JPH01298630A - 撮像管およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導電型撮像管ならびにＸ線用撮像管に係り
、特にターゲット電圧を高めて使用される撮像管に好適
なターゲット部の改良に関する。

〔従来の技術〕

一般に、光導電型撮像管ならびにＸ線用撮像管（以下こ
れらを総称して単に撮像管と呼ぶ）は、入射した光像又
はＸ線像を電荷パターンに変換してこれを蓄積するため
のターゲット部と、Ｍ積された電荷パターンを信号電流
として読み取るための走査電子ビーム発生部とから成り
、上記ターゲットが電子ビームの走査を受けた直後は、
走査側表面電位がカソード電位°に平衝するようになっ
ている。かかる撮像管については、例えば、二宮他：撮
像工学、コロナ社（昭５０年）第１０９頁から第１１６
頁、アイ・イー・イー・イー　エレクトロン　デバイス
　レターズ、イ　デイ　エル−８゜ナンバー９　（１９
８７年）第３９２頁から第３９４頁（ＩＥＥＥ　Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、ＥＤＬ−
８，Ｎｏ。

９（１９８７）ＰＰ３９２−３９４）　、河村他：テレ
ビジ目ン学会全国大会講演予稿集（昭５７年）第８１頁
から第８２頁において論じられている。かかる撮像管で
は、ターゲットの走査側表面が走査電子ビームにより２
次電子を放出しやすいと、前述の正常な撮像管動作がで
きなくなるために、走査側表面の２次電子放出比を小さ
くして電子ビームのランデング特性を改良する手段とし
そ、例えばターゲットの走査側表面に多孔質性５ｂｚｓ
ｓからなる電子ビームランデング層を不活性ガス中蒸着
法で形成する方法が提示されている（特公昭５２−４０
８０９）。

さらにまた、かかる撮像管において、電子ビーム走査中
に、余剰の戻り電子ビームが管内電極で反射し再度ター
ゲットに入射することによって生ずる疑信号の発生を抑
止して高Ｓ／Ｎの出力信号を得るために５例えばターゲ
ットの走査側表面の電子ビーム走査域外に新たな電極を
設ける方法（特開昭６１−１３１３４９号）や、ターゲ
ットの光入射側の透明導電膜を、電子ビームの有効走査
領域とそれ以外の領域とに対応させて分離し、それぞれ
独立の電源に接続して制御する方法（特開昭６３−７２
０３７号）が開示されている。

〔発明が解決しようとするｉｌｌＩＭ〕上記従来技術に
よる撮像管において、感度向上や容量性残像の低減をは
かるためにターゲット部の光導電膜を厚くしたり、或い
はまた更なる高感度化を実現するために光導電膜内でア
バランシェ増倍を生じさせる場合には、撮像管のターゲ
ット電極とカソード電極間電圧（以下単にターゲット電
圧と呼ぶ）を高くする必婆がある。かかる撮像管を高い
ターゲット電圧で使用すると、モニタの再生画面の周辺
部分にサザ波状に変化する異常パターンが発生する現象
（以下、単にサザ波現象と呼ぶ）や、画面の周辺部分に
相当する撮像管の信号出力が極性の反転を起す現象（以
下、単に反転現象と呼ぶ）などの不良現象が生じやすく
、良好な画像を安定に得ることができながった。このよ
うな不良現象の発生を抑制するために、例えば。

多孔質５ｂｚＳδからなる電子ビームランデング層を有
する撮像管では、その膜厚や多孔質性の度合を増すと、
抵抗が増して残像が増加する等の欠点があった。

本発明の目的は、ターゲット電圧を高くしても、残像等
の特性劣化を伴うことなしに上記不良現象の発生が抑止
でき、良好な画質が安定に得られるターゲットを具備し
た撮像管を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、撮像管におけるターゲットの電子ビーム走
査側表面を、有効走査域外の全面もしくはその一部の２
次電子放出比が有効走査域内の２次電子放出比より小さ
くなるようにすることにより達成される１発明者らによ
れば、ターゲットの電子ビームによる有効走査域の表面
は従来技術によるものでさしつかえないが、有効走査域
外の少くとも一部の２次電子放出比を有効走査域内の２
次電子放出比より小さくすれば、前述のサザ波現象や反
転現象の発生が抑制できることが明らかとなった。

