JPH04155854A - 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム - Google Patents
半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレームInfo
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- JPH04155854A JPH04155854A JP2280925A JP28092590A JPH04155854A JP H04155854 A JPH04155854 A JP H04155854A JP 2280925 A JP2280925 A JP 2280925A JP 28092590 A JP28092590 A JP 28092590A JP H04155854 A JPH04155854 A JP H04155854A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置技術に関し、特に、ワイ
ヤボンディング方式の半導体集積回路装置に適用して有
効な技術に関するものである。
ヤボンディング方式の半導体集積回路装置に適用して有
効な技術に関するものである。
ワイヤボンディング方式は、半導体チップのボンディン
グパッドと、パッケージまたはリードフレームの外部引
出用端子とを金（Ａｕ）またはアルミニウム（ＡＩ）等
からなるホンディングワイヤによって電気的に接続し、
半導体チップに形成された半導体集積回路素子の電極を
外部に引き出す技術である。
グパッドと、パッケージまたはリードフレームの外部引
出用端子とを金（Ａｕ）またはアルミニウム（ＡＩ）等
からなるホンディングワイヤによって電気的に接続し、
半導体チップに形成された半導体集積回路素子の電極を
外部に引き出す技術である。
ワイヤボンディング方式については、例えば総研出版■
、１９８５年６月１日発行、「超ＬＳＩテクノロジーＪ
Ｐ５９４〜Ｐ５９７に記載があり、この文献には、ボー
ル・ウェッジボンディング技術について説明されている
。ボール・ウェッジボンディングは、半導体チップのボ
ンディングパッドにはボールボンディングを行い、パッ
ケージまたはリードフレームの外部引出用端子にはウェ
ッジボンディングを行う技術である。ボールボンデイン
クは、ボンディングワ・イヤの先端に水素トーチまたは
電気トーチ等によりポールを形成した後、そのボールを
被接合物に押し付けてボンディングワイヤと被接合物と
を接合する技術である。また、ウェッジホンディングは
、超音波振動を伝達するウェッジツールの先端でボンデ
ィングワイヤを被接合面に押し付けて、超音波振動と荷
重とによりボンディングワイヤと被接合物とを接合する
技術である。通常は、半導体チップのボンディングパッ
ド側を第一ボンド、パッケージまたはリードフレームの
外部引出用端子側を第二ボンドとしている。
、１９８５年６月１日発行、「超ＬＳＩテクノロジーＪ
Ｐ５９４〜Ｐ５９７に記載があり、この文献には、ボー
ル・ウェッジボンディング技術について説明されている
。ボール・ウェッジボンディングは、半導体チップのボ
ンディングパッドにはボールボンディングを行い、パッ
ケージまたはリードフレームの外部引出用端子にはウェ
ッジボンディングを行う技術である。ボールボンデイン
クは、ボンディングワ・イヤの先端に水素トーチまたは
電気トーチ等によりポールを形成した後、そのボールを
被接合物に押し付けてボンディングワイヤと被接合物と
を接合する技術である。また、ウェッジホンディングは
、超音波振動を伝達するウェッジツールの先端でボンデ
ィングワイヤを被接合面に押し付けて、超音波振動と荷
重とによりボンディングワイヤと被接合物とを接合する
技術である。通常は、半導体チップのボンディングパッ
ド側を第一ボンド、パッケージまたはリードフレームの
外部引出用端子側を第二ボンドとしている。
ところか、上記従来のワイヤボンディング技術において
は、以下の問題があることを本発明者は見出した。
は、以下の問題があることを本発明者は見出した。
すなわち、従来は、ボンディングワイヤと外部引出用端
子との接合強度が、ボンディングワイヤとボンディング
パットとの接合強度よりも弱い点について充分な配慮か
なされておらず、ホンディングワイヤと外部引出用端子
との接合強度不足に起因して半導体集積回路装置の信頼
性か低下する問題かあった。
子との接合強度が、ボンディングワイヤとボンディング
パットとの接合強度よりも弱い点について充分な配慮か
なされておらず、ホンディングワイヤと外部引出用端子
との接合強度不足に起因して半導体集積回路装置の信頼
性か低下する問題かあった。
特に、ボンディングワイヤの表面に絶縁体を被覆した被
覆ワイヤにおいては、ボンディング中に熱分解された被
覆絶縁体の成分がボンディングワイヤの接合面側に巻き
込まれる現象を避けることかできず、ボンディングワイ
