JPH01187841A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01187841A JPH01187841A JP63010733A JP1073388A JPH01187841A JP H01187841 A JPH01187841 A JP H01187841A JP 63010733 A JP63010733 A JP 63010733A JP 1073388 A JP1073388 A JP 1073388A JP H01187841 A JPH01187841 A JP H01187841A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- tab
- semiconductor device
- pellet
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に面付薄型
パッケージのりフロー時のクラック防止技術に適用して
有効な技術に関するものである。
パッケージのりフロー時のクラック防止技術に適用して
有効な技術に関するものである。
従来の樹脂封止型半導体装置は、タブ上にペレット（半
導体チップ）を搭載し、このペレットとリードフレーム
とをワイヤボンディングにより電気的に接続した後、レ
ジン等の樹脂で封止している。そして、特に、大ペレッ
１〜搭載品では、リードフレームのタブ下面に凹部を施
し、レジン等の樹脂界面との接着性の向上を図っている
。
導体チップ）を搭載し、このペレットとリードフレーム
とをワイヤボンディングにより電気的に接続した後、レ
ジン等の樹脂で封止している。そして、特に、大ペレッ
１〜搭載品では、リードフレームのタブ下面に凹部を施
し、レジン等の樹脂界面との接着性の向上を図っている
。
しかしながら、発明者は、かかる技術を検討した結果、
従来の半導体装置のようにタブ下面に凹部を施すだけで
は、タブとレジン等の樹脂界面との接着性が不充分であ
るため１両者の界面の隙間部分に水分が侵入し、この水
分がリードの半田すフロー時に気化膨張し、レジン等の
樹脂パッケージにクラックを発生させるという問題を見
い出した。
従来の半導体装置のようにタブ下面に凹部を施すだけで
は、タブとレジン等の樹脂界面との接着性が不充分であ
るため１両者の界面の隙間部分に水分が侵入し、この水
分がリードの半田すフロー時に気化膨張し、レジン等の
樹脂パッケージにクラックを発生させるという問題を見
い出した。
本発明の目的は、リードの半田リフロー時又は温度サイ
クル時に、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部にクラッ
クが発生するのを低減することができる技術を提供する
ことにある。
クル時に、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部にクラッ
クが発生するのを低減することができる技術を提供する
ことにある。
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上
することができる技術を提供することにある。
することができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う６ 〔問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う６ 〔問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、タブ上にペレットを搭載し、このペレットと
リードフレームとをボンディングワイヤにより電気的に
接続した後樹脂封止した半導体装置において、前記タブ
の形状をタブと樹脂の界面の接着性を良くし、かつリー
ドの半田リフロー時又は温度サイクル時の応力集中を緩
和するような構造にしたものである。
リードフレームとをボンディングワイヤにより電気的に
接続した後樹脂封止した半導体装置において、前記タブ
の形状をタブと樹脂の界面の接着性を良くし、かつリー
ドの半田リフロー時又は温度サイクル時の応力集中を緩
和するような構造にしたものである。
前記した手段によれば、樹脂封止型半導体装置のリード
フレームのタブを、エ字状金属薄板構造。
フレームのタブを、エ字状金属薄板構造。
四角形金冠薄板を中抜きした長方形リング構造。
四個のカギカッコ状、Ｌ字状及び逆り字状の部片を長方
形状に組合せた構造等にすることにより、そのタブ部に
搭載されたペレットの下面が霧出するため、ペレットの
下面にもペレットとレジン等の樹脂との界面ができ、か
つ、実効的なタブ面積が小さくなり、それによる発生応
力が緩和されるので、両者の接着性を向上することがで
き、かつ。
形状に組合せた構造等にすることにより、そのタブ部に
搭載されたペレットの下面が霧出するため、ペレットの
下面にもペレットとレジン等の樹脂との界面ができ、か
つ、実効的なタブ面積が小さくなり、それによる発生応
力が緩和されるので、両者の接着性を向上することがで
き、かつ。
リードの半田リフロー時又は温度サイクル時の応力集中
の緩和を図ることができる。これにより、ペレットとレ
ジン等の樹脂との界面に隙間を発生するのを低減するこ
とができる。この結果、樹脂封止部のクラックの発生を
