JPH01189212A - 定電流発生回路 - Google Patents

定電流発生回路

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JPH01189212A
JPH01189212A JP63012533A JP1253388A JPH01189212A JP H01189212 A JPH01189212 A JP H01189212A JP 63012533 A JP63012533 A JP 63012533A JP 1253388 A JP1253388 A JP 1253388A JP H01189212 A JPH01189212 A JP H01189212A
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JP
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current
circuit
constant current
voltage
transistor
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Application number
JP63012533A
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English (en)
Inventor
Tatsuji Matsuura
達治 松浦
Toshiro Tsukada
敏郎 塚田
Eiki Imaizumi
栄亀 今泉
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Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電流発生回路に係り、特に集積回路に多用さ
れる定電流発生回路に関する。
〔従来の技術〕
集積回路、特にアナログ集積回路には定電流発生回路が
非常に良く用いられる。この定電流発生回路には、トラ
ンジスタの飽和特性を用いた定電流発生回路が用いられ
るのが普通である。これら従来例として、たとえば、P
、R,グレイ者、「アナログ集積回路の解析と設計」第
2版、第12章P709〜P711、(Analysi
s andDesjgn of Analog Int
egrated C1rcuits : P 、 R。
Gray、R,G、Meyer  ;  2nd ed
ition、  John11i1ey&5ons I
nc  1977   P709〜P711)に記載さ
れている。
これらのうち、最も簡単な回路構成であるトランジスタ
1個を用いたソース接地定電流発生回路について説明す
る。この定電流発生回路は第12図に示すように、MO
Sトランジスタ7のソース端子をグランドに接地し、ゲ
ート端子に一定のゲートバイアス電圧Vsを与える。こ
のときドレイン端子に流れる電流Insは、ドレイン端
子の電圧Vosが、ある電圧より大きければ、ドレイン
端子の電圧に無関係に、一定値となる。この性質をMo
Sトランジスタの飽和特性と言う。またドレイン電流I
DSが一定電流になるために必要なドレインの最低電圧
を(ドレイン)飽和電圧Vosatと言う。このドレイ
ン電圧Vogとドレイン電流、TDSの関係を第15図
に示す。太線は一例としてVn=2.5Vにした時の特
性である。
この回路によれば簡単に定電流発生回路が得られるので
、アナログ回路の設計に非常によく用いられる。なお、
良く知られているように、飽和電圧Vosatは、トラ
ンジスタのしきい電圧(ゲートをオンするために必要な
最小電圧)をVTHとすると、ゲート電圧Vasを用い
て、 Vnsat = Vas −VTH・・・(])で表わ
すことができる。またこのときのドレイン電流Insは で表わすことができる。ここでμは電子又はホールの表
面移動度、COXはゲート酸化膜のm位面積当りの容量
、WとLはそれぞれトランジスタのチャンネル幅とチャ
ンネル長である。
本技術によれば、定電流値Toの定電流源は、ゲート電
圧Vasを とすれば、ドレイン電圧Vosが飽和電圧Vosatよ
り大きい範囲で定電流値を発生することができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで上記従来技術は、電流値の出力電流値In を
