JPH0118575B2 - - Google Patents
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- JPH0118575B2 JPH0118575B2 JP60142458A JP14245885A JPH0118575B2 JP H0118575 B2 JPH0118575 B2 JP H0118575B2 JP 60142458 A JP60142458 A JP 60142458A JP 14245885 A JP14245885 A JP 14245885A JP H0118575 B2 JPH0118575 B2 JP H0118575B2
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- silicon
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- silicon film
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2921—Materials being crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶性の優れたシリコン結晶膜の製造
方法に関する。
方法に関する。
現在、シリコンを用いる半導体装置ではチヨコ
ラルスキー法で作成した単結晶インゴツトをスラ
イスし、研磨した厚さ置200μｍのウエハーが用
いられている。しかし、半導体装置ではウエハー
の表面近傍しか利用されず大部分無駄となつてお
り、素子の低コスト化への１つの障害となつてい
る。また、シリコン層が厚いこいことが素子分離
を困難とし高速LSIの開発を難しくしている。
ラルスキー法で作成した単結晶インゴツトをスラ
イスし、研磨した厚さ置200μｍのウエハーが用
いられている。しかし、半導体装置ではウエハー
の表面近傍しか利用されず大部分無駄となつてお
り、素子の低コスト化への１つの障害となつてい
る。また、シリコン層が厚いこいことが素子分離
を困難とし高速LSIの開発を難しくしている。
１つの解決法としてサフアイア結晶上にシリコ
ン薄膜をエピタキシヤル成長させるSOS技術があ
るが、サフアイア結晶が高く素子の低コスト化に
は問題がある。
ン薄膜をエピタキシヤル成長させるSOS技術があ
るが、サフアイア結晶が高く素子の低コスト化に
は問題がある。
以上の問題点を解決するため安価な基板上に移
結晶シリコン膜を形成して半導体素子を作成する
試みが行われている。しかし、従来の方法では結
晶粒径が0.1〜10μｍと小さく性能の充分な素子は
得られていない。性能を改善するには粒径を大き
く粒界での少数キヤリアの再結合を減少させる必
要があり、そのためシリコンの融点近傍で多結晶
膜を加熱し結晶粒を成長させ最終的には単結晶膜
を得ようとする試みがなされている。しかるに、
融点以下の加熱では粒成長は速やかに進行せず
（C.D.Ouwens and H.Heijigers、App.Phys.
Letters、Vol.26、No.10、569（1975）参照）、また
融点以上ではシリコン融液が表面張力のため球状
になり厚さの均一な膜は得られない。
結晶シリコン膜を形成して半導体素子を作成する
試みが行われている。しかし、従来の方法では結
晶粒径が0.1〜10μｍと小さく性能の充分な素子は
得られていない。性能を改善するには粒径を大き
く粒界での少数キヤリアの再結合を減少させる必
要があり、そのためシリコンの融点近傍で多結晶
膜を加熱し結晶粒を成長させ最終的には単結晶膜
を得ようとする試みがなされている。しかるに、
融点以下の加熱では粒成長は速やかに進行せず
（C.D.Ouwens and H.Heijigers、App.Phys.