〔作用〕

第１図は、本発明による撮像管の概略構造の一例を示す
図である。第１図（ａ）は撮像管のターゲット表面を電
子ビーム走査側から見た平面図で、第１図（ｂ）は撮像
管の主要部分の概略断面図である。１は透光性基板、２
は透光性導電膜、３は光導電膜、４は電子ビームランデ
ング層で、有効走査域の走査側表面層、５は有効走査域
外の走査側表面層、６はメツシュ電極、７は走査電子ビ
ーム、８は電子ビームを偏向集束するための電磁コイル
、９は電子ビームを放出させるためのカソード、１０は
インジウム金属、１１は金属リングである０本発明では
、ターゲットの有効走査域外の走査側表面５の２次電子
放出比が、有効走査域の走査側表面４の２次電子放出比
より小さくなるようにする。

通常撮像管は、カソード９に対してメツシュ電極に３０
０〜２０００Ｖ、透光性導電膜に数Ｖから数１００ｖの
ターゲット電圧を印加して使用する。動作状態では、走
査領域の走査側表面電位は信号電流とターゲットの蓄積
容量により決定される電圧分だけカソード電位より高く
なり得るが、走査電子ビームが附着するとその電位は下
がり走査直後はカソード電位に平衡する。このとき、走
査電子ビームの１部はターゲットの走査側表面に附着し
て信号電流となるが、残りの電子ビームは電子銃側に戻
りいわゆる戻り電子ビームとなる。

この戻り電子ビームの一部は電極壁で反射されて散乱電
子となり再度ターゲットの走査領域内外に入射する。

一方、走査領域外では走査領域内のように走査−電子ビ
ームが附着することがないので、一般にその走査側表面
電位はターゲット電位に平衡すると考えられている１通
常の動作状態では、走査領域外の２次電子放出比も１以
下に保たれているため、上述の散乱電子や、その他の管
内迷走電子が有効走査域外に入射すると、その表面電位
は、わずかではあるがカソード電位に近ずく方向に変化
しようとする。一方暗電流や、不必要な光入射による光
電流が生ずると、これらは表面電位を上昇させる向きに
作用し、有効走査域外の表面電位は、再び上昇してター
ゲット電位に平衡しようとする。

したがって、動作中は、走査領域外の走査側表面電位は
、これら二つの変化がバランスした状態になっていると
考えられる。即ち、走査領域外の走査側表面電位を変化
させる要因は、走査側表面電位を上昇させる方向に働く
光導電膜内を流れる電流と走査側表面電位を下げる方向
に働く走査側表面に附着する散乱電子の二つである。光
導電膜内を流れる電流は、その両端に電位差が存在する
時にのみ流れ得るものであるから、光導電膜内を流れる
電流によって走査領域外の走査側表面電位が上昇しても
ターゲット電位以上になることはない。

従って、このような動作をしている限り、走査領域外の
走査側表面電位はターゲット電位以下に保たれ、この部
分の２次電子放出比が１以上にならない限り撮像管の動
作は安定している。従来の撮像管はこのような状態で動
作している。

しかし、ターゲット電圧が高くなると散乱電子の射突エ
ネルギーが大きくなり、２次電子放出比が１以上になる
。このため、走査領域外の走査側表面電位はターゲット
電位以上に上昇しはじめる。

この表面電位の上昇は、更に２次電子を放出しやすくす
るため、走査領域外の走査側表面電位は次第に上昇し、
ターゲット電位よりも高い電極電位、例えばメツシュ電
極電位に平衡するようになる。

