき電圧補
正鏡を担っていると言える。

以上述べた状態になると、次にコントローラ３０は、そ
の内部メモリに記憶していた補正値対周波数ｆのテーブ
ルをテーブルメモリ３５に転送して、そこに記憶させる
。この処理が終了すると、光検出器３ＢおよびＡ／Ｄ変
換器３７が取り外される。そしてそれ以後光偏向器１０
を作動させる際にコントローラ３０は、テーブルメモリ
３５に記憶されている上記テーブルのデータを読み出し
て、周波数ｆ毎の補正値を担持する信号Ｓ７をＤ／Ａ変
換器３４に入力させる。したがってこの場合、光ビーム
Ｌ′の光強度Ｐが、表面弾性波１５、ｌθの全周波数域
に亘ってほぼ一定となる。

上述のように本装置においては、光偏向器１０を実使用
する際、単にテーブルメモリ３５から補正データを読み
出しながら高周波信号Ｓ２を補正するようにしているの
で、例えば実使用時の偏向ビームＬ′の光強度を検出し
ながら、フィードバック制御により光強度変動を抑える
ような装置に比べれば、掃引速度をより高く設定するこ
とが可能となる。

なおテーブルメモリ３５に記憶させる補正値対周波数ｆ
のテーブルは、当然ながら、より多くの周波数ｆについ
て補正値が規定されたものとするのが好ましい。つまり
、この補正値数が十分に多ければ、アナログ化された補
正信号Ｓ６は、光強度変動補正がなされない場合の光検
出器３６の出力Ｓ３に対して、より正確に逆位相のもの
となり得る。

次に、第５図を参照して本発明の第２実施例について説
明する。なおこの第５図において、前記第３図中の要素
と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明
は、特に必要の無い限り省略する。

この実施例において光源２１から出射した光ビームＬは
、例えばＡＯＭ（音響光学光変調器）やＥＯ，Ｍ　（電
気光学光変調器）等の光変調器４０に通されてから、光
偏向器１０に入射するようになっている。この光変調器
４０の作動は、変調回路４１によって制御される。一方
スイーバー２０が出力する高周波信号Ｓ２は、補正を受
けずにそのまま高周波アンプ１９に入力される。

光偏向器ＩＯの実使用に先立ち、テーブルメモリ３５に
記憶させるデータを作成するために光ビームＬ゛を何回
か偏向させるとき、第１実施例におけるのと同様にコン
トローラ３０からは、表面弾性波周波数ｆ毎に測定光強
度Ｐと基準強度Ｐ「との差に応じた値をとる信号Ｓ５が
出力される。この信号Ｓ５はＤ／Ａ変換器３４でアナロ
グ化され、アンプ３３で増幅されて、変調制御信号Ｓ６
°として変調回路４１に入力される。この変調制御信号
Ｓ６’は、例えば前記基準強度Ｐｒが、実測される光強
度Ｐを下回るように設定される場合は、光変調器４０８
Ｍ遇する光ビームＬの強度を低下させるように変調回路
４Ｌを制御する値とされる。基準強度Ｐ「が、実ｎノさ
れる光強度Ｐを上回るように設定される場合は、その反
対である。

上記の変調制御信号Ｓ６°に基づいて光変調器４０の作
動状態を＄１１１した上で、表面弾性波１５．１８を周
波数掃引すると、偏向された光ビームＬ°の強度は、前
回の偏向時と比べれば、基準強度Ｐｒにより近いものと
なる。コントローラ３０は、測定された光強度Ｐと基準
強度Ｐｒとを周波数ｆ毎に比較し、両者の間に差が有れ
ば、内部メモリに記憶したテーブルにおいて、微小な補
正量ΔＶ゛をさらに加える、という処理を各周波数ｆ毎
に行なう。

こうして光ビームＬ°の偏向、およびテーブルの変更が
何回か繰り返されると、ついには実測される光強度Ｐが
、表面弾性波１５．１Ｂの全周波数域に亘つて基準強度
Ｐｒに収束するようになる。