Letters、Vol.26、No.10、569（1975）参照）、また
融点以上ではシリコン融液が表面張力のため球状
になり厚さの均一な膜は得られない。
本発明は多結晶シリコン膜の融溶時表面張力に
よる膜の凝集を防止するため、アルミナ等の絶縁
性非単結晶基板もしくは基板に形成された金属膜
上に設けられたシリコン膜上に保護膜を設けるこ
とを特徴とするものである。従来、表面張力を低
下させる保護膜を設け結晶性を向上させる方法は
InSbにおいて知られているが、（H.H.Wieder、
Solid State Communication、Vol.3、159
（1965））Siに関しては全く知られていない。
よる膜の凝集を防止するため、アルミナ等の絶縁
性非単結晶基板もしくは基板に形成された金属膜
上に設けられたシリコン膜上に保護膜を設けるこ
とを特徴とするものである。従来、表面張力を低
下させる保護膜を設け結晶性を向上させる方法は
InSbにおいて知られているが、（H.H.Wieder、
Solid State Communication、Vol.3、159
（1965））Siに関しては全く知られていない。
本発明者は多結晶シリコンの再結晶化用の保護
膜としては単結晶シリコンデバイスのパツシベー
シヨン用の各種の酸化物膜が適していることを見
出した。たとえば、SiO2、Al2O3、In2O3、
SnO2、Al2O3−SiO2、B2O3−SiO2、P2O5、P2O5
−SiO2、PbOを含む低融点ガラス、さらには上
記各種の組合せを含む多成分系ガラス（例えば
7059ガラス）などが適している。上記各種ガラス
膜の中で、B2O3−SiO2系およびP2O5−SiO2系ガ
ラスは組成を適当に選ぶことによりSiと熱膨張係
数を一致させることができ加熱時および冷却時ク
ラツクの生じない保護膜として適当である。この
ようなガラスとしては他のPbO−B2O3−Al2O3−
SiO2系、PbO−Al2O3−SiO2系、PbO−B2O3−
ZnO−SiO2系およびPbO−B2O3−Al2O3−ZnO−
SiO2系ガラス等がある。シリコン膜が溶融する
時シリコンは収縮し、冷却して凝固する時約９％
膨張するので保護膜に大きな応力がかかる。保護
膜はかかる応力により亀裂もしくは剥離を生ずる
ことは好ましくなく、またこれを防止するにはシ
リコン膜の溶融時もしくは再結晶化時に保護膜が
軟化していることが応力緩和上必要である。
膜としては単結晶シリコンデバイスのパツシベー
シヨン用の各種の酸化物膜が適していることを見
出した。たとえば、SiO2、Al2O3、In2O3、
SnO2、Al2O3−SiO2、B2O3−SiO2、P2O5、P2O5
−SiO2、PbOを含む低融点ガラス、さらには上
記各種の組合せを含む多成分系ガラス（例えば
7059ガラス）などが適している。上記各種ガラス
膜の中で、B2O3−SiO2系およびP2O5−SiO2系ガ
ラスは組成を適当に選ぶことによりSiと熱膨張係
数を一致させることができ加熱時および冷却時ク
ラツクの生じない保護膜として適当である。この
ようなガラスとしては他のPbO−B2O3−Al2O3−
SiO2系、PbO−Al2O3−SiO2系、PbO−B2O3−
ZnO−SiO2系およびPbO−B2O3−Al2O3−ZnO−
SiO2系ガラス等がある。シリコン膜が溶融する
時シリコンは収縮し、冷却して凝固する時約９％
膨張するので保護膜に大きな応力がかかる。保護
膜はかかる応力により亀裂もしくは剥離を生ずる
ことは好ましくなく、またこれを防止するにはシ
リコン膜の溶融時もしくは再結晶化時に保護膜が
軟化していることが応力緩和上必要である。
上記各種硅酸塩ガラスは一般にSiの融点近傍で
は軟化し保護膜として適当なものである。この種
の酸化物膜は軟化点が著しく低い場合一般に流動
しやすくなりシリコン表面が凹凸を呈しやすくな
る。この場合、軟化しない硬い膜を軟化する酸化
物膜上に被着して２層膜を形成するとかかる問題
を克服できる。また、上記ガラス膜の中でB2O3
−SiO2系もしくはP2O5−SiO2系などの硅酸塩ガ
ラス膜は再結晶化時の保護膜として有効であるの
みならずＢもしくはＰの不純物を基板結晶中にド
ーピングすることにも有効であることは言う迄も
ない。
は軟化し保護膜として適当なものである。この種
