JPH01188852A - 感光性化合物を用いたレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体素子等を製造するときに用いられるレジ
ストに係り、露光エネルギー源として例えば２４８．４
１ｍのすなわちＫｒＦエキシマレーザ、遠紫外光等を用
いてポジ型のパターンを形成する際のレジストに関する
。

従来の技術 近年、半導体デバイスの高密度集積化に伴い、微細加工
、中でもフォトリングラフィに用いる露光装置の使用波
長は益々短波長化し、今では、ＫｒＦ　ｘキシマレーザ
（２４８，４ｎｍ　）光が検討されるまでになってきて
いる。しかしながら、この波長に適した感光性材料は未
だ適当なものがなかった。

例えば現在広く知られているレジストで、ＫｒＦエキシ
マレーザ光に対してかなり感光性が高く、光透過率もよ
いと言われているＭＰ２４００（シブレイ社）を用いた
場合でも、現像後のパターン形状は非常に悪く、使用で
きそうにもない１、発明が解決しようとする課題 このようにパターン形状が悪い原因は、ＭＰ２４ｏＯレ
ジストの露光光に対する表面吸収が大きいことに起因し
ていると考えられる。

このことは、レジストに用いられているメインポリマー
（樹脂）自身が露光光に対して大きな吸収性を持ってい
るか、レジスト中の感光剤の光反応性が良くないためで
ある。即ち、従来のレジストに使用されているナフトキ
ノンジアゾ系の感光剤は、一般に２４８．４ｎｍ付近の
光に対して吸収が大きく、また露光後の透過率も殆どよ
くならない。例えば膜厚１．０７１ｍのＭＰ２４００で
は、　　１ＫｒＦ　ｘキシマレーザ（２４８，４ｎｍ）
を用いた露光前後の光透過小変化は第９図に示すように
２４Ｂ、４ｎｍにおいてわずか３係程度であり、反応性
の悪いことが理解される。

従って、２４８．４ｎｍのエキシマレーザ光に対してよ
り反応性の高い感光材料の出現が、言い換えれば、同レ
ーザ光に対してより光反応性の高い感光剤の出現が待ち
望まれている現状にある。

課題を解決するための手段 一３ｏ３Ｈ、−３ｏ３ＣＨ，を表しく但し、−５ｏ２ｃ
４はその第４級塩を含み、−３ｏ、Ｈはそのアンモニウ
ム塩、有機塩基の塩及び第４級塩を含む）、Ｙは夫々独
立で置換基を示す。ｎは夫々独立で整数を表す二１なる
感光基を少くとも１つ以上有する感光性化合物と樹脂よ
りなるレジストである。

作用 本発明に用いられる感光性化合物の内、Ｎ２０ ＩＩ　　ＩＩ　　ＩＩ −Ｃ−Ｃ−Ｃ−基は２４　ａ　ｎｍ付近に吸収ピークを
持ち、エキシマレーザ光等の遠紫外光（ｄｅｅｐ　ＵＶ
　）　　によりＣ−Ｃ結合が切断され、その吸収ピーク
が小さくなる。これがアルカリ水溶解することになる。

従って本発明のレジストは光照射部分のみがアルカリ可
溶性となり、結果としてポジ型のパターンが得られる。

ところが一般にレジストのメインポリマーはアルカリ可
溶性のノボラック樹脂などが主に用いられる。従って樹
脂のアルカリ可溶性を抑制できる事が望ましい。

本発明のレジストにおいて感光性化合物の末端Ｋ　−３
Ｏ２Ｇ６　、−８ＯｓＨ＋−８ＯｓＣＨ３等ノ官能基を
有するものは、樹脂のアルカリ可溶部である一結合等を
おこし、樹脂のアルカリ可溶性を抑えることができる。

特に分子内に上記官能基を２個以上有するものは、上記
エステル結合が１分子中２か所以上で発生し、架橋反応
が進行し分子量増大をもたらすため、樹脂の溶解性をさ
らに一層抑制させる事ができる。

なお本発明に用いられる感光性化合物において、−５ｏ
２Ｃ１、−３ｏ５Ｉ（、−８ｏ５ＣＨ，等の官能基はベ
ンゼン環、ナフタレン環のいずれの位置にあってもよく
、いずれの場合も感光剤としての効果に相違はない。