ヤと外部引出用端子との接合強度か不足し、半導体集積
回路装置の信頼性か低下する問題かあった。
覆ワイヤにおいては、ボンディング中に熱分解された被
覆絶縁体の成分がボンディングワイヤの接合面側に巻き
込まれる現象を避けることかできず、ボンディングワイ
ヤと外部引出用端子との接合強度か不足し、半導体集積
回路装置の信頼性か低下する問題かあった。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、ボンディングワイヤと外部引出用端子との接合
強度を向上させ、半導体集積回路装置の信頼性を向上さ
せることのできる技術を提供することにある。
目的は、ボンディングワイヤと外部引出用端子との接合
強度を向上させ、半導体集積回路装置の信頼性を向上さ
せることのできる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、被覆ワイヤと外部引出用端子との
接合強度を向上させ、被覆ワイヤを有する半導体集積回
路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供す
ることにある。
接合強度を向上させ、被覆ワイヤを有する半導体集積回
路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、請求項１記載の発明は、半導体チップに形成
されたボンディングパッドと、外部引出用端子とがボン
ディングワイヤによって電気的に接続されてなる半導体
集積回路装置であって、前記外部引出用端子のワイヤ接
合面に溝を設けた半導体集積回路装置構造とするもので
ある。
されたボンディングパッドと、外部引出用端子とがボン
ディングワイヤによって電気的に接続されてなる半導体
集積回路装置であって、前記外部引出用端子のワイヤ接
合面に溝を設けた半導体集積回路装置構造とするもので
ある。
上記した請求項１記載の発明によれば、外部引出用端子
におけるワイヤ接合面の実効接合面積か溝により増大す
るので、ボンディングワイヤと外部引出用端子との接合
強度を向上させることができる。
におけるワイヤ接合面の実効接合面積か溝により増大す
るので、ボンディングワイヤと外部引出用端子との接合
強度を向上させることができる。
また、ボンディングワイヤと外部引出用端子とをウェッ
ジボンディングにより接合する場合、例えば外部引出用
端子の溝を超音波振動方向に直交またはそれに近い方向
に延在させることにより、該ウェッジボンディングに際
し、ボンディングワイヤの接合面に被着した異物や残留
被覆材等が溝により機械的に研削されるので、ボンディ
ングワイヤの活性面で接合かでき、ボンディングワイヤ
と外部引出用端子との接合強度を向上させることかでき
る。
ジボンディングにより接合する場合、例えば外部引出用
端子の溝を超音波振動方向に直交またはそれに近い方向
に延在させることにより、該ウェッジボンディングに際
し、ボンディングワイヤの接合面に被着した異物や残留
被覆材等が溝により機械的に研削されるので、ボンディ
ングワイヤの活性面で接合かでき、ボンディングワイヤ
と外部引出用端子との接合強度を向上させることかでき
る。
第１図は本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部断面図、第２図は第１図に示した半導体集積回路装
置を構成するインナーリードの要部拡大断面図、第３図
は第２図に示したインナーリード先端の要部拡大平面図
、第４図はインナーリードに形成された溝の断面形状例
を示すインナーリードの要部拡大断面図、第５図はイン
ナーリードに形成された溝の平面形状例を示すインナー
リードの要部拡大平面図である。
要部断面図、第２図は第１図に示した半導体集積回路装
置を構成するインナーリードの要部拡大断面図、第３図
は第２図に示したインナーリード先端の要部拡大平面図
、第４図はインナーリードに形成された溝の断面形状例
を示すインナーリードの要部拡大断面図、第５図はイン
ナーリードに形成された溝の平面形状例を示すインナー
リードの要部拡大平面図である。
本実施例の半導体集積回路装置は、被覆ワイヤボンディ
ング方式の半導体集積回路装置である。
ング方式の半導体集積回路装置である。
第１図に示すように、リードフレームｌのダイパッドｌ
ａ上には、半導体チップ２がチップ接合部３により接合
されている。リードフレームｌは４２アロイ等からなり
、チップ接合部３は銀（Ａｇ）入すエボキシ樹脂等から
なる。
ａ上には、半導体チップ２がチップ接合部３により接合
されている。リードフレームｌは４２アロイ等からなり
、チップ接合部３は銀（Ａｇ）入すエボキシ樹脂等から
なる。
半導体チップ２は、例えば単結晶シリコン（Ｓｉ）から
なり、その主面側には論理回路あるいは半導体メモリ等
を構成するための所定の半導体集積回路素子か形成され
ている。
なり、その主面側には論理回路あるいは半導体メモリ等
を構成するための所定の半導体集積回路素子か形成され
