JPS6319073B2 - - Google Patents
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- JPS6319073B2 JPS6319073B2 JP60100079A JP10007985A JPS6319073B2 JP S6319073 B2 JPS6319073 B2 JP S6319073B2 JP 60100079 A JP60100079 A JP 60100079A JP 10007985 A JP10007985 A JP 10007985A JP S6319073 B2 JPS6319073 B2 JP S6319073B2
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- JP
- Japan
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- panel
- pulse
- temperature
- circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はエルクトロルミネツセンスデイスプ
レイパネル（以下、ELパネルと称する）、特に薄
膜交流型のELパネルの輝度のエージング変化を
安定化するための装置に関する。
レイパネル（以下、ELパネルと称する）、特に薄
膜交流型のELパネルの輝度のエージング変化を
安定化するための装置に関する。
（従来の技術）
従来から種々のタイプのELパネルが実用化さ
れている。第４図は、これらELパネルのうち、
薄膜交流型ELパネルの内部構造を概略的に示す
一部切欠斜視図である。このELパネルは、周知
のように、ガラス基板４１上に、透明電極４２
（例えばITO電極）、第一絶縁層４３、発光層４４
（例えば、ZnS：Mn）、第二絶縁層４５及び背面
電極４６（例えばAl電極）を順次に積層した単
純な構造となつている。
れている。第４図は、これらELパネルのうち、
薄膜交流型ELパネルの内部構造を概略的に示す
一部切欠斜視図である。このELパネルは、周知
のように、ガラス基板４１上に、透明電極４２
（例えばITO電極）、第一絶縁層４３、発光層４４
（例えば、ZnS：Mn）、第二絶縁層４５及び背面
電極４６（例えばAl電極）を順次に積層した単
純な構造となつている。
この透明電極４２と背面電極４６との間に外部
から200V程度の交流電圧を所定の周期で印加す
ると、両電極の交差部分の発光層４４が発光す
る。
から200V程度の交流電圧を所定の周期で印加す
ると、両電極の交差部分の発光層４４が発光す
る。
一般に、この構造のELパネルは、寿命の点で
他の構造のELパネル、例えば、直流型或いは粉
末型等に比べて優秀であるとされている。
他の構造のELパネル、例えば、直流型或いは粉
末型等に比べて優秀であるとされている。
ところで、このELパネルの電気光学特性、す
なわち、印加電圧と輝度との関係は、第５図Ａに
示すように、駆動時間の経過につれて高電圧側へ
と移動していくことが知られている。この点につ
き簡単に説明する。第５図Ａは横軸に印加電圧
（Vpp）を取り、縦軸に輝度（fL）を取つて示し
た輝度レベルの経時的変化を表わす特性曲線図で
あり、又、第５図Ｂはこの時印加する駆動電圧波
形図で、tは周期、Twは印加電圧のパルス幅、
Vppは印加電圧の大きさである。曲線ＩはELパ
ネルに駆動電圧を印加した初期時の輝度レベルと
印加電圧との関係を示す。曲線は駆動電圧の印
加を継続して100時間経過した時点での同様な関
係を示し、曲線は150時間経過した時点での関
係をそれぞれ示す。この曲線図からも明らかなよ
うに、所定のパルス幅tw（例えば、40μs）及び周
期t（例えば、5ms）の駆動電圧でELパネルを駆
動した時、ELパネルは時間の経過ともに、輝度
（明るさ）が低下することが分かる。例えば、電
圧Vppを220V程度としたELパネルを初期駆動す
ると、その時の曲線Ｉの点Ｃで示すような輝度で
あるとすると、100時間や、150時間の経過後には
曲線及びに示すように、輝度は低下し、ほと
んど実用的でなくなつている。100時間経過後に
おいても、この初期駆動時の輝度（Ｃ点の輝度）
と同程度な輝度を得るようにするためには、第５
図Ａの曲線に点Ｂで示すような例えば240程度
の電圧で駆動しなければならない。このように、
一定の輝度を得るように駆動するためには時間と
ともに、駆動電圧をその都度増加せることが必要
となる。
なわち、印加電圧と輝度との関係は、第５図Ａに
示すように、駆動時間の経過につれて高電圧側へ