走査領域外の走査側表面電位の上昇は、走査領域周辺を
走査する走査電子ビームの軌道に影響し、走査電子ビー
ムがターゲットに垂直に入射するのを妨げるようになる
。この結果、走査領域周辺では、走査電子ビームによる
２次電子放出が増加して走査の状態が不安定となり、画
面上にいわゆるサザ波現象が現れたり、高速度走査に移
行して反転現象となって現われたりする。

以上述べたように、サザ波現象や反転現象は、ターゲッ
ト電圧やメツシュ電圧を高くして動作させた場合に、有
効走査域外の走査側表面電位が上昇するために生ずる動
作の不安定さに起因する不良現象である。

本発明では、第１図に示すように、ターゲット表面の有
効走査域外の２次電子放出比を有効走査域内の２次電子
放出比より小さくするために、有効走査域外の走査側表
面からの２次電子放出が少なく、これによって有効走査
域外の走査側表面電位の上昇が制御されサザ波現象や反
転現象の発生が抑制される。

第１図では、透光性導電膜が基板全面にねたつて設けら
れているが、必ずしもその必要はなく、例えば、第２図
に示すように、電子ビーム走査側の有効走査領域に対向
する部分のみであっても良い、必要なことは、ターゲッ
ト表面の有効走査領域外に相当する部分の２次電子放出
比を有効走査領域の２次電子放出比より小さくすること
である。

第２図では、透光性導電膜の大きさを必要最少限にして
信号出力を信号ピン１２から取り出すために、信号電極
の浮遊容量が小さく、サザ波や反転現象を抑制した状態
で高Ｓ／Ｎ化できる。

なお、第１図ならびに第２図には、電磁偏向電磁集束方
式の走査電子ビーム発生部を有する撮像管を示したが、
必ずしも上記方式である必要はなく、例えば、一般に良
く知られている静電偏向電磁集束方式や、電磁偏向静電
集束方式や、或いはまた静電偏向静電集束方式の走査電
子ビーム発生部が使用し得る。

第３図、ならびに第４図は、本発明による撮像管ターゲ
ット部の概略構造を示す別の例で、第３図（ａ）ならび
に第４図（ａ）は、ターゲット表面を電子ビーム走査側
から見た平面図、第３図（ｂ）ならびに第４図（ｂ）は
、それぞれの断面構造を示す図である。第３図、ならび
に第４図では、基板と光導電膜の間の導電膜が、電子ビ
ームの有効走査域内外に対向してそれぞれ独立に絶縁さ
れて設けられており、有効走査域に対向する透光性導電
膜１は信号ピン１２に接続され、有効走査域外に対向す
る導電膜１３は、第３図ではインジューム金属１０を介
して金属リング１１に、第４図では電極ピン１４にそれ
ぞれ接続されている。

ターゲット表面の電子ビーム走査側は、第１図、或いは
第２図で述べた構造と同じである。第３図、または第４
図では、導電膜１３を別電源に接続して、透光性導電膜
１に接続されるターゲット電源より低くして、独立制御
することができ、この場合サザ波や反転現象を大巾に抑
止することができる。導電膜１３を不透明導電膜にする
と、有効走査域外への入射光を遮断できるのでさらなる
抑止効果が得られる。

以上第１図から第４図では、ターゲット表面の電子ビー
ム有効走査域外の全面が、有効走査領域よりも２次電子
を放出しにくい構造になっているが、２次電子を放出し
にくい表面は必ずしも有効走査域外の全面にわたる必要
はなく、例えば、有効走査域外の外周部分だけを２次電
子が放出されにくい構造にしても、サザ波や反転現象に
対する抑制効果が得られる。