以上述べた状態になると、次にコントローラ３゜は、そ
の内部メモリに記憶していた変調制御信号対周波数ｆの
テーブルをテーブルメモリ３５に転送して、そこに記憶
させる。この処理が終了すると、光検出器３６およびＡ
／Ｄ変換器３７が取り外される。

そしてそれ以後光偏向器１０を作動させる際にコントロ
ーラ３０は、テーブルメモリ３５に記憶されている上記
テーブルのデータを読み出して、周波数ｆ毎の変調状態
を担持する信号Ｓ７°をＤ／Ａ変換器３４に入力させる
。したがってこの場合も、光ビームＬ°の光強度Ｐが、
表面弾性波１５Ｓ１１３の全周波数域に亘ってほぼ一定
となる。

なお上記第２実施例においては、光ビームＬを光変調器
４０によって変調するようにしているが、光源２１が例
えば半導体レーザー等からなる場合には、この光源２１
を変調制御信号Ｓ６°に基づいて直接変調するようにし
ても構わない。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明においては、導波光を回
折、偏向させる際に、ＩＤＴに印加する交番電圧の補正
値対周波数の関係を記憶手段から読み出して、交番電圧
の値をこの関係に従って補正するようにしたから、ある
いは光導波路内に入射される光ビームの強度を光変調手
段により変調可能とした上で、導波光を回折、偏向させ
る際に、この光変調手段に加える変調制御信号対交番電
圧周波数の関係を記憶手段から読み出して、光変調手段
をこの関係に従って作動制御するようにしたから、表面
弾性波の強度変動等による偏向ビームの光強度変動を確
実に低減させることが可能となる。

したがって本発明によれば、例えば光偏向器を光走査記
録装置や光走査読取装置に用いる場合に記録画像に濃度
ムラが生じたり、読取精度が低下する等の不具合が生じ
ることを防止でき、また、導波路型光偏向器を適用した
スペクトラムアナライザーにあっては、スペクトル分析
の精度を高めることが可能となる。

