JPH01183847A - 等倍イメージセンサー - Google Patents
等倍イメージセンサーInfo
- Publication number
- JPH01183847A JPH01183847A JP63007411A JP741188A JPH01183847A JP H01183847 A JPH01183847 A JP H01183847A JP 63007411 A JP63007411 A JP 63007411A JP 741188 A JP741188 A JP 741188A JP H01183847 A JPH01183847 A JP H01183847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- insulating
- sensor
- image sensor
- coat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
投亙分災
本発明はセンサー駆動素子表面が絶縁処理された等倍イ
メージセンサ−′の改良に関する。
メージセンサ−′の改良に関する。
従来致方
一般の読取り用等倍イメージセンサ−は第１図に示すよ
うに同一の高抵抗基板１上に複数個の光検出素子（図示
せず）からなるセンサー部（又はセンサーパターン）２
及びこのセンサー部を駆動するためのセンサー駆動素子
３を設け、その表面をワイヤーボンディング４と共にシ
リコーン樹脂のような絶縁性樹脂５で絶縁処理し、更に
その上を導電性カバー６で覆い、アースして構成されて
いる。なおこの絶縁処理による絶縁性コートはＩＣで構
成される駆動素子及びワイヤーボンディングを保護する
ことにより駆動素子に混入する外部の静電ノイズを遮断
してＳ／Ｎ比の向上を計るものである。
うに同一の高抵抗基板１上に複数個の光検出素子（図示
せず）からなるセンサー部（又はセンサーパターン）２
及びこのセンサー部を駆動するためのセンサー駆動素子
３を設け、その表面をワイヤーボンディング４と共にシ
リコーン樹脂のような絶縁性樹脂５で絶縁処理し、更に
その上を導電性カバー６で覆い、アースして構成されて
いる。なおこの絶縁処理による絶縁性コートはＩＣで構
成される駆動素子及びワイヤーボンディングを保護する
ことにより駆動素子に混入する外部の静電ノイズを遮断
してＳ／Ｎ比の向上を計るものである。
しかし従来の等倍イメージセンサ−においては導電性カ
バーは単に絶縁性コートを覆っているだけなので、セン
サー駆動部が高くなり、ノイズが充分遮断できず、また
装置のコンパクト化の点で不利となる。センサー駆動部
の高さを全体的に低くするには導電性カバーを低くすれ
ばよいのであるが、そうすると絶縁性コートと導電性カ
バーとの間が狭くなり、コートの高さにバラツキがある
場合はこのコートと導電性カバーとが接触し、駆動部を
痛めたリカバーがセンサーパターン面に密着しないこと
があるし、また期待どうりのノイズ低下がみられない。
バーは単に絶縁性コートを覆っているだけなので、セン
サー駆動部が高くなり、ノイズが充分遮断できず、また
装置のコンパクト化の点で不利となる。センサー駆動部
の高さを全体的に低くするには導電性カバーを低くすれ
ばよいのであるが、そうすると絶縁性コートと導電性カ
バーとの間が狭くなり、コートの高さにバラツキがある
場合はこのコートと導電性カバーとが接触し、駆動部を
痛めたリカバーがセンサーパターン面に密着しないこと
があるし、また期待どうりのノイズ低下がみられない。
■−一煎
本発明の目的は外部ノイズの影響をなくしてＳ／Ｎ比を
向上した等倍イメージセンサ−を提供することである６ 豊−一双 本発明の等倍イメージセンサ−は複数個の光検出素子か
らなるセンサー部を駆動する複数個のセンサー駆動素子
全体に絶縁処理を施した等倍イメージセンサ−において
、前記絶縁処理面を更に導電処理したことを特徴とする
ものである。
向上した等倍イメージセンサ−を提供することである６ 豊−一双 本発明の等倍イメージセンサ−は複数個の光検出素子か
らなるセンサー部を駆動する複数個のセンサー駆動素子
全体に絶縁処理を施した等倍イメージセンサ−において
、前記絶縁処理面を更に導電処理したことを特徴とする
ものである。
このように本発明の等倍イメージセンサ−は従来の駆動
素子及びワイヤーボンディングの保護用絶縁性コート表
面に導電性カバーの代りに導電性コートを形成したもの