表面の２次電子放出比′を小さくするには、例えば５ｂ
ｚＳδをＩ×１０−五Ｔｏｒｒ以上の不活性ガス雰囲気
中で蒸発せしめ、光導電膜上に充填率の低いいわゆる多
孔質性薄膜を形成することにより実現し得る。２次電子
放出比は、多孔質性薄膜の膜厚を増すか、或いは蒸着時
の不活性ガス圧を増すことにより小さくなる。このよう
な材料としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ
、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉからなる群の中から選ばれた
少くとも一部と、Ｓ、Ｓｓ、Ｔｅの中の少くとも一部か
ら成る化合物が使用可能で、２次電子放出比は、不活性
ガス中蒸着により形成される上記材料からなる多孔質性
薄膜の膜厚、ないしは蒸着時の不活性ガス圧を可変する
ことにより制御できる。或いはまた、上記材料からなゐ
複数の多孔質性薄膜を積層して使用することもできる。

さらにまた、ターゲット表面に、２次電子を出しにくい
Ｃ，Ａｇ、Ｐｂの中少くとも一部からなる薄膜を形成し
ても良く、またこれらの薄膜を前述の多孔質性薄膜上に
形成することにより２次電子放出をさらに抑制すること
もできる。

ターゲット表面の電子ビームによる有効走査域外の少く
とも一部に１以上に述べた２次電子放出比が小さい層を
もうける手段としては、マスクを用いて所定の部分のみ
に蒸着する方法や、少くとも電子ビームの有効走査域に
対向する部分の透過率をそれ以外の部分の透過率よりも
低くした蒸着量制御用の金属メツシュを介して蒸着する
方法、或いは全面に蒸着膜を形成したのち、少くとも有
効走査域の蒸着物を化学的処理或いはプラズマエツチン
グ等の物理的処理法により一部或いは全部を除去する方
法が有効である。金属メツシュを用いる方法は蒸着が１
回の工程ですみ、イオンエツチング法は膜の境界を精度
良く加工できる利点がある。

以上、ターゲットに透光性基板を用いた光導電型撮像管
を例にとって説明したが、本発明は、例えば、ＢｅやＴ
ｉ薄板上の一方に光導電膜を形成し、これを電子ビーム
で走査して使用するＸ線用撮像管においても有効である
。Ｘ線用撮像管ではＸ線の吸収量を増すために光導電膜
を厚くし、ターゲット電圧を高くして動作させる必要が
あるため、サザ波や反転現象が発生しやすくなるが、本
発明を用いれば、これを大巾に抑制することができる。

さらにまた、光導電膜の内部でアバランシェ増倍が生じ
る程にターゲット電圧を高めて使用する種々の内部増倍
型撮像管に本発明を用いれば、サザ波や反転現象の発生
を抑止した状態で極めて高い感度特性を有する撮像管が
得られる。

本発明は、撮像管ターゲットの光導電膜に何んらの制約
を付すものではなく、種々の光導電膜を有する撮像管に
適用し得る。中でも光導電膜の少くとも一部に、Ｓｅを
主体とする非晶質半導体、或いは水素化アモルファスＳ
ｉを主体とする非晶質半導体を有する阻止型構造の撮像
管で、ターゲット電圧を高めて使用する場合に本発明の
効果は特に顕著である。

〔実施例〕

以下、本発明を具体的実施例について説明する。

（実施例１） １吋サイズの透光性ガラス基板上に、電子ビーム蒸着法
ないしはスパッタリング蒸着法により。

酸化インジウムを主成分とする透光性導電膜を形成する
。その上に、酸化セリウムからなる膜厚０゜０２ａｍの
正孔注入阻止層、ならびにＳｅとＡｓとＴｅからなる膜
厚４〜１０ｕｍの光導電膜を、真空蒸着法により順次形
成する。その上に、５ｂｚＳａ層を２回に分けて蒸着形
成する。１回目は、５ｂｚＳδを圧力０．２Ｔｏｒｒの
窒素ガス雰囲気中で蒸着し、光導電膜全面にわたって膜
厚０．１１１ｍの多孔質性５ｂｚＳｓ層を形成する。２
回目は、電子ビームの有効走査域に対応する領域にマス
クを対向させて、５ｂｚＳδをＱ、３　Ｔｏｒｒの窒素
ガス雰囲気中で蒸着し、光導電膜面上の有効走査域外に
相当する領域のみに、膜厚０　、２　Ｂｅｓの多孔質５
ｂｚＳ３層を形成し撮像管ターゲットを得る。