また良好なパターン形状を得るには、２４　Ｅ１４ｎｍ
における吸収強度がｄｅｅｐ　Ｕ　Ｖ　露光により大き
な差を生じる事が必要不可欠である。

本発明のレジストに用いる感光性化合物において、−Ｃ
Ｈ５，−ＣＨ２Ｃ）１３　　等の水素原子以外の置換基
をベンゼン環に付加したものや、これに代えてナフタレ
ン基を使用したものは、通常２５０ｎＸＩｌ付近にピー
クを持つベンゼン環の吸収を２０〜ｓｏｎｍ高波長側に
シフトさせ、結果として２４８．４ｎｌＨにおける透過
率を露光前後ともに６〜１６チ向上させた。

なお−〇Ｈ，、−０Ｈ２Ｃ３Ｈ，等の置換基は、ベンゼ
ン環中のいずれの位置でもよく、いずれの場合も透過率
が北昇する事を発明者らは確認している。

実施例 以下に実施例を用いて本発明を更に詳細に説明するが、
本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではな
い。

（実施例１） 下記の組成で試薬を調整し、パターン形成材料とした。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
ｏｙ 第１図を用いて本発明に係る感光性材料（パターン形成
材料）を用いたパターン形成方法を説明する。半導体等
の基板１上に上記組成で溶解されたパターン形成材′科
２を回転塗布し、１．０μｍのレジスト膜を得る（第１
図ａ）。なお、基板１上には酸化膜、絶縁膜、導電膜等
が形成されている場合が多い。次に２４８．４ｎｔ１１
のエキシマレーザ光３をマスク４を介して選択的にパル
ス露光を行う（第１図ｂ）。そして最後に通常のアルカ
リ現像液を用いて現像を行う事により、パターン形成材
料２の光露光部のみを溶解除去してレジストパターン２
ａを得た（第１図Ｃ）。なおこのときレジストパターン
２ａはアスペクト比が９０度の好形状で、第２図の感度
曲線に示す様、約６０ｍＪという少い露光漬でパターン
形成が可能で、膜減りも約１０係以下のサブミクロンパ
ターンであった。このパターン形成材料の露光前後の紫
外線分光曲線図を第３図に示すが、２４８，４ｎｍにお
ける露光前後の透過率はそれぞれ１０％と８５％となり
、その変化量は約７５係と大きなものであった。すなわ
ちこの感光材料及び本発明の感光性化合物がＫｒＦエキ
シマレーザ光に対して好反応性を示したことがわかる。

（実施例２） 下記の組成で試薬を調整し、パターン形成材料とした。

・・・・・　　１９ ノボラック位１月旨　　　　　　　　　　・−・・・・
　９ｇジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・
・・３０ｇ これを用いて実施例１と同様の実験を行った。

その結果レジストパターンは実施例１と同様の高アスペ
クト比のサブミクロンパターンであった。

第４図にその感度曲線を示すが、膜減り１０φ以内で感
度も約６０ｍＪと実施例１と同様の結果を得だ。また第
６図にこのパターン形成材料の露光前後の紫外線分光曲
線図を示すが、２４８．４ｎｌ１１における露光前後の
透過率変化も実施例１とほぼ同じ約７５係となった。

（実施例３） 下記の組成で試薬を調整し、パターン形成材料とした。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０．９ これを用いて実施例１〜２と同様の実験を行った。その
結果、実施例１．２と同様の高アスペクト比なサブミク
ロンパターンが得られた。第６図に感度曲線を示すが、
膜減りはまったく観察されず、実施例１．２より高い感
度（約４８＋１１Ｊ）が得られた。第７図にこのパター
ン形成材料の露光前後の紫外線分光曲線を示すが、２４
Ｂ、４ｎｍにおける露光前後の透過率変化は約８６％で
あった。

（実施例４） 下記の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１９ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９！
ｉジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・
３０ｇ これを用いて実施例１〜３と同様の実験を行った。その
結果は、実施例３と同様の良好なものが得られた。

（実施例６） 下記の組成で試薬を調整しパターン形成材料としだ。

・・・・・・　１９ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
ｏ９ これを用いて実施例１〜４と同様の実験を行った。その
結果は、実施例３〜４と同様の良好な結果が得られた。

（実施例６） 下記の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　　１ｇ ノボ２ツク樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９９
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜５と同様の実験を行った。その
結果は、実施例３〜６と同様の良好な結果が得られた。

（実施例７） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１１ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜６と同様の実験を行った。その
結果、実施例３〜６と同様の良好な結果が得られた。

（実施例８） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１１ ノボラ、７り樹脂　　　　　　　　　・町・・　９ｇジ
エチレンクｌ）　−ｔ−ルジメチルエーテル・・・・・
・３０．５１’ これを用いて実施例１〜７と同様の実験を行った。その
結果、実施例３〜７と同様の良好な結果が得られた。