の酸化物膜は軟化点が著しく低い場合一般に流動
しやすくなりシリコン表面が凹凸を呈しやすくな
る。この場合、軟化しない硬い膜を軟化する酸化
物膜上に被着して２層膜を形成するとかかる問題
を克服できる。また、上記ガラス膜の中でB2O3
−SiO2系もしくはP2O5−SiO2系などの硅酸塩ガ
ラス膜は再結晶化時の保護膜として有効であるの
みならずＢもしくはＰの不純物を基板結晶中にド
ーピングすることにも有効であることは言う迄も
ない。
以上酸化膜について説明してきたがシリコンと
ぬれ性の良い他の物質も有効であつた。ぬれの良
他の物質として、BN、AIN、GaN、Si2N4など
の窒化物、B4C、Al4C3、SiCなどの炭化物およ
び炭素などがある。これらの物質は一般に酸化物
に比べぬれが良く特に炭素および炭化物はシリコ
ンにほぼ完全にぬれる。
ぬれ性の良い他の物質も有効であつた。ぬれの良
他の物質として、BN、AIN、GaN、Si2N4など
の窒化物、B4C、Al4C3、SiCなどの炭化物およ
び炭素などがある。これらの物質は一般に酸化物
に比べぬれが良く特に炭素および炭化物はシリコ
ンにほぼ完全にぬれる。
以上の保護膜形成法として、化学蒸着法、スパ
ツタ法、電子ビーム蒸着法およびガラス溶着法な
ど通常の膜形成法が使用され得る。また、シリコ
ン膜表面の直接酸化、窒化および炭化も同様に有
効である。
ツタ法、電子ビーム蒸着法およびガラス溶着法な
ど通常の膜形成法が使用され得る。また、シリコ
ン膜表面の直接酸化、窒化および炭化も同様に有
効である。
再結晶化前のシリコン膜は通常多結晶膜である
が非晶質膜についても有効である。かかる非晶質
膜はシランガスを用いる化学蒸着法もしくは電子
蒸着法などにより低温で作成される。また、シリ
コン膜としてはシリコン膜と他の物質からなる多
層もしくは他の物質を含むシリコン膜も有効であ
る。他の物質として、アルミニウム、すず、チタ
ン、ジルコニウム、ニオブおよび白金などの各種
金属および化合物があり、これらの物質とシリコ
ンとの合金の融点はシリコンより低くなり低温再
結晶化法として有利である。
が非晶質膜についても有効である。かかる非晶質
膜はシランガスを用いる化学蒸着法もしくは電子
蒸着法などにより低温で作成される。また、シリ
コン膜としてはシリコン膜と他の物質からなる多
層もしくは他の物質を含むシリコン膜も有効であ
る。他の物質として、アルミニウム、すず、チタ
ン、ジルコニウム、ニオブおよび白金などの各種
金属および化合物があり、これらの物質とシリコ
ンとの合金の融点はシリコンより低くなり低温再
結晶化法として有利である。
以下、参考例と共に本発明を実施例を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
参考例 １
アルミナ基板上に化学蒸着法により多結晶シリ
コン膜を堆積後、該シリコン膜上にアルミナ膜を
被着しシリコンの融点以上に加熱し冷却後再結晶
化を行なつた。以下、第１図にて参考例を説明す
る。
コン膜を堆積後、該シリコン膜上にアルミナ膜を
被着しシリコンの融点以上に加熱し冷却後再結晶
化を行なつた。以下、第１図にて参考例を説明す
る。
まず、アルミナ板１を有機溶媒中で超音波洗浄
後、高周波加熱炉へ挿入し1100℃に加熱し、トリ
クロルシランガスを流し5μｍ厚の多結晶シリコ
ン層２を形成した。多結晶層の粒径を透過電子顕
微鏡を用いて調べた所、平均粒径は約1μｍであ
つた。
後、高周波加熱炉へ挿入し1100℃に加熱し、トリ
クロルシランガスを流し5μｍ厚の多結晶シリコ
ン層２を形成した。多結晶層の粒径を透過電子顕
微鏡を用いて調べた所、平均粒径は約1μｍであ
つた。
つぎに、上記試料を400℃に加熱しトリイソブ
チアルミニウムガスの酸化により厚さ0.7μｍのア
ルミナ膜３を多結晶シリコン層２の上に被着し
た。
チアルミニウムガスの酸化により厚さ0.7μｍのア
ルミナ膜３を多結晶シリコン層２の上に被着し
た。
この試料を酸素ガス雰囲気中1420℃で10分間加
熱した。この結果、シリコン膜は溶融し冷却中再
結晶化した。再結晶化シリコン膜の粒径は第２mm
と再結晶化前の値に比べ桁高いに大きくなつた。
熱した。この結果、シリコン膜は溶融し冷却中再
結晶化した。再結晶化シリコン膜の粒径は第２mm
と再結晶化前の値に比べ桁高いに大きくなつた。
