JPH01188856A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
- Publication number
- JPH01188856A JPH01188856A JP63013414A JP1341488A JPH01188856A JP H01188856 A JPH01188856 A JP H01188856A JP 63013414 A JP63013414 A JP 63013414A JP 1341488 A JP1341488 A JP 1341488A JP H01188856 A JPH01188856 A JP H01188856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- oxide film
- photolithography
- metal oxide
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品業界で一般に良く使用されているフ
ォトリソグラフィ法による微細な回路形成の製造工程に
おいて、回路形成後不用になった金属表面上のレジスト
の除去方法に関するものである。
ォトリソグラフィ法による微細な回路形成の製造工程に
おいて、回路形成後不用になった金属表面上のレジスト
の除去方法に関するものである。
従来の技術
一般に使用されているフォトリソグラフィ法による回路
形成工程の一例を第３図に示す。まずセラミックまたは
ガラスなどの基板１を洗浄２し、その上に回路素材とな
るクロム、銅、アルミニウムなどの被膜３を形成し、さ
らに洗浄４の後、この被膜上に回路部に対応したパター
ンを形成するため、レジスト塗布・プリベーク５、マス
ク合せ・露光６．＠像・ポス１−ベーク７、デイスカム
８、エツチング９の各処理を行い、最後に不用になった
レジスト除去１０を行う。その除去方法は、まずＯ，プ
ラズマアッシャ−で処理１１をする。この処理でレジス
トの有機物成分は除去可能であるが。
形成工程の一例を第３図に示す。まずセラミックまたは
ガラスなどの基板１を洗浄２し、その上に回路素材とな
るクロム、銅、アルミニウムなどの被膜３を形成し、さ
らに洗浄４の後、この被膜上に回路部に対応したパター
ンを形成するため、レジスト塗布・プリベーク５、マス
ク合せ・露光６．＠像・ポス１−ベーク７、デイスカム
８、エツチング９の各処理を行い、最後に不用になった
レジスト除去１０を行う。その除去方法は、まずＯ，プ
ラズマアッシャ−で処理１１をする。この処理でレジス
トの有機物成分は除去可能であるが。
レジスト中の微量な重金属などの不純物が残渣として残
る。このため、さらに発煙硝酸浸漬または硫酸と過酸化
水素水の混合液浸漬という処理１２が行われている。
る。このため、さらに発煙硝酸浸漬または硫酸と過酸化
水素水の混合液浸漬という処理１２が行われている。
発明が解決しようとする課題
上記工程の発煙硝酸浸漬または硫酸と過酸化水素水の混
合液浸漬処理１２においては、（１）発生するガスが強
劇物であり１作業性が悪い、（２）ガスの発生が著るし
く、液の劣化が早い、（３）使用薬品が強酸化剤であり
、金属表面にダメージを与える。といった問題がある。
合液浸漬処理１２においては、（１）発生するガスが強
劇物であり１作業性が悪い、（２）ガスの発生が著るし
く、液の劣化が早い、（３）使用薬品が強酸化剤であり
、金属表面にダメージを与える。といった問題がある。
本発明は上記の問題を解決するもので、０２プラズマア
ッシャ−後の処理方法を改善し１作業性を良クシ、液の
劣化が少なく、金属表面にダメージを与えることのない
レジスト除去方法を提供することを目的とするものであ
る。
ッシャ−後の処理方法を改善し１作業性を良クシ、液の
劣化が少なく、金属表面にダメージを与えることのない
レジスト除去方法を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために、本発明のレジスト除去方法
は、まずフォトリソグラフィ法による回路形成における
レジスト塗布前に金属表面に０２プラズマ処理などで酸
化膜を形成し、その後通常のフォトリソグラフィ法で回
