JPH01187914A - 半導体磁器物質 - Google Patents
半導体磁器物質Info
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- JPH01187914A JPH01187914A JP1283488A JP1283488A JPH01187914A JP H01187914 A JPH01187914 A JP H01187914A JP 1283488 A JP1283488 A JP 1283488A JP 1283488 A JP1283488 A JP 1283488A JP H01187914 A JPH01187914 A JP H01187914A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体磁器の粒界に絶縁層を設けてなる半導
体磁器物質に関する。
体磁器物質に関する。
近年、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ＋）、又はチタン
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｔ）等を主体とする半導
体磁器の粒界に、誘電体として高絶縁層を設けてなる粒
界誘電体型の半導体磁器コンデンサ等の半導体磁器物質
が、広く用いられている。そしてこの半導体磁器物質は
、まずチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ：＋）、又はチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を主材料としてこ
れに、原子価制御用助剤として酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ
）、酸化イツトリウム（Ｙｚ（ｈ）、酸化ディスプロシ
ウム（ＤｙｚＯａ） 、酸化セリウム（ＣＥ！０２）等
を添加し、また焼結用助剤として酸化ケイ素（Ｓｔａｇ
） ＋酸化アルミニウム（Ａｌ□０．）、酸化マンガン
（ＭｎＯ□）、酸化銅（Ｃｕｂ） 、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ２）十酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉｚ０
３）等の少なくとも１種以上を添加し、中性又は還元雰
囲気中にて焼結して半導体磁器を得、次にこの半導体磁
器の粒界に誘電体層を設けるべく、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏｇ）、酸化銅（Ｃｕｂ）、酸化ビスマス（ＢｉｚＯ＋
）等の金属酸化物を前記拡散物質として熱拡散させて得
られていた（特公昭５６−５１８２０号公報、特公昭５
６−７４９１３号公報）。
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｔ）等を主体とする半導
体磁器の粒界に、誘電体として高絶縁層を設けてなる粒
界誘電体型の半導体磁器コンデンサ等の半導体磁器物質
が、広く用いられている。そしてこの半導体磁器物質は
、まずチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ：＋）、又はチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を主材料としてこ
れに、原子価制御用助剤として酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ
）、酸化イツトリウム（Ｙｚ（ｈ）、酸化ディスプロシ
ウム（ＤｙｚＯａ） 、酸化セリウム（ＣＥ！０２）等
を添加し、また焼結用助剤として酸化ケイ素（Ｓｔａｇ
） ＋酸化アルミニウム（Ａｌ□０．）、酸化マンガン
（ＭｎＯ□）、酸化銅（Ｃｕｂ） 、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ２）十酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉｚ０
３）等の少なくとも１種以上を添加し、中性又は還元雰
囲気中にて焼結して半導体磁器を得、次にこの半導体磁
器の粒界に誘電体層を設けるべく、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏｇ）、酸化銅（Ｃｕｂ）、酸化ビスマス（ＢｉｚＯ＋