と移動していくことが知られている。この点につ
き簡単に説明する。第５図Ａは横軸に印加電圧
（Vpp）を取り、縦軸に輝度（fL）を取つて示し
た輝度レベルの経時的変化を表わす特性曲線図で
あり、又、第５図Ｂはこの時印加する駆動電圧波
形図で、tは周期、Twは印加電圧のパルス幅、
Vppは印加電圧の大きさである。曲線ＩはELパ
ネルに駆動電圧を印加した初期時の輝度レベルと
印加電圧との関係を示す。曲線は駆動電圧の印
加を継続して100時間経過した時点での同様な関
係を示し、曲線は150時間経過した時点での関
係をそれぞれ示す。この曲線図からも明らかなよ
うに、所定のパルス幅tw（例えば、40μs）及び周
期t（例えば、5ms）の駆動電圧でELパネルを駆
動した時、ELパネルは時間の経過ともに、輝度
（明るさ）が低下することが分かる。例えば、電
圧Vppを220V程度としたELパネルを初期駆動す
ると、その時の曲線Ｉの点Ｃで示すような輝度で
あるとすると、100時間や、150時間の経過後には
曲線及びに示すように、輝度は低下し、ほと
んど実用的でなくなつている。100時間経過後に
おいても、この初期駆動時の輝度（Ｃ点の輝度）
と同程度な輝度を得るようにするためには、第５
図Ａの曲線に点Ｂで示すような例えば240程度
の電圧で駆動しなければならない。このように、
一定の輝度を得るように駆動するためには時間と
ともに、駆動電圧をその都度増加せることが必要
となる。
しかし、この曲線〜からも明らかなよう
に、100時間程度経過すると、輝度レベルの経時
変化も極めて少なくなる。そのため、例えば、
240Vの印加電圧の時曲線上の輝度点Ａを100時
間エージングを行つて曲線の輝度点Ｂに移して
おけば、その後は240Vの印加電圧でほぼ安定し
て作動させることが出来る。従つて、工業的に
は、何等かの形で商品の出荷前にこの特性の移動
を済ませて安定化してしまえばよい。
に、100時間程度経過すると、輝度レベルの経時
変化も極めて少なくなる。そのため、例えば、
240Vの印加電圧の時曲線上の輝度点Ａを100時
間エージングを行つて曲線の輝度点Ｂに移して
おけば、その後は240Vの印加電圧でほぼ安定し
て作動させることが出来る。従つて、工業的に
は、何等かの形で商品の出荷前にこの特性の移動
を済ませて安定化してしまえばよい。
従来、この種のELパネルの輝度のエージング
変化を安定化処理する方法として、文献「特公昭
54―12037号」及び文献「日経エレクトロニク
ス」、1979年４月２日号、p118〜142に開示され
た方法があるが、これら方法は高温不活性ガス雰
囲気中でELパネルに所定の電界を印加して行う
ものであつた。
変化を安定化処理する方法として、文献「特公昭
54―12037号」及び文献「日経エレクトロニク
ス」、1979年４月２日号、p118〜142に開示され
た方法があるが、これら方法は高温不活性ガス雰
囲気中でELパネルに所定の電界を印加して行う
ものであつた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この従来の安定化処理では、１
〜２時間という短時間で安定化を行うと、ELパ
ネルによつては、過剰な電気的かつ熱的ストレス
が掛つて、破壊してしまうという欠点があつた。
〜２時間という短時間で安定化を行うと、ELパ
ネルによつては、過剰な電気的かつ熱的ストレス
が掛つて、破壊してしまうという欠点があつた。
さらに、これら文献に開示されている手法は、
単に高温不活性ガス雰囲気中（150℃以上250℃以
下）で電界を印加しながら、エージングするとい
う手法であり、温度の具体的設定法、例えば、エ
ージング中は温度を変化させるとか、駆動電圧、
パルス幅、周期は一定なのか可変なのかという具
体的な技術に関しては何等示唆されていない。ま
た、１時間程度の処理時間で充分な効果が得られ
たとしているが、その時、破壊に至るような可能
性に対し、予知し、防止する手段は何等開示され
ていない。
単に高温不活性ガス雰囲気中（150℃以上250℃以
下）で電界を印加しながら、エージングするとい
う手法であり、温度の具体的設定法、例えば、エ
ージング中は温度を変化させるとか、駆動電圧、
パルス幅、周期は一定なのか可変なのかという具
体的な技術に関しては何等示唆されていない。ま
た、１時間程度の処理時間で充分な効果が得られ
たとしているが、その時、破壊に至るような可能
性に対し、予知し、防止する手段は何等開示され
ていない。
このような点に鑑み、この出願に係る発明者等
は、安定化処理を短時間で実現することはもとよ
り、安定化処理がされるべきELパネルからの電
気的・光学的情報を積極的にフイードバツクして
