JPH01186734A - 赤外線ビジコンのターゲット及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は赤外線ビジコンのターゲット及びその製造方法
に関するものであり、例えば暗中監視用カメラ、半導体
内部観察、レーザ光のビーム位置及び形状の確認、ＩＣ
やＬＳＩのシリコン（ＳＩ）チップの検査や品質管理、
更に電気炉、溶解炉などの温度監視やエンジン、ボイラ
の発熱部監視などのプロセス制御、波長１．４μｍ帯で
起こる水の吸着を利用した水分の付着や吸脱水状態の検
出などの分野で用いられる。

〔従来の技術〕

第１２図に、従来の赤外線ビジコンのターゲット付近の
構造を示す。ターゲットはホウ硅酸ガラスから成るフェ
ースプレート１０１上に、ネサ膜と呼ばれるＳ　ｎ　Ｏ
２から成る透明導電膜１０２が約１０００Ａの厚さで積
層され、この透明導電膜１０２上に高抵抗の光導電体か
ら成るｐｂｏ−ＰｂＳの複合膜１０３が積層されたもの
である。

このターゲットは、信号電極に使われるコバール金属か
らなるターゲットリング１０４を介して、赤外線ビジコ
ンのチューブを構成する円筒ガラス（ホウ硅酸ガラス）
１０５とガラス融着で結合されている。なお、図中の１
０６，１０７は電子銃を構成する第三グリッドと網状電
極とを示す。

このような赤外線ビジコンのターゲットの製造は、以下
の手順で行なわれていた。まず、透明導電膜１０２が積
層されたフェースプレート１０１を、円筒ガラス１０５
ヘガラス融着により結合する。次に、ｐｂｏ−ｐｂｓの
複合膜１０３の積層が、例えば真空蒸着法を用いて行な
われる。このような工程は、ＰｂＯを大気に晒すとＣＯ
２またはＨ２Ｏと反応し、ＰｂＯが炭酸塩または水酸化
物に化学変化することを防止するため、ＰｂＯの蒸着か
ら複合膜１０３の積層までを真空中で行ない得るように
、ガラス円筒１０５内で行なうようにした点が特徴とな
っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のような従来の赤外線ビジコンのタ
ーゲットは、以下のような問題点を有していた。まず、
残像特性であるが、１インチ径の可視撮像管がＳｂ２Ｓ
３ターゲットで３０％、Ｃｄ　Ｓｅターゲットで２０％
、Ｓ１ターゲツトで２０％、ＰｂＯターゲットで５％、
Ｓｅ　−Ａｓ　−Ｔｅターゲットで２％（いずれも、入
射光を遮断してから５０　ｍ　ｓｅｅ後における残存信
号電荷量）であるのに対し、赤外線ビジコンにおいては
約６０％と著しく残像特性が悪い。そして、赤外線ビジ
コンで得られた画像は、本来赤外線域では不可視光域で
あるとの理由で視覚化できれば満足とされていたが、画
像処理技術の発達から解像度や分光感度等にしてもより
以上のものが求められ、全てにおいてクリヤな画質が要
求されるようになった。ところが、上記従来の赤外線ビ
ジコンのターゲットでは、これに応じられないという問
題点があった。

また、上記従来の赤外線ビジコンのターゲット製造方法
では、光導電体の積層を円筒ガラス１０５内にて真空蒸
着で行なうため、膜厚の均一は制御が困難であり、この
ために端部と中央部との感度が不均一でシェーディング
が大きく、４０％程度にも及ぶという問題点があった。

これに加えて、ガラス融着や蒸着の際に、透明導電膜１
０２や複合膜１０３がターゲットから円筒ガラス１０５
の端部内壁部分にまで付着してしまい（第１２図）、タ
ーゲツト面への走査電子（ｅ″″）が同図の如くその軌
道に乱れを生じてランディングが不正確となり、ビンク
ツション歪みと称される幾何学的歪みが生じ、画質の低
下を招くという問題が発生していた。