大きくすると、飽和電圧Vosatも(4)式に従って
大きくなるため、定電流源として使用できる出力電圧範
囲(VDnからVDSatまで)が狭くな ゛るという
問題点があった。V DSatを小さくするには、(4
)式かられかるように、チャンネル幅Wを大きくするこ
とが効果があるが、チップ面積が大きくなるという問題
も発生する。さらに将来の集積回路では、デバイスが微
細化されるためにデバイスの耐圧が低下するので、電源
電圧Vooを低くして回路設計しなければならない。そ
の場合Vosat弄大きいと、定電流源として使用でき
る出力電圧範囲(VooからVosatまで)がますま
す狭くなるためアナログ回路の設計が難しいという問題
点があった。
第1の問題点を、定電流源を使用した代表的な回路(■
ソースフォロワー回路、■差動増幅回路)で説明すると
次のようになる。
第13図は、信号のレベルシフトやインピーダンス変換
に使われるソースフォロワ−回路である。
この図でトランジスタ7は定電流発生回路である。
その設定電流をIOとすると、この定電流発生回路はド
レイン電圧が(4)式より低くなると、定電流でなくな
り、電流値はIOよりも小さくなる。
したがって、このソースフォロワ−回路のレベルシフト
量は出力電圧が低くなると電流が[0のときよりも小さ
くなるため、変わってしまう。また出力インピーダンス
も変わってしまう。したがって、ソースフォロワ−回路
はその出力電圧が(4)式の値よりも大きくなければ、
一定量のレベルシフト回路やインピーダンス変換回路と
して使えないという問題点があった。
また第14図は、差動増幅回路である。この図でトラン
ジスタ7は定電流発生回路である。差動増幅器では、定
電流源の定電流特性が悪い(すなわち、ドレイン電圧が
変わった時、その定電流値が変わってしまう)と、差動
増幅器の一つの性能である同相分除去比(CM I’<
 R: Common ModeRejection 
Ratio)が悪くなる。CMRRが悪いと、差動増幅
器は、差動入力信号成分だけでなく、同相入力信号成分
も増幅してしまうので、差動成分のみ増幅したい差動増
幅器としては好ましくない。
第14図の回路では、人力信号V t n+ともう一つ
の人力信号Vln−の電圧がともに充分高ければ、トラ
ンジスタ7のドレイン電圧も高くなるので、トランジス
タ7は定電流発生回路として働き、CM RRの良い差
動増幅回路になる。ところが入力信号V l n+とV
 r n−の電圧が低いと、トランジスタ7のドレイン
電圧が低くなり、トランジスタ7が定電流発生回路とし
て働かなくなるため、CMRRが悪い差動増幅回路にな
ってしまうという問題点があった。
本発明の目的は、定電流源の出力電流Ioが大きくとも
、定電流源として使用できる出力電圧の範IJtlが広
い定電流発生回路を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、定電流を発生させるための手段として、ト
ランジスタの飽和特性を使用するのではなく、発生する
電流の大きさを制御できる電圧制御電流発生回路と、電
流の大きさを検出する電流検出回路と、電流検出回路で
検出した実際に流れている電流値11と設定した定電流
値Ioとの差を増幅する誤差増幅器とを用いて、設定し
た電流10に発生電流■1が近ずくように、電圧制御電
流発生回路をフィードバック制御することにより達成さ
れる。
〔作用〕
すなわち、誤差増幅器は、実際に流れている電流Ifか
ら設定した電流Ioを引き、もしItが設定電流Ioよ
りも小さければ、その誤差を増幅して電圧制御電流発生
回路に与え、電流■1を増加させる。電流1.が増加し
て設定電流IOに等しくなると、誤差が無(なるので、
誤差増幅器の出力は増加しなくなり、そこで電圧制御電
流発生回路の電流も増加しなくなる。こうして、発生す
る電流■1と設定電流Ioを等しくすることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を、第1図により説明する6第
1図はソースフォロワ−回路の定電流源に本発明の定電
流発生回路を用いたものである。
この図においてトランジスタ1−1は、ソースフォロワ
−回路のレベルシフトを行なう信号入力トランジスタで
ある。信号は端子1−2より入力され、端子1−3より
