JPH01189653A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH01189653A JPH01189653A JP63015290A JP1529088A JPH01189653A JP H01189653 A JPH01189653 A JP H01189653A JP 63015290 A JP63015290 A JP 63015290A JP 1529088 A JP1529088 A JP 1529088A JP H01189653 A JPH01189653 A JP H01189653A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬＳＩ・超ＬＳＩ等の高密度集積回路の製造に
用いられるフォトマスク、ＣＲＴ用のシャドウマスク等
の製造方法に係り、特に生産性の高い製造方法に関する
。
用いられるフォトマスク、ＣＲＴ用のシャドウマスク等
の製造方法に係り、特に生産性の高い製造方法に関する
。
近年、半導体集積回路製造用のフォトマスク等ステッパ
ー露光用のレクチルやアライナ−露光用のマスターマス
クなどの高精度品の多くは、電子線リソグラフィーによ
るエツチング加工により製造されている。この製造工程
を図面に従い説明する。第１図はフォ１へマスクを作成
する工程を断面図で示した図で、１は基板、２はクロム
膜、３はレジスト層、４は電離放射線、５は露光部分、
６はエツチングガスプラズマ、７は酸素プラズマを示す
。
ー露光用のレクチルやアライナ−露光用のマスターマス
クなどの高精度品の多くは、電子線リソグラフィーによ
るエツチング加工により製造されている。この製造工程
を図面に従い説明する。第１図はフォ１へマスクを作成
する工程を断面図で示した図で、１は基板、２はクロム
膜、３はレジスト層、４は電離放射線、５は露光部分、
６はエツチングガスプラズマ、７は酸素プラズマを示す
。
まず、光学研磨された、クロム膜２を有するマスク基板
１上に、クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レ
ジストを、スピンコーティング等の常法により均一に塗
布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１〜２．１μｍ程
度のレジスト薄膜３を設ける（ａ）。加熱乾燥処理はレ
ジストの種類にもよるが、通常±８０〜１５０で、２０
〜６０分間程度である。次ぎに、電離放射線レジスト層
３に、常法に従って電子線描画装置等の電離放射線４露
光装置でパターン描画しくｂ）、エチルセロソルブやエ
ステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像後、ア
ルコールでリンスし、レジストパターン（Ｃ）を形成す
る。更に必要に応じて加熱処理、およびレジストパター
ンのエツジ部分等に残存したレジスト屑、ヒゲ等不要な
レジストを除去するデスカム処理を行なった後、レジス
トパターンの開口部より露出する被加工部分をウェット
、あるいはエツチングガスプラズマ６によりドライエツ
チングし、パターン（ｄ）を形成する。
１上に、クロロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レ
ジストを、スピンコーティング等の常法により均一に塗
布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ０．１〜２．１μｍ程
度のレジスト薄膜３を設ける（ａ）。加熱乾燥処理はレ
ジストの種類にもよるが、通常±８０〜１５０で、２０
〜６０分間程度である。次ぎに、電離放射線レジスト層
３に、常法に従って電子線描画装置等の電離放射線４露
光装置でパターン描画しくｂ）、エチルセロソルブやエ
ステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像後、ア
ルコールでリンスし、レジストパターン（Ｃ）を形成す
る。更に必要に応じて加熱処理、およびレジストパター
ンのエツジ部分等に残存したレジスト屑、ヒゲ等不要な
レジストを除去するデスカム処理を行なった後、レジス
トパターンの開口部より露出する被加工部分をウェット
、あるいはエツチングガスプラズマ６によりドライエツ
チングし、パターン（ｄ）を形成する。
このようにしてエツチングした後、（ｅ）における５で
示す残存するレジストを、溶剤剥離、または酸素プラズ
マ７により灰化除去しくｅ）、フォトマスクを完成させ
るものである（ｆ）。
示す残存するレジストを、溶剤剥離、または酸素プラズ
マ７により灰化除去しくｅ）、フォトマスクを完成させ
るものである（ｆ）。
上記電離放射線レジストとしては、ポリグリシジルメタ
クリレート、グリシジルメタクリレート−アクリル酸コ
ポリマー、クロロメチル化ポリスチレン、ポリブテン−
１−スルボン、ポリ−α−クロロトリフルオロエチルア
クリレート等の有機高分子化合物からなるレジストが使
用されている。
クリレート、グリシジルメタクリレート−アクリル酸コ
ポリマー、クロロメチル化ポリスチレン、ポリブテン−
１−スルボン、ポリ−α−クロロトリフルオロエチルア
クリレート等の有機高分子化合物からなるレジストが使
用されている。
ところが、最近の半導体集積回路、プラズマデ □イス