低減することができるので、樹脂封止型半導体装置、の
信頼性を向上することができる。
の緩和を図ることができる。これにより、ペレットとレ
ジン等の樹脂との界面に隙間を発生するのを低減するこ
とができる。この結果、樹脂封止部のクラックの発生を
低減することができるので、樹脂封止型半導体装置、の
信頼性を向上することができる。
以下１本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、全図において、同一の機能を有するものは同一の
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
第１図は、本発明の実施例１の樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
本実施例の樹脂封止型半導体装置は、第１図に示すよう
に、リードフレームのタブｌ上にペレット２を搭載し、
このペレット２とインナーリード３Ａとをボンディング
ワイヤ４でボンディングすることにより電気的に接続し
た後、レジン等の樹脂５で封止したものである。
に、リードフレームのタブｌ上にペレット２を搭載し、
このペレット２とインナーリード３Ａとをボンディング
ワイヤ４でボンディングすることにより電気的に接続し
た後、レジン等の樹脂５で封止したものである。
前記タブｌは、エ字状の金属板からなっており。
例えば、４２％ニッケル・鉄合金（４２％Ｎｉ・Ｆｅ合
金：４２アロイ）、銅（Ｃｕ）、５０％ニッケル・鉄合
金（５０％Ｎｉ−Ｆｅ合金＝５０７０イ）等の材料から
なる薄板を、第２図に示すようなリードフレーム３と一
体にエツチング又はプレスすることにより作成される。
金：４２アロイ）、銅（Ｃｕ）、５０％ニッケル・鉄合
金（５０％Ｎｉ−Ｆｅ合金＝５０７０イ）等の材料から
なる薄板を、第２図に示すようなリードフレーム３と一
体にエツチング又はプレスすることにより作成される。
このタブ１及びリードフレーム３は、金（Ａｕ）又は銀
（Ａｇ）のメツキが施される。そして、リードフレーム
３のアウタリード部３Ｂには、さらに半田がメツキされ
る。
（Ａｇ）のメツキが施される。そして、リードフレーム
３のアウタリード部３Ｂには、さらに半田がメツキされ
る。
このリードフレーム３のタブ１の上に、ペレット２が銀
（Ａｇ）ペースト、金とシリコンとの共晶（Ａｕ／Ｓｉ
共晶）、ゴム系ペースト剤（例えば、シリコーンエポキ
シ樹脂）によりペレット付けされる。
（Ａｇ）ペースト、金とシリコンとの共晶（Ａｕ／Ｓｉ
共晶）、ゴム系ペースト剤（例えば、シリコーンエポキ
シ樹脂）によりペレット付けされる。
なお、第２図、第４図及び第６図において、ＲＧはレジ
ン等の樹脂５を注入するための樹脂注入用ゲートである
。
ン等の樹脂５を注入するための樹脂注入用ゲートである
。
次に、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（ＡＱ
）のボンディングワイヤ４をウェッジボールボンディン
グして、ペレット２とインナーリード３Ａとが電気的に
接続される。これをレジン等の樹脂５でモールドして封
止し、本実施例の樹脂封止型半導体装置は完成される。
）のボンディングワイヤ４をウェッジボールボンディン
グして、ペレット２とインナーリード３Ａとが電気的に
接続される。これをレジン等の樹脂５でモールドして封
止し、本実施例の樹脂封止型半導体装置は完成される。
次に、この樹脂封止型半導体装置は、配線基板上に設け
られた配線バットと前記アウタリート３Ｂとの位置合せ
を行って配線基板６の所定位置に配置される。これを温
度６５℃程度と所定の湿度（例えば９５％湿度）の雰囲
気中で７２時間程度の前処理加熱を行った後、温度２１
５℃で３０秒程度加熱してアウタリード３ Ｂの半田メ
ツキをリフローして樹脂封止型半導体装置は配線基板上
に実装される。
られた配線バットと前記アウタリート３Ｂとの位置合せ
を行って配線基板６の所定位置に配置される。これを温
度６５℃程度と所定の湿度（例えば９５％湿度）の雰囲
気中で７２時間程度の前処理加熱を行った後、温度２１
５℃で３０秒程度加熱してアウタリード３ Ｂの半田メ
ツキをリフローして樹脂封止型半導体装置は配線基板上
に実装される。
以上の説明かられかるように、本実施例！によれば、樹
脂封止型半導体装置のリードフレームのタブｌをエ字状
の金属薄板構造にしたことにより、このタブｌに搭載さ
れたペレット２の一下面がほとんど露出するため、ペレ
ット２の下面にもペレットとレジン等の樹脂５との界面
ができ、かつ、実効的なタブ１の面積が小さくなり、こ
れによる発生応力が緩和されるので、両者の接着性を向
上することができ、かつ、アウタリード３Ｂの半田リフ
ロー時又は温度サイクル時の応力集中の緩和を図ること
ができる。これより、ペレット２とレジン等の樹脂５と
の界面に隙間を発生するのを低減することができる。こ
の結果、樹脂５の封止部のクラックの発生を低減するこ
とができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上
することができる。
脂封止型半導体装置のリードフレームのタブｌをエ字状
の金属薄板構造にしたことにより、このタブｌに搭載さ
れたペレット２の一下面がほとんど露出するため、ペレ