路形成し、不用になったレジストを０□プラズマアッシ
ャ−で処理した後、金属酸化膜上に残った微量な不純物
を金属を侵さず金属酸化膜のみ溶解除去可能な液、たと
えばクエン酸系有機酸で金属酸化膜とともに除去するも
のである。
は、まずフォトリソグラフィ法による回路形成における
レジスト塗布前に金属表面に０２プラズマ処理などで酸
化膜を形成し、その後通常のフォトリソグラフィ法で回
路形成し、不用になったレジストを０□プラズマアッシ
ャ−で処理した後、金属酸化膜上に残った微量な不純物
を金属を侵さず金属酸化膜のみ溶解除去可能な液、たと
えばクエン酸系有機酸で金属酸化膜とともに除去するも
のである。
さらに、本発明は、フォトリソグラフィ法による回路形
成におけるレジスト塗布前に金属表面に酸化膜を形成し
、フォトリソグラフィ法で回路形成後に、不用になった
レジストを０２プラズマアッシャ−後、ｌ１３極電解洗
浄により金属酸化膜とともにレジスト残渣を除去するも
のである。
成におけるレジスト塗布前に金属表面に酸化膜を形成し
、フォトリソグラフィ法で回路形成後に、不用になった
レジストを０２プラズマアッシャ−後、ｌ１３極電解洗
浄により金属酸化膜とともにレジスト残渣を除去するも
のである。
作用
上記構成により、まずレジスト塗布前に金属表面に酸化
膜を形成し、その後にフォトリソグラフィ法で回路形成
するので、回路形成後不用になったレジストを除去する
のに使用する除去剤は強劇物でないため、作業性が良く
、ガスの発生も少なく、液組成は安定し、液の劣化も少
ない。また、金属表面にタメージを与えることもなくな
る。
膜を形成し、その後にフォトリソグラフィ法で回路形成
するので、回路形成後不用になったレジストを除去する
のに使用する除去剤は強劇物でないため、作業性が良く
、ガスの発生も少なく、液組成は安定し、液の劣化も少
ない。また、金属表面にタメージを与えることもなくな
る。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例のフォトリソグラフィ法によ
る回路形成工程を示す図である。まずセラミックまたは
ガラスなどの基板２１を洗浄２２シ、その上に回路素材
となるクロム、銅、アルミニウムなどの被膜２３を形成
し、洗浄２４の後、ｏ２プラズマ処理２５で酸化膜を形
成する。このときの条件は次の通りである。すなわち、
０２の流量：３００ｃｃ／ｍｉｎ、圧カニ １．０Ｔｏ
ｒｒ、周波数： １３．５６Ｍ１（ｚ、パワー： ３０
０Ｗ、基板温度＝３００℃１時間：５分で処理し、 １
００〜３００人の厚さの酸化膜を形成した。その後金属
酸化膜上に回路形成するため、通常のレジスト塗布前 現象・ボス１ヘベーク２８、デイスカム２９、エツチン
グ３０の各処理を行い、最後に不用になったレジスト除
去３１を行う。この除去方法はまずｏ２プラズマアッシ
ャ−で処理３２する。このときの条件は次の通りである
。すなわち、０２の流量： ３００ｃｃ ／ｗｉｎ、圧
カニ ０．３Ｔｏｒｒ、周波数： ２．４５ＧＨｚ、パ
ワｍ：１．５ｋＷ、基板温度：３００℃、時間＝２分で
処理し、レジスト中の有機成分を除去した。その後、金
属酸化膜上に残った有機成分以外の重金属などの不純物
をクエン酸を主成分とする有機酸液（商品名：シュシマ
２００ＫＡ、大阪佐々木化学製の２０％液）を６０〜９
０℃に加温し、絶えず循環濾過した液中に５〜１０分間
浸漬する処理３３を行い、金属酸化膜とともに金属酸化
膜上の不純物を除去した。このとき、処理後の金属表面
上を顕微鏡でｌｌｔ察した結果、金属面はエツチングさ
れていないことを確認した。
る回路形成工程を示す図である。まずセラミックまたは
ガラスなどの基板２１を洗浄２２シ、その上に回路素材
となるクロム、銅、アルミニウムなどの被膜２３を形成
し、洗浄２４の後、ｏ２プラズマ処理２５で酸化膜を形
成する。このときの条件は次の通りである。すなわち、
０２の流量：３００ｃｃ／ｍｉｎ、圧カニ １．０Ｔｏ
ｒｒ、周波数： １３．５６Ｍ１（ｚ、パワー： ３０
０Ｗ、基板温度＝３００℃１時間：５分で処理し、 １
００〜３００人の厚さの酸化膜を形成した。その後金属
酸化膜上に回路形成するため、通常のレジスト塗布前 現象・ボス１ヘベーク２８、デイスカム２９、エツチン