）等の金属酸化物を前記拡散物質として熱拡散させて得
られていた（特公昭５６−５１８２０号公報、特公昭５
６−７４９１３号公報）。
原子価制御用助剤又は焼結用助剤としてどのような物質
を用いるかにより、得られる半導体磁器物質の電気的な
特性〔誘電率（εａｐｐ） 、誘電正接（ｔａｎ δ）
９体積抵抗率（ρａｐｐ） ＋静電容量温度特性（ＴＣ
値）等〕に相違がある。例えば、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ，）を主成分とし、原子価制御用助剤として酸
化ディスプロシウム（ＤｙｚＯ２）を添加して得られる
半導体磁器物質にあっては、誘電率は６０．０００〜８
０，０００と高いが、静電容量温度特性（ＴＣ値）は２
０℃における静電容量を基準値とした場合−２５℃〜＋
８５℃の温度範囲内の最大変化率が±３５％と大きく、
また誘電正接（ｔａｎ δ）も８％と高くなる。
を用いるかにより、得られる半導体磁器物質の電気的な
特性〔誘電率（εａｐｐ） 、誘電正接（ｔａｎ δ）
９体積抵抗率（ρａｐｐ） ＋静電容量温度特性（ＴＣ
値）等〕に相違がある。例えば、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ，）を主成分とし、原子価制御用助剤として酸
化ディスプロシウム（ＤｙｚＯ２）を添加して得られる
半導体磁器物質にあっては、誘電率は６０．０００〜８
０，０００と高いが、静電容量温度特性（ＴＣ値）は２
０℃における静電容量を基準値とした場合−２５℃〜＋
８５℃の温度範囲内の最大変化率が±３５％と大きく、
また誘電正接（ｔａｎ δ）も８％と高くなる。
また、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ（１＋）を主
成分とし、原子価制御用助剤として酸化ディスプロシウ
ム（ＤＶｘＯｉ）又は酸化セリウム（ＣｅＯ□）を添加
する場合には誘電正接は２％と低く、また静電容量温度
特性（ＴＣ値）は±１５％と低いが、誘電率が３０．０
００〜４０，０００と低くなる。一方焼結用助剤として
酸化マンガン（ＭｎＯ□）を添加する場合には、体積抵
抗率は良好である反面誘電率等の電気的特性は十分でな
く、また焼結用助剤として酸化ビスマス（Ｂｉｚｏ２）
又は酸化アルミニウ°ム（Ａ１２０．）を添加する場合
には誘電率、誘電正接は良好である反面静電容量温度特
性（ＴＣ値）は不十分であった。
成分とし、原子価制御用助剤として酸化ディスプロシウ
ム（ＤＶｘＯｉ）又は酸化セリウム（ＣｅＯ□）を添加
する場合には誘電正接は２％と低く、また静電容量温度
特性（ＴＣ値）は±１５％と低いが、誘電率が３０．０
００〜４０，０００と低くなる。一方焼結用助剤として
酸化マンガン（ＭｎＯ□）を添加する場合には、体積抵
抗率は良好である反面誘電率等の電気的特性は十分でな
く、また焼結用助剤として酸化ビスマス（Ｂｉｚｏ２）
又は酸化アルミニウ°ム（Ａ１２０．）を添加する場合
には誘電率、誘電正接は良好である反面静電容量温度特
性（ＴＣ値）は不十分であった。
このように、すべての電気的特性について良好な結果（
誘電率及び体積抵抗率は高く、誘電正接及び静電容量温
度特性（ＴＣ値）は低い）を有する半導体磁器物質は未
だ得られていない。
誘電率及び体積抵抗率は高く、誘電正接及び静電容量温
度特性（ＴＣ値）は低い）を有する半導体磁器物質は未
だ得られていない。
本発明者は、原子価制御用助剤又は焼結用助剤として種
々の材料を用いてなる半導体磁器物質について、その電
気的特性を調査した結果、原子価制御用助剤として酸化
ニオブ（ＮｂｚＯｓ）又は酸化インドリウム（Ｙ２Ｏ２
）のうち１種又は２種を添加し、焼結用助剤としてシリ
カ（ＳｉＯ□）と酸化マンガン（ＭｎＯ□）と酸化銅（
Ｃｕｂ）との混合物を添加した場合には、すべての電気
的特性が良好である半導体磁器物質が得られることを知
見した。
々の材料を用いてなる半導体磁器物質について、その電
気的特性を調査した結果、原子価制御用助剤として酸化
ニオブ（ＮｂｚＯｓ）又は酸化インドリウム（Ｙ２Ｏ２
）のうち１種又は２種を添加し、焼結用助剤としてシリ
カ（ＳｉＯ□）と酸化マンガン（ＭｎＯ□）と酸化銅（
Ｃｕｂ）との混合物を添加した場合には、すべての電気
的特性が良好である半導体磁器物質が得られることを知
見した。
本発明はかかる知見に基づいてなされたものであり、前
述のすべての電気的特性について良好な結果が得られる
半導体磁器物質を提供することを目的とする。
