JPS6049631A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6049631A JPS6049631A JP58156470A JP15647083A JPS6049631A JP S6049631 A JPS6049631 A JP S6049631A JP 58156470 A JP58156470 A JP 58156470A JP 15647083 A JP15647083 A JP 15647083A JP S6049631 A JPS6049631 A JP S6049631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- mirror
- light
- ultraviolet
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、紫外線照射、Ｘ線照射、電子ビーム照射、イ
オン・ビーム照射等でパターンが形成されるレジスト膜
をマスクとして種々の加工を行なう半導体装置の製造方
法の改良に関する。
オン・ビーム照射等でパターンが形成されるレジスト膜
をマスクとして種々の加工を行なう半導体装置の製造方
法の改良に関する。
従来技術と問題点
一般に、半導体装置を製造する際、パクーニングされた
レジスト膜をマスクとして下地のエツチングを行なう工
程は不可欠といって良い。
レジスト膜をマスクとして下地のエツチングを行なう工
程は不可欠といって良い。
また、マスクとして使用されたレジスト膜は、工程終了
後、適当な剥離溶液に浸漬して半導体基体から剥離する
か、例えば酸素プラズマにさらして除去することが行な
われている。
後、適当な剥離溶液に浸漬して半導体基体から剥離する
か、例えば酸素プラズマにさらして除去することが行な
われている。
然し乍ら、剥離溶液に浸漬する方法は、廃液処理に面倒
な問題が存在すると共にレジストの種類やパターン形成
の条件に依っては剥離に著しく時間がかかる等の欠点が
ある。
な問題が存在すると共にレジストの種類やパターン形成
の条件に依っては剥離に著しく時間がかかる等の欠点が
ある。
また、酸素プラズマにさらす方法は前記剥離溶液に浸漬
する方法に於ける問題は全て解消され、そして、実施が
容易であるから、現在、多用されているが、プラズマに
依って半導体基板に１０傷が発生する旨の新たな問題が
存在する。即ち、プラダマ中にレジスト膜を有する半導
体基体を配置すると、プラズマ中の荷電粒子が半導体基
体表面に衝撃を加え、場合に依っては、回復不能な損傷
を与える。
する方法に於ける問題は全て解消され、そして、実施が
容易であるから、現在、多用されているが、プラズマに
依って半導体基板に１０傷が発生する旨の新たな問題が
存在する。即ち、プラダマ中にレジスト膜を有する半導
体基体を配置すると、プラズマ中の荷電粒子が半導体基
体表面に衝撃を加え、場合に依っては、回復不能な損傷
を与える。
そこで、本発明者等は、さきに、酸化性雰囲気中にレジ
ストを有する半導体基体を配置し、そこに紫外線を照射
することに依りレジストを灰化する技術を提供した。こ
の技術に依ると、酸素プラズマにさらしてレジストを剥
離する場合と比較して、半導体基体が受ける損傷を極め
て小さくすることが可能である。
ストを有する半導体基体を配置し、そこに紫外線を照射
することに依りレジストを灰化する技術を提供した。こ
の技術に依ると、酸素プラズマにさらしてレジストを剥
離する場合と比較して、半導体基体が受ける損傷を極め
て小さくすることが可能である。
然し乍ら、この紫外線照射に依るレジストの剥離技術に
於いても、問題が皆無とはいえない状態にある。
於いても、問題が皆無とはいえない状態にある。
実験に依ると、短波長の紫外線は酸化性雰囲気中でレジ
スト剥離に有効な働きをする酸素ラジカルを生成させる
作用をするものであるが、約２７０（ｎｍ）以下の紫外
線を半導体基体に直接照射すると、酸素プラズマはどで
はないにせよ矢張り損傷される。
スト剥離に有効な働きをする酸素ラジカルを生成させる
作用をするものであるが、約２７０（ｎｍ）以下の紫外
線を半導体基体に直接照射すると、酸素プラズマはどで
はないにせよ矢張り損傷される。
例えば、現在、ＭＴＳ電界９ＪＪ果半導体装置に於ける
絶縁膜等は極めて薄くなっているので、僅かでも損傷さ
れることば耐圧の低下に結び付くので好ましくない。
絶縁膜等は極めて薄くなっているので、僅かでも損傷さ
れることば耐圧の低下に結び付くので好ましくない。
また、紫外線の作用は酸素ラジカルの生成のみでなく、
レジスト膜に照射した場合、ポリマの結合を切断する作