である。
素子及びワイヤーボンディングの保護用絶縁性コート表
面に導電性カバーの代りに導電性コートを形成したもの
である。
本発明を図面によって説明すると、第２図は本発明等倍
イメージセンサ−の−例の平面図、第２図は第１図ａ−
ａ’部の断面図である。即ちこの等倍イメージセンサ−
は高抵抗基板１と、複数個の光検出素子（図示せず）か
らなるセンサー部２とこのセンサー部を駆動するための
複数個の駆動素子３とを配置し、その上をワイヤーボン
ディング４と共に絶縁性樹脂５でコート処理し、更にそ
の上を導電性物質７でコーティング処理した後、この導
電性コートをアースして構成される。
イメージセンサ−の−例の平面図、第２図は第１図ａ−
ａ’部の断面図である。即ちこの等倍イメージセンサ−
は高抵抗基板１と、複数個の光検出素子（図示せず）か
らなるセンサー部２とこのセンサー部を駆動するための
複数個の駆動素子３とを配置し、その上をワイヤーボン
ディング４と共に絶縁性樹脂５でコート処理し、更にそ
の上を導電性物質７でコーティング処理した後、この導
電性コートをアースして構成される。
以上のような本発明の等倍イメージセンサ−において高
抵抗基板としては各種ガラス板、プラスチック板が使用
される。
抵抗基板としては各種ガラス板、プラスチック板が使用
される。
光検出素子も駆動素子も従来と全く同様のものでよい。
絶縁性コート用の絶縁性樹脂としては注型用樹脂として
一般的なシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン・
エポキシハイブリット樹脂などがあり、いずれのコーテ
イング材を使用しても本発明では同様に良好な結果が得
られる。
一般的なシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン・
エポキシハイブリット樹脂などがあり、いずれのコーテ
イング材を使用しても本発明では同様に良好な結果が得
られる。
導電性コートに用いられる導電性物質としてはＡＱ、Ａ
ｇ等の金属及びこれら金属のペーストが使用される。、
なお金属の場合は蒸着法（但し蒸着不要部分はマスクし
て蒸着を行なう。）が、またペーストを用いた場合は塗
布法が適用されるが、蒸着法は厚膜の形成には適してい
ない。
ｇ等の金属及びこれら金属のペーストが使用される。、
なお金属の場合は蒸着法（但し蒸着不要部分はマスクし
て蒸着を行なう。）が、またペーストを用いた場合は塗
布法が適用されるが、蒸着法は厚膜の形成には適してい
ない。
なお薄膜では低抵抗、即ち導電性の良好な導電性コート
とはなり得ない。金属ペーストの場合は粘性の高い液体
を使用するため、膜厚は十分に得られ、従って良導電性
の導電性コートが得られる。またこのため後者の場合は
シールド効果が高く、ノイズレベルが小さくなるので、
本発明ではペースト塗布方式の方が好ましい。勿論、い
ずれの方式でも従来の導電性カバ一方式よりもノイズレ
ベルは小さくなる。例えば導電性コートをＡＱ無蒸着形
成した本発明品Ａ（膜厚０．３μｍ）のノイズレベルは
１３〜１８ｍｖ（ノイズ ４レベルにバラツキがある
のは外部ノイズが一定していないためである。以下同様
）、また導電性コートを銀ペーストの塗布により形成し
た本発明品Ｂ（膜厚５μｍ）のノイズレベルは８〜１０
ｍｖであるのに対し、従来のＡＱ製製電電性カバー使用
したものは２０〜３０ｍｖであった。なお絶縁性コート
にはシリコーン樹脂を使用した。
とはなり得ない。金属ペーストの場合は粘性の高い液体
を使用するため、膜厚は十分に得られ、従って良導電性
の導電性コートが得られる。またこのため後者の場合は
シールド効果が高く、ノイズレベルが小さくなるので、
本発明ではペースト塗布方式の方が好ましい。勿論、い
ずれの方式でも従来の導電性カバ一方式よりもノイズレ
ベルは小さくなる。例えば導電性コートをＡＱ無蒸着形
成した本発明品Ａ（膜厚０．３μｍ）のノイズレベルは
１３〜１８ｍｖ（ノイズ ４レベルにバラツキがある
のは外部ノイズが一定していないためである。以下同様
）、また導電性コートを銀ペーストの塗布により形成し
た本発明品Ｂ（膜厚５μｍ）のノイズレベルは８〜１０
ｍｖであるのに対し、従来のＡＱ製製電電性カバー使用
したものは２０〜３０ｍｖであった。なお絶縁性コート
にはシリコーン樹脂を使用した。
ノイズ測定に関しては光検出素子の部分を第４図に示す
ダミーの素子に置換え、センサー駆動回路のノイズ成分