グ３０の各処理を行い、最後に不用になったレジスト除
去３１を行う。この除去方法はまずｏ２プラズマアッシ
ャ−で処理３２する。このときの条件は次の通りである
。すなわち、０２の流量： ３００ｃｃ ／ｗｉｎ、圧
カニ ０．３Ｔｏｒｒ、周波数： ２．４５ＧＨｚ、パ
ワｍ：１．５ｋＷ、基板温度：３００℃、時間＝２分で
処理し、レジスト中の有機成分を除去した。その後、金
属酸化膜上に残った有機成分以外の重金属などの不純物
をクエン酸を主成分とする有機酸液（商品名：シュシマ
２００ＫＡ、大阪佐々木化学製の２０％液）を６０〜９
０℃に加温し、絶えず循環濾過した液中に５〜１０分間
浸漬する処理３３を行い、金属酸化膜とともに金属酸化
膜上の不純物を除去した。このとき、処理後の金属表面
上を顕微鏡でｌｌｔ察した結果、金属面はエツチングさ
れていないことを確認した。
次に＋ ０２プラズマアッシャ−処理後の金属酸化膜上
に残った有機成分以外の重金属などの不純物を除去する
他の実施例を図面を参照して説明する。第２図は陰極電
解洗浄法を示す構成図である。
に残った有機成分以外の重金属などの不純物を除去する
他の実施例を図面を参照して説明する。第２図は陰極電
解洗浄法を示す構成図である。
電解槽４１の中に白金などの陽極４２と陰極として基板
４３を配置し、これらを基板４３の材質に適した電解液
４４の中に浸漬し、直流電圧を印加して洗浄する。電解
条件は次の通りである。クロムの場合は。
４３を配置し、これらを基板４３の材質に適した電解液
４４の中に浸漬し、直流電圧を印加して洗浄する。電解
条件は次の通りである。クロムの場合は。
電解液組成：苛性ソーダ１５ｇ／Ｑ、オルソケイ酸ソー
ダ５０ｇ／Ｑ、非イオン系界面活性剤０．３ｇ／Ｑ、温
度：５０℃、陰極電流密度： １０ Ａ ／ ｄｍ２、
時間：１分で、また、銅の場合は、電解液組成：炭酸ソ
ーダ２５ｇ／（１、第３リン酸ソーダ８ ｇ ／ Ｑ、
非イオン系界面活性剤０．５ ｇ ／ Ｑ、温度：５０
℃、陰極電流密度： ５ Ａ ／ ｄｍ”、時間２１分
で、また、アルミニウムの場合は、電解液組成：第３リ
ン酸ソーダ３０ｇ／Ｑ、非イオン系界面活性剤０．５ｇ
／Ｑ、温度＝５０°Ｃ１陰極電流密度：５Ａ／ｄｍ”、
時間：１分でそれぞれ処理し、金属酸化膜とともに金属
酸化膜上の不純物を除去した。このとき、電解液を全て
絶えず循環濾過し、処理後の金属表面上を顕微鏡でｗｎ
察した結果、金属面はエツチングされていないことを確
認した。
ダ５０ｇ／Ｑ、非イオン系界面活性剤０．３ｇ／Ｑ、温
度：５０℃、陰極電流密度： １０ Ａ ／ ｄｍ２、
時間：１分で、また、銅の場合は、電解液組成：炭酸ソ
ーダ２５ｇ／（１、第３リン酸ソーダ８ ｇ ／ Ｑ、
非イオン系界面活性剤０．５ ｇ ／ Ｑ、温度：５０
℃、陰極電流密度： ５ Ａ ／ ｄｍ”、時間２１分
で、また、アルミニウムの場合は、電解液組成：第３リ
ン酸ソーダ３０ｇ／Ｑ、非イオン系界面活性剤０．５ｇ
／Ｑ、温度＝５０°Ｃ１陰極電流密度：５Ａ／ｄｍ”、
時間：１分でそれぞれ処理し、金属酸化膜とともに金属
酸化膜上の不純物を除去した。このとき、電解液を全て
絶えず循環濾過し、処理後の金属表面上を顕微鏡でｗｎ
察した結果、金属面はエツチングされていないことを確
認した。
発明の効果
以上本発明によれば、使用するレジスト除去剤が強劇物
でないため１作業性が良く、ガスの発生も少なく、液組
成が安定し、液の劣化が少ない。
でないため１作業性が良く、ガスの発生も少なく、液組
成が安定し、液の劣化が少ない。
また、金属表面にダメージを与えないという効果がある
。
。
第１図は本発明の一実施例のフォトグラフィ法による回
路形成の工程図、第２図は本発明の他の実施例の陰極電
解洗浄によるレジスト除去を説明する模式図、第３図は
従来のフォトグラフィ法による回路形成の工程図である
。 ２１・・・基板、２３・・・被膜形成、２５・・・Ｏ□
プラズマ酸化処理、２６・・・レジスト塗布・プリベー
ク、３０・・・エツチング、３１・・・レジスト除去、
３２・・・０２プラズマアッシャ−１３３・・・金属酸
化膜除去、４１・・・電解槽。 ４２・・・陽極、４３・・・陰極（基板）、４４・・電
解液。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 ４１−・−電解槽 ４２・−陽極 ４３ 、、、豫持（去ＷＬ） ４−一一電ｊらＴ１シ友