プレイ等の高集積化、高性能化はとどまるところを知ら
ず、フォトマスクやシャドウマスク等においても微細化
、高精度化、短納期化への要求が急速に高まっている。
プレイ等の高集積化、高性能化はとどまるところを知ら
ず、フォトマスクやシャドウマスク等においても微細化
、高精度化、短納期化への要求が急速に高まっている。
これらの要求に応えるために、電子線リソグラフィーに
よるフォトマスクやシャドウマスクの製造においては、
電子線露光後、現像−ベーク−エソチングー剥膜の一貫
した生産ラインでの対応が図られているが、レジストの
剥膜工程に長時間を要し、生産効率を低下させているの
が現状である。即ち、従来の酸素プラズマアッシングに
よるレジスト膜の剥離は、真空装置が必要であり、その
ため生産性が低く、また基板の側面や裏面が十分にアッ
シングされないとい° った問題がある。また溶剤によ
るレジスｌ−剥離は、酸素プラズマアッシングに比較す
ると処理しろる枚数は多いものの、溶剤の疲労度管理が
難しいことや、溶剤交換の際に手間がかかったり、溶剤
によっては極めて危険なものがある等の問題がある。
よるフォトマスクやシャドウマスクの製造においては、
電子線露光後、現像−ベーク−エソチングー剥膜の一貫
した生産ラインでの対応が図られているが、レジストの
剥膜工程に長時間を要し、生産効率を低下させているの
が現状である。即ち、従来の酸素プラズマアッシングに
よるレジスト膜の剥離は、真空装置が必要であり、その
ため生産性が低く、また基板の側面や裏面が十分にアッ
シングされないとい° った問題がある。また溶剤によ
るレジスｌ−剥離は、酸素プラズマアッシングに比較す
ると処理しろる枚数は多いものの、溶剤の疲労度管理が
難しいことや、溶剤交換の際に手間がかかったり、溶剤
によっては極めて危険なものがある等の問題がある。
本発明は、従来の有機高分子化合物からなるレジストの
剥離方法を改善し、簡便で、且つライン化しやすいレジ
ストの剥離方法を提供することを課題とする。
剥離方法を改善し、簡便で、且つライン化しやすいレジ
ストの剥離方法を提供することを課題とする。
本発明は、有機高分子化合物からなるレジストパターン
が形成された被加工基板をエツチングし、該エツチング
後に残存するレジストを除去するにあたり、酸化性ガス
雰囲気下でエネルギー線を照射することによりレジスト
を除去すること、および被加工基板を加熱しつつ、酸化
性ガス雰囲気下でエネルギー線を照射することによりレ
ジストを除去することを特徴とするものである。
が形成された被加工基板をエツチングし、該エツチング
後に残存するレジストを除去するにあたり、酸化性ガス
雰囲気下でエネルギー線を照射することによりレジスト
を除去すること、および被加工基板を加熱しつつ、酸化
性ガス雰囲気下でエネルギー線を照射することによりレ
ジストを除去することを特徴とするものである。
本発明の有機高分子化合物からなるレジスト材料として
は、例えばポリグリシジルメタクリレート、グリシジル
メタクリレート−アクリル酸コポリマークロロメチル化
ポリスチレン、ポリブテン−１−スルホン、ポリ−α−
クロロトリフルオロエチルアクリレート等の電離放射線
露光用レジストの他に、ノボラック系のポジ型フォトレ
ジスト、環化ゴム系のネガ型フォトレジスト等がある。
は、例えばポリグリシジルメタクリレート、グリシジル
メタクリレート−アクリル酸コポリマークロロメチル化
ポリスチレン、ポリブテン−１−スルホン、ポリ−α−
クロロトリフルオロエチルアクリレート等の電離放射線
露光用レジストの他に、ノボラック系のポジ型フォトレ
ジスト、環化ゴム系のネガ型フォトレジスト等がある。
またエネルギー線としては、遠紫外光、電子線、Ｘ線が
あるが、特に遠紫外光が望ましく、その際紫外光ランプ
として、通常のキセノン−水銀ランプ等の紫外光ランプ
が適し、特に１８５ ｒｒｍ、２５４ｎｍの波長の、強
度の強いものが好ましい。
あるが、特に遠紫外光が望ましく、その際紫外光ランプ
として、通常のキセノン−水銀ランプ等の紫外光ランプ
が適し、特に１８５ ｒｒｍ、２５４ｎｍの波長の、強
度の強いものが好ましい。
さらに酸化性ガスとしては、通常のオゾン発生装置によ
り製造される、オゾンを含有する酸素ガスが好ましく、
その際オゾン濃度としては１〜１０％のものが望ましい
。また、空気を水中に通すことにより得られるウェット
・エアーに、空気、または酸素を混合したものも使用し
うる。
り製造される、オゾンを含有する酸素ガスが好ましく、
その際オゾン濃度としては１〜１０％のものが望ましい
。また、空気を水中に通すことにより得られるウェット
・エアーに、空気、または酸素を混合したものも使用し
うる。
有機高分子化合物は、一般にオゾン含有酸素ガス等の酸
化性ガス雰囲気下でエネルギー線を照射されると、その
化学結合が切断され、同時にオゾンにエネルギー線が照
射されることにより発生する励起状酸素原子により酸化
分解され、ガス化する。本発明はこの作用を利用するも
ので、レジストパターンが形成された被加工基板をエツ
チングした後、残存するレジストを、酸化性ガス雰囲気
下でエネルギー線を照射することにより簡単に除去する
ことができることを見出したものである。
化性ガス雰囲気下でエネルギー線を照射されると、その
化学結合が切断され、同時にオゾンにエネルギー線が照
射されることにより発生する励起状酸素原子により酸化