ット２の下面にもペレットとレジン等の樹脂５との界面
ができ、かつ、実効的なタブ１の面積が小さくなり、こ
れによる発生応力が緩和されるので、両者の接着性を向
上することができ、かつ、アウタリード３Ｂの半田リフ
ロー時又は温度サイクル時の応力集中の緩和を図ること
ができる。これより、ペレット２とレジン等の樹脂５と
の界面に隙間を発生するのを低減することができる。こ
の結果、樹脂５の封止部のクラックの発生を低減するこ
とができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上
することができる。
［実施例■］
第３図は、本発明の実施例■の樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図であり、第４図は、第３図のリー
ドフレームの概略構成を示す平面図である。
概略構成を示す断面図であり、第４図は、第３図のリー
ドフレームの概略構成を示す平面図である。
本実施例■の樹脂封止型半導体装置は、第１図に示す樹
脂封止型半導体装置のリードフレームのタブｌを、第３
図及び第４図に示すように５通常の長方形金属薄板から
なるタブを中抜きした長方形リング状構造ＩＡにしたも
のである。
脂封止型半導体装置のリードフレームのタブｌを、第３
図及び第４図に示すように５通常の長方形金属薄板から
なるタブを中抜きした長方形リング状構造ＩＡにしたも
のである。
このように構成することにより、タブＩＡに搭載された
ペレット２の下面がほとんど露出するため、ペレット２
の下面にもペレットとレジン等の樹脂５との界面ができ
、かつ、実効的なタブ１Δの面積が小さくなり、それに
よる発生応力が緩和されるので、両者の接着性を向上す
ることができかつ、アウタリード３Ｂの半田リフロー時
又は温度サイクル時の応力集中の緩和を図ることができ
る。これにより、実施例１と同等の効果を奏することが
できる。
ペレット２の下面がほとんど露出するため、ペレット２
の下面にもペレットとレジン等の樹脂５との界面ができ
、かつ、実効的なタブ１Δの面積が小さくなり、それに
よる発生応力が緩和されるので、両者の接着性を向上す
ることができかつ、アウタリード３Ｂの半田リフロー時
又は温度サイクル時の応力集中の緩和を図ることができ
る。これにより、実施例１と同等の効果を奏することが
できる。
［実施例■］
第５図は、本発明の実施例■の樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図であり、第６図は、第５図のリー
ドフレームの概略構成を示す平面図である。
概略構成を示す断面図であり、第６図は、第５図のリー
ドフレームの概略構成を示す平面図である。
本実施例■の樹脂封止型半導体装置は、第１図に示す樹
脂封止型半導体装置のリードフレームのタブ１を、第５
図及び第６図に示すように、四個のカギカッコ状、Ｌ字
状及び逆り字状の金属薄部片状に組合せた構造ＩＢにし
たものである。
脂封止型半導体装置のリードフレームのタブ１を、第５
図及び第６図に示すように、四個のカギカッコ状、Ｌ字
状及び逆り字状の金属薄部片状に組合せた構造ＩＢにし
たものである。
このように構成することにより、タブＩＢに搭載された
ペレット２の下面がほとんど露出するため、ペレット２
の下面にもペレット２とレジン等の樹脂５との界面がで
き、かつ、実効的なタブＩＢの面積が小さくなり、これ
による発生応力が緩和されるので、両者の接着性を向上
することができ、かつ、アウタリード３Ｂの半田リフロ
ー時又は温度サイクル時の応力集中の緩和を図ることが
できるにれより、実施例■と同等の効果を奏することが
できる。
ペレット２の下面がほとんど露出するため、ペレット２
の下面にもペレット２とレジン等の樹脂５との界面がで
き、かつ、実効的なタブＩＢの面積が小さくなり、これ
による発生応力が緩和されるので、両者の接着性を向上
することができ、かつ、アウタリード３Ｂの半田リフロ
ー時又は温度サイクル時の応力集中の緩和を図ることが
できるにれより、実施例■と同等の効果を奏することが
できる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変形可能であること
はいうまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変形可能であること
はいうまでもない。
例えば、前記タブは、実施例に限定されるものではなく
、タブとレジン等の樹脂の界面の接着性を良くし、かつ
、リードの半田リフロー時又は温度サイクル時の応力集
中を緩和するような構造であればどのようなものでもよ
い。
、タブとレジン等の樹脂の界面の接着性を良くし、かつ
、リードの半田リフロー時又は温度サイクル時の応力集
中を緩和するような構造であればどのようなものでもよ
い。
［発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
樹脂封止型半導体装置のリードフレームのタブを、エ字
状の金属薄板構造、四角形金属薄板を中抜きした長方形
リング構造、四個のカギカッコ状。
状の金属薄板構造、四角形金属薄板を中抜きした長方形
リング構造、四個のカギカッコ状。
Ｌ字状及び逆り字状の金属薄部片を長方形状に組合せた
構造等にしたことにより、そのタブ部に搭載されたペレ