路形成の工程図、第２図は本発明の他の実施例の陰極電
解洗浄によるレジスト除去を説明する模式図、第３図は
従来のフォトグラフィ法による回路形成の工程図である
。 ２１・・・基板、２３・・・被膜形成、２５・・・Ｏ□
プラズマ酸化処理、２６・・・レジスト塗布・プリベー
ク、３０・・・エツチング、３１・・・レジスト除去、
３２・・・０２プラズマアッシャ−１３３・・・金属酸
化膜除去、４１・・・電解槽。 ４２・・・陽極、４３・・・陰極（基板）、４４・・電
解液。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 ４１−・−電解槽 ４２・−陽極 ４３ 、、、豫持（去ＷＬ） ４−一一電ｊらＴ１シ友
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトリソグラフィ法による回路形成におけるレジ
スト塗布前に金属表面に酸化膜を形成し、フォトリソグ
ラフィ法で回路形成後に、不用になったレジストをＯ＿
２プラズマアッシャー後、金属を侵さず金属酸化膜のみ
溶解除去可能な液を用いて金属酸化膜とともにレジスト
残渣を除去するレジスト除去方法。 ２、フォトリソグラフィ法による回路形成におけるレジ
スト塗布前に金属表面に酸化膜を形成し、フォトリソグ
ラフィ法で回路形成後に、不用になったレジストをＯ＿
２プラズマアッシャー後、陰極電解洗浄により金属酸化
膜とともにレジスト残渣を除去するレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013414A JPH01188856A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013414A JPH01188856A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188856A true JPH01188856A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11832475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013414A Pending JPH01188856A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01188856A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376364B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device |
| JP2009177102A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の電極の製造方法 |
| CN111834216A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-10-27 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013414A patent/JPH01188856A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376364B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device |
| JP2009177102A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の電極の製造方法 |
| CN111834216A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-10-27 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法 |
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