JPH01189131A - ワイヤボンディング用リード細線 - Google Patents

ワイヤボンディング用リード細線

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JPH01189131A
JPH01189131A JP63011876A JP1187688A JPH01189131A JP H01189131 A JPH01189131 A JP H01189131A JP 63011876 A JP63011876 A JP 63011876A JP 1187688 A JP1187688 A JP 1187688A JP H01189131 A JPH01189131 A JP H01189131A
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thin
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aluminum
lead wire
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Tatsunori Watanabe
渡辺　辰紀
Takaaki Yokoyama
隆昭 横山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分−１１’− 本発明はリード細線、特に被接続電極に対しリード細線
を径方向に押圧して接続するワイヤボンティング用のり
−ド細腺に関する。
従来の技術 半導体装置等において、シリコンチップ等の半導体素子
上に形成された電極と外部リードとを電気的に接続する
のに、２００〜３５０μｍ程度の線径を有するアルミニ
ウム系リード細線を使用することは公知である。このリ
ード細線の端部は一般にウェッジボンデインク法にて被
接続電極及び外部リードに接続される。ウェッジボンデ
ィング法は、被接続電極に対してリード細線を径方向に
押圧して接続する方法であり、リードｙｍｍを被接続電
極に接続する方法はワイヤボンディングと呼ばれる。
次に、ウェッジボンディング法を第３図について説明す
る。第３図（Ａ）に示すように、シリコンカーバイド製
のウェッジ（１）に設けられた孔（１ａ）からリード細
ｍ（２）を繰り出す。次に第３図（Ｂ）に示すように、
第１の被接続電極となるシリコンチップ（４）のアルミ
ニウム電極（５）に対して加圧部（３）にて抑し潰ぶす
ようにリード細線（２）を押圧すると共に、アルミニウ
ム電極（５）の表面と平行な平面上で振動する超音波振
動をウェッジ（１）に加える。シリコンチップ（４ンは
予め支持板（６）上に半田（図示せす）を介し固着され
ている。加圧部（３）により、アルミニウム電極（５）
上にリード細線（２）か径方向に押圧され、第１のポン
チインク部（７）か形成される。次に第３図（Ｃ）に示
すように、ウェッジ（１）からリード細線（２）を繰り
出しなから、第２の被接続電極である一外部リード（８
）のボンデインクバッドへウェッジ（１）を°移動する
。続いて、第３図（Ｂ）と同様に第３図（Ｄ）に示すよ
うに、加圧部（３）にて外部リード（８）のボンデイン
クバッドに対して径方向にリード細線（２）を押圧して
第２のポンチインク部（９）を形成する。その後、ウェ
ッジ（１）を図中史に右側に移動し、図示しない切断用
の刃をリード細線（２）に押し付けることによりリード
細線（２）が切断される。
このため、第４図に拡大して示すように、第１のボンデ
インク部（７）は、リード細ｆｉ　（２）がアルミニウ
ム電極（５）に対して押し直ぶされた状態で接続されて
いる。拡大して図示しないが、第２のポンチインク部（
９）も同様の形状にて接続されている。ウェッジボンデ
インク法において、アルミニウム電極（５）とリード細
線（２）との間で十分な接続強度を得るためには、接続
部の厚さＱがリード細線（２）の線径の１／２程度に扁
平化されるまで押し潰す必要がある。
倉班ｊ解決しようとする課題 ところで、今日の電子機器の大電力化に伴って、大電流
に耐え得る半導体装置等の電子部品が要求され°Ｃおり
、電流容量の大きいリード細線の開発は今日の重要なａ
題となっている。
そこで、リード細線の性状は電子部品のＷＬ電流容量決
定する大きな要因となっており、リード細線の電流容量
を増大する単純な方法としてリード細線の線径を増すこ
とが考えられる。線径を増すことにより電気伝導性が向
上し電流容量を増大できるからである。しかし、リード
細、ＩＩ　（２）の線径を単に増大しても、シリコンチ
ップ（４）が破損する危険を招来する。即ち、リード細
線（２）の線径を増加して、アルミニウム電極（５）に
リード細線（２）を押圧すると、リード細線（２）の扁
平化のために大きな押圧力を必要とする。従って、シリ
コンチップ（４）のアルミニウム電極（５）上にワイヤ
ポンチインクを打うときは、ウェッジ（１）によりシリ
コンチップ（４）に大きな押圧力か加えられる。機械的
強度の小さいシリコンチップ（４）に大きな押圧力が加
えられると、シリコンチップ（４）にクラックや割れの
生じる危険がある。このようなシリコンチップ（４）の
破損を防止するため、従来ではリード細ＡＩＡ　（２）
として使用するアルミニウム細線の線径は３５０μｍ程
度が限界であった。
ウェッジ（１）の押圧力によるシリコンチップ（４）の
損傷を回避するため、電気伝導性の良い２本の金細線で
被接続電極に接続することができる。この方法では、各