また、ターゲツト面の蒸着以降の作業を全て真空中で行
なう必要があり、従って、この工程を実行する装置が大
型化するという問題点もあった。

そこで本発明は、残像特性をはじめ解像度や分光感度等
の諸特性の向上を図り、よりクリアな画質を得ることの
できる赤外線ビジコンのターゲットを提供することを目
的とする。

更に本発明は、ターゲットの面の膜厚の制御が容易でシ
ェーディングを小さく抑えることができ、走査電子のタ
ーゲツト面へのランディングをより正確に行なわせてビ
ンクツション歪み等の幾何学歪みを減少させることがで
き、しかも、工程を実行する装置の小型化を図り得る赤
外線ビジコンのターゲット製造方法を提供することを第
２の目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る赤外線ビジコンのターゲットは、フェース
プレートの透明導電膜上に、表面側がイオウ（Ｓ）で置
換反応させられたＰｂＳ結晶層に覆われたＰｂＯ層が積
層され、更にこのＰｂＳ結晶層上に、走査電子の良好ラ
ンディング材料からなるオーバーコート層が積層されて
いることを特徴とする。

更に、本発明に係る赤外線ビジコンのターゲットの製造
方法は、赤外線ビジコンのチューブを構成するガラス円
筒との結合に先立って、透明導電膜が積層されたフェー
スプレートの当該透明導電膜上にＰｂＯ層を積層する第
１工程と、イオウ（Ｓ）による置換反応により当該Ｐｂ
Ｏ層の表面にＰｂＳ結晶層を形成する第２工程と、この
ＰｂＳ結晶層上に走査電子の良好ランディング材料から
なるオーバコート層を積層する第３工程を実行し、しか
も第１ないし第３工程は、ＰｂＯ層とＰｂＳ層とオーバ
コート層の各周縁部が透明導電膜の周縁部よりそれぞれ
の中央部側へ後退するように積層することを特徴とする
。

〔作用〕

本発明に係る赤外線ビジコンのターゲットは、以上の通
りに構成されるので、走査電子の良好ランディング材料
から成るオーバコート層にランディングが生じ、このオ
ーバコート層の特性に応じて残像特性を特徴とする特性
を向上させることができる。

また、本発明に係る赤外線ビジコンのターゲット製造方
法は、前述の通りに構成されるので、ＰｂＯの表面をＰ
ｂＳとした光導電体の積層以降のプロセスでは、ＰｂＯ
の化学変化が防止され全ての処理が真空中でなくとも可
能となり、膜厚や蒸着位置等の制御のための準備・点検
などの作業を大気中で簡単に行なうことが可能となる。

〔実施例〕

以下、添付図面の第１図乃至第９図を参照して、本発明
の実施例に係る赤外線ビジコンのターゲットと、その製
造方法を説明する。

第１図に本発明の一実施例に係る赤外線ビジコンのター
ゲット付近の構成を示す。同図において、第１２図と同
一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略す
る。本実施例のターゲットは後述する製造方法により得
られるので、透明導電膜１０２の周縁部が信号電極に用
いられるインジューム（Ｉｎ）１０８と結合しているも
のの、円筒ガラス１０５の内壁へは付着していない。そ
して、ＰｂＯの表面側をイオウ（Ｓ）で置換反応して得
られるｐｂ　ｏ−ｐｂ　ｓの複合膜１０３上に、この複
合膜１０３に比べて走査電子の良好なランディングを可
能とする良好ランディング材料として、Ａ　Ｓ　２　Ｓ
　ａのオーバコート層１０９が積層されている。

ここで、良好ランディング材料とは、ターゲットへの光
入射によって生じる正孔と電子のうちの、正孔の走行層
及び蓄積層として働くような材料であり、かつ、電子銃
からの走査電子が当該材料からできているオーバコート
層に、複合膜以上に良好なランディングを行ない易くす
るような抵抗値を有する材料である。このオーバコート
層１０９と複合膜１０３との周縁部は、透明導電膜１０
２の周縁部からそれぞれの中央部側へ後退するように形
成されている。すなわち、オーバコート層１０９と複合
膜１０３との周縁部が、円筒ガラス１０５の内壁から離
れて形成されている。また、複合膜１０３の膜厚は３μ
ｍであり、オーバコート層１０９の膜厚は１５０ｎｍで
ある。更に、ターゲットの径は、２７３インチである。