（実施例９） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料と・・・・
・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
ｏｙ これを用いて実施例１〜８と同様の実験を行った。その
結果は実施例３〜８と同様の良好なものが得られた。

（実施例１０） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料としだ。

（以下余　白） ・・・・・・　　１　ｇ ノボラ・ツク樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９
ｇジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・
３０ｇ これを用いて実施例１〜９と同様の実験を行った。その
結果は実施例３〜９と同様の良好なものであった。

（実施例１１） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とノボラッ
ク樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇジエチレ
ングリコールジメチルエーテル・・・・・・３０！！ これを用いて実施例１〜１ｏと同様の実験を行った。そ
の結果は実施例３〜１０と同様の良好なものが得られた
。

（実施例１２） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ノボラ・ンク樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９
ｇジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・
３０９ これを用いて実施例１〜１１と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例３〜１１と同様の良好なものであった。

（実施例１３） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０，９ これを用いて実施例１〜１２と同様の実験を行った。そ
の結果高アスペクト比なサブミクロンパターンが得られ
た。第８図に感度曲線を示すが、膜べりはまったく観察
されず、非常に高い感度（約４０　ｒｎＪ／ｃｙＡ　　
）である事がわかる。第９図にこのパターン形成材料の
露光前後の紫外線分光曲線を示すが、２４８．４１ｍに
おける透過率変化量は約８５憾であった。

（実施例１４） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１１ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・−・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・ａ
ｏｇ これを用いて実施例１〜１３と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３と同様の良好なものが得られた。

（実施例１５） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０．９ これを用いて実施例１〜１４と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜１４と同様の良好なものであった
。

（実施例１６） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜１５と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜１６と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例１７） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料としだ。

・・・・・・　　１　ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜１６と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜１６と同様の良好なものであった
。

（実施例１８） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９Ｉ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜１７と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜１７と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例１９） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例／〜／＃と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例／Ｊ−／ｇと同様の良好なものであった
。

（実施例２０） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

Ａｒ。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９Ｉ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜１９と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜１９と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例２１） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ムｒ２ ・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０．９ これを用いて実施例１〜２ｏと同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２ｏと同様の良好なものであった
。

（実施例２２） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

Ａｒ２ ・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０．！９ これを用いて実施例１〜２１と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２１と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例２３） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料としだ、。

Ａｒ。

ムｒ。

・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜２２と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２２と同様の良好なものであった
。

（実施例２４） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ムｒ１ｈｒ２ ・・・・・・　　１１ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９Ｉ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜２３と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２３と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例２５） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜２４と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２４と同様の良好なものであった
。

（実施例２６） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした１、 ノポラ・ツク樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９
ｇジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・
ａｏｇ これを用いて実施例１〜２５と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２５と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例２７） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

Ａｒ ／Ｃ＼ Ｎ ・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテルこれを用いて実
施例１〜２６と同様の実験を行った。その結果は実施例
１３〜２６と同様の良好なものであった。

（実施例２８） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
ｏｙ これを用いて実施例１〜２７と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２７と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例２９） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

Ａｒ。

、ｃ＼ Ｎ ・・・・・・　１！１ ノボラ・ツク樹脂　　　　　　　　　・・・中９ｇジエ
チレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３ｏｙ これを用いて実施例１〜２８と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２８と同様の良好なものであった
。

（実施例３０） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ムｒ２ ■ Ａｒ　２Ａｒ　２ ・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレンクリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜２９と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜２９と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例３１） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ムｒ、ムｒ。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜３ｏと同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３ｏと同様の良好なものであった
。

（実施例３２） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

↑ｒ１ Ａｒ、　　ムｒ２ ・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜３１と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３１と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例３３） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

Ａｒ２　Ａｒ。

・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜３２と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３２と同様の良好なものであった
。

（実施例３４） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

物 ムｒ２　ムｒ２ ・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜３３と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３３と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例３６） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成−材料とした。

ムｒ、　　Ａｒ２ ・・・・・・　　１９ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０ｇ これを用いて実施例１〜３４と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３４と同様の良好なものであった
。

（実施例３６） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ムｒ２　ムｒ。

・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９！
ｊジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・
３０ｇ これを用いて実施例１〜３６と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３５と同様の良好なものが得られ
た。

（実施例３７） 以下の組成で試薬を調整しパターン形成材料とした。

ムｒ２　ムｒ２ ・・・・・・　　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル・・・・・・３
０．ｊ９ これを用いて実施例１〜３６と同様の実験を行った。そ
の結果は実施例１３〜３６と同様の良好なものであった
。