また本発明による光強度変動低減装置においては、光ビ
ームの偏向時、単に記憶手段からデータを読み出しなが
ら、このデータに基づいて光強度変動を補正するように
しているので、フィードバツク制御により光強度変動を
抑える場合に比べれば、掃引速度をより高く設定するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例装置を示す概略斜視図、 第２図は上記実施例装置の一部を拡大して示す平面図、 第３図は上記実施例装置の電気回路を示すブロック図、 第４図は上記実施例装置における光強度変動低減の効果
を説明する説明図、 第５図は本発明の第２実施例装置を示すブロック図であ
る。 １０・・・光偏向器　　　　　１１・・・基　　板１２
・・・光導波路 １３・・・光ビーム入射用ＦＣＣ １４・・・光ビーム出射用ＦＣＣ １５・・・第１の表面弾性波　１６・・・第２の表面弾
性波１７・・・第１の傾斜指チャーブＩＤＴ１８・・・
第２の傾斜指チャーブＩＤＴ１９・・・高周波アンプ　
　　２０・・・スィーパ−２Ｉ・・・光　　源　　　　
　３０・・・コントローラ３１・・・補正部　　　　　
　３２・・・ミキサー３３・・・アンプ　　　　　　３
４・・・Ｄ／Ａ変換器３５・・・テーブルメモリ　　３
Ｂ・・・光検出器３７・・・Ａ／Ｄ変換器　　　４０・
・・光変調器４１・・・変調回路 り工・・・第１の表面弾性波に入射する前の導波光り、
・・・第１の表面弾性波を通過した導波光Ｌ３・・・第
２の表面弾性波を通過した導波光Ｌ′・・・偏向ビーム 第１図 第３図 第２図 第４図 周壌乾ｆ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導
   波路と、 この光導波路内を進行する導波光の光路に交わる方向に
   進行して該導波光を回折、偏向させる表面弾性波を該光
   導波路において発生させる表面弾性波発生手段とを有し
   、 この表面弾性波発生手段が、交叉くし形電極対と、該電
   極対に周波数が連続的に変化する高周波の交番電圧を印
   加するドライバーとから構成されてなる光偏向器を使用
   する際に、 偏向後の光ビームの強度を、前記交番電圧の各周波数毎
   に測定し、 この測定された光強度と一定の基準強度との差に基づい
   て、この差を解消するために前記交番電圧の値に加える
   べき補正値を、交番電圧の周波数毎に求め、 この補正値対交番電圧周波数の関係を記憶手段に記憶さ
   せ、 その後前記導波光を回折、偏向させる際に、前記記憶手
   段から前記関係を読み出して、前記交番電圧の値をこの
   関係に従って補正することを特徴とする、光偏向器にお
   ける光強度変動低減方法。
2. （２）表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導
   波路と、 この光導波路内を進行する導波光の光路に交わる方向に
   進行して該導波光を回折、偏向させる表面弾性波を該光
   導波路において発生させる表面弾性波発生手段とを有し
   、 この表面弾性波発生手段が、交叉くし形電極対と、該電
   極対に周波数が連続的に変化する高周波の交番電圧を印
   加するドライバーとから構成されてなる光偏向器を使用
   する際に、 前記光導波路内に入射される光ビームの強度を光変調手
   段により変調可能とし、 偏向後の光ビームの強度を、前記交番電圧の各周波数毎
   に測定し、 この測定された光強度と一定の基準強度との差に基づい
   て、この差を解消するために前記光変調手段に加えるべ
   き変調制御信号を、交番電圧の周波数毎に求め、 この変調制御信号対交番電圧周波数の関係を記憶手段に
   記憶させ、 その後前記導波光を回折、偏向させる際に、前記記憶手
   段から前記関係を読み出して、前記光変調手段をこの関
   係に従って作動制御することを特徴とする、光偏向器に
   おける光強度変動低減方法。
3. （３）表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導
   波路と、 この光導波路内を進行する導波光の光路に交わる方向に
   進行して該導波光を回折、偏向させる表面弾性波を該光
   導波路において発生させる表面弾性波発生手段とを有し
   、 この表面弾性波発生手段が、交叉くし形電極対と、該電
   極対に周波数が連続的に変化する高周波の交番電圧を印
   加するドライバーとから構成されてなる光偏向器におい
   て、 偏向後の光ビームの強度を一定に揃えるために前記交番
   電圧の値に加えるべき補正値を、交番電圧の周波数毎に
   記憶した記憶手段と、 前記導波光を回折、偏向させる際に、前記記憶手段から
   前記補正値対交番電圧周波数の関係を読み出して、前記
   交番電圧の値をこの関係に従って補正する補正手段とが
   設けられてなる、光偏向器における光強度変動低減装置
   。
4. （４）表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導
   波路と、 この光導波路内を進行する導波光の光路に交わる方向に
   進行して該導波光を回折、偏向させる表面弾性波を該光
   導波路において発生させる表面弾性波発生手段とを有し
   、 この表面弾性波発生手段が、交叉くし形電極対と、該電
   極対に周波数が連続的に変化する高周波の交番電圧を印
   加するドライバーとから構成されてなる光偏向器におい
   て、 前記光導波路内に入射される光ビームの強度を変調する
   光変調手段と、 偏向後の光ビームの強度を一定に揃えるために前記光変
   調手段に加えるべき変調制御信号を、交番電圧の周波数
   毎に記憶した記憶手段と、 前記導波光を回折、偏向させる際に、前記記憶手段から
   前記変調制御信号対交番電圧周波数の関係を読み出して
   、前記光変調手段をこの関係に従って作動制御する変調
   制御手段とが設けられてなる、光偏向器における光強度
   変動低減装置。