ている。
また、半導体チップ２の主面上には、半導体集積回路素
子の電極を引き出すためのボンディングパッド４が形成
されている。ボンディングパッド４は、例えばＡｌ−３
ｉ合金またはＡＡ’−３ｉ−Ｃｕ合金からなり、半導体
チップ２の外周辺に沿って複数配置されている。
子の電極を引き出すためのボンディングパッド４が形成
されている。ボンディングパッド４は、例えばＡｌ−３
ｉ合金またはＡＡ’−３ｉ−Ｃｕ合金からなり、半導体
チップ２の外周辺に沿って複数配置されている。
ボンディングパッド４には、ボンディングワイヤ５の一
端が、第一ボンディングであるボールボンディング部５
ａによって接合されている。また、ボンディングワイヤ
５の他端は、第二ボンディングであるウェッジボンディ
ング部５ｂによってリードフレームｌのインナーリード
（外部引出用端子）ｌｂに接合されている。すなわち、
本実施例の半導体集積回路装置は、ホンディングパッド
４とインナーリート１ｂとかホンディングワイヤ５によ
って電気的に接続された構造となってる。
端が、第一ボンディングであるボールボンディング部５
ａによって接合されている。また、ボンディングワイヤ
５の他端は、第二ボンディングであるウェッジボンディ
ング部５ｂによってリードフレームｌのインナーリード
（外部引出用端子）ｌｂに接合されている。すなわち、
本実施例の半導体集積回路装置は、ホンディングパッド
４とインナーリート１ｂとかホンディングワイヤ５によ
って電気的に接続された構造となってる。
ポールボンディング部５ａは、例えば水素トーチまたは
電気トーチによりボンディングワイヤ５の一端にボール
を形成した後、そのボールをホンディングパッド４に押
し付けてボンディングワイヤ５とボンディングパッド４
とを接合して形成された部分である。
電気トーチによりボンディングワイヤ５の一端にボール
を形成した後、そのボールをホンディングパッド４に押
し付けてボンディングワイヤ５とボンディングパッド４
とを接合して形成された部分である。
また、ウェッジボンディング部５ｂは、例えば超音波振
動エネルギーおよび熱エネルギーによりボンディングワ
イヤ５とボンディングパッド４とを接合して形成された
部分である。ウェッジボンディング部５ｂの長さしは、
例えば８０μｍ程度、幅は、例えば７０μｍ程度である
。
動エネルギーおよび熱エネルギーによりボンディングワ
イヤ５とボンディングパッド４とを接合して形成された
部分である。ウェッジボンディング部５ｂの長さしは、
例えば８０μｍ程度、幅は、例えば７０μｍ程度である
。
ボンディングワイヤ５は、ＡｕあるいはＡＩ等からなり
、その表面にはポリウレタン樹脂あるいはポリイミド樹
脂等からなる絶縁体６が被覆されている。なお、ボンデ
ィングワイヤ５の直径は、例えば３０μｍ程度である。
、その表面にはポリウレタン樹脂あるいはポリイミド樹
脂等からなる絶縁体６が被覆されている。なお、ボンデ
ィングワイヤ５の直径は、例えば３０μｍ程度である。
また、インナーリードｌｂの幅は、例えば９０μｍ程度
、厚さは、例えば１５０μｍ程度である。
、厚さは、例えば１５０μｍ程度である。
ところで、本実施例の半導体集積回路装置においては、
インナーリードｌｂのワイヤ接合面に複数の溝７が設け
られている。すなわち、本実施例においては、インナー
リード１ｂのワイヤ接合面に溝７を設けたことにより、
該ワイヤ接合面の実効接合面積を増大させることができ
るので、ボンディングワイヤ５とインナーリード１ｂと
をウェッジボンディングにより接合した際、ボンディン
グワイヤ５とインナーリードｌｂとの接合強度を向上さ
せることができるようになっている。
インナーリードｌｂのワイヤ接合面に複数の溝７が設け
られている。すなわち、本実施例においては、インナー
リード１ｂのワイヤ接合面に溝７を設けたことにより、
該ワイヤ接合面の実効接合面積を増大させることができ
るので、ボンディングワイヤ５とインナーリード１ｂと
をウェッジボンディングにより接合した際、ボンディン
グワイヤ５とインナーリードｌｂとの接合強度を向上さ
せることができるようになっている。
溝７の断面形状、平面形状をそれぞれ第２図、第３図に
示す。第２図に示すように、溝７は、例えば断面Ｖ字状
に形成されている。溝７の幅は、例えば５μｍ程度であ
り、深さは、例えば５μｍ以下である。ただし、溝７の
断面形状は、７字状に限定されるものではなく種々変更
可能であり、例えば第４図に示すように、Ｕ字状として
も良い。
示す。第２図に示すように、溝７は、例えば断面Ｖ字状
に形成されている。溝７の幅は、例えば５μｍ程度であ
り、深さは、例えば５μｍ以下である。ただし、溝７の
断面形状は、７字状に限定されるものではなく種々変更
可能であり、例えば第４図に示すように、Ｕ字状として
も良い。
また、本実施例において溝７は、ウェッジボンディング
の際の超音波振動方向と直交またはそれに近い方向に延
在するように設けられている。すなわち、本実施例にお