述のすべての電気的特性について良好な結果が得られる
半導体磁器物質を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体磁器物質は、主成分がチタン酸スト
ロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）であり、残部が該チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３） １００モルに対し、
酸化ニオブ（Ｎｂ２０．） 、酸化イットリウム（Ｙ２
Ｏｉ）のうち１種又は２種が０．１〜０．４モル、シリ
カ（ＳｉＯ□）が０．１〜０．４モル、酸化マンガン（
ＭｎＯ２）が０．０５〜０．２モル、酸化銅（ＣｕＯ）
が０．０５〜０．２モルおよび不可避の不純物からなる
ことを特徴とするか、又は主成分がチタン酸ストロンチ
ウム（ＳｒＴｉＯ３）であり、残部が該チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ３） １００モルに対し、酸化ニ
オブ（ＮｂｚＯｓ） 、酸化イツトリウム（’ｂ０ｉ）
のうち１種又は２種が０．１〜０．４モル、シリカ（Ｓ
ｉＯ２）が０．１〜０．４モル、酸化マンガン（ＭｎＯ
２）が０．０５〜０．２モル、酸化銅（Ｃｕｂ）が０．
０５〜０．２モルおよび不可避の不純物からなる磁器の
結晶粒界に、絶縁化のための組成物が拡散してなること
を特徴とする。
ロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）であり、残部が該チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３） １００モルに対し、
酸化ニオブ（Ｎｂ２０．） 、酸化イットリウム（Ｙ２
Ｏｉ）のうち１種又は２種が０．１〜０．４モル、シリ
カ（ＳｉＯ□）が０．１〜０．４モル、酸化マンガン（
ＭｎＯ２）が０．０５〜０．２モル、酸化銅（ＣｕＯ）
が０．０５〜０．２モルおよび不可避の不純物からなる
ことを特徴とするか、又は主成分がチタン酸ストロンチ
ウム（ＳｒＴｉＯ３）であり、残部が該チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ３） １００モルに対し、酸化ニ
オブ（ＮｂｚＯｓ） 、酸化イツトリウム（’ｂ０ｉ）
のうち１種又は２種が０．１〜０．４モル、シリカ（Ｓ
ｉＯ２）が０．１〜０．４モル、酸化マンガン（ＭｎＯ
２）が０．０５〜０．２モル、酸化銅（Ｃｕｂ）が０．
０５〜０．２モルおよび不可避の不純物からなる磁器の
結晶粒界に、絶縁化のための組成物が拡散してなること
を特徴とする。
半導体磁器の電気的特性を改善すべく添加される原子価
制御用助剤及び焼結用助剤として上述した如く組成物を
採用した場合、得られる半導体磁器物質はその誘電率及
び体積抵抗率が大幅に向上し、しかも誘電正接及び静電
容量温度特性（ＴＣ値）は十分に低い。
制御用助剤及び焼結用助剤として上述した如く組成物を
採用した場合、得られる半導体磁器物質はその誘電率及
び体積抵抗率が大幅に向上し、しかも誘電正接及び静電
容量温度特性（ＴＣ値）は十分に低い。
以下本発明を、例えばコンデンサの製造に適用した場合
の実施例について具体的に説明する。
の実施例について具体的に説明する。
まず、本発明の半導体磁器物質の製造方法について説明
する。例えばチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）
に原子価制御用助剤として酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）又
は酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）のうち、１種又は２種
を０．１〜０．４モル％の範囲で添加し、さらに、焼結
用助剤としてシリカ（Ｓｉｎｇ）を０．１〜０．４−Ｅ
−／Ｌ／％、酸化マンガン（ＭｎＯｔ）を０．０５〜０
．２モル％、酸化銅（Ｃｕｂ）を０．０５〜０．２モル
％の各範囲で夫々添加し、十分に混合した後、直径１０
鶴、厚さ０．８ｍｍの円板状の素体に加圧成形する。こ
の後水素１〜１５％、窒素９９〜８５％からなる雰囲気
中で１４００〜１５４０℃の範囲で４〜１０時間焼成し
て半導体磁器を製造する。次に該半導体磁器の片面に拡
散物質（酸化ビスマス（Ｂｉｚ０３）と酸化銅（Ｃｕｂ
）を夫々モル比９：１で半導体磁器１つにつき１ｍｇ〜
５ｍｇの量を派別状にして塗布し、１０００〜１３５０