（実施例２） １吋サイズの透光性ガラス基板上に、実施例１と同じ方
法で、透光性導電膜、ＳｅとＡｓとＴｅからなる光導電
膜を形成する。その上に５ｂｘｓａを圧力０．２Ｔｏｒ
ｒの窒素ガス雰囲気中で蒸着し、膜厚０．１碑の多孔質
性５ｂｚＳａ層を形成する。

次にその上に、圧力０．０ＩＴｏｒｒのアルゴンガス中
で、スパッタリング蒸着法により膜厚０．０１μｍのＣ
薄膜を形成する。その際蒸着は、電子ビームの有効走査
域に対応する部分にマスクを対向させて行い、有効走査
域外に相当する部分のみにＣ′１４膜が形成されるよう
にする。

以上の方法により形成した実施例１、および２の撮像管
ターゲットを、電子銃を内蔵する撮像管筐体にインジウ
ムを介して接合し、内部を真空封止して光導電型撮像管
を得る６以上により製作した撮像管をテレビカメラに装
着して動作させたところ、ターゲット電圧を４００ｖに
してもサザ波や反転現象は認められず、低残像高感度で
、安定かつ良好な再生画像が得られた。

（実施例３） ２７３吋サイズの透光性ガラス基板上に、実施例１で述
べた方法により、透光性導電膜、正孔注入阻止層、なら
びに光導電膜を形成する。光導電膜面に、第５図に示す
蒸着量制御用メツシュを接近させて配置し、圧力０．２
Ｔｏｒｒの窒素ガス雰囲気中で蒸着し、中心部の膜厚を
０．１趣とする。

第５図の蒸着量制御メツシュは、中心部が有効走査域を
カバーし得る大きさの低透過率メツシュ部１５からなり
、その周辺部が中心部の４倍の透過率を有する高透過率
メツシュ部１６からなる構造を有している。従って、本
蒸着法を用いると、周辺部分の膜厚は約４倍になり、１
回の蒸着工程で有効走査域外の周辺部分に有効走査領域
よりも小さな２次電子放出比を有する多孔質性５ｂｚＳ
ｓ膜を形成することができる。上記ターゲットを電子銃
を内蔵した撮像管筐体に装着し、内部を真空封止して光
導電型撮像管を得る。製作した撮像管はターゲット電圧
３００Ｖで動作してもサザ波や反転現象はみられず、良
好な画質が得られた。

（実施例４） １吋サイズで厚さ０．５ｍ＋のＢｅ板の片面を光学研磨
し、研磨面上に正孔注入阻止層として酸化ゲルマニウム
と酸化セリウムをそれぞれ０．０１５ｐ■の厚さに真空
蒸着し、その上に、Ａｓを２％含有するＳｅを厚さ２０
〜３０μ■の厚さに真空蒸着する。その上に圧力０．４
　Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で、全面にＣｄ　Ｔ
　ｅを蒸着し厚さ１趣の多孔質性膜を形成する６次に、
これをイオンエツチング装置にセットし、マスクを用い
て有効走査領域に相当する部分のＣｄＴｅをプラズマイ
オンエッチし除去する。次に、５ｂｚＳａ蒸着装置に移
して、圧力０．２Ｔｏｒｒの窒素ガス雰囲気中で、全面
に５ｂｚＳａを蒸着し、厚さ０．３μｌの多孔質性５ｂ
ｚＳｓ膜を形成する。これを、電子銃を内蔵した撮像管
筐体に組み付けＸ線用撮像管を得る。

