JPS5812376A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5812376A JPS5812376A JP56094466A JP9446681A JPS5812376A JP S5812376 A JPS5812376 A JP S5812376A JP 56094466 A JP56094466 A JP 56094466A JP 9446681 A JP9446681 A JP 9446681A JP S5812376 A JPS5812376 A JP S5812376A
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- Japan
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- chip
- conductive metal
- metal film
- infrared rays
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、赤外線検知素子の製造方法に係シ、特に小型
高感度な光導電型の赤外線検知素子の製造方法に関する
ものである。
高感度な光導電型の赤外線検知素子の製造方法に関する
ものである。
一般にインＶウム・アンチモン（工ｎ５ｂ）からなる化
合物半導体によって構成された赤外線検知素子の一種と
して光による半導体の比抵抗の変化を利用して赤外線を
検出する光伝導型検知素子が知られており、咳毒子は感
度がよく応答も速い。
合物半導体によって構成された赤外線検知素子の一種と
して光による半導体の比抵抗の変化を利用して赤外線を
検出する光伝導型検知素子が知られており、咳毒子は感
度がよく応答も速い。
従来この種の赤外線検知素子を得るには、例えば第１図
に示すようにｔファイヤ支持板１上にＩｎＳｂからなる
化金物半導体基板２を固着し、該基板２番黴十μ解程度
の厚さに研磨、エツチングした後、第２図に示すように
該基板２を所定形状にバターニングし、次いで前記基板
２の上面に図示のように受光部４を画定するように、例
えば金属マスクを用いて蒸着法によシ金（Ａｕ）からな
る厚い電極層８を被着形成する。しかる後第８図の断面
図及び第４図の上面図に示すように前記各電極層８上に
金（Ａｕ） 尋かもなるリード線６を熱圧着法等のボン
デングによって接続し、該リード線６によシ形成された
検知素子の信号出力を取シ出すように構成している。
に示すようにｔファイヤ支持板１上にＩｎＳｂからなる
化金物半導体基板２を固着し、該基板２番黴十μ解程度
の厚さに研磨、エツチングした後、第２図に示すように
該基板２を所定形状にバターニングし、次いで前記基板
２の上面に図示のように受光部４を画定するように、例
えば金属マスクを用いて蒸着法によシ金（Ａｕ）からな
る厚い電極層８を被着形成する。しかる後第８図の断面
図及び第４図の上面図に示すように前記各電極層８上に
金（Ａｕ） 尋かもなるリード線６を熱圧着法等のボン
デングによって接続し、該リード線６によシ形成された
検知素子の信号出力を取シ出すように構成している。
ところで上述の如き赤外線検知素子は、一般にグユワー
構造の気密容器に真空封入して、液体窺素等の冷媒によ
って冷却して動作させるものであるから、各種工業の熱
計測や公害ガスの検知等の計測装置に実装し、これらの
計測に長時間にわたり連続使用するＫは、前記液状冷媒
の保持時間に限度があシ、使用時間が制約されるといっ
た藺題があって手軽に用いることができない不自由さが
ある。そこで最近においては、上記の如き問題を満足し
得る小型で冷却手段の容品なべ〜チェ素子を利用した電
子冷却型の赤外線検知装置が実用化されつつあシ、上記
装置に用いられる小型で高感度な赤外線検知素子が要望
されている。ところがかかる小型な電子冷却用の赤外線
素子を製作するには、感度を上げるために該素子の厚さ
を１０μｍ以下と極めて薄くシ、受光面を非常に清浄な
状細に保たなければ、受光面の表面近傍に、赤外光によ
り発生するキャリヤの再結合速度が増加し、感度が著し
く低下する。したがって受光部を電極パターンによって
一定し九後、前記受光面をエツチング等によ如清浄にす
る必要があるが従来の製造方法によれば電極の剥離、及
び該剥離により受光面積が増大する欠点があった。を九
かかる素子に対するリード線のボンデイン外接続は、素
子厚がボンディング圧に耐えられない問題があると共に
、素子抵抗が数十オームと従来！イブの素子抵抗の約１
／１０００程度となるため、素子に対するリード線の接
続には極めて良好なオーミッタ接続が要求されることに
なる。
構造の気密容器に真空封入して、液体窺素等の冷媒によ
って冷却して動作させるものであるから、各種工業の熱
計測や公害ガスの検知等の計測装置に実装し、これらの
計測に長時間にわたり連続使用するＫは、前記液状冷媒
の保持時間に限度があシ、使用時間が制約されるといっ
た藺題があって手軽に用いることができない不自由さが
ある。そこで最近においては、上記の如き問題を満足し
得る小型で冷却手段の容品なべ〜チェ素子を利用した電