その他の構成は従来と同様である。

上記の複合膜１０３のＸ線回折パターンの代表例を、第
２図に示す。同図によれば、ｐｂｏ−ＰｂＳ膜は正方晶
ＰｂＯによってその大部分が構成され、微量の立方晶Ｐ
ｂＳを含んでいることが判明した。そして、正方晶Ｐｂ
Ｏは（１１０）面への配向が大きく、ｐｂｓは（１１０
）、（２００）面へ配向したものが検出された。

次に、上記の赤外線ビジコンのターゲット製造方法を説
明する。

まず、２／３インチ径で所定厚のフェースプレート１０
１の表面上に、Ｓ　ｎ　Ｏ２から成る透明導電膜１０２
をＣＶＤ法を用いて、２７３インチよりやや短い径で所
定の厚さ（約１０００Ａ）に積層させる。次に、この透
明導電膜１０２上に酸化鉛（Ｐｂ　Ｏ）を真空中にて蒸
着する。この場合の径は透明導電膜１０２の径に比べて
やや小さくし、また膜厚は３μｍとする。次に、ＰｂＯ
自体には赤外感度がないため、イオウ（Ｓ）による置換
反応によりＰｂＯ層の表面にごく薄いＰｂＳ結晶層を形
成し、赤外感度持たせる。

なお、この製造方法は本出願人に係る特願昭６２−１４
６４３９号にて詳しく述べたので、ここではその概略を
説明する。

まず、１０〜１０−’Ｔｏｒｒ程度の酸素雰囲気とした
蒸着室中に、二酸化錫（ＳｎＯ２）による透明電極を形
成し′たホウ硅酸ガラス板を固定し、この透明電極の前
面に白金るつぼに入れた鉛（ｐｂ　＞を配置し、更に蒸
着室中には硫黄（Ｓ）を配置する。次に、白金るつぼに
通電して鉛を加熱すると、鉛が蒸発して二酸化錫の表面
上にＰｂＯの結晶成長が開始する。なお、この時、ホウ
硅酸ガラスを８０〜１５０℃位に加温し、また、ホウ硅
酸ガラスの幅をｇとした時、透明電極の表面とるつぼの
距離は１．５ｆ１〜３ｇ程度とする。

このような状態で蒸着を続けていくと、二酸化錫表面に
は針状にＰｂＯが結晶成長する。この時の成長は、＜１
１０＞軸の方向に早く成長し、これと直角方向にも透過
な軸があるので板状に成長が生じ、根元部分が他の板状
成長部分に当たると、先端側の方へ互いに分離して針状
に成長する。こうして酸化鉛の針状結晶成長を行った後
、硫黄を蒸発させて蒸着室に充満させ、低温で長時間焼
成すると、針状結晶の酸化鉛の酸素の一部が硫黄に置換
されて、互いに分離した状態で針状結晶表面に充分な量
のＰｂＳ層が形成される。このように形成された酸化鉛
−硫化鉛複合ターゲット構造の光導電体は酸化鉛の高比
抵抗を維持し、かつ針状結晶表面には硫化鉛の層が十分
形成されているため、赤外線領域にまで感度を有するこ
とができる。

このようにして、ＰｂＯの表面がＰｂＳで被覆された複
合膜１０３が形成でき、これ以後は、ＰｂＯがＰｂＳで
被覆されているため、１時間程度は当該ターゲットを大
気に晒してもＰｂＳが化学変化することはない。そこで
、複合膜１０３が積層された後、ターゲットを真空蒸着
装置へ移し変えるが、この際に大気に触れることは問題
とならない。そして、この真空蒸着装置内を真空中とし
、あるいは不活性ガスアルゴン（Ａｒ　）を含んだ１０
−３Ｔｏｒｒの雰囲気とし、複合膜１０３上にＡｓ２Ｓ
３の蒸着を行なう。Ａｓ２８３の径は複合膜１０３に等
しく、膜厚は３ｎｍとする。これにより、第１図に示し
たターゲットが出来上ることになる。

