JPH01192028A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH01192028A JPH01192028A JP63017967A JP1796788A JPH01192028A JP H01192028 A JPH01192028 A JP H01192028A JP 63017967 A JP63017967 A JP 63017967A JP 1796788 A JP1796788 A JP 1796788A JP H01192028 A JPH01192028 A JP H01192028A
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- optical recording
- film
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１肌二及歪上ヱ
本発明は、光記録媒体の製造方法に関し、さらに詳しく
は、優れた耐酸化性を有する光記録媒体の製造方法に関
する。
は、優れた耐酸化性を有する光記録媒体の製造方法に関
する。
ａの ｆｉｄ ｔらびに の口
光記録媒体には、エネルギービームの照射により、記録
膜の一部に穴もしくは凹部等の物理的変化部を形成する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性（屈折率、反
射率など）を変化させた光学特性変化部を形成する方式
のものとがある。
膜の一部に穴もしくは凹部等の物理的変化部を形成する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性（屈折率、反
射率など）を変化させた光学特性変化部を形成する方式
のものとがある。
いずれの方式の光記録媒体における記録膜としても、テ
ルル（Ｔｅ）を主成分とする記Ｓ膜が従来から知られて
いる（特開昭５８−７１１９５号公報、特開昭５８−９
２３４号公報）、Ｔｅを主成分とする記録膜は、非常に
低いエネルギーで所望の物理的変化部もしくは光学特性
変化部（以下、総称して、ｒピット」と称す）を形成で
き、高感度材料として極めて有望である。ここで感度と
は単位面積当りのピット形成に要するエネルギー（ＩＩ
Ｊ／ａ＆）で定義される。
ルル（Ｔｅ）を主成分とする記Ｓ膜が従来から知られて
いる（特開昭５８−７１１９５号公報、特開昭５８−９
２３４号公報）、Ｔｅを主成分とする記録膜は、非常に
低いエネルギーで所望の物理的変化部もしくは光学特性
変化部（以下、総称して、ｒピット」と称す）を形成で
き、高感度材料として極めて有望である。ここで感度と
は単位面積当りのピット形成に要するエネルギー（ＩＩ
Ｊ／ａ＆）で定義される。
しかしながら、Ｔｅは大気中に放置された場合、酸素あ
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう、このようなＴｅを記録膜として使用する
場合、膜厚は数百Ｖ程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う、すなわち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上昇
するとともに、透明化により光等のエネルギーの吸収が
少なくなるため、ピット形成に要するエネルギーが大き
くなり、感度の著しい低下を来たす、たとえばＴｅ膜を
温度７０℃、相対湿度８５％の雰囲気に放置した場合、
約５時間で感度が約２０％低下し、約１５時間で約５０
％低下してしまう。
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう、このようなＴｅを記録膜として使用する
場合、膜厚は数百Ｖ程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う、すなわち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上昇
するとともに、透明化により光等のエネルギーの吸収が
少なくなるため、ピット形成に要するエネルギーが大き
くなり、感度の著しい低下を来たす、たとえばＴｅ膜を
温度７０℃、相対湿度８５％の雰囲気に放置した場合、
約５時間で感度が約２０％低下し、約１５時間で約５０
％低下してしまう。
このような問題点を解決するため、Ｔｅ膜の酸化防止の
ために種々の対策がとられている。その１つとして安定
無機物質でＴｅ膜をコーティングする方法が知られてい
るが、この方法はＴｅ膜の酸化防止には有効であるが、
感度を低下させてしまい、また高価であるため、実用化
されていない。
ために種々の対策がとられている。その１つとして安定
無機物質でＴｅ膜をコーティングする方法が知られてい
るが、この方法はＴｅ膜の酸化防止には有効であるが、
感度を低下させてしまい、また高価であるため、実用化
されていない。
一方、ＴｅＷＡをプラスチックコーティングする方法も