ットの下面が露出するため、ペレットの下面にもペレッ
トとレジン等の樹脂との界面ができ、かつ、実効的なタ
ブ面積が小さくなり、これによる発生応力が緩和される
ので、両者の接着性を向上することができ、かつ、リー
ドの半１１１リフロー時又は温度サイクル時の応力集中
の緩和が図ることができる。これより、ペレットとレジ
ン等の樹脂との界面に隙間を発生するのを低減すること
ができる。この結果、樹脂封止部のクラックの発生を低
減することができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼
性を向上することができる。
構造等にしたことにより、そのタブ部に搭載されたペレ
ットの下面が露出するため、ペレットの下面にもペレッ
トとレジン等の樹脂との界面ができ、かつ、実効的なタ
ブ面積が小さくなり、これによる発生応力が緩和される
ので、両者の接着性を向上することができ、かつ、リー
ドの半１１１リフロー時又は温度サイクル時の応力集中
の緩和が図ることができる。これより、ペレットとレジ
ン等の樹脂との界面に隙間を発生するのを低減すること
ができる。この結果、樹脂封止部のクラックの発生を低
減することができるので、樹脂封止型半導体装置の信頼
性を向上することができる。
第１図は、本発明の実施例１の樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図に示すリードフレームの概略構成を示
す平面図、 第３図は、本発明の実施例Ｉの樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図、 第４図は、第３図に示すリードフレームの概略構成を示
す平面図、 第５図は、本発明の実施例Ｉ１１の樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す断面図。 第６図は、第５図に示すリードフレームの概略構成を示
す平面図である。 図中、ｌ、ＬＡ、ｔｎ・・・タブ、２・・・ペレット。 ３・・・リードフレーム、３Δ・・インナーリード、３
Ｂ・・・アウタリード、４・・・ワイヤ、５・・・樹脂
である。 □ く１ １−１’
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図に示すリードフレームの概略構成を示
す平面図、 第３図は、本発明の実施例Ｉの樹脂封止型半導体装置の
概略構成を示す断面図、 第４図は、第３図に示すリードフレームの概略構成を示
す平面図、 第５図は、本発明の実施例Ｉ１１の樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す断面図。 第６図は、第５図に示すリードフレームの概略構成を示
す平面図である。 図中、ｌ、ＬＡ、ｔｎ・・・タブ、２・・・ペレット。 ３・・・リードフレーム、３Δ・・インナーリード、３
Ｂ・・・アウタリード、４・・・ワイヤ、５・・・樹脂
である。 □ く１ １−１’
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、タブ上にペレットを搭載し、このペレットとリード
フレームとをワイヤボンディングにより電気的に接続し
た後樹脂封止した半導体装置において、前記タブの形状
をタブと樹脂の界面の接着性を良くし、かつリードの半
田リフロー時又は温度サイクル時の応力集中を緩和する
ような構造にしたことを特徴とする半導体装置。 ２、前記タブはエ字状の金属薄板構造になっていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
。 ３、前記タブは四角形金属薄板の中央部を除去した構造
になっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の半導体装置。 ４、前記タブはカギカッコ、Ｌ字及び逆Ｌ字状部片を四
個長方形状に組合せた構造になっていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010733A JPH01187841A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010733A JPH01187841A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187841A true JPH01187841A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11758495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010733A Pending JPH01187841A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187841A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03178153A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| DE4041346A1 (de) * | 1990-12-21 | 1992-06-25 | Siemens Ag | Standard-kunststoffgehaeuse mit darin verkapselten halbleiterchips |