℃で１〜２時間加熱して拡散物質を熱拡散させる。最後
に、このようにして得られた半導体磁器物質の両面に銀
ペーストを印刷し、８００℃程度で焼付けて銀電極とし
、コンデンサを得る。
する。例えばチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）
に原子価制御用助剤として酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）又
は酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）のうち、１種又は２種
を０．１〜０．４モル％の範囲で添加し、さらに、焼結
用助剤としてシリカ（Ｓｉｎｇ）を０．１〜０．４−Ｅ
−／Ｌ／％、酸化マンガン（ＭｎＯｔ）を０．０５〜０
．２モル％、酸化銅（Ｃｕｂ）を０．０５〜０．２モル
％の各範囲で夫々添加し、十分に混合した後、直径１０
鶴、厚さ０．８ｍｍの円板状の素体に加圧成形する。こ
の後水素１〜１５％、窒素９９〜８５％からなる雰囲気
中で１４００〜１５４０℃の範囲で４〜１０時間焼成し
て半導体磁器を製造する。次に該半導体磁器の片面に拡
散物質（酸化ビスマス（Ｂｉｚ０３）と酸化銅（Ｃｕｂ
）を夫々モル比９：１で半導体磁器１つにつき１ｍｇ〜
５ｍｇの量を派別状にして塗布し、１０００〜１３５０
℃で１〜２時間加熱して拡散物質を熱拡散させる。最後
に、このようにして得られた半導体磁器物質の両面に銀
ペーストを印刷し、８００℃程度で焼付けて銀電極とし
、コンデンサを得る。
原子価制御剤として酸化ニオブ（Ｎｂ２０５）を用い、
焼結用助剤としてシリカ（ＳｉＯ２）、酸化マンガン（
ＭｎＯ□）及び酸化銅（Ｃｕｂ）を用いて種々の組成比
にて混合し、半導体磁器に塗布して得た半導体磁器物質
の電気的特性を下記第１表に示す。なお、表中の最右欄
に※印を付したものは、前記混合物の組成比が本発明の
条件に一致するものを示している。また表中の誘電率（
εａｐｐ）及び誘電正接（ｔａｎδ）は、周波数１ｋｌ
ｌｚ、電圧１■にて測定した値であり、また、静電容量
温度特性（ＴＣ値）は、２０℃で測定した静電容量を基
準値とし、−２５”Ｃ〜＋８５℃の温度範囲で測定した
静電容量の前記基準値に対する変化率のうち、代表とし
て一２５℃および＋８５℃での変化率を示している。
焼結用助剤としてシリカ（ＳｉＯ２）、酸化マンガン（
ＭｎＯ□）及び酸化銅（Ｃｕｂ）を用いて種々の組成比
にて混合し、半導体磁器に塗布して得た半導体磁器物質
の電気的特性を下記第１表に示す。なお、表中の最右欄
に※印を付したものは、前記混合物の組成比が本発明の
条件に一致するものを示している。また表中の誘電率（
εａｐｐ）及び誘電正接（ｔａｎδ）は、周波数１ｋｌ
ｌｚ、電圧１■にて測定した値であり、また、静電容量
温度特性（ＴＣ値）は、２０℃で測定した静電容量を基
準値とし、−２５”Ｃ〜＋８５℃の温度範囲で測定した
静電容量の前記基準値に対する変化率のうち、代表とし
て一２５℃および＋８５℃での変化率を示している。
一方、体積抵抗率（ρａｐｐ）はＤＣ２５Ｖ１分値によ
って求めた値である。
って求めた値である。
（以下余白）
第１表から、前記混合物の組成比が本発明の条件を満足
しているもの（図中※印）、即ち酸化ニオブ（ＮｂｚＯ
ｓ）が０．１〜０．４モル％、シリカ（ＳｉＯ□）が０
．１〜０．４モル％、酸化マンガン（ＭｎＯｇ）が０．
０５〜０．２モル％、酸化＆Ｍ（ＣｕＯ）が０．０５〜
０．２モル％の条件を満足しているものは、良好な電気
的特性が得られていることが分かる。
しているもの（図中※印）、即ち酸化ニオブ（ＮｂｚＯ
ｓ）が０．１〜０．４モル％、シリカ（ＳｉＯ□）が０
．１〜０．４モル％、酸化マンガン（ＭｎＯｇ）が０．
０５〜０．２モル％、酸化＆Ｍ（ＣｕＯ）が０．０５〜
０．２モル％の条件を満足しているものは、良好な電気
的特性が得られていることが分かる。
本発明例は従来例に比して誘電率が１．７〜２．９倍と
高くなり、静電容量温度特性（ＴＣ値）が±２％〜±５
％に抑えられる等電気的特性が著しく向上している。
高くなり、静電容量温度特性（ＴＣ値）が±２％〜±５
％に抑えられる等電気的特性が著しく向上している。
第１図は温度と静電容量変化率（％）との関係を示す図
であり、第１表中※印で示された本発明の条件を満足す
る組成比を有する混合物のうち静電容量温度特性（ＴＣ
値）が＋８５℃で０％を示した混合物、部ち酸化ニオブ
（ＮｂｚＯｓ）が０．４モル％、シリカ（Ｓｉ２０）が