起動条件を設定出来るようにするため、以下に説
明するような基礎実験を重ねて行つた。
は、安定化処理を短時間で実現することはもとよ
り、安定化処理がされるべきELパネルからの電
気的・光学的情報を積極的にフイードバツクして
起動条件を設定出来るようにするため、以下に説
明するような基礎実験を重ねて行つた。
以下、この基礎実験の結果につき簡単に説明す
る。尚、これらの実験において、エージング時間
とは、第５図Ａに曲線及びで示すように、輝
度特性があまり変化しない状態となるまでの経過
時間をいう。また、駆動条件は駆動パラメータ以
外は同一とする。
る。尚、これらの実験において、エージング時間
とは、第５図Ａに曲線及びで示すように、輝
度特性があまり変化しない状態となるまでの経過
時間をいう。また、駆動条件は駆動パラメータ以
外は同一とする。
先ず、エージング時間の温度依存性の実験を行
つた。その結果を、第６図に、横軸に温度（℃）
及び縦軸にエージング時間（秒）をそれぞれプロ
ツトして得られた特性曲線で示した。この時の
電気的駆動条件は、繰り返し周期tを100μs、パ
ルス幅10μs、印加電圧300Vとした。この図から
明らかなように、雰囲気温度に対しエージング時
間はほぼ直線的に減少することが明らかとなつ
た。
つた。その結果を、第６図に、横軸に温度（℃）
及び縦軸にエージング時間（秒）をそれぞれプロ
ツトして得られた特性曲線で示した。この時の
電気的駆動条件は、繰り返し周期tを100μs、パ
ルス幅10μs、印加電圧300Vとした。この図から
明らかなように、雰囲気温度に対しエージング時
間はほぼ直線的に減少することが明らかとなつ
た。
第二に、エージング時間の駆動周期依存性につ
いて実験を行つた。その一つの結果を第７図に特
性曲線で示す。同図において、横軸に駆動周波
数（Hz）及び縦軸にエージング時間（時間）をそ
れぞれプロツトして示す。この実験結果から明ら
かなように、エージング時間は駆動周波数に対し
て直線的に減少することが分る。
いて実験を行つた。その一つの結果を第７図に特
性曲線で示す。同図において、横軸に駆動周波
数（Hz）及び縦軸にエージング時間（時間）をそ
れぞれプロツトして示す。この実験結果から明ら
かなように、エージング時間は駆動周波数に対し
て直線的に減少することが分る。
第三に、エージングのための駆動パルス幅の最
適化の実験である。最適駆動パルス幅は10μsであ
ることを見い出した。
適化の実験である。最適駆動パルス幅は10μsであ
ることを見い出した。
次に、駆動セルに直列抵抗を入れて破壊試験を
行つた時の抵抗差による異常点の大きさを第８図
に示す。第８図Ａ及びＢは、背面電極（Al電極）
４２と透明電極（ITO電極）４６との交差部分が
形成する一画素点領域でのAl電極４２の破損状
態をそれぞれ示す拡大図である。第８図Ａに示す
実験結果は、温度を25℃、駆動電圧Vppを300V、
周期tを100μs、パルス幅twを10μsとし、経過時
間を10分とした時のエージング結果を示す。図
中、斜線を付して示した部分ＰがAl電極の破損
した分である。
行つた時の抵抗差による異常点の大きさを第８図
に示す。第８図Ａ及びＢは、背面電極（Al電極）
４２と透明電極（ITO電極）４６との交差部分が
形成する一画素点領域でのAl電極４２の破損状
態をそれぞれ示す拡大図である。第８図Ａに示す
実験結果は、温度を25℃、駆動電圧Vppを300V、
周期tを100μs、パルス幅twを10μsとし、経過時
間を10分とした時のエージング結果を示す。図
中、斜線を付して示した部分ＰがAl電極の破損
した分である。
一方、第８図Ｂは、Ａ図の場合と同一条件下で
はあるが、ITO電極４６の駆動回路に直列抵抗と
して50KΩの抵抗を挿入しかつ経過時間を１時間
とした場合の結果である。この場合の異常放電に
よつて生じたAl電極の破損部分も、第８図Ｂに、
同様にＰで示す。
はあるが、ITO電極４６の駆動回路に直列抵抗と
して50KΩの抵抗を挿入しかつ経過時間を１時間
とした場合の結果である。この場合の異常放電に
よつて生じたAl電極の破損部分も、第８図Ｂに、
同様にＰで示す。
第８図Ａ及びＢに示す結果から、Al電極４２
の破損部分Ｐの面積の大きさは、駆動回路中に直
列に挿入した抵抗によつて小さくすることが分つ
た。
の破損部分Ｐの面積の大きさは、駆動回路中に直
列に挿入した抵抗によつて小さくすることが分つ
た。
さらに、この破壊試験を行つた時のAl電極４
２と、ITO電極４６との間の電圧波形を観測した
ところ、第９図に示すような結果が得られた。第
９図において、横軸は時間及び縦軸は電圧であ