いては、溝７を超音波振動方向と直交またはそれに近い
方向に延在させたことにより、ウェッジボンディングに
際してホンディングワイヤ５の接合面に被着した異物や
残留被覆材等が溝７によって機械的に研削されるように
なっている。本実施例において溝７の平面形状は、第３
図に示すように、例えばストライプ状に形成されている
。ところで、ワイヤ接合面において溝７の占有面積比率
が多過ぎるとかえって接合強度が低くなる。そこで、−
概には規定できないか、ワイヤ接合面に対する溝７の占
有面積比率は、例えば５０％程度以下、すなわち、平坦
領域８の占有面積比率が少なくとも５０％程度以上とす
ることが望ましい。また、溝７の平面形状は、ストライ
ブ状に限定されるものではなく種々変更可能であり、例
えば第５図に示すように、メツシュ状としても良い。
の際の超音波振動方向と直交またはそれに近い方向に延
在するように設けられている。すなわち、本実施例にお
いては、溝７を超音波振動方向と直交またはそれに近い
方向に延在させたことにより、ウェッジボンディングに
際してホンディングワイヤ５の接合面に被着した異物や
残留被覆材等が溝７によって機械的に研削されるように
なっている。本実施例において溝７の平面形状は、第３
図に示すように、例えばストライプ状に形成されている
。ところで、ワイヤ接合面において溝７の占有面積比率
が多過ぎるとかえって接合強度が低くなる。そこで、−
概には規定できないか、ワイヤ接合面に対する溝７の占
有面積比率は、例えば５０％程度以下、すなわち、平坦
領域８の占有面積比率が少なくとも５０％程度以上とす
ることが望ましい。また、溝７の平面形状は、ストライ
ブ状に限定されるものではなく種々変更可能であり、例
えば第５図に示すように、メツシュ状としても良い。
溝７は、半導体チップ２かダイパッド上ａ上に接合され
る前に、例えばレーザ加工法、電子ビーム加工法、エツ
チング加工法あるいはコイニング法等により形成すれば
良い。
る前に、例えばレーザ加工法、電子ビーム加工法、エツ
チング加工法あるいはコイニング法等により形成すれば
良い。
このように本実施例によれば、以下の効果を得ることか
可能となる。
可能となる。
（１）、インナーリートｌｂのワイヤ接合面に溝７を設
けたことにより、該ワイヤ接合面の実効接合面積を増大
させることかできるので、ボンディングワイヤ５とイン
ナーリード１ｂとの接合強度を向上させることか可能と
なる。
けたことにより、該ワイヤ接合面の実効接合面積を増大
させることかできるので、ボンディングワイヤ５とイン
ナーリード１ｂとの接合強度を向上させることか可能と
なる。
（２）、溝７の延在方向を超音波振動方向と直交または
それに近い方向としたことにより、ボンディングワイヤ
５とインナーリードｌｂとをウェッジボンディングによ
り接合する際、ボンディングワイヤ５の接合面に被着し
た異物や残留被覆材等が溝７によって機械的に研削され
、ボンディングワイヤ５の活性面をインナーリード１ｂ
のワイヤ接合面に接合することかてきるので、ボンディ
ングワイヤ５とインナーリードＩｂとの接合強度を向上
させることか可能となる。
それに近い方向としたことにより、ボンディングワイヤ
５とインナーリードｌｂとをウェッジボンディングによ
り接合する際、ボンディングワイヤ５の接合面に被着し
た異物や残留被覆材等が溝７によって機械的に研削され
、ボンディングワイヤ５の活性面をインナーリード１ｂ
のワイヤ接合面に接合することかてきるので、ボンディ
ングワイヤ５とインナーリードＩｂとの接合強度を向上
させることか可能となる。
（３）、上記（１）、 （２＋により、被覆ワイヤボン
ディング方式の半導体集積回路装置における歩留りおよ
び信頼性を大幅に向上させることか可能となる。
ディング方式の半導体集積回路装置における歩留りおよ
び信頼性を大幅に向上させることか可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば前記実施例においては、半導体チップをリードフ
レームのダイパッド上に実装する半導体集積回路装置に
本発明を適用した場合について説明したか、これに限定
されるものではなく、例えば半導体チップをパッケージ
基板や配線基板のダイパッド上に実装する半導体集積回
路装置に本発明を適用しても良い。この場合、パッケー
ジ基板や配線基板等に設けられた外部引出用端子のワイ
ヤ接合面に溝を設ける。
レームのダイパッド上に実装する半導体集積回路装置に
本発明を適用した場合について説明したか、これに限定
されるものではなく、例えば半導体チップをパッケージ
基板や配線基板のダイパッド上に実装する半導体集積回
路装置に本発明を適用しても良い。この場合、パッケー
ジ基板や配線基板等に設けられた外部引出用端子のワイ
ヤ接合面に溝を設ける。
また、前記実施例においては、ボンディングワイヤとボ
ンディングパッドとをポールボンディングにより接合し
た場合について説明したか、これに限定されるものでは
なく、例えばボンディングワイヤとホンディングパッド