だけ見るようにした。この時の測定等価回路を第５回（
図中、８は読取り用アンプ）に示す。
ダミーの素子に置換え、センサー駆動回路のノイズ成分
だけ見るようにした。この時の測定等価回路を第５回（
図中、８は読取り用アンプ）に示す。
夏−一米
以上の如く本発明の等倍イメージセンサ−は絶縁性コー
ト表面に導電性コートを設けて外部ノイズをほぼ完全に
遮断したので、Ｓ／Ｎ比が大巾に向上できる上、この導
電処理は絶縁性コート面上に薄く行なうため、導電性カ
バーの高さでの欠点を補うことができる。
ト表面に導電性コートを設けて外部ノイズをほぼ完全に
遮断したので、Ｓ／Ｎ比が大巾に向上できる上、この導
電処理は絶縁性コート面上に薄く行なうため、導電性カ
バーの高さでの欠点を補うことができる。
第１図は従来の等倍センサーの断面図、第２図は本発明
の等倍センサーの一例の平面図、第３図は第２図ａ−ａ
’部の断面図、第４図はノイズ測定に用いた光検出素子
のダミー回路図、第５図はノイズ測定用等価回路図であ
る。 １・・・高抵抗基板 ２・・・センサー部３
・・・センサー駆動素子 ４・・・ワイヤーボンデ
ィング５・・・絶縁性樹脂又はコート ６・・・導電性
カバー７・・・導電性コート ８・・・読取り
用アンプ特許出願人株式会社リコー外２名
の等倍センサーの一例の平面図、第３図は第２図ａ−ａ
’部の断面図、第４図はノイズ測定に用いた光検出素子
のダミー回路図、第５図はノイズ測定用等価回路図であ
る。 １・・・高抵抗基板 ２・・・センサー部３
・・・センサー駆動素子 ４・・・ワイヤーボンデ
ィング５・・・絶縁性樹脂又はコート ６・・・導電性
カバー７・・・導電性コート ８・・・読取り
用アンプ特許出願人株式会社リコー外２名
Claims (1)
- １．複数個の光検出素子からなるセンサー部を駆動する
複数個のセンサー駆動素子の表面全体に絶縁処理を施し
た等倍イメージセンサーにおいて、前記絶縁処理面を更
に導電処理したことを特徴とする等倍イメージセンサー
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63007411A JPH01183847A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 等倍イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63007411A JPH01183847A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 等倍イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183847A true JPH01183847A (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=11665120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63007411A Pending JPH01183847A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 等倍イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1765002A3 (en) * | 2005-09-07 | 2009-12-30 | OmniVision Technologies, Inc. | Coated wafer level camera modules and associated methods |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP63007411A patent/JPH01183847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1765002A3 (en) * | 2005-09-07 | 2009-12-30 | OmniVision Technologies, Inc. | Coated wafer level camera modules and associated methods |
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