なお、パターン形成材料中の樹脂は感光材料の光表面吸
収の低減する為に、２４８．４　ｎ思などの遠紫外光に
対して透明性の高いものが必要とされる。実施例１〜１
９で用いたノボラック樹脂の他に、マレイミド系樹脂、
ヒドロキシスチレン樹脂、オルトフロロメタクレゾール
ノボラック樹脂などを用いても同様な結果が得られるが
、もちろんこれらに限定されるものではない。

溶媒についても同様の透明性が望まれ、本実施例では遠
紫外領域に吸収の少いジエチレングリコールジメチルエ
ーテルを用いたが、感光材料および樹脂が溶解可能なエ
チルセルンルブアセテート等も使用可能である。もちろ
ん溶媒に関しても、これらに限定されるものではない。

（実施例３日） 以下の組成からなるパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料（以下ＯＥＭと略）を調整した。

・・・・・・　１ｇ ノボラック樹脂　　　　　　　　　・・・・・・　９ｇ
エチルセルソルブアセテート　　　・・・・・・６０ｇ
このように調整されたＯＥＭはこれを膜としてパターン
形成有機薄膜としたとき、厚さ０．１２μｍで２４８．
４μｍのＫｒＦエキシマレーザ光での露光前後で２４８
．４ｎｍにおける透過率の差が５０係以上と非常に大き
くなり、入射光のコントラストを向上させる働きをする
事がわかった。

この本発明に係るＯＥＭを用いたレジストパターン形成
方法を第１０図を使って示す。

半導体等の基板１上にポジ型しジス）５（ＭＰ２４００
ニジプレイ社）を１．０μｍに回転塗布する（第１０図
ａ）。次にポジ型レジスト６上に水溶性有機薄膜６、例
えばプルランとポリビニルピロリドンの混合溶液を塗付
形成する（第１０図ｂ）。

このときう°ルランとポリビニルピロリドンの混合重量
比は４：１であり、膜厚はパターン形成に影響のない様
に０．１〜°ｏ、３μｍ程度とした。なおこの中間層で
ある水溶性有機薄膜は下層レジストと上層レジストが混
同しない様に設けているもので必ずしも必要ではない。

次に本発明のＣＦＣＭ７を厚さ約０．１２１１ｍに回転
塗付した（第１０図Ｃ）。

ここで下層レジストと中間層水溶性有機薄膜、水溶性有
機薄膜とＯＥＭ層は全く密着性良く積層できた。そして
２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光３でマスク４
を介してＯＥＭ層７を選択的にパルス露光した（第１０
図ｄ）。そして最後にアルカリ現像液によってＣＥＭ層
７および中間層有機薄膜６を同時に除去するとともに下
地レジスト６の光照射部のみを現像除去し、レジストパ
ターン５ａを得た（第１０図ｅ）。このときレジストパ
ターン６ａは高アスペクト比な０．３μｍのラインアン
ドスペーステアった。

発明の効果 本発明は、例えば２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレー
ザ光などに対して優れた反応性を有する新規なレジスト
を提供するものであり、例えばＫｒＦエキシマレーザ光
（２４８，４ｎｍ）などの遠紫外ＩＷ（ｄａａｐ　ｔｒ
ｙ　　）露光用レジストやＯＥＭ等に応用した場合には
サブミクロンオーダの形状良い微細パターンが容易に得
られるので、半導体産業における超微細パターンの形成
にとって価値穴なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光性化合物を含んでなるパターン形
成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図
、第４図、第６図、第８図は本発明の一実施例のパター
ン形成材料の感度曲線図、第３図、第５図、第７図、第
９図は本発明の一実施例のパターン形成材料の紫外線分
光曲線図、第１０図は従来のレジス）（ＭＰ２４００）
を用いたパターン形成方法の工程断面図、第１１図は従
来のレジスト（ＭＰ２４００　）の紫外線分光曲線図で
ある。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成用レジスト、３・・・・・・エキシマレーザ元、４
・・・・・・マスク、５・・・・・・ポジ型しジス）（
ＭＰ２４００）、６・・・・・・水溶性有機薄膜、７・
・・・・・パターン形成用コントラストエンハンスｌ−
ＭＩＮ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はが１名第１
図 １−Ｊｉ版 ？−ハ゛グーン形成丁ト１テ ３・・−ｒキソマし−ｆた ４−ｖｚり 第２図 葛　ｊｔ　　ｔ　　（ｒｎ、ｙ） 第３図 ジ（長　　（ｎｕｎ〕 第４図 蕗　た　ｔ　　＜ｒＪ） 第５ＷＡ う皮　灸　（ｎｒｎ　） 第６図 茎　　　ｔ　　　　ｔ　　　　＜ｒｎフ・ノ第７図 ５皮　灸　（７１ｆｆｌ） 第８図 傾く　　九　　ｔ　　　＜ｍ７） 第　９　図 速２　長　（ｎｒｎ） ５・−ぶｉノ４Ｌレジ又ト ３−−−二１シマＬ−７′九