る。この図において、実線は正常動作によつて画
素が発光している時の電圧波形を示し、ｔは発光
に至るまでの時間で通常は10μsである。この時間
ｔを経過した後に画素が発光する。破線，及
びで示す曲線はそれぞれ発光時に異常放電があ
つたことを示す。破線〜はそれぞれの異常放
電の大きさを示しており、破線の場合には、通
常の500ルツクス（lx）の照明下でも異常放電に
よるAl電極の燃える強い白色光が目視されかつ、
第８図にＰで示したような異常放電による破損を
生じた。尚、破線及びの場合の異常放電は発
光も弱くかつ破損も極めて小さかつた。
２と、ITO電極４６との間の電圧波形を観測した
ところ、第９図に示すような結果が得られた。第
９図において、横軸は時間及び縦軸は電圧であ
る。この図において、実線は正常動作によつて画
素が発光している時の電圧波形を示し、ｔは発光
に至るまでの時間で通常は10μsである。この時間
ｔを経過した後に画素が発光する。破線，及
びで示す曲線はそれぞれ発光時に異常放電があ
つたことを示す。破線〜はそれぞれの異常放
電の大きさを示しており、破線の場合には、通
常の500ルツクス（lx）の照明下でも異常放電に
よるAl電極の燃える強い白色光が目視されかつ、
第８図にＰで示したような異常放電による破損を
生じた。尚、破線及びの場合の異常放電は発
光も弱くかつ破損も極めて小さかつた。
以上の実験結果から、ELパネルを安定化処理
する際に、電極間電圧波形の乱れ或いはELセル
の正常発光時の横色橙色でない白色の強い光出力
を検出することにより、異常放電の有無、頻度及
び大きさを知ることが出来ることが分つた。さら
に、この情報を適切に利用することにより、エー
ジングのための駆動条件、すなわち、電圧、パル
ス幅、周期、温度及び時間を所定の値で行うこと
が可能となることが分つた。
する際に、電極間電圧波形の乱れ或いはELセル
の正常発光時の横色橙色でない白色の強い光出力
を検出することにより、異常放電の有無、頻度及
び大きさを知ることが出来ることが分つた。さら
に、この情報を適切に利用することにより、エー
ジングのための駆動条件、すなわち、電圧、パル
ス幅、周期、温度及び時間を所定の値で行うこと
が可能となることが分つた。
そこで、この発明の目的は、従来のELパネル
の破壊という問題点を除去し、短時間かつ確実に
ELパネルの安定化処理を可能と可能とした装置
を提供することにある。
の破壊という問題点を除去し、短時間かつ確実に
ELパネルの安定化処理を可能と可能とした装置
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明によれ
ば、ELパネルの温度を所定の複数の温度に設定
し得る温度制御手段と、 前記ELパネル内の任意の画素点に対してラン
ダムアクセスして発光させるように制御するラン
ダムアクセス回路と、 各画素点に対して印加するパルス駆動電圧、パ
ルス幅及びパルス周期を可変設定するためのパル
ス制御回路と、 画素点で直交する二つの電極線間の電圧波形値
を検出してＡ／Ｄ変換する電圧波形検出回路と、 各画素の発光出力を光電変換した後Ａ／Ｄ変換
する発光出力検出回路と、 前記温度制御手段、ランダムアクセス回路、パ
ルス制御回路、電圧波形検出回路及び発光出力検
出回路を独立して制御する中央制御装置を 具えたことを特徴とする。
ば、ELパネルの温度を所定の複数の温度に設定
し得る温度制御手段と、 前記ELパネル内の任意の画素点に対してラン
ダムアクセスして発光させるように制御するラン
ダムアクセス回路と、 各画素点に対して印加するパルス駆動電圧、パ
ルス幅及びパルス周期を可変設定するためのパル
ス制御回路と、 画素点で直交する二つの電極線間の電圧波形値
を検出してＡ／Ｄ変換する電圧波形検出回路と、 各画素の発光出力を光電変換した後Ａ／Ｄ変換
する発光出力検出回路と、 前記温度制御手段、ランダムアクセス回路、パ
ルス制御回路、電圧波形検出回路及び発光出力検
出回路を独立して制御する中央制御装置を 具えたことを特徴とする。
（作用）
このように構成すれば、温度、印加する駆動電
圧、パルス幅及びパルス周期を最適化することが
出来ると共に、画素点で直交して対を形成する透
明電極及び背面電極の電圧波形及び発光出力を検
出して異常放電の有無、発生頻度及び大きさを知
り、これをフイードバツクしてエージングの処理
を短縮することが出来る。
圧、パルス幅及びパルス周期を最適化することが
出来ると共に、画素点で直交して対を形成する透
明電極及び背面電極の電圧波形及び発光出力を検
出して異常放電の有無、発生頻度及び大きさを知
り、これをフイードバツクしてエージングの処理