金線の直径を小さくして、被接続電極への押圧力を軽減
することが可能である。しかし、２本のリード細線をワ
イヤボンディングするため１作業性が悪い上、被接続電
極の電極面積を大きくしなければならない難点がある。
即ち、大きい接続面積を必要とするボールボンデインク
のファーストボンデインク部が２個となるので、電極面
積を大きくしなければならない。このため、素子の小型
化設計が困難となる。金細線は、電流容量を増加できる
点では好ましいが、機械的強度が小さく破断し易い欠点
がある。又、太い金細線は高価であり、素子のコストア
ップを招来する。更に金細線をアルミニウム電極にワイ
ヤボンディングした場合、金とアルミニウムとの間に金
属間化合物が形成され易い。金とアルミニウムとの金属
間化合物が形成されると、被接続電極に対し金細線が電
気的に絶縁状態になる。このように、ワイヤボンディン
グの際のシリコンチップの破損を防止する問題は未解決
であり、この問題を解消できる現実的な手段は提案され
ていない。
そこで、本発明の目的は電流容量が大きく、かつ線径の
小さく、更に被接続電極と良好に接続できるワイヤボン
ディング用のリード細線を提供することにある。
ａ題を解決するための手段 本発明のワイヤボンディング用リード細線は、被接続電
極に対してリード細線を径方向に押圧して接続するワイ
ヤポンチインク法に使用されるワイヤポンチインク用リ
ード細線において、金属芯線と該金属芯線を被覆する金
属被覆層とを有し、前記金属芯線は金系金属、銅系金属
又は金系金属と銅系金属との合金から成り、前記金属被
覆層はアルミニウム系金属から成る。
作用 金系金属、銅系金属又は金系金属と銅系金属との合金か
ら成る金属芯線は金属被覆層より電気伝導性に優れてい
る。このため、金属芯線はリード細線の第１のＷＬ電流
径路なり、リード細線の電流容量の増大を可能にする作
用がある。又、金属被覆層はリード、ｌｌ１１腺の第２
の電流径路となり、金属芯線を保護する作用及び被接続
ｍｈに対する良好な接続を可能とする作用を併有する。
実施例 本発明の第１の実施例を第１図及び第２図について説明
する。本実施例１のリード細線（１１）はアルミクラツ
ド銅リード細線と呼ばれ、銅細線で形成された金属芯Ｉ
！１Ａ（１２）と、金属芯線（１２）を被覆するように
外周部にアルミニウムで形成された金属被覆層（１３）
とから成る８例えば、金属芯線（１２）の線径は約３０
μｍ、金属被覆層（１３）の層厚も金属芯線（１２）の
全周にわたりほぼ均一に約３０μｍとなっている。従っ
て。
リード細Ｍ（１１）の線径は約９０μｍである。
リード細線（１１）の通電時には、銅細線である金属芯
線（１２）はリード細線（１１）の第１のｖ！ｉ流径路
となる。銅細線は同一線径のアルミニウム細線より優れ
た電気伝導性を有する。金属芯線（１２）はリード細線
（１１）の電流容量の増大を可能にする。金属被覆層（
１３）はリード細線（１１）の第２の電流径路となる。
ｆＬ属被覆層（１３）は、金属芯Ｍ（１２）を保護する
作用及び後述のように被接続電極に対する良好な接続部
を形成する作用を併有する。
リード細線（１１）は種々の加工法１例えばクラッド法
、メツキ法により形成される。好適例の一つとして、本
実施例１では銅細線の外周部にアルミニウム細線を環状
に巻き付け、焼鈍して形成する方法を採用した。従来の
アルミニウムのみから成るリード細線と同様に、リード
細ｍ（１１）はウェッジボンデインク法により被接続電
極に接続される。本実施例１のリード細１（１１）は以
下のような効果を有する。
１　電気伝導性の優れた金属芯線（１２）が第１の電流
径路となるため、アルミニウムのみから成りかつ同一の
線径を有する従来のリード細線よりも電流容量を増大で
きる。換酉すれば、従来と同等の電流容量を有するリー
ド細線を従来より小さい線径のリード細線で実現できる
。
２ｍ電流容量大きくかつ強度も高いため、１本のリード
細線のみで大電流容量の用途に対応できる。このため、
ワイヤボンティングの作業性がよく、素子の小型化設計
上も有利である。また、機械的破断も生じない。
３　主として金属被覆層（１３）を構成するアルミニウ
ム系金属により、被接続電極に対する接続部が形成され
る。従って、従来のアルミニウムのみから成るリード細
線と同様に、アルミニラ１１、ニッケル等の種々の被接
続電極に対し良好にウェッジボンディングを打うことか
できる。
４　アルミニウムから成る柔軟性に富む金属被ａ層（１
３）が３０μｍ程度の十分な厚さで形成されるため、リ
ード細線を押し潰す押圧力は同一線径のアルミニウムの
みから成るリード細線とほぼ等しくできる。従って、押
圧力を増大することなく電流容量の大きいリード細線を
接続強度高くワイヤボンディングできる。又、曲げに対
する可撓性も大きいため、取扱い性も良好である。
５　金属被覆層（１３）が金属芯線（１２）を被覆する
ので、金属芯線（１２）を構成する銅細線の酸化を防止
できる。これにより、酸化に伴う被接続電極との接続不
良を防止して、接続部の機械的な破断及び電気的開放を
回避することができる。従って、従来、困難であった銅
系のリード細線を使用するワイヤボンディングの実用化
が可能となる。
次に本発明の第２の実施例であるアルミニウムクラッド
金細線について以下に説明する。本実施例２は実施例１
において金属芯線（１２）を構成する銅細線の代わりに
金細線を使用する。金細線の外周部に形成される金属被
覆層（１３）の材質及び層厚は実施例１と同様である。
なお、金属芯１！Ｉ（１２）としての金細線の線径は３