このターゲットはインジューム（Ｉｎ　）により、円筒
ガラス（電極をステム封止して電子銃を内蔵し一体化し
たもの）１０５と冷圧接されて結合される。このとき、
透明導電膜１０２の径が複合膜１０３及び良好ランディ
ング材からなるオーバコート層１０９の径よりわずかに
大きいため、結合部分は透明導電層１０２とインジュー
ムのみであり、従って結合が簡単に図られることになる
。そして、透明導電膜１０２や複合膜１０３やオーバコ
ート層１０９がガラス円筒１０５内に付着しないことか
ら、網状電極１０７とターゲットとの間の電界が均一に
なり、第１図に示されるように走査電子（ｅ″″）の運
動軌跡がターゲツト面に対して直交するようになり、ラ
ンディングが適切に行なわれる。従って、ビンクツショ
ンあるいはバレル歪みのような幾何学的歪みの少ない画
像を得ることができる。また、ターゲットの製造が円筒
ガラス１０５と分離した状態で行なえることがら、膜厚
を中央部と端部とで均一にすることも可能となり、中央
部と端部との感度を均一化でき、シェーディングを３０
％程度まで小さく抑えることができる。かかる実施例に
おいては、ｐｂｏ−ＰｂＳの複合膜１０３が積層された
段階で、空気中で顕微鏡観察等を行なって表面状態の観
察を行なうことが可能となり、製品の良否を判定を行な
うこともできる。

このようにして製造された赤外線ビジコンのターゲット
の信号電極電圧特性、γ（ガンマ）特性、分光感度特性
、残像特性、の解像度について以下に述べる。

（１）　信号電極電圧特性 第３図に、ターゲット電圧対暗電流及び信号電流特性を
示す。実線が従来タイプ（Ｎ１）のもので、破線が本実
施例に（Ｎ２）におけるものである。この信号電流測定
においては２８５６にタングステンランプを使用し、ビ
ジコン面照度が１０Ｌｘ　　（ルックス）となるように
赤外フィルタを介して光照射を行なった。このときに得
られた値を第３図に示しており、信号電流は暗電流を差
引いである。この場合の暗電流特性を説明すると、第３
図中のターゲット電圧の低い領域では、４５゜の傾きを
持った■ｏｅｖのオーミック領域となっている。このこ
とから、暗電流は熱励起電子密度に比例し、その量はＰ
ｂＳ量に多く起因するものと考えられる。また、ターゲ
ット電圧の高い領域では、暗電流は空間電荷制限電流と
なる。他方、このターゲット電圧の高い領域では、暗電
流が電子の浅いトラップ量に依存しており、このトラッ
プ量は主にＰｂＯ層のトラップに起因していると考えら
れる。そして、第３図から明らかなように、本実施例の
ものが従来のものに比べて、電圧依存性が低いことがわ
かる。

（２）　γ（ガンマ）特性 第４図は赤外線ビジコン１のγ特性の測定系を示す。光
源２には２８５６にタングステンランプを使用し、反射
型パターン３で照射光を反射し、赤外フィルタ４へ導く
。ここで、反射型パターンを用いる理由は、透過型パタ
ーンを使用すると光導電膜が赤外に感度を有することか
ら、光源２のフィラメントが画像に写し出されるのを防
止するためである。この測定系を用いて実測されたγ特
性を、第５図に示す。この測定においては、暗電流が１
０ｎＡとなるようにターゲット電圧を制御した。Ｎ１が
従来例による特性で、Ｎ２が本実施例による特性である
。両者とも直線で、その傾きはＮ１が０．５となり、Ｎ
２が０．６となってγが大きくなった。これは、オーバ
コート膜を積層したためと推察される。