知られているが、この方法は、プラスチックの熱伝導率
が小さいことから感度を損なう度合が小さく有利である
が、酸素や水を比較的容易に透過させるため、Ｔｅ膜の
酸化防止にはあまり役立たない。
知られているが、この方法は、プラスチックの熱伝導率
が小さいことから感度を損なう度合が小さく有利である
が、酸素や水を比較的容易に透過させるため、Ｔｅ膜の
酸化防止にはあまり役立たない。
また上記のような問題点を解決するため、特公昭５９−
３３３２０号公報には、基板と、この基板上に形成され
た、Ｔｅを主成分として炭素および水素を含有する記録
膜とを備え、該記録膜中の炭素の含有量を５〜４０原子
％とじた光記録媒体が記載されている。このよ・うなＴ
ｅ−Ｃ−Ｈ系光記録媒体は、Ｔｅのみからなる光記録媒
体と比較して優れた耐酸化性を有しているが、このＴｅ
−Ｃ−Ｈ系光記録媒体の耐酸化性をさらに向上させる
ことが望まれている。
３３３２０号公報には、基板と、この基板上に形成され
た、Ｔｅを主成分として炭素および水素を含有する記録
膜とを備え、該記録膜中の炭素の含有量を５〜４０原子
％とじた光記録媒体が記載されている。このよ・うなＴ
ｅ−Ｃ−Ｈ系光記録媒体は、Ｔｅのみからなる光記録媒
体と比較して優れた耐酸化性を有しているが、このＴｅ
−Ｃ−Ｈ系光記録媒体の耐酸化性をさらに向上させる
ことが望まれている。
１肌ゑ１遁
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、耐酸化性を向上させ、長寿命
でしかも高感度であるような光記録媒体およびその製造
方法を提供することを目的としている。
ようとするものであって、耐酸化性を向上させ、長寿命
でしかも高感度であるような光記録媒体およびその製造
方法を提供することを目的としている。
１匪ゑ１１
本発明に係る光記録媒体は、基板上に、基板表面から遠
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−
Ｈ系記録膜が設けられていることを特徴としている。
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−
Ｈ系記録膜が設けられていることを特徴としている。
本発明に係る第１の基板上に基板表面から遠ざかる方向
にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録
膜が設けられてなる光記録媒体の製造方法は、基板上に
、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化水素ガスが含まれた雰
囲気中で成膜するに際して、該Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜
の成膜開始時よりも成膜後期において雰囲気中の炭化水
素ガスの濃度を高めて成膜することを特徴としている。
にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録
膜が設けられてなる光記録媒体の製造方法は、基板上に
、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化水素ガスが含まれた雰
囲気中で成膜するに際して、該Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜
の成膜開始時よりも成膜後期において雰囲気中の炭化水
素ガスの濃度を高めて成膜することを特徴としている。
本発明に係る第２の基板上に基板表面から遠ざかる方向
にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ −Ｃ−Ｈ系光記
録膜が設けられてなる光記録媒体の製造方法は、基板上
に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化水素ガスが含まれた
雰囲気中で成膜するに際して、該Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録
膜の成膜開始時よりも成膜後期において雰囲気中の炭化
水素ガス濃度を高めて成膜し、次いで基板上に成膜され
た記録膜を７０〜３００℃の温度で５秒以上熱処理する
ことを特徴としている。
にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ −Ｃ−Ｈ系光記
録膜が設けられてなる光記録媒体の製造方法は、基板上
に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化水素ガスが含まれた
雰囲気中で成膜するに際して、該Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録
膜の成膜開始時よりも成膜後期において雰囲気中の炭化
水素ガス濃度を高めて成膜し、次いで基板上に成膜され
た記録膜を７０〜３００℃の温度で５秒以上熱処理する
ことを特徴としている。
１匪ａ１体立皿３