第６図は、本発明によるＸ線用撮像管を用いたＸ線像解
析システムの概略構成図である。１９はＸ線源、２０は
本発明によるＸ線用撮像管、２１はカメラコントロール
ユニット、２２はフレームメモリ、２３は画像処理装置
、２４はモニタ、２５はターゲット電源、２６は被検体
である１本システムにおいて、ターゲット電源から撮像
管に電圧を印加して動作させたところ、ターゲット電圧
を６００ｖまで高めてもサザ波や反転現象はみられず、
良好なＸ線像解析処理画像が得られた。

（実施例５） 本実施例では、第２図に示したようなターゲットを具備
する撮像管について具体的に説明する。

基板は２Ｘ３吋サイズの透明ガラスで、矩形状の透明導
電膜には酸化インジュームを用い、スパッタリング法に
よりマスクを用いて形成する。ガラス面板に穴をあけて
信号ピンを挿入し、酸化インジュームの一端にハンダ付
けする。上記面板に正孔注入阻止層として厚さ０．０２
−の酸化セリウムを形成し、その上に直径１４ｍｍφの
５ｅＡｓからなる非晶質光導電膜を２〜４趨の厚さに真
空蒸着する。その上に圧力０．５Ｔｏｒｒの窒素ガス雰
囲気中でＡｓｚＳｅＢを蒸着し、厚さ０．５μＩの多孔
質性Ａｓｘ５ｅｓ膜を形成する。蒸着に際しては、有効
走査域（６，６Ｘ８．８ｍ）にＡｓｚＳＢＢが付着しな
い様にマスクでカバーしておく０次に圧力０．２Ｔｏｒ
ｒの窒素ガス雰囲気中で５ｂｘＳδ膜を直径１４ａｎφ
の大きさに蒸着し、厚さ０．１μ論の多孔質性５ｂｚＳ
ａ膜を形成する。これを電子銃を内蔵する撮像管筐体に
結合し、真空排気封止して光導電型撮像管を得る。

本撮像管を、光導電膜の電界強度１．２　Ｘ　１０６Ｖ
　／　ｃｒｓに相当するターゲット電圧動作させ、サザ
波や反転現象を抑止した状態で増倍率約１０の良質な超
高感度画像を得た。

（実施例６） 本実施例では、第４図に示した様なターゲットを具備す
る撮像管について具体的に説明する。

１吋サイズの透明ガラス基板上に、マスク蒸着法により
、Ｃｒ−Ａｕからなる導電膜４に相当する電極を形成す
る。次にスパッタリング法によりマスクを用いて酸化イ
ンジュームを主体とする透光性導電膜２を形成する。次
にガラス面板に穴をあけて信号ピン１２および電極ピン
１４を挿入し、それぞれ透光性導電膜２および導電膜１
３にハンダ付けする。上記面板上の直径２０■φの領域
に、真空蒸着法により、膜厚０．０３μ■の酸化セリウ
ムからなる正孔注入阻止層、ならびに膜厚２〜６μＩの
Ｓｅ、Ａｓ、Ｔｅからなる非晶質半導体膜を形成する。

その上に圧力０　、２Ｔｏｒｒの窒素ガス雰囲気中で５
ｂｚＳａを蒸着し、膜厚０．１−の多孔質性５ｂｚＳｓ
膜を形成する０次に、有効走査域に対応する部分をマス
クでカバーし、有効走査域外の領域に５ｂｘＳｓを上記
と同じ条件で蒸着し、この領域の多孔質性５ｂｚＳｓ膜
の厚みを合計で０゜２μｌとする。これを電子銃を内蔵
する撮像管筐体と結合し、真空排気封止して光導電型撮
像管を得る。

第７図は、本発明による撮像管を用いた３管式ハイビジ
ョン用カラーカメラの主要の概略構造図である。Ｒ，Ｇ
、ＢはそれぞれＲ，Ｇ、Ｂチャンネル用撮像管、３４は
色分解光学系、２７は電源回路、２８は電子ビーム走査
回路、２９は映像信号増巾回路、３０はカメラのビュー
ファインダー、３１は映像再生用カラーモニタ、３２は
カメラコントロールユニット、３３はズームレンズであ
る。