とをウェッジボンディングにより接合しても良い。
ンディングパッドとをポールボンディングにより接合し
た場合について説明したか、これに限定されるものでは
なく、例えばボンディングワイヤとホンディングパッド
とをウェッジボンディングにより接合しても良い。
また、前記実施例においては、ボンディングワイヤを被
覆ワイヤとしたが、これに限定されるものではなく、通
常のボンディングワイヤでも良い。
覆ワイヤとしたが、これに限定されるものではなく、通
常のボンディングワイヤでも良い。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、請求項１記載の発明によれば、外部引出用端
子のワイヤ接合面の実効接合面積が溝により増大し、ボ
ンディングワイヤと外部引出用端子との接合強度を向上
させることができるので、半導体集積回路装置の信頼性
を向上させることが可能となる。
子のワイヤ接合面の実効接合面積が溝により増大し、ボ
ンディングワイヤと外部引出用端子との接合強度を向上
させることができるので、半導体集積回路装置の信頼性
を向上させることが可能となる。
また、ボンディングワイヤと外部引出用端子とをウェッ
ジボンディングにより接合する場合、例えば外部引出用
端子の溝を超音波振動方向に直交またはそれに近い方向
に延在させることにより、該ウェッジボンディングに際
し、ボンディングワイヤの接合面に被着した異物や残留
被覆材等が溝により機械的に研削され、ボンディングワ
イヤの活性面で接合ができるので、ボンディングワイヤ
と外部引出用端子との接合強度を向上させることができ
、被覆ワイヤを育する半導体集積回路装置の信頼性を向
上させることが可能となる。
ジボンディングにより接合する場合、例えば外部引出用
端子の溝を超音波振動方向に直交またはそれに近い方向
に延在させることにより、該ウェッジボンディングに際
し、ボンディングワイヤの接合面に被着した異物や残留
被覆材等が溝により機械的に研削され、ボンディングワ
イヤの活性面で接合ができるので、ボンディングワイヤ
と外部引出用端子との接合強度を向上させることができ
、被覆ワイヤを育する半導体集積回路装置の信頼性を向
上させることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部断面図、 第２図は第１図に示した半導体集積回路装置を構成する
インナーリードの要部拡大断面図、第３図は第２図に示
したインナーリード先端の要部拡大平面図、 第４図は本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
を構成するインナーリードの要部拡大断面図、 第５図は本発明の他の実施例である半導体装置回路装置
を構成するインナーリードの要部拡大平面図である。 １・・・リードフレーム、ｌａ・・・ダイパ・ンド、１
ｂ・・・インナーリード（外部引出用端子）、２・・・
半導体チップ、３・・・チップ接合部、４・・・ボンデ
ィングパッド、５・・・ポンディングワイヤ、５ａ・・
・ポールポンディング部、５ｂ・・・ウェッジポンディ
ング部、６・・・絶縁体、７・・・溝、８・・・平坦領
域、Ｌ・・・長さ。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第２図 第３図
要部断面図、 第２図は第１図に示した半導体集積回路装置を構成する
インナーリードの要部拡大断面図、第３図は第２図に示
したインナーリード先端の要部拡大平面図、 第４図は本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
を構成するインナーリードの要部拡大断面図、 第５図は本発明の他の実施例である半導体装置回路装置
を構成するインナーリードの要部拡大平面図である。 １・・・リードフレーム、ｌａ・・・ダイパ・ンド、１
ｂ・・・インナーリード（外部引出用端子）、２・・・
半導体チップ、３・・・チップ接合部、４・・・ボンデ
ィングパッド、５・・・ポンディングワイヤ、５ａ・・
・ポールポンディング部、５ｂ・・・ウェッジポンディ
ング部、６・・・絶縁体、７・・・溝、８・・・平坦領
域、Ｌ・・・長さ。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップに形成されたボンディングパッドと、
外部引出用端子とがボンディングワイヤによって電気的
に接続されてなる半導体集積回路装置であって、前記外
部引出用端子のワイヤ接合面に溝を設けたことを特徴と
する半導体集積回路装置。 ２、前記ボンディングワイヤはその表面に絶縁体が被覆
された被覆ワイヤであることを特徴とする請求項１記載
の半導体集積回路装置。 ３、前記外部引出用端子であるインナーリードのワイヤ
接合面に溝を設けたことを特徴とする請求項１または２