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）分子内に▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｘは水素原子、−ＳＯ＿２Ｃｌ、−ＳＯ＿３Ｈ、−Ｓ
   Ｏ＿３ＣＨ＿３を表し（但し、−ＳＯ＿２Ｃｌはその第
   ４級塩を含み、−ＳＯ＿３Ｈはそのアンモニウム塩、有
   機塩基の塩及び第４級塩を含む）、Ｙは置換基、ｎは整
   数を表す〕よりなる感応基を少くとも１つ有してなる感
   光性化合物を用いたレジスト。
2. （２）分子内に▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｘは水素原子、−ＳＯ＿２Ｃｌ、−ＳＯ＿３Ｈ、−Ｓ
   Ｏ＿３ＣＨ＿３を表し（但し、−ＳＯ＿２Ｃｌはその第
   ４級塩を含み、−ＳＯ＿３Ｈはそのアンモニウム塩、有
   機塩基の塩及び第４級塩を含む）、ｎは整数を表す〕よ
   りなる感応基を少くとも１つ有してなる感光性化合物を
   用いたレジスト。
3. （３）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔Ｘ及びＸ′は夫々独立で水素原子、−ＳＯ＿２Ｃｌ−
   ＳＯ＿３Ｈ、−ＳＯ＿３ＣＨ＿３を表し（但し、−ＳＯ
   ＿２Ｃｌはその第４級塩を含み、−ＳＯ＿３Ｈはそのア
   ンモニウム塩、有機塩基の塩及び第４級塩を含む）、Ｙ
   及びＹ′は夫々独立に置換基を表し、ｍ及びｎは夫々独
   立で整数を表す〕で示される感光性化合物を用いたレジ
   スト。
4. （４）一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔Ｘ及びＸ′は夫々独立で水素原子、−ＳＯ＿２Ｃｌ、
   −ＳＯ＿３Ｈ、−ＳＯ＿３ＣＨ＿３を表し（但し、−Ｓ
   Ｏ＿２Ｃｌはその第４級塩を含み、−ＳＯ＿３Ｈはその
   アンモニウム塩、有機塩基の塩及び第４級塩を含む）、
   Ｙは置換基を表し、ｍ及びｎは夫々独立で整数を表す〕
   で示される感光性化合物を用いたレジスト。
5. （５）一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔Ｘ及びＸ′は夫々独立で水素原子、−ＳＯ＿２Ｃｌ、
   −ＳＯ＿３Ｈ、−ＳＯ＿３ＣＨ＿３を表し（但し、−Ｓ
   Ｏ＿２Ｃｌはその第４級塩を含み、−ＳＯ＿３Ｈはその
   アンモニウム塩、有機塩基の塩及び第４級塩を含む）、
   ｍ及びｎは夫々独立で整数を表す〕で示される感光性化
   合物を用いたレジスト。
6. （６）一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔Ａ及びＡ′及びＡ″は夫々独立で▲数式、化学式、表
   等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を表し、夫々
   のＸ及びＸ′ は独立で水素原子、−ＳＯ＿２Ｃｌ、−ＳＯ＿３Ｈ、−
   ＳＯ＿３ＣＨ＿３を表し（但し、−ＳＯ＿２Ｃｌはその
   第４級塩を含み、−ＳＯ＿３Ｈはそのアンモニウム塩、
   有機塩基の塩及び第４級塩を含む）、Ｙは置換基を表し
   、Ｚは有機基を表し、ｍ及びｍ′及びｍ′及びｎ及びｎ
   ′及びｎ″は夫々独立で整数を表す〕で示される感光性
   化合物を用いたレジスト。
7. （７）一般式（IV）において、Ｚが▲数式、化学式、表
   等があります▼又はベンゼン環又は置換基を含むベンゼ
   ン環又はナフタレン環又は▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ である特許請求の範囲第６項に記載の感光性化合物を用
   いたレジスト。