以下本発明に係る光記録媒体の製造方法について具体的
に説明する。
に説明する。
本発明では、第１図に示されるように、光記録媒体１０
は基板１１と、この基板１１上に成膜されたＴｅ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜１２とから構成されている。
は基板１１と、この基板１１上に成膜されたＴｅ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜１２とから構成されている。
このＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜１２では、基板表面から遠
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなっている、すなわち
光記録膜１２中ではＴｅ含有量は、基板表面から遠ざか
る方向に連続的に少なくなっていてもよく、また第２図
に示すようにＴｅ含有量が多い第１光記録膜１２ａとＴ
ｅ含有量が第１光記録Ｉｌｌ ２ａよりも少ない第２光
記録Ｉ１１２ｂとが積層されているように基板表面から
遠ざかる方向に段階的に少なくなっていてもよい。
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなっている、すなわち
光記録膜１２中ではＴｅ含有量は、基板表面から遠ざか
る方向に連続的に少なくなっていてもよく、また第２図
に示すようにＴｅ含有量が多い第１光記録膜１２ａとＴ
ｅ含有量が第１光記録Ｉｌｌ ２ａよりも少ない第２光
記録Ｉ１１２ｂとが積層されているように基板表面から
遠ざかる方向に段階的に少なくなっていてもよい。
本発明で用いられる基板１１としては、たとえばガラス
やアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリ
スチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４７７８
号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン、ポリ
４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテ
ルサルフオン、ポリサルフオン、ポリエーテルイミド、
エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の有機材料
を用いることができる。この基板１１の厚さは、好まし
くは０．５〜２．５箱、特に好ましくは１．０〜１．５
＋＋ｍ程度である。
やアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリ
スチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４７７８
号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン、ポリ
４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテ
ルサルフオン、ポリサルフオン、ポリエーテルイミド、
エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の有機材料
を用いることができる。この基板１１の厚さは、好まし
くは０．５〜２．５箱、特に好ましくは１．０〜１．５
＋＋ｍ程度である。
本発明では、基板１１上に上記のように基板表面から遠
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなるようなＴＯ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜１２を成膜するには、ＴＯをターゲットと
して用い、真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子
ビーム蒸着法などを採用することができるが、この際蒸
着装置内を、炭化水素ガスが含まれた雰囲気とし、基板
１１上にＴａ−Ｃ−Ｈ系光記録１ｇ！１２の成膜開始時
よりも成膜後期において、雰囲気中の炭化水素ガス濃度
を高めている。なおＴｅをターゲラとして、炭化水素ガ
スが含まれた雰囲気中で基板上にＴｅを被着すると、Ｔ
ｅ−Ｃ−Ｈなる組成を有する膜が得られることは従来知
られている。
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなるようなＴＯ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜１２を成膜するには、ＴＯをターゲットと
して用い、真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子
ビーム蒸着法などを採用することができるが、この際蒸
着装置内を、炭化水素ガスが含まれた雰囲気とし、基板