子冷却型の赤外線検知装置が実用化されつつあシ、上記
装置に用いられる小型で高感度な赤外線検知素子が要望
されている。ところがかかる小型な電子冷却用の赤外線
素子を製作するには、感度を上げるために該素子の厚さ
を１０μｍ以下と極めて薄くシ、受光面を非常に清浄な
状細に保たなければ、受光面の表面近傍に、赤外光によ
り発生するキャリヤの再結合速度が増加し、感度が著し
く低下する。したがって受光部を電極パターンによって
一定し九後、前記受光面をエツチング等によ如清浄にす
る必要があるが従来の製造方法によれば電極の剥離、及
び該剥離により受光面積が増大する欠点があった。を九
かかる素子に対するリード線のボンデイン外接続は、素
子厚がボンディング圧に耐えられない問題があると共に
、素子抵抗が数十オームと従来！イブの素子抵抗の約１
／１０００程度となるため、素子に対するリード線の接
続には極めて良好なオーミッタ接続が要求されることに
なる。
本発明の目的には、上述した問題を克服し、小し得る新
規な製造方法を提供するにある。かかる目的を達成する
ために１本発明の製造方法は化合物中導体からなる赤外
線検知用チップ上の電極形成予定部に半田によシリード
線を接続した後、該チップ上の全面に金属導電膜を被着
形成し、その後該金属導電膜を選択的に除去して前記チ
ップ上に所定面積の受光部を設けるようにしたことを特
徴としている。
規な製造方法を提供するにある。かかる目的を達成する
ために１本発明の製造方法は化合物中導体からなる赤外
線検知用チップ上の電極形成予定部に半田によシリード
線を接続した後、該チップ上の全面に金属導電膜を被着
形成し、その後該金属導電膜を選択的に除去して前記チ
ップ上に所定面積の受光部を設けるようにしたことを特
徴としている。
以下図面を用いて本発明の好ましい製造方法の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
第６図ないし第８図は本発明に係る冷却型光電変換素子
の製造方法の一実施例を工程順に示す断面図である。ま
ず第６図に示すように、例えばｔファイヤあるいは高比
抵抗なり％ｌ：１ン等からなる支持板２１上に工ｎＳｂ
からなる素子基板２２をエボ＊ｔ’ｇｌＩ系の接着剤で
固着し、該基板２２を１・μｍ以下の所定厚さに４ｉｌ
′Ｉ磨、エツチングし、かつ該基板２２を所定形状にパ
タ一二ソグし、かかる基板２２（以下チップと呼称する
）上の電極形成予定部にインジウム半田２８によって金
（Ａｕ）からなるリード線２４をオーミック接続する。
の製造方法の一実施例を工程順に示す断面図である。ま
ず第６図に示すように、例えばｔファイヤあるいは高比
抵抗なり％ｌ：１ン等からなる支持板２１上に工ｎＳｂ
からなる素子基板２２をエボ＊ｔ’ｇｌＩ系の接着剤で
固着し、該基板２２を１・μｍ以下の所定厚さに４ｉｌ
′Ｉ磨、エツチングし、かつ該基板２２を所定形状にパ
タ一二ソグし、かかる基板２２（以下チップと呼称する
）上の電極形成予定部にインジウム半田２８によって金
（Ａｕ）からなるリード線２４をオーミック接続する。
次いで第６図に示すように、前記リード線２４が接続さ
れた状態のチップ２２を含む支持板上の全面にわ九って
インジウム（Ｉｎ）または錫（Ｓｎ ）等からなる金属
導電膜２６を赤外光が透過しないよう数μｍの厚さに被
着形成し、さらに該金属導電膜２５上にレジスト膜２６
を塗布する。しかる後、該レジスト膜２６を所定のパタ
ーンにバター二ンクシテ第７図に示すように露出した前
記金属導電膜２５を選択的にエツチング除去して電極部
２５１を形成すると共に該電極部２６１によって前記チ
ン１２２上に所定面積の受光部２７を画定した形に設け
る。引自続いて前記レジスト膜２６のパターンをマスク
にして第８図に示すように前記受光部２７のみにエツチ
ング処理を施し、所望の素子抵抗となる厚みに調整する
と共に該受光部の清浄化を行い、その後前記レジスト膜
２６を除去すれば、リード線２４０オーミツク接続部が
確ｖ４に保存され、しか電寸法精度のよい受光面積を有
し、かつ清浄な表面状態の受光部２テをそなえた高感度
の赤外線検知素子を得ることが可能となる。特に本実施
例の方法によれば８０μ簿角程度迄の受光面を精度よく
形成することができるので素子の小型化が容易となる。
れた状態のチップ２２を含む支持板上の全面にわ九って
インジウム（Ｉｎ）または錫（Ｓｎ ）等からなる金属
導電膜２６を赤外光が透過しないよう数μｍの厚さに被
着形成し、さらに該金属導電膜２５上にレジスト膜２６
を塗布する。しかる後、該レジスト膜２６を所定のパタ
ーンにバター二ンクシテ第７図に示すように露出した前
記金属導電膜２５を選択的にエツチング除去して電極部
２５１を形成すると共に該電極部２６１によって前記チ
ン１２２上に所定面積の受光部２７を画定した形に設け
る。引自続いて前記レジスト膜２６のパターンをマスク
にして第８図に示すように前記受光部２７のみにエツチ
ング処理を施し、所望の素子抵抗となる厚みに調整する
と共に該受光部の清浄化を行い、その後前記レジスト膜
２６を除去すれば、リード線２４０オーミツク接続部が
確ｖ４に保存され、しか電寸法精度のよい受光面積を有