分解され、ガス化する。本発明はこの作用を利用するも
ので、レジストパターンが形成された被加工基板をエツ
チングした後、残存するレジストを、酸化性ガス雰囲気
下でエネルギー線を照射することにより簡単に除去する
ことができることを見出したものである。
特に従来の溶剤剥離や、酸素プラズマアッシングによっ
ては困難であった芳香族系有機高分子レジストの剥離に
有効である。また基板を加熱することによってこれらの
反応が促進され、短時間でのレジストアッシングを可能
としたものである。
ては困難であった芳香族系有機高分子レジストの剥離に
有効である。また基板を加熱することによってこれらの
反応が促進され、短時間でのレジストアッシングを可能
としたものである。
〔実施例１〕
クロロメチル化ポリスチレンのレジスト溶液をクロムマ
スク基板上にスピンコーティング法により塗布し、１２
０℃で３０分間、プリベークし、厚さ０．６μｍの均一
なレジスト膜を得た。次にビーム径０．５μｍ、加速電
圧１０ＫＶの電子線により、１μＣ／ ｃｔＡの照射量
で露光させ、パターン描画を行った。露光後、この基板
を酢酸イソアミルとエチルセロソルブの混合液からなる
現像液で６０秒間現像後、イソプロピルアルコールで３
０秒間リンスしてレジストパターンを得た。これを１４
０℃で３０分間ポストヘークした後、ＩＴ。
スク基板上にスピンコーティング法により塗布し、１２
０℃で３０分間、プリベークし、厚さ０．６μｍの均一
なレジスト膜を得た。次にビーム径０．５μｍ、加速電
圧１０ＫＶの電子線により、１μＣ／ ｃｔＡの照射量
で露光させ、パターン描画を行った。露光後、この基板
を酢酸イソアミルとエチルセロソルブの混合液からなる
現像液で６０秒間現像後、イソプロピルアルコールで３
０秒間リンスしてレジストパターンを得た。これを１４
０℃で３０分間ポストヘークした後、ＩＴ。
ｒｒ、１００Ｗの酸素プラズマで２分間デスカムし、レ
ジストパターンをマスクとして露光した被加工基板を、
出力３００Ｗで、四塩化炭素と酸素からなるプラズマ中
、８分間ドライエツチングした。
ジストパターンをマスクとして露光した被加工基板を、
出力３００Ｗで、四塩化炭素と酸素からなるプラズマ中
、８分間ドライエツチングした。
この基板を１００℃に加熱しつつ、オゾン５ｖ。
１％含有する酸素雰囲気下、遠紫外光を照射することに
よって残存するレジスト膜を灰化除去した。
よって残存するレジスト膜を灰化除去した。
所要時間３分間でレジストは完全に除去され、クロム膜
へのダメージも全くなかった。
へのダメージも全くなかった。
〔実施例２〕
ポリ （α−クロロトリフルオロエチルメタクリレート
）のレジスト溶液を、クロムと低反射クロムの２層膜か
ら成るフォトマスク基板上にスピンコーティング法によ
り塗布し、２００°Ｃで３０分間プリヘークして厚さ０
．５μｍの均一なレジスト膜を得た。
）のレジスト溶液を、クロムと低反射クロムの２層膜か
ら成るフォトマスク基板上にスピンコーティング法によ
り塗布し、２００°Ｃで３０分間プリヘークして厚さ０
．５μｍの均一なレジスト膜を得た。
次に実施例１と同様にして、３μＣ／ ｃｎｔの露光量
の電子線でパターン照射し、現像してレジストパターン
を得た。これを硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分
とする水溶液で１分間エツチングした。続いてこの基板
を加熱することなく、オゾン５ｖｏ１％を含有する酸素
雰囲気下にて３分間遠紫外光を照射して残存するレジス
ト膜を灰化除去した。本基板もレジストは完全に除去さ
れ、低反射クロム膜等へのダメージも全く生じなかった
。
の電子線でパターン照射し、現像してレジストパターン
を得た。これを硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分
とする水溶液で１分間エツチングした。続いてこの基板
を加熱することなく、オゾン５ｖｏ１％を含有する酸素
雰囲気下にて３分間遠紫外光を照射して残存するレジス
ト膜を灰化除去した。本基板もレジストは完全に除去さ
れ、低反射クロム膜等へのダメージも全く生じなかった
。
本発明は、エツチング後に残存する有機高分子系の電離
放射線レジストの除去方法として、従来の溶剤剥離や酸
素プラズマアッシング法に比較して、酸化性ガス雰囲気
下、エネルギー線を照射することにより、完全に、しか
も短時間で除去することができる。特に、従来除去しに
くかったポリスチレン系等の芳香族系有機高分子化合物
からなる電離放射線レジストを、完全にしかも短時間で
除去することができるもので、フォトマスクやシャドー
マスク製造工程中の律速段階であったレジスト剥離工程
に要する時間を大幅に短縮することができるものである
。
放射線レジストの除去方法として、従来の溶剤剥離や酸
素プラズマアッシング法に比較して、酸化性ガス雰囲気
下、エネルギー線を照射することにより、完全に、しか
も短時間で除去することができる。特に、従来除去しに
くかったポリスチレン系等の芳香族系有機高分子化合物
からなる電離放射線レジストを、完全にしかも短時間で
除去することができるもので、フォトマスクやシャドー
マスク製造工程中の律速段階であったレジスト剥離工程
に要する時間を大幅に短縮することができるものである
。
また本発明は、従来の溶剤剥離や酸素プラズマアッシン
グ法に比較して、酸化性ガス雰囲気下でエネルギー線を