を短縮することが出来る。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の実施例につ
き説明する。
き説明する。
第１図はこの発明のELパネルの安定化処理装
置の実施例を示すブロツク線図である。１１は薄
膜交流型ELパネル、１２はそのマトリツクスド
ライバであり、これらは従来周知の構成となつて
いるので詳細な説明を省略する。
置の実施例を示すブロツク線図である。１１は薄
膜交流型ELパネル、１２はそのマトリツクスド
ライバであり、これらは従来周知の構成となつて
いるので詳細な説明を省略する。
この発明によればELパネル１１を適当な室１
３内に設置する。温度制御手段１４と、ランダム
アクセス回路１５と、パルス制御回路１６と、電
圧波形検出器１７と、発光出力検出器１８とを具
え、これらの構成成分１４〜１８を中央制御装置
（マイクロコンピユータ：以下、CPUと称する場
合がある）１９に内蔵された制御プログラムによ
つて、制御バス２０を介して、それぞれ適切かつ
独立してプログラム制御出来るように構成する。
３内に設置する。温度制御手段１４と、ランダム
アクセス回路１５と、パルス制御回路１６と、電
圧波形検出器１７と、発光出力検出器１８とを具
え、これらの構成成分１４〜１８を中央制御装置
（マイクロコンピユータ：以下、CPUと称する場
合がある）１９に内蔵された制御プログラムによ
つて、制御バス２０を介して、それぞれ適切かつ
独立してプログラム制御出来るように構成する。
温度制御手段１４は室１３内に配設した温度制
御ユニツト２１と、これと接続された温度制御回
路２２とを具え、室１３内のELパネル１１全体
の温度を、他の構成成分とは独立して、所定の複
数の温度にそれぞれ設定出来るようになつてい
る。ランダムアクセス回路１５はマトリツクスド
ライバ１２に接続され、このドライバ１２を介し
て、ELパネル１１内の任意の画素点に対してラ
ンダムアクセスしてその画素点を発光させる回路
である。
御ユニツト２１と、これと接続された温度制御回
路２２とを具え、室１３内のELパネル１１全体
の温度を、他の構成成分とは独立して、所定の複
数の温度にそれぞれ設定出来るようになつてい
る。ランダムアクセス回路１５はマトリツクスド
ライバ１２に接続され、このドライバ１２を介し
て、ELパネル１１内の任意の画素点に対してラ
ンダムアクセスしてその画素点を発光させる回路
である。
さらに、パルス制御回路１６はマトリツクスド
ライバ１２に接続されていて、ランダムアクセス
回路１５によつて選択された各画素に対して印加
するパルス駆動電圧、パルス幅及びパルス周期の
制御を行う。
ライバ１２に接続されていて、ランダムアクセス
回路１５によつて選択された各画素に対して印加
するパルス駆動電圧、パルス幅及びパルス周期の
制御を行う。
電圧波形検出回路１７はELパネル１１に接続
されていて、ELパネル１１の画素を形成するた
め直交する透明電極及び背面電極の組合せ群の内
から所定の二つの電極の電圧波形を検出し、Ａ／
Ｄ変換する回路である。
されていて、ELパネル１１の画素を形成するた
め直交する透明電極及び背面電極の組合せ群の内
から所定の二つの電極の電圧波形を検出し、Ａ／
Ｄ変換する回路である。
さらに、発光出力検出回路１８はELパネル１
１内の発光画素の発光出力を光電変換する光電変
換器２３と、その検出出力をＡ／Ｄ変換するため
のＡ／Ｄ変換回路２４とを具えている。
１内の発光画素の発光出力を光電変換する光電変
換器２３と、その検出出力をＡ／Ｄ変換するため
のＡ／Ｄ変換回路２４とを具えている。
CPU１９は、第２図に示すように、次のよう
な機能を有する手段を具えている。温度制御手段
１４に対して温度目標値を設定し、その温度が設
定されたことを確認する温度設定確認手段２５
と、この温度設定に応答してパルス制御回路１６
に対して、ELパネル１１に印加すべき駆動電圧、
パルス幅及び周期の制御のためのデータを供給す
るパルスデータ供給手段２６、ランダムアクセス
回路１５に対し、ELパネル１１に対する表示画
像データ及び表示モードデータを出力するための
表示データ供給手段２７と、電圧波形検出回路１
７からの出力を読取ると共に、発光出力検出回路
１８からの出力を読取る出力読取手段２８と、上
述した各手段とやりとりを行い所要のデータを格
納しているメモリ２９と、出力読取手段２８から
の読取出力とメモリ２９に格納されている基準デ
ータとを比較し、次の処理を行うための指令を例
えば温度設定確認手段２５等へと与える比較手段
３０とを具えている。尚、この図において、タイ
ミング回路等のその他の通常の回路手段を図示を