（３）　分光感度特性 第６図は本実施例の赤外線ビジコンの分光感度特性を示
す。この測定では、光電面に入射されるエネルギーが一
定となるようサーモパイルで各波長毎に校正を行ない、
更に、暗電流が落ちついた状態で測定を行ない、信号電
流から暗電流を差し引いた値を示している。入射エネル
ギーを１μＷ１１０μＷ１５０μＷと変化させているが
、例えば同波長において入射エネルギーを１μＷから１
０μＷへと１０倍変化させても、信号電流が１０倍とな
らないのは、γが１でないことを示す。また、この第６
図から、本実施例の赤外線ビジコンのターゲットは、波
長１．７μｍぐらいまで感度があることがわかる。従っ
て、シリコン（Ｓｌ）の吸収端が波長１．１μｍ帯であ
るため、本実施例に係るターゲットを有するこの赤外線
ビジコンを用いて半導体内部観察を行なうと、Ｓｌ基板
があたかも透明ガラスの如く透けて見え、内部観察が可
能となることを示す。また、水の吸収が波長１．４μｍ
帯で起きるから、水分の付着部分の判定に用いることが
可能であることを示す。

ところで、ＰｂＳの３００＠に時におけるバンドキャッ
プは０．３７ｅＶである。理論的には、約３．３μｍま
では赤外感度を得られることになるが、撮像管の膜を構
成する物質としては、ＰｂＳは抵抗が低いものに属し、
ＰｂＳを多量に混入させると解像度が劣化することにな
る。そこで本実施例では、ＰｂＯのイオウ（Ｓ）による
置換処理で表面にわずかのＰｂＳが形成されるようにし
、ＰｂＳを少量としているため、分光感度が第６図の程
度で限界となっているのである。

（４）　　残　　　像 第７図に残像測定系を示す。光学系としては、第４図の
赤外フィルタの光入射側に拡散板を設けたものを使用し
た。パルス発生器１１でシャッター１２を閉じ、赤外線
ビジコン１３の出力信号をモニタのある試験機１４へ導
き、その結果を１フイールドおきに波形メモリ１５に記
憶させる。

第８図は測定結果である。黒丸をつないだ特性が本実施
Ｎ（Ｎ２）であり、白丸をつないだ特性が従来例（Ｎ１
）である。そして、３フイールド後（約３．５ｓｅｃ）
の値は本実施例で３６％、従来例で６７％であり、著し
い改善がみられた。そして、本実施例ではフィールド数
の低いところでの残像低下が大となり、低い残像レベル
へ早く達することがわかる。これは本実施例のものでは
、前述したように暗電流レベルの低下やγ値が大きくな
った等の動作変化を生じさせた原因が、残像の低下をも
たらしたものと考えられる。

（５）　解像度 第９図にＡＲ曲線を示す。このＡＲ測測定は、レンズ絞
りＦ８、信号電流２００ｎＡとし、ＥＩＡＪ−Ｂｌチャ
ートを用いた。光量調整には東芝硝子■製のＮＤフィル
タを使用した。４０ＯＴＶ本でのＡＲ値は、従来例のも
ので５％、本実施例のもので１４％であり、大幅に改善
された。

ここで、解像度の優劣を左右する要因となる電子銃につ
いては同電極を用い、測定は帯域１０Ｍ　Ｈｚの同じカ
メラを用いたことから、ターゲットの膜質つまりオーバ
コート膜１０９の有無により、解像度の優劣が決定され
ると考えられる。

本実施例に係るターゲットを適用した赤外線ビジコンを
用いて、赤外線顕微鏡を介して半導体内部観察を行なう
応用例を示す。

第１０図はＩＣの内部回路を観察する場合の観察方法を
示す図で、第１１図はＩＣの内部回路のＳｔチップとＡ
、Ｑとのボンディング層を観察する場合の観察方法を示
す図である。これらの図において、２１はプラスチチッ
クモールド、２２はシリコン基板、２５は観察面をそれ
ぞれ示している。