記載の半導体集積回路装置に用いるリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280925A JPH04155854A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280925A JPH04155854A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155854A true JPH04155854A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17631847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2280925A Pending JPH04155854A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155854A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999000826A3 (en) * | 1997-06-27 | 1999-05-27 | Matsushita Electronics Corp | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| KR100246352B1 (ko) * | 1997-06-14 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체의 와이어 본딩구조 |
| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP2006351846A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015026857A (ja) * | 2009-09-11 | 2015-02-05 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN110729207A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-24 | 闳康技术检测(上海)有限公司 | 一种封装打线的键合方法 |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP2280925A patent/JPH04155854A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246352B1 (ko) * | 1997-06-14 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체의 와이어 본딩구조 |
| WO1999000826A3 (en) * | 1997-06-27 | 1999-05-27 | Matsushita Electronics Corp | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6900524B1 (en) * | 1997-06-27 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same |
| US7538416B2 (en) | 1997-06-27 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP2006351846A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015026857A (ja) * | 2009-09-11 | 2015-02-05 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9543239B2 (en) | 2009-09-11 | 2017-01-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and production method therefor |
| US9837373B2 (en) | 2009-09-11 | 2017-12-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and production method therefor |
| CN110729207A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-24 | 闳康技术检测(上海)有限公司 | 一种封装打线的键合方法 |
| CN110729207B (zh) * | 2019-10-12 | 2021-07-13 | 闳康技术检测(上海)有限公司 | 一种封装打线的键合方法 |
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