参考例 ２
アルミナ基板上に化学蒸着法により多結晶シリ
コン膜を堆積後、該シリコン該上にリン硅酸塩ガ
ラス膜を被着しシリコンの融点以上に加熱するこ
とにより、再結晶化を行なつた。以下、第１図に
て本参考例を説明する。
コン膜を堆積後、該シリコン該上にリン硅酸塩ガ
ラス膜を被着しシリコンの融点以上に加熱するこ
とにより、再結晶化を行なつた。以下、第１図に
て本参考例を説明する。
まず、アルミナ板１を有効溶媒中で超音波洗浄
後、高周波加熱炉へ挿入し1100℃に加熱し、トリ
クロルシランガスを流し20μｍ厚の多結晶シリコ
ン膜２を形成した。多結晶層の粒径を透過電子顕
微鏡を用いて調べた所、平均粒径は約1μｍであ
つた。
後、高周波加熱炉へ挿入し1100℃に加熱し、トリ
クロルシランガスを流し20μｍ厚の多結晶シリコ
ン膜２を形成した。多結晶層の粒径を透過電子顕
微鏡を用いて調べた所、平均粒径は約1μｍであ
つた。
つぎに、上記試料を400℃に加熱しPH3−SiH4
系ガスを用いる化学蒸着法により５モル％の
P2O5を含むリン硅酸塩ガラス膜３を1μｍ多結晶
膜２上に被着した。
系ガスを用いる化学蒸着法により５モル％の
P2O5を含むリン硅酸塩ガラス膜３を1μｍ多結晶
膜２上に被着した。
この試料を空気雰囲気中1420℃で10分間加熱し
た。その結果、シリコン膜が溶融し急冷中にデン
ドライト状に再結晶化した。デンドライト結晶の
長さは約１cm、幅約１mmと考結晶化前の直置1μ
ｍに比べ桁いに大きな粒径となつた。リン硅酸塩
ガラス膜を被覆しないと、シリコン膜は溶融時に
凝集して球集して球状になりアルミナ基板面が露
出してしまう。
た。その結果、シリコン膜が溶融し急冷中にデン
ドライト状に再結晶化した。デンドライト結晶の
長さは約１cm、幅約１mmと考結晶化前の直置1μ
ｍに比べ桁いに大きな粒径となつた。リン硅酸塩
ガラス膜を被覆しないと、シリコン膜は溶融時に
凝集して球集して球状になりアルミナ基板面が露
出してしまう。
参考例 ３
アルミナ基板に参考例１と同様な方法で多結晶
シリコンを堆積後、水蒸気中1000℃で１時間加熱
し表面を酸化した。酸化膜の厚さは約0.5μｍであ
つた。
シリコンを堆積後、水蒸気中1000℃で１時間加熱
し表面を酸化した。酸化膜の厚さは約0.5μｍであ
つた。
この試料を参考例１と同様の方法で熱処理を行
ない、同程度の再結晶化シリコン膜を得た。
ない、同程度の再結晶化シリコン膜を得た。
参考例 ４
炭素基板上に参考例１と同様な方法で50μｍ厚
さの多結晶シリコンを堆積した。
さの多結晶シリコンを堆積した。
この試料を1100℃に加熱しシランガスとアンモ
ニアガスの反応により窒化シリコン膜1.0μｍをシ
リコン表面に被着した。その後、低融点ガラスの
粉末を該窒化シリコン膜上に載せて加熱溶融し厚
さ5μｍのガラス膜を形成した。
ニアガスの反応により窒化シリコン膜1.0μｍをシ
リコン表面に被着した。その後、低融点ガラスの
粉末を該窒化シリコン膜上に載せて加熱溶融し厚
さ5μｍのガラス膜を形成した。
これをアルゴンガス気流中1420℃に加熱後冷却
し再結晶化を行なつた。シリコン膜の結晶性は参
考例１と同様であつた。
し再結晶化を行なつた。シリコン膜の結晶性は参
考例１と同様であつた。
参考例 ５
アルミナ基板上に多結晶シリコン膜を形成後ア
ンモニアもしくは窒素雰囲気中約1300℃に加熱
し、シリコン表面を窒化した。
ンモニアもしくは窒素雰囲気中約1300℃に加熱
し、シリコン表面を窒化した。
その後、参考例４と同様な方法で該窒化膜上に
低融点ガラス膜を形成し同様な熱処理を行ない同
程度の再結晶化膜を得た。
低融点ガラス膜を形成し同様な熱処理を行ない同
程度の再結晶化膜を得た。
参考例 ６
炭素基板上に参考例１と同様な方法で50μｍ厚
さの多結晶シリコンを堆積した。
さの多結晶シリコンを堆積した。
この試料を1300℃に加熱しシリコンとプロパン
ガスの反応により炭化硅素膜を被着し、参考例４
と同様な方法で熱処理した。その結果、参考例１
と同程度の再結晶化膜を得た。
ガスの反応により炭化硅素膜を被着し、参考例４
と同様な方法で熱処理した。その結果、参考例１
と同程度の再結晶化膜を得た。
参考例 ７
炭素基板上に参考例１と同様な方法で50μｍ厚
の多結晶シリコン膜を形成した。このシリコン膜