出力される。このトランジスタに流れている電流11は
、ダイオード接続した(ドレインとゲートを接続した)
電流検出用トランジスタ2−1で、その電流値を検出さ
れ、電圧信号に変換される。その電圧信号は、検出電流
発生回路用トランジスタ3−1に印加され、このトラン
ジスタはドレイン電流として、検出した電流慎重1と同
じ大きさの電流を流す9以上の部分はトランジスタ2−
1と3−1によりカレントミラー回路になっており、1
1と同じ電流を流すと言うこともできる。一方トランジ
スタ4−1は、設定電流To を発生する飽和領域で動
作するトランジスタである。1−ランジスタ3−1とト
ランジスタ4−1とはそれぞれのドレイン端子同志が接
続されており、この点のが電流の差を増幅する誤差増幅
器の中間出力端子である。この中間出力端子の電圧は、
トランジスタ5−1と5−2で構成されるインバータ5
により反転されて、電圧制御電流発生回路に印加される
にの世圧制al電流発生回路は、トランジスタ6−1よ
り構成されており、そのドレイン端子が電流出力端子で
あり、ゲート端子が制御電圧入力端子である。このトラ
ンジスタ6−1は飽和領域と非飽和領域の両方で動作す
ることになる。
本実施例の動作を説明するとっぎのとうりである。まず
、ソースフォロワ−回路の電流検出用トランジスタ2−
1に流れている電流r1が、設定電流Ioよりも小さい
場合、誤差増幅器の中間出力端子0点の電位は下がって
ゆき、この電位はインバータ5により反転されるため、
誤差増幅器の出力端子0点の電位は上昇してゆく。0点
の電位が上昇すると、電流発生用トランジスタ6−1の
出力電流■1′  は増加してゆく。この出力電流If
’  は、ソースフォロワ−回路の出力端子1−3に、
抵抗負荷Rt、や大きな容量性負荷CLが付いていない
限り、出力端子1−3から電流の出入りが(容量性負荷
を充放電する微少電流を除いて)無い又は無視できるの
で、ソースフォロワ−回路の電流検出用トランジスタ2
−1に流れている電流11と等しい。したがって電流工
1が増加してゆく、この増加は電流工1が増加して、設
定電流Ioに等しくなるまで続く。逆に、ソースフォロ
ワ−回路の電流検出用トランジスタ2−1に流れている
電流11が、設定電流IOよりも大きい場合、0点の電
位は上昇し、0点の電位は下降する。したがって電流I
z’  つまりt流■1は減少してゆく。この減少は電
流Izが減少して、設定電流IOに等しくなるまで続く
。したがって、この回路によりソースフォロワ−回路の
′直流■1は、設定?l!流10に等しくなる。つまり
1〜ランジスタロー1は、全体として定電流発生回路に
見えることになる。
本実施例によれば、トランジスタ6−1のドレイン電圧
、すなわち、リースフォロワ回路の最低出力電圧を大幅
に引き下げることができる。第15図によれば、定電流
値Ioを、たとえばL Vu=2.5V、VtH=1.OV  と設定したとき
、従来の定電流発生回路では、ドレイン電圧VosがV
osat= Vas −VT)l: 1 、5 V ま
でじか定電流性が成立しなかった。ところが本実施例に
よれば、トランジスタ6−1のゲート電圧はVllから
Vo。
まで上昇させることができるので、ゲート電圧の制御に
より、図中、横向きの点線151のように、電流値がI
oのドレイン電圧Vosの範囲を拡大することができる
。このVa=2.5Vの例の場合には、1.5vから0
.292Vまで引き下げることができる。なお、この電
圧Vos2はMOSトランジスタの非飽和領域の電流の
式を解くことにより次式から計算することができる。
または Vosz=(Van−VTH)−(VDD VTH)”
 (Va−Vro)”・=(6)第1図の実施例におい
て、ソースフォロワ−回路の出、刃端子1−3からの電
流の出入り(負荷抵抗を流れる電流および容量性負荷を
充放電する電流)が無視できない場合には、第2図に示
す実施例を用いることができる。この実施例では、ソー
スフォロワ−回路の出力端子からの電流の出入りの影響
をさけるため、ソースフォロワ−回路と同じトランジス
タサイズのダミー(模擬回路)のソースフォロワ−回路
1−11および6−11を設けた。この模擬回路のソー
スフォロワ−回路では出力端子を設けていないため、電
流の出入りが無い。そのため第1の実施例で説明したよ