１１上にＴａ−Ｃ−Ｈ系光記録１ｇ！１２の成膜開始時
よりも成膜後期において、雰囲気中の炭化水素ガス濃度
を高めている。なおＴｅをターゲラとして、炭化水素ガ
スが含まれた雰囲気中で基板上にＴｅを被着すると、Ｔ
ｅ−Ｃ−Ｈなる組成を有する膜が得られることは従来知
られている。
より具体的には、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜１２を基板１
１上に成膜するに際して、蒸着装置内の炭化水素濃度を
連続的に高めてもよく、また段階的に高めてもよい。
１上に成膜するに際して、蒸着装置内の炭化水素濃度を
連続的に高めてもよく、また段階的に高めてもよい。
蒸着装置内の炭化水素濃度を連続的に高めて、基板１１
上にＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜１２を成膜すれば、基板１
１上に、基板から雛れる方向に向かってＴｅ含有量が少
なく、したがってＣおよびＨの含有量が高められたＴｅ
−Ｃ−Ｈ系光記録膜１２が成膜される。また蒸着装置内
の炭化水素ガス濃度を段階的に高めると、第２図に示さ
れるように、基板１１上に、Ｔｅ含有量が多くしたがっ
てＣおよびＨ含有量が少ない第１光記録膜１２ａと、Ｔ
ｅ含有量が少なくしたがってＣおよびＨ含有量が多い第
２光記録膜１２ｂとがこの順序で成膜される。
上にＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜１２を成膜すれば、基板１
１上に、基板から雛れる方向に向かってＴｅ含有量が少
なく、したがってＣおよびＨの含有量が高められたＴｅ
−Ｃ−Ｈ系光記録膜１２が成膜される。また蒸着装置内
の炭化水素ガス濃度を段階的に高めると、第２図に示さ
れるように、基板１１上に、Ｔｅ含有量が多くしたがっ
てＣおよびＨ含有量が少ない第１光記録膜１２ａと、Ｔ
ｅ含有量が少なくしたがってＣおよびＨ含有量が多い第
２光記録膜１２ｂとがこの順序で成膜される。
第３図に、基板１１上にＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を成膜
する際の蒸着装置内の炭化水素ガス濃度の例を示す、す
なわち第３図中の（ａ）は炭化水素ガス濃度を段階的に
変化させで高める場合であり、（ｂ）は炭化水素ガス濃
度を連続的に高める場合であり、（Ｃ）は炭化水素ガス
濃度を連続的に高め、成膜終了後にやや炭化水素ガス濃
度が低下する場合である。このような（Ｃ）で示される
ような場合のように、成膜の極く終期において炭化水素
ガス濃度が少し下がっても優れた耐酸化性を示す光記録
膜が得られる。
する際の蒸着装置内の炭化水素ガス濃度の例を示す、す
なわち第３図中の（ａ）は炭化水素ガス濃度を段階的に
変化させで高める場合であり、（ｂ）は炭化水素ガス濃
度を連続的に高める場合であり、（Ｃ）は炭化水素ガス
濃度を連続的に高め、成膜終了後にやや炭化水素ガス濃
度が低下する場合である。このような（Ｃ）で示される
ような場合のように、成膜の極く終期において炭化水素
ガス濃度が少し下がっても優れた耐酸化性を示す光記録
膜が得られる。
本発明でＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を成膜する際に蒸着装
置内に導入される炭化水素としては、メタン、エタン、
アセチレンなどが用いられる。このような炭化水素は、
通常、不活性ガスとともに蒸着装置内に導入されるが、
この際用いられる不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、クリプトン、窒素などが挙げられるが、
このうち特にアルゴンが好ましい。
置内に導入される炭化水素としては、メタン、エタン、
アセチレンなどが用いられる。このような炭化水素は、
通常、不活性ガスとともに蒸着装置内に導入されるが、
この際用いられる不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、クリプトン、窒素などが挙げられるが、
このうち特にアルゴンが好ましい。
本発明で成膜されるＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜中には、上
記の各成分に加えて、Ｂｉ 、Ｚｎ 、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｐｂ、Ｓｎなどの低融点金属を２５原子％までの量
で含むこともできる。また、Ｔｉ、 ・Ｍｎ 、Ｎ
ｉ 、Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｔａ 、ＰｔおよびＳｌからな
る群から選択される少なくとも１！ａの金属を２５原子
％までの量で含むこともできる。このような金属をＴｅ
−Ｃ−Ｈ系光記録膜に含ませるには、ターゲットとして
、Ｔｅとこの金属との合金ターゲットを用いてもよく、
またＴｅとこの金属とを別々のターゲットとして用いて
もよい。