省略してある。
な機能を有する手段を具えている。温度制御手段
１４に対して温度目標値を設定し、その温度が設
定されたことを確認する温度設定確認手段２５
と、この温度設定に応答してパルス制御回路１６
に対して、ELパネル１１に印加すべき駆動電圧、
パルス幅及び周期の制御のためのデータを供給す
るパルスデータ供給手段２６、ランダムアクセス
回路１５に対し、ELパネル１１に対する表示画
像データ及び表示モードデータを出力するための
表示データ供給手段２７と、電圧波形検出回路１
７からの出力を読取ると共に、発光出力検出回路
１８からの出力を読取る出力読取手段２８と、上
述した各手段とやりとりを行い所要のデータを格
納しているメモリ２９と、出力読取手段２８から
の読取出力とメモリ２９に格納されている基準デ
ータとを比較し、次の処理を行うための指令を例
えば温度設定確認手段２５等へと与える比較手段
３０とを具えている。尚、この図において、タイ
ミング回路等のその他の通常の回路手段を図示を
省略してある。
次に、第１図及び第２図のブロツク線図並びに
第３図の動作フローチヤートを参照して、この実
施例の動作及び作用につき説明する。
第３図の動作フローチヤートを参照して、この実
施例の動作及び作用につき説明する。
先ず、装置全体に電源を投入する（第３図のス
テツプ３１）。CPU１９は温度制御回路２２に対
して、第一の温度目標値T1例えば20℃を設定す
るためのデータをメモリ２９から読出して出力す
る。温度制御手段１４からのデータにより、温度
制御回路２２は温度制御ユニツト２１を構成する
ヒータ及び温度検出器を用いて、室１３内の温度
が設定目標値T1すなわち20℃になるように定温
制御を行う（ステツプ３２）。この目標値T1に到
達すると、温度制御回路２２はCPU１９の温度
設定確認手段２５に対し、動作終了信号を送る
（ステツプ３２）。CPU１９の温度設定確認手段
２５はこの動作終了信号を待つて、パルスデータ
供給手段２６に指令を送る。
テツプ３１）。CPU１９は温度制御回路２２に対
して、第一の温度目標値T1例えば20℃を設定す
るためのデータをメモリ２９から読出して出力す
る。温度制御手段１４からのデータにより、温度
制御回路２２は温度制御ユニツト２１を構成する
ヒータ及び温度検出器を用いて、室１３内の温度
が設定目標値T1すなわち20℃になるように定温
制御を行う（ステツプ３２）。この目標値T1に到
達すると、温度制御回路２２はCPU１９の温度
設定確認手段２５に対し、動作終了信号を送る
（ステツプ３２）。CPU１９の温度設定確認手段
２５はこの動作終了信号を待つて、パルスデータ
供給手段２６に指令を送る。
次に、このパルスデータ供給手段２６は駆動電
圧Vpp、パルス幅tw及び周期tに関するデータを
メモリ２９から読出して、これらデータをパルス
制御回路１６に供給する。この場合、前述の温度
設定と共に、最初は異常がおこらないような条
件、例えば、Vpp＝200V、tw＝10μs、t＝1msに
それぞれ設定する（ステツプ３２）。
圧Vpp、パルス幅tw及び周期tに関するデータを
メモリ２９から読出して、これらデータをパルス
制御回路１６に供給する。この場合、前述の温度
設定と共に、最初は異常がおこらないような条
件、例えば、Vpp＝200V、tw＝10μs、t＝1msに
それぞれ設定する（ステツプ３２）。
次に、ランダムアクセス回路１５に対し、表示
データ供給手段２７から、メモリ２９から読出し
た表示画像データ或いは表示モードデータ等を出
力する。
データ供給手段２７から、メモリ２９から読出し
た表示画像データ或いは表示モードデータ等を出
力する。
このような、駆動電圧Vpp、パルス幅tw、周期
t、表示画像及び表示モードの各データをCPU
１９から対応するパルス制御回路１６及びランダ
ムアクセス回路１５にそれぞれ供給すると、マト
リツクスドライバ１２を介して、ELパネル１１
に対し、所定の表示動作を行わせる。
t、表示画像及び表示モードの各データをCPU
１９から対応するパルス制御回路１６及びランダ
ムアクセス回路１５にそれぞれ供給すると、マト
リツクスドライバ１２を介して、ELパネル１１
に対し、所定の表示動作を行わせる。
この表示動作を行つている時、CPU１９は電
圧波形検出回路１７及び発光出力検出回路１８そ
れぞれからの透明電極及び背面電極の各マトリツ
クス線の電圧波形出力値及びELパネルの発光出
力値を所定の周期で多数回読込む。
圧波形検出回路１７及び発光出力検出回路１８そ
れぞれからの透明電極及び背面電極の各マトリツ
クス線の電圧波形出力値及びELパネルの発光出
力値を所定の周期で多数回読込む。