０μｍである。また、形成方法も実施例１と同様である
。
本実施例２のリード細線は金細線から成る金属芯線（１
２）がリード細線（１１）の第１の電気径路となる。金
細線は同径のアルミニウム細線より優れた電気伝導性を
有するので、金属芯線（１２）は実施例１と同様に電流
容量の増大を可能にする。金属被覆層（１３）はリード
細線（１１）の第２の電流径路となる。
本実施例２は実施例１における前述の効果（１）〜（４
）を有する。又、金属被覆層（１３）が金属芯線（１２
）である金細線を被覆するので、被接続電極との接続部
分は主としてアルミニウム系金属から成る金属被覆層（
１３）となる、従って、金−アルミニウム合金から成る
金属間化合物が接続部に発生することを防止することが
できる。このため、被接続電極とリード細線（１１）と
の間の機械的破断及び電気的開放事故を防ぐことができ
る。
ここで、金属芯線（１２）として実施例１のように銅細
線を使用した場合は、実施例２のように金細線を使用し
た場合よりも低コストでリード細線を製造できるメリッ
トがある。但し、柔軟性では金ｍｔｍの方が良好である
から、押圧力の軽減及び取扱性の点では実施例２の方が
優れる。実施例２はコストの点で劣るといっても、２本
の金細線を設ける従来の接続法より低コストとなる。又
、半導体素子の設計自由度、歩留まり等を考慮すると実
施例２のリード細線を使用する場合もコストメリットは
大きい。
変形例 前記実施例に示す金属芯線（２）の線径及び金属被ｍ層
（３）の層厚は設計上程々の変形が可能である。この場
合、従来のアルミニウムのみのリード細線よりも電流容
量を十分に増大できること及びリード細線の線径の小径
化を考慮すると、金属芯線（２）の線径は２０μｍ、望
ましくは３０μｍ以上とするのがよい。又、押圧力の軽
減を考慮すると金属被覆層（３）の層厚は３０μｍ、望
ましくは５０μｍ以上とするのがよい。一般に、リード
細線（１）の線径は３５０μｍ以下とするのが良い。
更に、金属芯線（２）は金系金属と銅系金属との合金で
もよく、金属被覆層（３）はアルミニウム系の合金層で
もよい。
発明の効果 本発明によれば、線径が小さくかつ電流容量が大きく、
更に被接続電極等と良好に接続でき、半導体装置等の使
用に望ましいリード細線を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるワイヤボンディング用す−ド細腺
を長さ方向に沿う断面で示す側面図、第２図は横断面図
、第３図はリード細線を接続するウェッジボンディング
法の一連の工程を示す説明図、第４図は第１のボンデイ
ンク部を拡大して示す断面図である。 （２）、、リード細線、　　（４）、、シリコンチップ
、　　（５）、、アルミニウム電極（第１の被接続電＠
Ａ）、　　（７）、、第１のボンデインク部、　　（８
）、、外部リード（第２の被接続ｗＬ極）、　　　（９
）、、第２のボンディング部、　　　（１１）０．リー
ド細線、　　（１２）、、金属芯線、（１３）、、金属
被覆層、 特許出願人　サンケン電気株式会社 第　１　因 第　２　区 ｗＩ　ａ　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　被接続電極に対してリード細線を径方向に押圧して接
    続するワイヤボンディング法に使用されるワイヤボンデ
    ィング用リード細線において、金属芯線と該金属芯線を
    被覆する金属被覆層とを有し、前記金属芯線は金系金属
    、銅系金属又は金系金属と銅系金属との合金から成り、
    前記金属被覆層はアルミニウム系金属から成ることを特
    徴とするワイヤボンディング用リード細線。
JP63011876A 1988-01-23 1988-01-23 ワイヤボンディング用リード細線 Pending JPH01189131A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63011876A JPH01189131A (ja) 1988-01-23 1988-01-23 ワイヤボンディング用リード細線

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JP63011876A JPH01189131A (ja) 1988-01-23 1988-01-23 ワイヤボンディング用リード細線

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020123678A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日立金属株式会社 ボンディングワイヤ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5547758B2 (ja) * 1974-01-12 1980-12-02

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5547758B2 (ja) * 1974-01-12 1980-12-02

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020123678A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日立金属株式会社 ボンディングワイヤ

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