うに電流Il′  と電流11が全く等しくなって理想
的な定電流発生回路が実現できる。しかも、模擬回路で
ない方の、本来のソースフォロワ−回路の出力端子から
は電流を人出力させることができる。
第3図は、本発明の実施例を概念的に書いたものである
。すなわち、1は定?lli流を使用する電流源使用回
路である。そこで使用さオLる電流r1は、電流値検出
回路2で検出され、検出電流発生回路3へ伝えられる。
設定電流発生回路4の電流I。
と電流■1の差は、(電流差)誤差増幅回路5で増幅さ
れ、@流発生回路6へ伝えられる。電流Ioと電流I+
の間に差があると、その差を小さくする方へffi流発
生回路の電流が制御されるので、電流値11が設定値r
oと等しくなり、一定値となる。このようにして定電流
発生回路が実現できる。
第4図は本発明による定電流発生回路を差動増幅回路へ
用いたものである。この場合の電流値検出回路は、電流
発生回路6−1の全電流を検出する必要があるので、電
流検出回路2−1と電流発生回路6−1との間に挿入す
る。この場合、差動増幅器から見ると電源電圧が少し低
下したように見えることになるが、入力電圧v1n+と
V s n−の最高電圧があまり高くない場合には電源
電圧に余裕があり、これは問題にならない。なお電源電
圧のである。本実施例の定電流発生回路自体の回路動作
は、ソースフォロワ−回路の場合と全く同じなので説明
を省略する。本実施例の定電流発生回路を用いる時に得
られる効果は、差動増幅回路の、入力信号vin+とV
 i n−の、入力として許容される電圧を大幅に引き
下げることができることである。
定電流源が定電流値を出すドレイン電圧の最低値が、(
1)式で表わされるVosatから、(5)式または(
6)式で表わされるVastに低下するので、入力とし
て許容される電圧も、その低下分と同じたけ、引き下げ
ることができる。
第5図は、第4@とばば同じ回路であるが、このうち、
検出電流発生回路3と、設定電流発生回路4とを、トラ
ンジスタ1個でなく、それぞれトランジスタを2個用い
たカスコード型の電流源に変更したものである。カスコ
ード型の電流源のため出力抵抗が非常に高く、そのため
誤差増幅器の利得が非常に高くなる。負帰還ループの利
得が高くなるため、発生電流Ifと設定電流10との差
が非常に小さいという効果が得られる。
第6図は、第4図の実施例において電源電圧が(7)式
の大きさだけ低下することを説明したが、この低下が問
題になる場合に、使用することのできる1jlJ路であ
る。本実施例の場合、差動増幅器本体の電流を検出する
ことはやめ、差動増幅器のダミー(模擬回路)を設け、
その電流を検出する。
同図において、トランジスタ2−2.2−3および6−
2が差動増幅器の模擬回路である。入力電圧V i n
+とVln−から、電流源トランジスタ6−2のドレイ
ン電圧が決まり、電流Is が流れる。この電流Ifを
設定電流IOと等しくなるように制御がかかる。したが
って差動増幅器の模葭回路と本体回路ともに、設定電流
Ioが流れることになる。また差動増幅器本体では、電
源電圧Vooの低下はない。
第7図は、はぼ第6図と同様の回路構成であるが、差動
増幅器の出力を、シングルエンドにする代わりに、完全
差動出力としたものである。
第8図は、電流11と電流IOの差を増幅する回路に、
差動増幅回路を用いた定電流発生回路である。差動入力
の一方の入力端子には、バイアス電圧vapgを与える
が、この値を調整することにより、設定電流Ioと電流
値■1の比率を微小量変更することが可能である。
第9図はカレントミラー回路を多用して、回路に流れて
いる電流Iiと、設定電流IOの差を増幅するようにし
た回路である。誤差は0点に電圧信号となって表われる
ので、この電圧をトランジスタ6−1のゲートに与え、
電流値■1を発生させている。
第9図の回路において、負帰還ループの利得が不足して
、誤差が大きい場合には、第10図に示すようなカスコ
ード接続したトランジスタを用いて利得を上げ、これを
解決することもできる。
第11図は誤差増幅器に、抵抗Raを用いた演算増幅器
を用いた実施例である。
以上詳細に説明したように、本実施例によれば、定電流
源において、定電流性が成立するために必要な最低の電
圧を大幅に引き下げることができるようになり、電源電
圧を有効に利用することができる。たとえばVa=2.