照射するという簡便な方法であり、溶剤タンクや廃液処
理、また真空装置等を必要とせず、工程をライン化しや
すくするものである。
グ法に比較して、酸化性ガス雰囲気下でエネルギー線を
照射するという簡便な方法であり、溶剤タンクや廃液処
理、また真空装置等を必要とせず、工程をライン化しや
すくするものである。
第１図は従来のフォトマスクを作成する工程を断面図で
示した図である。 １は基板、２はクロム膜、３はレジスト層、４は電離放
射線、５は露光部分、６はエツチングガスプラズマ、７
は酸素プラズマを示す。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
内１）亘彦（外４名）（ＣＩ） （Ｃ） （ｄ） （ｆ）
示した図である。 １は基板、２はクロム膜、３はレジスト層、４は電離放
射線、５は露光部分、６はエツチングガスプラズマ、７
は酸素プラズマを示す。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
内１）亘彦（外４名）（ＣＩ） （Ｃ） （ｄ） （ｆ）
Claims (2)
- （１）有機高分子化合物からなるレジストパターンが形
成された被加工基板をエッチングし、該エッチング後に
残存するレジストを除去するにあたり、酸化性ガス雰囲
気下でエネルギー線を照射することによりレジストを除
去することを特徴とするフォトマスク製造方法。 - （２）有機高分子化合物からなるレジストパターンが形
成された被加工基板をエッチングし、該エッチング後に
残存するレジストを除去することにあたり、前記被加工
基板を加熱しつつ、酸化性ガス雰囲気下でエネルギー線
を照射することによりレジストを除去することを特徴と
するフォトマスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015290A JPH01189653A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015290A JPH01189653A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189653A true JPH01189653A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11884711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015290A Pending JPH01189653A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189653A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049630A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6049631A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61125131A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Chlorine Eng Corp Ltd | 集積回路基板の洗浄および／または灰化方法 |
| JPS61138952A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の剥離方法 |
| JPS61194830A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の有機物除去装置 |
| JPS61223839A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | レジスト除去方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63015290A patent/JPH01189653A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049630A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6049631A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61125131A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Chlorine Eng Corp Ltd | 集積回路基板の洗浄および／または灰化方法 |
| JPS61138952A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の剥離方法 |
| JPS61194830A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の有機物除去装置 |
| JPS61223839A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | レジスト除去方法 |
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