従来例のターゲットを使用した赤外線ビジコンによる撮
影結果は、本発明者が昭和６２年１１月２０日に発表し
た「テレビジョン学会技術報告」Ｖｏｌ、１１．Ｎｏ、
２８．ｐｐ、５５〜５９．ＥＤ’８７−８３１Ｄ’８７
−１０８（Ｎｏ’ｖ、１９８７）の図−１２のようにな
り、本実施例のターゲットを使用した赤外線ビジコンに
よる撮影結果は、上記文献の図−１３のようになってい
る。

従来例を使用したものでは、Ａｌ−８１共晶合金層の状
態が不鮮明である。本実施例を使用したものでは、合金
層内の黒い点まで鮮明にみえる。更に、各パターンの輪
郭も鮮明である。この撮影されたＩＣではＡｆｉパター
ン断線が生じているが、解像度の向上した本実施例によ
るタイプでは、この不良を一目で発見し得る。

一方、第１１図の方法によって撮像したダイボンディン
グ部は、上記文献の図−１５のようになっている。この
図からは、界面での共晶合金層状態を見ることができ、
パワー素子などにおいては有効な検査方法となり得ると
考えられる。

本発明に係る赤外線ビジコンのターゲット及びその製造
方法は、上記の実施例に限定されない。

例えば、上記の良好ランディング材料としてＡｓ２８３
を用いたが、光入射によって生じる正孔と電子のうちの
正孔の走行層及び蓄積層として働き、かつ走査電子（電
子銃からの）が良好ランディングを複合膜より以上に行
ない易くする抵抗、値を有するものであれば、Ｓｂ２Ｓ
３、Ａ　Ｓ　２　Ｓ　ｅ　２等の単層でもよく、また（
Ａｓ　　Ｓ　ｅ　ａ　＋　Ａｓ　２　Ｓ　ａ　）等の二
重層でもよい。この二重層構造を採る場合、単層で約１
０００Ａ程度の真空蒸着層を積層をさせ、ＰｂＯ多結晶
内に空気が入れ込んで化学変化が生じないように、より
緻密な膜を形成し、その後、不活性ガス内で１０−３Ｔ
ｏｒｒ程度の雰囲気中で、５００〜８００Ａの多孔性膜
を蒸着により積層して二重層としてもよい。また、この
二重層を積層する場合には、単層にＡｓＳｅ２を用い、
真空蒸着後は１２０℃〜３００℃の熱処理を行なって、
その後に真空蒸着装置へ移し、Ａｓ２８２を蒸着しても
よい。このようにすると、熱処理でＰｂＳが一部Ｐｂ５
ｅ　　に化学反応することが考えられ、赤外線感度の向
上により２．７μｍまで分光感度の向上が図られた。ま
た、膜厚や径は他のものでもよい。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した通り本発明では、ターゲットに良
好ランディング層が積層されているので、赤外線感光層
であるＰｂＳ層から生じた正孔−電子中の正孔の走行性
及び蓄積性の向上により、ターゲットの容量の低下及び
時定数の低下が図られ、ド 従って残像特性（３フイ一ル＆遅延時）で大幅な改善を
することができる。また同様の理由から、／Ｆ 解像度の大幅東改善がなされるという効果を生じる。

更に、本発明のターゲットの製造方法においては、赤外
線ビジコンのチューブとなる円筒ガラスとの結合を行な
う前に、ＰｂＯを空気から保護するＰｂＳ層やオーバコ
ート層の積層を行なうので、ＰｂＯが化学変化して半導
体としての特性を示さなくなることを防止でき、従って
大気中で処理を行なうことができる。つまり、ＰｂＯが
露出されている間だけ真空中にターゲットがあれば良く
、円筒ガラスと分離しているから透明導電膜の積層作業
が簡単になり、複合膜やオーバコート層を顕微鏡で検査
する等して製品の良否判断を的確に行ない得るようにな
る。また、同様の理由から膜厚、蒸着距離、真空度、０
゜流量等の蒸着条件を容易に的確に制御でき、同質のタ
ーゲットを得ることができる。そして、透明導電膜や複
合膜や良好ランディング材のオーバコート層が円筒ガラ
ス内壁に付着されることがなく、走査電子が乱れてラン
ディングすることが防止されるから、網状電極とターゲ
ットとの間の電界が均一になり、ビンクツション歪みの
よう・な幾何学歪みの少ない画像を得ることができる。