し、かつ清浄な表面状態の受光部２テをそなえた高感度
の赤外線検知素子を得ることが可能となる。特に本実施
例の方法によれば８０μ簿角程度迄の受光面を精度よく
形成することができるので素子の小型化が容易となる。
なお上記した金属導電膜２ｓ及び受光部２７の選択エツ
チング処理については、共通のエツチンダ液を用いて連
続して夾施するようにしてもよい。
チング処理については、共通のエツチンダ液を用いて連
続して夾施するようにしてもよい。
以上の説明から明らかなように本発明に係る冷却型赤外
線検知素子の製造方法によれば、素子に直接インジウム
半田によってリード線を接続する方法を用いているので
完全なオーミック接続が得られる。また、ホトリソ工程
によって８０＃鰐角程度迄の形状の受光面を精度よく画
定することが。
線検知素子の製造方法によれば、素子に直接インジウム
半田によってリード線を接続する方法を用いているので
完全なオーミック接続が得られる。また、ホトリソ工程
によって８０＃鰐角程度迄の形状の受光面を精度よく画
定することが。
できると共に、最終工程において電極部を損なうことな
く受光部を所定の厚さにエツチングすると同時にその受
光面も清浄に仕上げることが可能となる等、小型にして
高感度な赤外線検知素子を容易に製造し得る利点を有し
、小型な電子冷却用の光伝−型赤外線検知素子の製造に
適用して極めて有利である。
く受光部を所定の厚さにエツチングすると同時にその受
光面も清浄に仕上げることが可能となる等、小型にして
高感度な赤外線検知素子を容易に製造し得る利点を有し
、小型な電子冷却用の光伝−型赤外線検知素子の製造に
適用して極めて有利である。
第１図ないし第４図は、従来の赤外線検知素子の製造方
法を工程順に説明する断面図及び上面図第６図ないし第
８図は、本発明に係る赤外線検知素子の製造方法の一実
施例を工程順に示す断面図である。 図において、２１は支持板、２２は素子基板（チップ）
、２８はインＶつ五半田、！４はリード線、２ｓは金属
導電膜、！６１は電極部、！６は第１図 第２図 第３１４ 第４図
法を工程順に説明する断面図及び上面図第６図ないし第
８図は、本発明に係る赤外線検知素子の製造方法の一実
施例を工程順に示す断面図である。 図において、２１は支持板、２２は素子基板（チップ）
、２８はインＶつ五半田、！４はリード線、２ｓは金属
導電膜、！６１は電極部、！６は第１図 第２図 第３１４ 第４図
Claims (1)
- 化合物半導体からなる赤外線検知用チップ上の電極形成
予定部に半田によ〕リード線を接続した後、跋チップ上
の全面に金属導電膜を被着形成し、その後該金属導電膜
を選択的に除去して前記チップ上に所定面積の受光部を
設けゐようにしたことを特徴とする赤外線検知素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56094466A JPS5812376A (ja) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56094466A JPS5812376A (ja) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812376A true JPS5812376A (ja) | 1983-01-24 |
| JPS6233755B2 JPS6233755B2 (ja) | 1987-07-22 |
Family
ID=14111052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56094466A Granted JPS5812376A (ja) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179773A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Nec Corp | 光伝導型赤外線検出器及びその製造方法 |
| KR20030056676A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 적외선 감지기의 구조 및 그 제조방법 |
-
1981
- 1981-06-17 JP JP56094466A patent/JPS5812376A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179773A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Nec Corp | 光伝導型赤外線検出器及びその製造方法 |
| KR20030056676A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 적외선 감지기의 구조 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233755B2 (ja) | 1987-07-22 |
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