用もあるので、灰化速度を維持する上で、できれば直接
照射したいところである。
レジスト膜に照射した場合、ポリマの結合を切断する作
用もあるので、灰化速度を維持する上で、できれば直接
照射したいところである。
更にまた、紫外線を得る為の光源からは、同時に赤外線
も放射されることが多く、その赤外線がレジスト膜に入
射すると温度−上昇に依り重合硬化を生ずるので灰化速
度は低下する。そして、このようなことは、短波長の紫
外線に依っても発生ずることがある。
も放射されることが多く、その赤外線がレジスト膜に入
射すると温度−上昇に依り重合硬化を生ずるので灰化速
度は低下する。そして、このようなことは、短波長の紫
外線に依っても発生ずることがある。
発明のト１的
本発明は、半導体装置を製造する際のバターニングに用
いたレジスト膜を除去するに際し、酸化性雰囲気中で紫
外線を照射して剥離する技術を適用するものであるが、
従来のこの種の技術と比較して、灰化速度の低下を招来
することなく、半導体基体に与える損傷が一層少なくな
るように、また、レジスト膜が赤外線の影響を受けるこ
とがないようにしようとするものである。
いたレジスト膜を除去するに際し、酸化性雰囲気中で紫
外線を照射して剥離する技術を適用するものであるが、
従来のこの種の技術と比較して、灰化速度の低下を招来
することなく、半導体基体に与える損傷が一層少なくな
るように、また、レジスト膜が赤外線の影響を受けるこ
とがないようにしようとするものである。
発明の構成
本発明の半導体装置の製造方法では、レジスト膜を有す
る半導体基体を酸化雰囲気中に配置し、該レジスト膜に
長波長紫外線を直接照射すると共に短波長紫外線を該レ
ジスト膜に直接照射しないように前記酸化性雰囲気中に
入射させて該レジスト膜の灰化除去を行なうことを基本
的な特徴とし、また、前記各紫外線は光源からの赤外線
を除去する光学系を経て取り出されたものであること、
更にまた、前記各紫外線は一光源からの光を分光して取
り出されたものであることを特徴とし、これに依り、半
導体基体に損傷を与える゛ことなく且つ剥離速度を減す
ることなくレジスト膜の灰化除去を行なうことが可能で
ある。
る半導体基体を酸化雰囲気中に配置し、該レジスト膜に
長波長紫外線を直接照射すると共に短波長紫外線を該レ
ジスト膜に直接照射しないように前記酸化性雰囲気中に
入射させて該レジスト膜の灰化除去を行なうことを基本
的な特徴とし、また、前記各紫外線は光源からの赤外線
を除去する光学系を経て取り出されたものであること、
更にまた、前記各紫外線は一光源からの光を分光して取
り出されたものであることを特徴とし、これに依り、半
導体基体に損傷を与える゛ことなく且つ剥離速度を減す
ることなくレジスト膜の灰化除去を行なうことが可能で
ある。
発明の実施例
第１図は本発明を実施する装置の一例を表わす要部説明
図である。
図である。
図に於いて、１は例えば高圧水銀燈のような光源、２は
コンデンサ・レンズ、３はアパーチャ、４はコリメータ
・レンズ、５は第１の紫外線ミラー、６は第２の紫外線
ミラー、７は例えばアルミニウム鏡面を有するミラー、
８は半導体基体保持台、９はヒータ、１０はシリコン半
導体基体、１０Ａは厚さ例えば１５０ 〔人〕程度の二
酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜、１． ＯＢは厚さ例えば
１ 〔μｍ〕程度のＯＭＲ（東京応化製のレジスト）か
らなるレジスト膜をそれぞれ示している。
コンデンサ・レンズ、３はアパーチャ、４はコリメータ
・レンズ、５は第１の紫外線ミラー、６は第２の紫外線
ミラー、７は例えばアルミニウム鏡面を有するミラー、
８は半導体基体保持台、９はヒータ、１０はシリコン半
導体基体、１０Ａは厚さ例えば１５０ 〔人〕程度の二
酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜、１． ＯＢは厚さ例えば
１ 〔μｍ〕程度のＯＭＲ（東京応化製のレジスト）か
らなるレジスト膜をそれぞれ示している。
図示の装置に於いて、光源１からの光は、コンデンサ・
レンズ２、アパーチャ３、コリメータ・レンズ４を介し
て第１の紫外線ミラー５に入射する。
レンズ２、アパーチャ３、コリメータ・レンズ４を介し
て第１の紫外線ミラー５に入射する。
第１の紫外線ミラー５及び第２の紫外線ミラー６は、そ
れぞれ多層誘電体膜を備え、波長選択性を有している。
れぞれ多層誘電体膜を備え、波長選択性を有している。
即ち、第１の紫外線ミラー５は波長２７０（ｎｍ〕以下
の紫外線を反射し、それを越える波長の光は透過する作
用をしている。また、第２の紫外線ミラー６は第１の紫