表面に真空蒸着法により炭素膜を0.5μｍ被着し
た。この試料を参考例４と同様な方法で熱処理し
同程度の結晶性を有する再結晶化膜を得た。
の多結晶シリコン膜を形成した。このシリコン膜
表面に真空蒸着法により炭素膜を0.5μｍ被着し
た。この試料を参考例４と同様な方法で熱処理し
同程度の結晶性を有する再結晶化膜を得た。
参考例 ８
炭素基板上に参考例１と同様な方法で50μｍ厚
の多結晶シリコン膜を形成した。この試料を炭素
含有ガス中で1350℃に加熱しシリコン表面を炭化
した。
の多結晶シリコン膜を形成した。この試料を炭素
含有ガス中で1350℃に加熱しシリコン表面を炭化
した。
この試料を参考例４と同様な方法で熱処理を行
ない参考例１で得た結晶性に近い再結晶化膜を得
ることができた。
ない参考例１で得た結晶性に近い再結晶化膜を得
ることができた。
実施例 １
アルミナ基板上に金属チタンを蒸着後、多結晶
シリコン膜を堆積し硼硅酸塩ガラス膜と酸化硅素
膜の２重膜を被着し再結晶化を行なつた。以下、
第２図にて本発明を説明する。
シリコン膜を堆積し硼硅酸塩ガラス膜と酸化硅素
膜の２重膜を被着し再結晶化を行なつた。以下、
第２図にて本発明を説明する。
まず、アルミナ基板１１を洗浄し真空蒸着装置
に挿入した。電子ビーム蒸着法により、アルミナ
基板１１上に約0.1μｍ厚のチタン膜１２を形成
し、さらに参考例１と同様な方法で20μｍ厚の多
結晶層１３を堆積した。
に挿入した。電子ビーム蒸着法により、アルミナ
基板１１上に約0.1μｍ厚のチタン膜１２を形成
し、さらに参考例１と同様な方法で20μｍ厚の多
結晶層１３を堆積した。
つぎに、この試料を400℃に加熱しB2H6SiH2
系をガスを用いる化学蒸着法により該多結晶膜１
３上に17モル％のB2O3を含む硼硅酸塩ガラス膜
１４を0.8μｍ、さらにその上に酸化硅素膜１５を
0.2μｍを被着した。SiO2膜１５は、硼硅酸塩ガラ
ス膜１４が湿気を吸収し劣化することを防ぐため
と膜１４が軟化して流動することを防ぐため設け
ている。
系をガスを用いる化学蒸着法により該多結晶膜１
３上に17モル％のB2O3を含む硼硅酸塩ガラス膜
１４を0.8μｍ、さらにその上に酸化硅素膜１５を
0.2μｍを被着した。SiO2膜１５は、硼硅酸塩ガラ
ス膜１４が湿気を吸収し劣化することを防ぐため
と膜１４が軟化して流動することを防ぐため設け
ている。
この試料を酸素中1380℃で10分間加熱してシリ
コン膜を溶融し約１℃／分の速度で冷却し、試料
を再結晶化した。再結晶化した結晶の粒径は約
0.5cmであり再結晶化前に比べ粒径が著しく大き
くなつた。
コン膜を溶融し約１℃／分の速度で冷却し、試料
を再結晶化した。再結晶化した結晶の粒径は約
0.5cmであり再結晶化前に比べ粒径が著しく大き
くなつた。
実施例 ２
アルミナ基板上に電子ビーム蒸着法により非晶
質シリコン膜置1μｍを被着し実施例１と同様な
２層膜を該シリコン膜表面に形成した。
質シリコン膜置1μｍを被着し実施例１と同様な
２層膜を該シリコン膜表面に形成した。
この試料を実施例１と同様な方法で熱処理し、
同程度の結晶性を有する再結晶化膜を得た。
同程度の結晶性を有する再結晶化膜を得た。
以上、本発明を試料を均一に加熱して冷却した
場合すなわち均一再結晶化について述べたが、さ
らに電子ビームやレーザービームを用いる微小帯
域再結晶化法（Micro−zone
Recrystallization）、または温度勾配中の再結晶
化法と本発明を組合わせてもシリコン膜の結晶性
を向上させうることは明らかである。
場合すなわち均一再結晶化について述べたが、さ
らに電子ビームやレーザービームを用いる微小帯
域再結晶化法（Micro−zone
Recrystallization）、または温度勾配中の再結晶
化法と本発明を組合わせてもシリコン膜の結晶性
を向上させうることは明らかである。
第１図は参考例を示す多層膜の構造図、第２図
は本発明に係る実施例を説明するための図であ
る。
は本発明に係る実施例を説明するための図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性非単結晶基板上に形成された多結晶シ
リコンもしくは非晶質シリコン膜上に第１の保護
膜を形成した後、第２の保護膜を形成する工程