5Vのバイアスを用いていた定電流源では、Vos”=
1.5V以上のドレイン電圧を印加する必要があったが
、本発明によればこの電圧を0.29 V にまで引き
下げることができる。
本実施例をソースフォロワ−回路に適用した場合、ソー
スフォロワ−回路の出力電圧の最低値を、たとえば1.
5vから0.29Vに引き下げることができ、電源電圧
を有効に利用することができる。
また本実施例を差動増幅回路に適用した場合。
差動増幅器の人力として許容される最低入力電圧を大幅
に引き下げることができ、上記と同様に電源電圧を有効
に利用することができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、出力電流が大きく、かつ、出力電圧の
範凹の広い定電流発生回路を提供することができるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の定fit流発生回路をソー
スフォロワ−回路に適用した回路の回路図である。第2
図、第3図は本発明の他の実施例である。第4図から第
7図はそれぞれ本発明を差動増幅回路に適用した別個の
実施例である。第8図から第11図はそれぞれ本発明を
ソースフォロワ−回路に適用したまた別の実施例である
。第12図は従来の定電流発生回路である。第13.1
4図は従来の定電流発生回路をソースフォロワ−回路及
び差動増幅回路に適用した回路である。第15図は従来
の定電流源の特性と1本発明の定電流回路の特性を比較
説明する図面である。 1・・・電流源使用回路、2・・・電流値検出回路、;
3・・・検出電流発生回路、4・・・設定電流発生回路
、5・・・電流差増幅回路、6・・・電流発生回路。 $/ 囚 第3図 v8わ 6 1乙為z15日ηト 第2 躬 5s 5−2  囁しジ祇j1シ曽巾1Cη祠11−/l  
宅浅む咽外 茶 乙 呂 第8 口 第し? 図 5−21 77レントミラーC]閾ト 茶10図 第 // 図 第72S ↓■θ5 第1S図 IDS                      
          VOSat −T’fS−vrH
:馬、a〆

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、回路に流れている電流の大きさを検出する電流検出
    回路と、検出した電流と同じ大きさの電流を発生する第
    1回路と、回路に流すべき設定電流を発生する第2回路
    と、上記第1及び第2の回路の電流の差を増幅する増幅
    回路と、電圧で電流の大きさを制御できる電流発生回路
    とから成ることを特徴とする定電流発生回路。 2、特許請求の範囲第1項において、前記電流検出回路
    と、前記第1回路に、カレントミラー回路を用いたこと
    を特徴とする定電流発生回路。 3、特許請求の範囲第1項において、前記増幅回路に、
    2つの定電流源を対向させ、定電流源の出力端子同志を
    結合し、この結合点の電圧を出力電圧とする増幅回路を
    用いたことを特徴とする定電流発生回路。 4、特許請求の範囲第3項において、前記2つの定電流
    源にカスコード型の定電流源を用いたことを特徴とする
    定電流発生回路。 5、特許請求の範囲第1項において、定電流発生回路の
    出力電圧を、本来の電流源使用回路の場合と同じになる
    ように模擬する模擬回路を設け、電流検出回路をこの模
    擬回路に用いたことを特徴とする定電流発生回路。
JP63012533A 1988-01-25 1988-01-25 定電流発生回路 Pending JPH01189212A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7522159B2 (en) 2002-11-08 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display appliance
JP2019087971A (ja) * 2017-11-10 2019-06-06 ザインエレクトロニクス株式会社 増幅回路

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7522159B2 (en) 2002-11-08 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display appliance
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