また、膜厚も中央部と端部で均一にでき感度が均一とな
るので、シューディングが少なくなるという効果もある
。

更に、ｐｂｏ層とＰｂＳ層とのオーバコート層の各周縁
部が、透明導電膜の周縁部よりそれぞれの中央部へ後退
するように積層され、かつＰｂＯ層がＰｂＳ層等で被覆
されているので、円筒ガラスとターゲットとの結合に際
して、インジューム（Ｉｎ　）による冷圧接を用いるこ
とができ、簡単でありながら電極の形成を的確になし得
る効果がある。

そして、連続的に真空中で工程を行なう必要がなく、工
程を実行する装置を小型化することが可能になるという
効果が生じる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る赤外線ビジコンのター
ゲットの構造を示す断面図、第２図は本発明の一実施例
で用いた複合膜のＸ線回折パターンを示す図、第３図、
第５図、第６図、第８図、第９図はそれぞれ本実施例の
ターゲットを用いた赤外線ビジコンの信号電極Ｖ−１特
性、γ特性、分光感度特性、残像特性、解像度をそれぞ
れ示す図、第４図はγ特性の測定系のプロ・ツク図、第
７図は残像特性のブロック図、第１０図、第１１図は赤
外線ビジコンによるＩＣ観察方法を説明するための図、
第１２図は従来の赤外線ビジコンのターゲットの構造を
示す断面図である。 １０１・・・フェースプレート、１０２・・・透明導電
膜、１０３・・・複合膜、１０５・・・円筒ガラス、１
０６・・・第３グリツド、１０７・・・網電極、１０８
・・・インジューム、１０９・・・オーバコート層。 特許出願人　　浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士　
　　長谷用　　芳　　樹第１図 第２図 Ｖｉ　　（Ｖ） Ｖ−Ｉ特性 第３図 ｒ測定系 第１図 （ＬＵＭＩＮＯＵＳ　　ＩＮＴＥＮＳＩＴＹ）　　フィ
ルりなし 「特性 ８００１αχ）、１２００　１４００１６００１８００
２０００波長（ｎｍ） 分光感度特性 第６図 ＴＶ本 ＡＲ曲線 第９図 ＬＡＧ（＠／・） 六 観察方向 第１０図 第１１図 従来例 第１２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明導電膜が積層されたフェースプレートの前記透
   明導電膜上に、表面側がイオウ（Ｓ）で置換反応させら
   れたＰｂＳ結晶層に覆われたＰｂＯ層が積層され、更に
   このＰｂＳ結晶層上に、走査電子の良好ランディング材
   料からなるオーバーコート層が積層されている赤外線ビ
   ジコンのターゲット。 ２、透明導電膜が積層されたフェースプレートの前記透
   明導電膜上にＰｂＯ層を積層する第１工程と、イオウ（
   Ｓ）による置換反応により前記ＰｂＯ層の表面にＰｂＳ
   結晶層を形成する第２工程と、このＰｂＳ結晶層上に走
   査電子の良好ランディング材料からなるオーバコート層
   を積層する第３工程の後に、赤外線ビジコンのチューブ
   を構成するガラス円筒との結合をし、かつ前記第１ない
   し第３工程は、前記ＰｂＯ層と前記ＰｂＳ層と前記オー
   バコート層の各周縁部が前記透明導電膜の周縁部よりそ
   れぞれの中央部側へ後退するように積層することを特徴
   とする赤外線ビジコンのターゲット製造方法。