記の各成分に加えて、Ｂｉ 、Ｚｎ 、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｐｂ、Ｓｎなどの低融点金属を２５原子％までの量
で含むこともできる。また、Ｔｉ、 ・Ｍｎ 、Ｎ
ｉ 、Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｔａ 、ＰｔおよびＳｌからな
る群から選択される少なくとも１！ａの金属を２５原子
％までの量で含むこともできる。このような金属をＴｅ
−Ｃ−Ｈ系光記録膜に含ませるには、ターゲットとして
、Ｔｅとこの金属との合金ターゲットを用いてもよく、
またＴｅとこの金属とを別々のターゲットとして用いて
もよい。
このような光記録膜１２の膜厚は、全体で１００人〜１
μｍＩＥましくは１５０〜’、０００人さらに好ましく
は１５０〜４００人程度である。
μｍＩＥましくは１５０〜’、０００人さらに好ましく
は１５０〜４００人程度である。
本発明に係る記録膜１２は、記録すべき情報に応じて変
調（オン・オフ）されたレーザビーム等のエネルギービ
ームが照射されると、その照射部分にピットが形成され
るようになっている。このビットは、穴や凹部等のよう
な物理的変化部であっても良いし、屈折率や反射率等の
光学的特性を変化させた光学特性変化部であっても良い
。
調（オン・オフ）されたレーザビーム等のエネルギービ
ームが照射されると、その照射部分にピットが形成され
るようになっている。このビットは、穴や凹部等のよう
な物理的変化部であっても良いし、屈折率や反射率等の
光学的特性を変化させた光学特性変化部であっても良い
。
上記のように基板１１上に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を
、該Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜の成膜開始時よりも成膜後
期において雰囲気中の炭化水素ガスの濃度を高めて成膜
すると、得られる光記録膜の耐酸化性が著しく向上する
。特に光記録媒体の表面から主に生ずるであろうと考え
られる孔食が効果的に防止される。たとえば、まずアル
ゴン／メタンが８／２である雰囲気中で、ターゲットと
してＴｅを用いて反応性スパッタ法により、基板上にＴ
ｅ含有量７５原子％、Ｃ含有量１６原子％、Ｈ含有量９
原子％であるＴｅ−Ｃ−Ｈ系第１光記録膜を成膜し、次
いでアルゴン／メタンが２／８である雰囲気中で同様に
してＴＯ含有量５９原′子％、Ｃ含有量２１原子％、Ｈ
含有量２０原子％であるＴｃ−Ｃ−Ｈ系第２光記録膜を
成膜して光記録膜を製造すると、この光記録膜は７０℃
、相対湿度８５％の雰囲気下に３００時間放置しても、
発生する孔食数は０であり、しかも光反射率の変化率は
９％に過ぎない、これに対してアルゴン／メタンが８／
２である雰囲気中でターゲットとしてＴＯを用いて反応
性スパッタ法により、基板上に被着されたＴｅ−Ｃ−Ｈ
系第１光記録膜は、７０℃、相対湿度８５％の雰囲気下
に３００時間放置すると、発生する孔食数は３０であり
、しかも光反射率の変化率は１０％にも達してしまう。
、該Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜の成膜開始時よりも成膜後
期において雰囲気中の炭化水素ガスの濃度を高めて成膜
すると、得られる光記録膜の耐酸化性が著しく向上する
。特に光記録媒体の表面から主に生ずるであろうと考え
られる孔食が効果的に防止される。たとえば、まずアル
ゴン／メタンが８／２である雰囲気中で、ターゲットと
してＴｅを用いて反応性スパッタ法により、基板上にＴ
ｅ含有量７５原子％、Ｃ含有量１６原子％、Ｈ含有量９
原子％であるＴｅ−Ｃ−Ｈ系第１光記録膜を成膜し、次
いでアルゴン／メタンが２／８である雰囲気中で同様に
してＴＯ含有量５９原′子％、Ｃ含有量２１原子％、Ｈ
含有量２０原子％であるＴｃ−Ｃ−Ｈ系第２光記録膜を
成膜して光記録膜を製造すると、この光記録膜は７０℃
、相対湿度８５％の雰囲気下に３００時間放置しても、
発生する孔食数は０であり、しかも光反射率の変化率は
９％に過ぎない、これに対してアルゴン／メタンが８／
２である雰囲気中でターゲットとしてＴＯを用いて反応
性スパッタ法により、基板上に被着されたＴｅ−Ｃ−Ｈ
系第１光記録膜は、７０℃、相対湿度８５％の雰囲気下
に３００時間放置すると、発生する孔食数は３０であり
、しかも光反射率の変化率は１０％にも達してしまう。
なお孔食数は目視によりカウントしたものである。
次に、このようにして基板１１上に記録膜１２を形成し
た後、必要に応して、この記録膜１２を、不活性ガス、
還元性ガス、もしくは多少の酸素を含んだ不活性ガス雰
囲気中で、熱処理することが好ましい、熱処理温度は、
記録膜中に含まれる低融点金属の融点以下であることが
必要であり、好ましくは７０〜３００℃特に９０〜１５
０℃の温度範囲が良い、また熱処理時間は５秒〜１００
０分特に５分〜１００分間であることが好ましい。
た後、必要に応して、この記録膜１２を、不活性ガス、