この時、１分間に異常電圧波形が10回以上あつ
た場合には（ステツプ３３のイエスの時）、この
ステツプ３３を繰り返し行つて、10回以下に安定
化するまで行う。このステツプ３３で、10回以下
となつたら（ノーの時）、電圧が300Vより高いか
どうか判断し、ノーであれば（ステツプ３４）、
パルス制御回路１６によつて、例えば、電圧値を
10V上昇させる（ステツプ３５）た後、再度ステ
ツプ３３及び３４を繰り返し行い、これをステツ
プ３４で電圧が300Vより高くなるまで行う。
た場合には（ステツプ３３のイエスの時）、この
ステツプ３３を繰り返し行つて、10回以下に安定
化するまで行う。このステツプ３３で、10回以下
となつたら（ノーの時）、電圧が300Vより高いか
どうか判断し、ノーであれば（ステツプ３４）、
パルス制御回路１６によつて、例えば、電圧値を
10V上昇させる（ステツプ３５）た後、再度ステ
ツプ３３及び３４を繰り返し行い、これをステツ
プ３４で電圧が300Vより高くなるまで行う。
ステツプ３４でイエスとなつた場合に、パルス
制御回路１６によつて、パルス周期tを100μsに
設定し、温度を20℃上昇させる（ステツプ３６）。
制御回路１６によつて、パルス周期tを100μsに
設定し、温度を20℃上昇させる（ステツプ３６）。
次に、室１３内のELパネル１１の温度が80℃
よりも高くなつているかを判断し（ステツプ３
７）、ノーの場合には、再度、ステツプ３３から
の動作を繰り返し行う。このステツプ３７での判
断でイエスとなつた場合には、その時点で、この
動作を終了する（ステツプ３８）。
よりも高くなつているかを判断し（ステツプ３
７）、ノーの場合には、再度、ステツプ３３から
の動作を繰り返し行う。このステツプ３７での判
断でイエスとなつた場合には、その時点で、この
動作を終了する（ステツプ３８）。
上述したような、動作フローに従つてこの発明
の安定化装置をプログラム制御を行つたところ、
640×400のマトリツクスELパネルの安定化処理
を一画素中の異常放電によるAl電極の破損の大
きさを一画素全体の面積との比で10％以下の条件
で30分という短い時間内で行うことが出来た。
の安定化装置をプログラム制御を行つたところ、
640×400のマトリツクスELパネルの安定化処理
を一画素中の異常放電によるAl電極の破損の大
きさを一画素全体の面積との比で10％以下の条件
で30分という短い時間内で行うことが出来た。
尚、上述した実施例は単なる一例であつて、こ
の発明は上述した実施例にのみ限定されるもので
はなく、多くの変形又は変更を行うことが出来る
と共に、その他の条件等を設計に応じて設定し得
る。
の発明は上述した実施例にのみ限定されるもので
はなく、多くの変形又は変更を行うことが出来る
と共に、その他の条件等を設計に応じて設定し得
る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明
の薄膜交流ELパネルの安定化装置によれば、EL
パネルのエージング装置の機能として、駆動条件
のうち特に印加電圧、パルス幅、パルス周期を最
適化し、かつ、電気的、光学的なフイードバツク
機能を有しているため、エージング時間を短縮す
るのみならず、ELパネルの破壊を未然に防止し、
微小な無視し得る部分的な損傷に留め得るという
効果が期待される。
の薄膜交流ELパネルの安定化装置によれば、EL
パネルのエージング装置の機能として、駆動条件
のうち特に印加電圧、パルス幅、パルス周期を最
適化し、かつ、電気的、光学的なフイードバツク
機能を有しているため、エージング時間を短縮す
るのみならず、ELパネルの破壊を未然に防止し、
微小な無視し得る部分的な損傷に留め得るという
効果が期待される。
第１図はこの発明の薄膜交流ELパネルの安定
化装置の実施例を示すブロツク線図、第２図は
CPUの機能ブロツク線図、第３図はこの発明の
説明に供する動作の流れ図、第４図はこの薄膜交
流ELパネルの内部構造を示す一部切欠斜視図、
第５図はこの発明の説明に供する輝度レベルの経
時変化を示す特性曲線図、第６図はこの発明に説
明に供するエージング時間の温度依存性を示す特
性曲線図、第７図はこの発明の説明に供するエー
ジング時間の周波数依存性を示す特性曲線図、第
８図はこの発明の説明に供する直列抵抗の差によ
る異常点の大きさを示す線図、第９図は異常放電
時の背面（コラム）電極の電圧波形を示す線図で
ある。 １１…ELパネル、１２…マトリツクスドライ
バ、１３…室、１４…温度制御手段、１５…ラン
ダムアクセス回路、１６…パルス制御回路、１７
…電圧波形検出回路、１８…発光出力検出回路、
１９…マイクロコンピユータ、２０…制御バス、