０．４モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ２）が０．１モル
％、酸化ｍ（ｃｕｏ）が０．１モル％の構成をなすもの
について一２５℃〜＋８５℃の温度範囲で測定した静電
容量温度特性（ＴＣ値）を測定した結果を図中Ａにて示
し、また第１表中＊印で示された従来の組成比を有する
混合物、即ち酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）が０．４モル％
、酸化マンガン（ＭｎＯ２）が０．２モル％の構成をな
すものについて同様に一２５℃〜＋８５℃の温度範囲で
測定した静電容量温度特性（ＴＣ値）を測定した結果を
図中Ｂにて示している。
であり、第１表中※印で示された本発明の条件を満足す
る組成比を有する混合物のうち静電容量温度特性（ＴＣ
値）が＋８５℃で０％を示した混合物、部ち酸化ニオブ
（ＮｂｚＯｓ）が０．４モル％、シリカ（Ｓｉ２０）が
０．４モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ２）が０．１モル
％、酸化ｍ（ｃｕｏ）が０．１モル％の構成をなすもの
について一２５℃〜＋８５℃の温度範囲で測定した静電
容量温度特性（ＴＣ値）を測定した結果を図中Ａにて示
し、また第１表中＊印で示された従来の組成比を有する
混合物、即ち酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）が０．４モル％
、酸化マンガン（ＭｎＯ２）が０．２モル％の構成をな
すものについて同様に一２５℃〜＋８５℃の温度範囲で
測定した静電容量温度特性（ＴＣ値）を測定した結果を
図中Ｂにて示している。
図に示す如く、本発明品は従来品に比して温度変化に対
する静電容量の変化が殆どなく、著しく優れていると言
える。
する静電容量の変化が殆どなく、著しく優れていると言
える。
また上述した如き本発明の半導体磁器物質は、拡散物質
の塗布及び大気中焼成という簡単な製造プロセスで得る
ことができるという利点もある。
の塗布及び大気中焼成という簡単な製造プロセスで得る
ことができるという利点もある。
なお、上述の実施例においては、半導体磁器の片面に拡
散物質として酸化ビスマス（Ｂｉｚ（ｈ）と酸化銅（Ｃ
ｕｂ）との混合物を塗布することとしたが、該混合物に
替えて下記第２表に示す如き単体又は混合物を塗布して
も上述の実施例と同様、電気的特性が従来例に比して向
上する。
散物質として酸化ビスマス（Ｂｉｚ（ｈ）と酸化銅（Ｃ
ｕｂ）との混合物を塗布することとしたが、該混合物に
替えて下記第２表に示す如き単体又は混合物を塗布して
も上述の実施例と同様、電気的特性が従来例に比して向
上する。
（以下余白）
第２表
また上述の実施例では、前記半導体磁器物質の両面に銀
ペーストを印刷してこれを焼付け、銀電極としたが、そ
の他の公知の電極材料を用いてもよいことはいうまでも
ない。また半導体磁器製造時の焼成雰囲気は、上述の実
施例の如く水素１〜１５％、窒素９９〜８５％からなる
雰囲気に限定されるものではなく、試料が十分に半導体
化され得る雰囲気であれば他の雰囲気であっても差し支
えないのはいうまでもない。
ペーストを印刷してこれを焼付け、銀電極としたが、そ
の他の公知の電極材料を用いてもよいことはいうまでも
ない。また半導体磁器製造時の焼成雰囲気は、上述の実
施例の如く水素１〜１５％、窒素９９〜８５％からなる
雰囲気に限定されるものではなく、試料が十分に半導体
化され得る雰囲気であれば他の雰囲気であっても差し支
えないのはいうまでもない。
以上詳述した如く、本発明の半導体磁器物質では、酸化
ニオブ（Ｎｂ、ＯＳ又は、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２
）のうち、１種又は２種を０．１〜０．４モル％原子価
制御用助剤として添加し、更に、シリカ（ＳｉＯ２）を
０．１〜０．４モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ２）を０
．０５〜０．２モル％、酸化銅（Ｃｕｂ）を０．０５〜
０．２モル％、夫々焼結用助剤として添加するので、そ
の半導体磁器物質は、誘電率、誘電正接１体積抵抗率、
静電容量温度特性（ＴＣ値）等の電気的特性において良
好な結果を有することができ、コンデンサ、バリスター
、サーミスタ等への応用範囲は広い。
ニオブ（Ｎｂ、ＯＳ又は、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２