還元性ガス、もしくは多少の酸素を含んだ不活性ガス雰
囲気中で、熱処理することが好ましい、熱処理温度は、
記録膜中に含まれる低融点金属の融点以下であることが
必要であり、好ましくは７０〜３００℃特に９０〜１５
０℃の温度範囲が良い、また熱処理時間は５秒〜１００
０分特に５分〜１００分間であることが好ましい。
このように、記録膜１２を基板１１上に形成した後に記
録膜１２を熱処理することで、記録膜の耐酸化性がさら
に向上し、記録膜の記録感度が向上する。たとえば上記
のようにして基板上に被着されたＴｅ−Ｃ−Ｈ系第１光
記録膜とＴｅ−Ｃ−Ｈ系第２光記録膜とからなる記録膜
１２を窒素ガス雰囲気中で１００℃の温度で２０分間熱
処理すると、得られた光記録膜を７０℃、相対湿度８５
％の雰囲気中で２００時間放置しても、その光反射率の
変化率は一１％に過ぎなくなる。ここで記録感度が向上
するとは、単位面積あたりの記録時に要するレーザ光等
のエネルギービームのエネルギーが低下することを言う
。
録膜１２を熱処理することで、記録膜の耐酸化性がさら
に向上し、記録膜の記録感度が向上する。たとえば上記
のようにして基板上に被着されたＴｅ−Ｃ−Ｈ系第１光
記録膜とＴｅ−Ｃ−Ｈ系第２光記録膜とからなる記録膜
１２を窒素ガス雰囲気中で１００℃の温度で２０分間熱
処理すると、得られた光記録膜を７０℃、相対湿度８５
％の雰囲気中で２００時間放置しても、その光反射率の
変化率は一１％に過ぎなくなる。ここで記録感度が向上
するとは、単位面積あたりの記録時に要するレーザ光等
のエネルギービームのエネルギーが低下することを言う
。
九匪座皇１
本発明に係る光記録媒体では、基板上に基板表面から遠
ざかる方向にＴＯ含有量が少なくなるような’ｒｅ−ｃ
−Ｈ系光記録膜が投光記録膜おり、この光記録媒体の製
造方法では、基板上に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化
水素ガスが含まれた雰囲気中で成膜するに際して、該Ｔ
ｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜の成膜開始時よりも成膜後期にお
いて雰囲気中の炭化水素ガス濃度を高めて成膜し、次い
で必要に応じて基板上に成膜された記録膜を７０〜３０
０℃の温度で５秒以上熱処理しているなめ、耐酸化性に
優れ、長寿命でしかも高感度である光記録媒体が得られ
る。
ざかる方向にＴＯ含有量が少なくなるような’ｒｅ−ｃ
−Ｈ系光記録膜が投光記録膜おり、この光記録媒体の製
造方法では、基板上に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化
水素ガスが含まれた雰囲気中で成膜するに際して、該Ｔ
ｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜の成膜開始時よりも成膜後期にお
いて雰囲気中の炭化水素ガス濃度を高めて成膜し、次い
で必要に応じて基板上に成膜された記録膜を７０〜３０
０℃の温度で５秒以上熱処理しているなめ、耐酸化性に
優れ、長寿命でしかも高感度である光記録媒体が得られ
る。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
実施例に限定されるものではない。
え胤■よ
ＴＯをターゲットとし、直径１３０ｎｍのアモルファス
ポリオレフィンからなる基板上に、アルゴンガスとメタ
ンガスとの８：２の混合ガス中で６Ｘ １０−３Ｔｏｒ
ｒの真空下ＤＣ４５Ｗにてスパッタリング法により膜厚
１２５人の第１Ｔｅ−Ｃ−Ｈ膜を成膜した。
ポリオレフィンからなる基板上に、アルゴンガスとメタ
ンガスとの８：２の混合ガス中で６Ｘ １０−３Ｔｏｒ
ｒの真空下ＤＣ４５Ｗにてスパッタリング法により膜厚
１２５人の第１Ｔｅ−Ｃ−Ｈ膜を成膜した。
この第１ＴＯ−Ｃ−Ｈ膜の膜組成を、ＩＣＰ発光分析法
（誘導結合型プラズマ発光分析法）および有機元素分析
法によって分析したところ、Ｔｅ７５Ｃ１６Ｈ９であっ
た。
（誘導結合型プラズマ発光分析法）および有機元素分析
法によって分析したところ、Ｔｅ７５Ｃ１６Ｈ９であっ
た。
次にこの第１Ｔｅ−Ｃ−Ｈ膜上に、アルゴンガスとメタ
ンガスとの２二８の混合ガス中で６×１０ ’Ｔｏｒｒ
の真空下ＤＣ４５Ｗにてスパッタリング法により膜厚１
２５人の第２Ｔｅ−Ｃ−Ｈ膜を成膜して光記録媒体を製
造した。
ンガスとの２二８の混合ガス中で６×１０ ’Ｔｏｒｒ
の真空下ＤＣ４５Ｗにてスパッタリング法により膜厚１
２５人の第２Ｔｅ−Ｃ−Ｈ膜を成膜して光記録媒体を製
造した。
この第２Ｔｅ−Ｃ−Ｈ膜の膜組成をＩＣＰ発光分析法に
より分析したところ、Ｔｅ５９Ｃ２１Ｈ２ｏであった。
より分析したところ、Ｔｅ５９Ｃ２１Ｈ２ｏであった。
このようにして得られた光記録媒体を、７０℃、相対温
度８５％の雰囲気下に３００時間放置した後、光反射率
の初期値からの変化率を調べた。
度８５％の雰囲気下に３００時間放置した後、光反射率
の初期値からの変化率を調べた。