外線ミラー５を透過した光のうち波長１ 〔μｍ〕以下
の光を反射し、それを越える波長の光を透過する作用を
している。
の紫外線を反射し、それを越える波長の光は透過する作
用をしている。また、第２の紫外線ミラー６は第１の紫
外線ミラー５を透過した光のうち波長１ 〔μｍ〕以下
の光を反射し、それを越える波長の光を透過する作用を
している。
従って、紫外線ミラー５に入射した光のうち、波長２７
０（ｎｍ）以下の紫外線は反射されてミラー７に入射し
、そこで反射され半導体基体１０と略平行な方向にむか
って入射することに依り酸素ラジカルを効率良く生成す
る。尚、図示されているところから明らかなように、こ
の紫外線は半導体基体１０に直接衝撃を与えることはな
い。
０（ｎｍ）以下の紫外線は反射されてミラー７に入射し
、そこで反射され半導体基体１０と略平行な方向にむか
って入射することに依り酸素ラジカルを効率良く生成す
る。尚、図示されているところから明らかなように、こ
の紫外線は半導体基体１０に直接衝撃を与えることはな
い。
また、第１の紫外線ミラー５を透過し、第２の紫外線ミ
ラー６で反射された波長１ 〔μｍ〕以下の紫外線は、
酸素ラジカルの生成は勿論のこと、半導体基体１０に直
接入射してレジスト膜１０Ｂに於けるポリマーの結合を
切断する。
ラー６で反射された波長１ 〔μｍ〕以下の紫外線は、
酸素ラジカルの生成は勿論のこと、半導体基体１０に直
接入射してレジスト膜１０Ｂに於けるポリマーの結合を
切断する。
第１の紫外線ミラー５を透過した光に含まれていた赤外
線等は第２の紫外線ミラー６も透過するので、レジスト
膜１０Ｂに熱線が照射されることを防止することができ
る。
線等は第２の紫外線ミラー６も透過するので、レジスト
膜１０Ｂに熱線が照射されることを防止することができ
る。
本実施例に於いて、波長２７０（ｎｍ）以下の紫外線を
半導体基体１０に直接入射しないようにした理由は、そ
の波［並範囲の紫外線が半導体基体１０を損傷すること
に依るものであるのは前記説明から理解できると思われ
る。
半導体基体１０に直接入射しないようにした理由は、そ
の波［並範囲の紫外線が半導体基体１０を損傷すること
に依るものであるのは前記説明から理解できると思われ
る。
ところで、波長２７０（μｍ〕以下の紫外線が半導体基
体１０に損傷を与えるからといって、それを用いないよ
うにすることは不利である。
体１０に損傷を与えるからといって、それを用いないよ
うにすることは不利である。
その理由は、波長２７０（ｎｍ）以下の紫外線は０２か
ら酸素ラジカルを生成するのに有効であり、また、波長
２６０ Ｃｎｍ） 〜２７０ （”ｎｍ）の紫外線は０
３に良く吸収され、従って、０３から酸素ラジカルを生
成するのにも大きな力を持つからであり、これ等ばレン
ズ１へ膜の灰化速度を高く維持するには不可欠である。
ら酸素ラジカルを生成するのに有効であり、また、波長
２６０ Ｃｎｍ） 〜２７０ （”ｎｍ）の紫外線は０
３に良く吸収され、従って、０３から酸素ラジカルを生
成するのにも大きな力を持つからであり、これ等ばレン
ズ１へ膜の灰化速度を高く維持するには不可欠である。
さて、前記工程を採るに際しては、半導体基体１０をヒ
ータ９に依り加熱しておくと灰化速度は向上する。
ータ９に依り加熱しておくと灰化速度は向上する。
その場合に於ける半導体基体１０の温度としては、６０
（”Ｃ）〜１２０〔℃〕程度の範囲で選択することが好
ましい。それは、温度が６０Ｃ”Ｃ）未満であると加熱
したことに依る効果が乏しく、また、１２０（”Ｃ）を
越えるとレジスト膜１０が硬化して剥離し難くなるから
である。
（”Ｃ）〜１２０〔℃〕程度の範囲で選択することが好
ましい。それは、温度が６０Ｃ”Ｃ）未満であると加熱
したことに依る効果が乏しく、また、１２０（”Ｃ）を
越えるとレジスト膜１０が硬化して剥離し難くなるから
である。
前記説明した装置に於いて、少なくとも半導体基体１０
は酸化雰囲気中、即ち、反応室中におく必要があるが、
ミラー等は反応室の内外何れでも良い。
は酸化雰囲気中、即ち、反応室中におく必要があるが、
ミラー等は反応室の内外何れでも良い。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法では、レジスト膜を有す
る半導体基体を酸化雰囲気中に配置し、該レジスト膜に
長波長紫外線を直接照射すると共に短波長紫外線を該レ
ジスト膜に直接照射しないように前記酸化雰囲気中に入
射させて該レジスト膜の灰化除去を行なうことを基本と
し、また、前記各紫外線は光源から赤外線を除去する光
学系を経て取り出されものであること、更にまた、前記
各紫外線は一光源からの光を分光して取り出されたもの