）のうち、１種又は２種を０．１〜０．４モル％原子価
制御用助剤として添加し、更に、シリカ（ＳｉＯ２）を
０．１〜０．４モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ２）を０
．０５〜０．２モル％、酸化銅（Ｃｕｂ）を０．０５〜
０．２モル％、夫々焼結用助剤として添加するので、そ
の半導体磁器物質は、誘電率、誘電正接１体積抵抗率、
静電容量温度特性（ＴＣ値）等の電気的特性において良
好な結果を有することができ、コンデンサ、バリスター
、サーミスタ等への応用範囲は広い。
第１図は２０℃での静電容量を基準とした各温度での静
電容量変化率と温度との関係を示す図である。
電容量変化率と温度との関係を示す図である。
Claims (2)
- １．主成分がチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３
）であり、残部が該チタン酸ストロンチウム （ＳｒＴｉＯ＿３）１００モルに対し、酸化ニオブ（Ｎ
ｂ＿２Ｏ＿５）、酸化イットリウム（Ｙ＿２Ｏ＿３）の
うち１種又は２種が０．１〜０．４モル、シリカ（Ｓｉ
Ｏ＿２）が０．１〜０．４モル、酸化マンガン（ＭｎＯ
＿２）が０．０５〜０．２モル、酸化銅（ＣｕＯ）が０
．０５〜０．２モルおよび不可避の不純物からなること
を特徴とする半導体磁器物質。 - ２．主成分がチタン酸ストロンチウム（ＳｒＨＯ＿３）
であり、残部が該チタン酸ストロンチウム （ＳｒＴｉＯ＿３）１００モルに対し、酸化ニオブ（Ｎ
ｂ＿２Ｏ＿５）、酸化イットリウム（Ｙ＿２Ｏ＿３）の
うち１種又は２種が０．１〜０．４モル、シリカ（Ｓｉ
Ｏ＿２）が０．１〜０．４モル、酸化マンガン（ＭｎＯ
＿２）が０．０５〜０．２モル、酸化銅（ＣｕＯ）が０
．０５〜０．２モルおよび不可避の不純物からなる磁器
の結晶粒界に、絶縁化のための組成物が拡散してなるこ
とを特徴とする半導体磁器物質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283488A JPH01187914A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体磁器物質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283488A JPH01187914A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体磁器物質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187914A true JPH01187914A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11816406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283488A Pending JPH01187914A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体磁器物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187914A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7990678B2 (en) | 2005-12-28 | 2011-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and multilayered-type semiconductor ceramic capacitor |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1283488A patent/JPH01187914A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7990678B2 (en) | 2005-12-28 | 2011-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and multilayered-type semiconductor ceramic capacitor |
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