また目視による孔食の発生数を調べた。
結果を表１に示す。
聚１■ユ
実施例１で得られた光記録媒体を、１００℃で２０分間
窒素雰囲気中で熱処理した。
窒素雰囲気中で熱処理した。
このようにして処理された光記録媒体につ“いて、実施
例１と同様にして、光反射率の変化率および孔食の発生
数を調べた。
例１と同様にして、光反射率の変化率および孔食の発生
数を調べた。
結果を表１に示す。
Ｌ校■ユ
ＴＯをターゲットとし、直径１３０ｆｌのアモルファス
ポリオレフィンからなる基板上に、アルゴンガスとメタ
ンガスとの８：２の混合ガス中で６Ｘ １０−３Ｔｏｒ
ｒの真空下ＤＣ４５Ｗにてスバ・ツタリング法により膜
厚２５０人のＴｅ−Ｃ−Ｈ膜を成膜した。
ポリオレフィンからなる基板上に、アルゴンガスとメタ
ンガスとの８：２の混合ガス中で６Ｘ １０−３Ｔｏｒ
ｒの真空下ＤＣ４５Ｗにてスバ・ツタリング法により膜
厚２５０人のＴｅ−Ｃ−Ｈ膜を成膜した。
このＴｅ−Ｃ−Ｈ膜の膜組成は、Ｔｅ７５Ｃ１６Ｈ９で
あった。
あった。
このＴｃ−Ｃ−Ｈ１ｌ！について、実施例１と同様にし
て、光反射率の変化率および孔食の発生数を調べた。
て、光反射率の変化率および孔食の発生数を調べた。
結果を表１に示す。
Ｌ敗皿ユ
比較例１で得られた光記録媒体を、１００℃で２０分間
窒素雰囲気中で熱処理した。
窒素雰囲気中で熱処理した。
このようにして処理された光記録媒体について、実施例
１と同、様にして、光反射率の変化率および孔食の発生
数を調べな。
１と同、様にして、光反射率の変化率および孔食の発生
数を調べな。
結果を表１に示す。
ｉ−ユ
第１図および第２図は、本発明に係る光記録媒体の断面
図であり、第３図は、蒸着装置内での炭化水素ガス濃度
と蒸着時間との関係を示す図である。 代理人 弁理士 鈴 木 俊一部 第 ３ 図 ・ 時 間 （１）
図であり、第３図は、蒸着装置内での炭化水素ガス濃度
と蒸着時間との関係を示す図である。 代理人 弁理士 鈴 木 俊一部 第 ３ 図 ・ 時 間 （１）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、基板表面から遠ざかる方向にＴｅ含有量
が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜が設けられ
ていることを特徴とする光記録媒体。 ２、基板上に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化水素ガス
が含まれた雰囲気中で成膜するに際して、該Ｔｅ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜の成膜開始時よりも成膜後期において雰囲
気中の炭化水素ガス濃度を高めて成膜することを特徴と
する、基板上に基板表面から遠ざかる方向にＴｅ含有量
が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜が設けられ
てなる光記録媒体の製造方法。 ３、基板上に、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ系光記録膜を炭化水素ガス
が含まれた雰囲気中で成膜するに際して、該Ｔｅ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜の成膜開始時よりも成膜後期において雰囲
気中の炭化水素ガス濃度を高めて成膜し、次いで基板上
に成膜された記録膜を７０〜３００℃の温度で５秒以上
熱処理することを特徴とする、基板上に基板表面から遠
ざかる方向にＴｅ含有量が少なくなるようなＴｅ−Ｃ−
Ｈ系光記録膜が設けられてなる光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63017967A JPH01192028A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63017967A JPH01192028A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192028A true JPH01192028A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11958505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63017967A Pending JPH01192028A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192028A (ja) |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63017967A patent/JPH01192028A/ja active Pending
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