２１…温度制御ユニツト、２２…温度制御回路、
２３…光電変換器、２４…Ａ／Ｄ変換回路、２５
…温度設定確認手段、２６…パルスデータ供給手
段、２７…表示データ供給手段、２８…出力読取
手段、２９…メモリ、３０…比較手段。
化装置の実施例を示すブロツク線図、第２図は
CPUの機能ブロツク線図、第３図はこの発明の
説明に供する動作の流れ図、第４図はこの薄膜交
流ELパネルの内部構造を示す一部切欠斜視図、
第５図はこの発明の説明に供する輝度レベルの経
時変化を示す特性曲線図、第６図はこの発明に説
明に供するエージング時間の温度依存性を示す特
性曲線図、第７図はこの発明の説明に供するエー
ジング時間の周波数依存性を示す特性曲線図、第
８図はこの発明の説明に供する直列抵抗の差によ
る異常点の大きさを示す線図、第９図は異常放電
時の背面（コラム）電極の電圧波形を示す線図で
ある。 １１…ELパネル、１２…マトリツクスドライ
バ、１３…室、１４…温度制御手段、１５…ラン
ダムアクセス回路、１６…パルス制御回路、１７
…電圧波形検出回路、１８…発光出力検出回路、
１９…マイクロコンピユータ、２０…制御バス、
２１…温度制御ユニツト、２２…温度制御回路、
２３…光電変換器、２４…Ａ／Ｄ変換回路、２５
…温度設定確認手段、２６…パルスデータ供給手
段、２７…表示データ供給手段、２８…出力読取
手段、２９…メモリ、３０…比較手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ELパネル全体の温度を所定の複数の温度に
設定し得る温度制御手段と、 前記ELパネル内の任意の画素点に対してラン
ダムアクセスして発光させるように制御するラン
ダムアクセス回路と、 各画素点に対して印加するパルス駆動電圧、パ
ルス幅及びパルス周期を可変設定するためのパル
ス制御回路と、 画素点で直交する二つの電極線間の電圧波形値
を検出してＡ／Ｄ変換する電圧波形検出回路と、 各画素の発光出力を光電変換した後Ａ／Ｄ変換
する発光出力検出回路と、 前記温度制御手段、ランダムアクセス回路、パ
ルス制御回路、電圧波形検出回路及び発光出力検
出回路を独立して制御する中央制御装置を 具えたことを特徴とする薄膜交流ELパネルの安
定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100079A JPS61269893A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 薄膜交流ｅｌパネルの安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100079A JPS61269893A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 薄膜交流ｅｌパネルの安定化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269893A JPS61269893A (ja) | 1986-11-29 |
| JPS6319073B2 true JPS6319073B2 (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=14264433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60100079A Granted JPS61269893A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 薄膜交流ｅｌパネルの安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61269893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122273U (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-13 |
-
1985
- 1985-05-11 JP JP60100079A patent/JPS61269893A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122273U (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61269893A (ja) | 1986-11-29 |
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