| EP0642160A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with improved support means |
| US5535509A (en) * | 1992-06-05 | 1996-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a lead on chip (LOC) semiconductor device |
| EP0833382A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Plastic package for electronic devices |
| EP0628997B1 (en) * | 1993-06-10 | 2002-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with small die pad and method of making same |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63010733A patent/JPH01187841A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03178153A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| DE4041346A1 (de) * | 1990-12-21 | 1992-06-25 | Siemens Ag | Standard-kunststoffgehaeuse mit darin verkapselten halbleiterchips |
| DE4041346B4 (de) * | 1990-12-21 | 2005-10-06 | Infineon Technologies Ag | Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips |
| US5535509A (en) * | 1992-06-05 | 1996-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a lead on chip (LOC) semiconductor device |
| US5724726A (en) * | 1992-06-05 | 1998-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making leadframe for lead-on-chip (LOC) semiconductor device |
| US5763829A (en) * | 1992-06-05 | 1998-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Leadframe including frame-cutting slit for lead-on-chip (LOC) semiconductor device and semiconductor device incorporating the leadframe |
| US5900582A (en) * | 1992-06-05 | 1999-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame including frame-cutting slit for lead-on-chip (LOC) semiconductor device and semiconductor device incorporating the lead frame |
| EP0628997B1 (en) * | 1993-06-10 | 2002-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with small die pad and method of making same |
| EP0642160A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with improved support means |
| EP0833382A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Plastic package for electronic devices |
| US6281566B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-08-28 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Plastic package for electronic devices |
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