と、該シリコン膜が溶融し且つ該第２の保護膜は
軟化しないが該第１の保護膜が軟化する温度に加
熱し、該シリコン膜が液相成長によつて再結晶化
し且つ該第１の保護膜が軟化している温度に移行
する工程を含むことを特徴とするシリコン結晶膜
の製造方法。 ２ 基板上に設けた金属膜上に形成された多結晶
シリコン膜もしくは非晶質シリコン膜上に第１の
保護膜を形成する工程と、該シリコン膜が溶融
し、且つ該第１の保護膜が軟化する温度に加熱
し、該シリコン膜が液相成長によつて再結晶化し
且つ該第１の保護膜が軟化している温度に移行す
る工程を含むことを特徴とするシリコン結晶膜の
製造方法。 ３ 基板上に設けた金属膜上に形成された多結晶
シリコン膜もしくは非晶質シリコン膜上に第１の
保護膜を形成した後、第２の保護膜を形成する工
程と、該シリコン膜が溶融し且つ該第２の保護膜
は軟化しないが該第１の保護膜が軟化する温度に
加熱し、該シリコン膜が液相成長によつて再結晶
化し且つ該第１の保護膜が軟化している温度に移
行する工程を含むことを特徴とするシリコン結晶
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142458A JPS6175513A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | シリコン結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142458A JPS6175513A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | シリコン結晶膜の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12331375A Division JPS6046539B2 (ja) | 1975-10-15 | 1975-10-15 | シリコン結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175513A JPS6175513A (ja) | 1986-04-17 |
| JPH0118575B2 true JPH0118575B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=15315783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142458A Granted JPS6175513A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | シリコン結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175513A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5123975A (en) * | 1989-03-28 | 1992-06-23 | Ricoh Company, Ltd. | Single crystal silicon substrate |
| CN101790774B (zh) * | 2007-06-26 | 2012-05-02 | 麻省理工学院 | 半导体晶圆在薄膜包衣中的重结晶以及有关工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843423A (ja) * | 1971-10-04 | 1973-06-23 | ||
| BE789904A (fr) * | 1971-10-12 | 1973-04-10 | Wellcome Found | Procedes de synthese organique |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142458A patent/JPS6175513A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6175513A (ja) | 1986-04-17 |
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