撮像管光導電膜の電界が１．２５　Ｘ　１０’Ｖ／ａｍ
になるようなターゲット電圧を各撮像に電源回路から供
給し、電極ピンをカソード電位にして走査線数１１２５
本で動作させたところ、サザ波や反転現象の発生なしに
従来のカメラに比べて感度１０倍以上の良好な超高感度
ハイビジョン画像が得られた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、サザ波現象や反転現象の発生を伴うこ
となしに、ターゲット電圧ないしはメツシュ電圧を高め
て動作し得る撮像管が実現できるので、これによって、
撮像管の感度、解像度、残像等の諸特性が大巾に改善さ
れる。

本発明による光導電型撮像管は高品質の画像が要求され
るテレビジＪンカメラ、特にハイビジョンカメラに適し
ている。また本発明によれば、Ｘ線用撮像管の高感度化
ができるために、本撮像管を用いたＸ線像解析システム
では高Ｓ／Ｎ信号処理が可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による撮像管の一実施例の概略構造を示
す図、第２図、第３図ならびに第４図はそれぞれ本発明
による撮像管ターゲット部分の一実施例の概略構造を示
す図、第５図は蒸着量制御用メツシュの概略図、第６図
は本発明によるＸ線用撮像管を用いたＸ線像解析システ
ムの概略構成図、第７図は本発明による撮像管を用いた
ハイビジョン用３管式カラーカメラの主要部の概略構成
図である。 １・・・透光性基板、２・・・透光性導電膜、３・・・
光導電膜、４・・・ターゲット表面の電子ビームによる
有効走査領域、５・・・ターゲット表面の有効走査域外
の部分、６・・・メツシュ電極、９・・・カソード、１
２・・・信号ピン、１３・・・電子ビームによる有効走
査域外のターゲット表面に対向する導電膜、１４・・・
電極ビン、１５・・・低透過率メツシュ、１６・・・高
透過率メツシュ、１７・・・メツシュサポート、１９・
・・Ｘ線源、２ｏ・・・本発明によるＸ線用撮像管、２
５・・・ターゲット電源、２６・・・被検体、２７・・
・電源回路、２８・・・電子ビーム走査回路、Ｒ，Ｇ、
Ｂ・・・本発明による光導電型撮像管。 代理人　　弁理士　　小　川　勝　力 筒１図 （ａ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）］２・・・信号
ピン （ａ）　　　　　　　　　　　　　（ｂ）１３・有効走
査域外の領域 に対応する導電膜 （ａ）　　　　　　　　　　　　　（ｂ）１３・・導電
膜 １４・・・電極ピン １５・・低透過率メツシュ部 １６・・高透過率メツシュ部 １７・・メツシュサポート部 １８・・・有効定資斌に対応する部分を示す境界線１９
・・Ｘ線源 ２０・本児明によるＸ線用撮像管 ２１・・カメラコントロールユニット ２２・・フレームメモリ ２３・・・画像処理装置 ２４・・モニタ ２５・・・ターゲット電源 ２６・・・被検体