であること等に依り、従来のこの種のレジスト膜剥離技
術と比較して、半導体基体に与える損傷を著しく少なく
することが可能であり、しかも、レジストの剥離速度、
即ち、灰化速度の低下を招来することばない。
る半導体基体を酸化雰囲気中に配置し、該レジスト膜に
長波長紫外線を直接照射すると共に短波長紫外線を該レ
ジスト膜に直接照射しないように前記酸化雰囲気中に入
射させて該レジスト膜の灰化除去を行なうことを基本と
し、また、前記各紫外線は光源から赤外線を除去する光
学系を経て取り出されものであること、更にまた、前記
各紫外線は一光源からの光を分光して取り出されたもの
であること等に依り、従来のこの種のレジスト膜剥離技
術と比較して、半導体基体に与える損傷を著しく少なく
することが可能であり、しかも、レジストの剥離速度、
即ち、灰化速度の低下を招来することばない。
更にまた、本発明に於いても、酸素プラズマを用いた場
合の効果、例えば廃液処理の問題がない等の効果がある
点では同様である。
合の効果、例えば廃液処理の問題がない等の効果がある
点では同様である。
図は本発明を実施する装置の一例を表わす要部説明図で
ある。 図に於いて、１は例えば高圧水銀燈のような光源、２は
コンデンサ・レンズ、３はアパーチャ、４はコリメータ
・レンズ、５は第１の紫外線ミラー、６は第２の紫外線
ミラー、７は例えばアルミニウムの鏡面を持つミラー、
８は半導体基体の保持台、９は加熱ヒータ、１０は半導
体基体、１０Ａは５ｔｏ２１！、ＩＯＢはレジスト膜で
ある。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − ０
ある。 図に於いて、１は例えば高圧水銀燈のような光源、２は
コンデンサ・レンズ、３はアパーチャ、４はコリメータ
・レンズ、５は第１の紫外線ミラー、６は第２の紫外線
ミラー、７は例えばアルミニウムの鏡面を持つミラー、
８は半導体基体の保持台、９は加熱ヒータ、１０は半導
体基体、１０Ａは５ｔｏ２１！、ＩＯＢはレジスト膜で
ある。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − ０
Claims (3)
- （１）レジスト膜を有する半導体基体を酸化性雰囲気中
に配置し、該レジスト膜に長波長紫外線を直接照射する
と共に短波長紫外線を該レジスト膜に直接照射しないよ
うに前記酸化性雰囲気中に入射させて該レジスト膜の灰
化除去を行なう工程が含まれてなることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - （２）前記各紫外線は光源から赤外線を除去する光学系
を経て取り出されたものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）前記各紫外線は一光源からの光を分光して取り出
されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156470A JPS6049631A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156470A JPS6049631A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049631A true JPS6049631A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15628448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156470A Pending JPS6049631A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273732A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 光励起ガス処理装置 |
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58156470A patent/JPS6049631A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273732A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 光励起ガス処理装置 |
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
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