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に導電膜と光導電膜とを少くとも具備してな
   る光電変換を行うためのターゲットと、信号を読みとる
   ための電子ビーム走査系とからなる撮像管において、タ
   ーゲット走査側表面の有効走査領域外の少なくとも一部
   の２次電子放出比を、走査領域内の２次電子放出比より
   も小さくすることを特徴とする撮像管。 ２、前記撮像管において、有効走査領域外の少なくとも
   一部のターゲット走査側表面が多孔質層からなることを
   特徴とするターゲットを具備した特許請求の範囲第１項
   記載の撮像管。 ３、前記特許請求の範囲第１項記載の撮像管において、
   ターゲット走査側表面が多孔質層からなり、且、有効走
   査領域外の少なくとも一部の多孔質の程度を、走査領域
   内の多孔質の程度よりも大きくすることを特徴とするタ
   ーゲットを具備した撮像管。 ４、前記特許請求の範囲第２項、第３項記載の光導電型
   撮像管において、有効走査領域外の多孔質の少なくとも
   一部を形成する物質が、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ
   、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉからなる群の中から選
   ばれた少なくとも一者と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの中の少くと
   も一者とからなる化合物の中から選ばれた少なくとも一
   者であることを特徴とするターゲットを具備した撮像管
   。 ５、前記特許請求の範囲第４項記載の撮像管において、
   有効走査領域外の多孔質層の少なくとも一部が複数の多
   孔質層から構成され、該複数の多孔質層の少なくとも一
   部が前記化合物の中から選ばれた物質よりなることを特
   徴とするターゲットを具備した撮像管。 ６、前記特許請求の範囲第１項記載の撮像管、及び特許
   請求の範囲第２項から第５項記載の撮像管において、有
   効走査領域外の少なくとも一部のターゲット走査側表面
   にＡｇ、Ｐｂ、Ｃのうち少くともいずれか一者よりなる
   ２次電子放出抑制層を設けることを特徴とするターゲッ
   トを具備した撮像管。 ７、前記特許請求の範囲第１項から第６項記載の撮像管
   において、光導電膜の少くとも一部がＳｅを主体とする
   非晶質半導体であることを特徴とするターゲットを具備
   した撮像管。 ８、前記特許請求の範囲第１項から第７項記載の撮像管
   において、導電膜を、基板上で有効走査領域に対応する
   部分と有効走査域外の領域に対応する部分の２つに分割
   して形成することを特徴とするターゲットを具備した撮
   像管。 ９、前記特許請求の範囲第８項記載の撮像管において、
   基板上で有効走査域の境界に沿って分割された２つの導
   電膜を、それぞれ基板を貫通して設けられかつ互に絶縁
   された２つの電極ピンに接続することを特徴とするター
   ゲットを具備した撮像管。 １０、前記特許請求の範囲第８項記載の撮像管において
   、有効走査域外に対応する導電膜を除去したことを特徴
   とするターゲットを具備した撮像管。 １１、前記特許請求の範囲第１項から第１０項記載の撮
   像管において、Ｘ線を通過するターゲット基板を用いた
   ことを特徴とするＸ線用撮像管。 １２、前記特許請求の範囲第１項から第１０項記載の撮
   像管、及び第１１項記載のＸ線用撮像管において、光導
   電膜内において電荷の増倍作用が生ずる電界領域で動作
   させることを特徴とする撮像管の動作方法。 １３、前記特許請求の範囲第１項から第１０項記載の撮
   像管、ならびに第１２項記載の動作方法を用いたテレビ
   ジョンカメラ。 １４、前記特許請求の範囲１１項記載のＸ線用撮像管、
   ならびに第１２項記載の動作方法を用いたテレビジョン
   カメラ。 １５、前記特許請求の範囲第１１項記載のＸ線用撮像管
   、ならびに第１２項記載の動作方法を用いたＸ線像解析
   システム。 １６、前記特許請求の範囲第３項記載の撮像管における
   多孔質層を形成する際に、有効走査領域外の少なくとも
   一部に対応する部分の透過率を他の部分の透過率よりも
   高くしたメッシュ状マスクを用いて、多孔質の程度の異
   なる多孔質層を１回の工程で製作することを特徴とする
   ターゲットの製造方法。 １７、前記特許請求の範囲第２項から第１１項記載の撮
   像管における有効走査域外の少くとも一部の走査側表面
   に設けられた多孔質膜、ないしはＣ、Ａｇ、Ｐｂの少く
   とも一者からなる２次電子放出抑制層を形成する工程が
   、これらを蒸着形成する工程と余剰部分を化学的又は物
   理的手段でエッチングする工程から少くともなることを
   特徴とするターゲットの製造方法。