JPH01192192A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
回路基板及びその製造方法Info
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- JPH01192192A JPH01192192A JP1664788A JP1664788A JPH01192192A JP H01192192 A JPH01192192 A JP H01192192A JP 1664788 A JP1664788 A JP 1664788A JP 1664788 A JP1664788 A JP 1664788A JP H01192192 A JPH01192192 A JP H01192192A
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- polyphenylene sulfide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、電気回路を有する回路基板に関する。
［従来の技術］
ポリフェニレンスルフィド樹脂成形体は良好な耐熱性、
難燃性、耐薬品性を発揮して多くの電無電子部品として
使用さハている。特に、ポリフェニレンスルフィド樹脂
の薄肉成形板は、例えば特開昭６１−２５６６８４号に
二載されているように、電気回路基板として用いられて
いる。
難燃性、耐薬品性を発揮して多くの電無電子部品として
使用さハている。特に、ポリフェニレンスルフィド樹脂
の薄肉成形板は、例えば特開昭６１−２５６６８４号に
二載されているように、電気回路基板として用いられて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
、しかしながら、ポリフェニレンスルフィド樹脂薄肉成
形板は、ポリフェニレンスルフィド樹脂が極めてエツチ
ングしにくいので、表層の電気回路形成のための化学メ
ツキかうまく付かず、その結果、微細な回路の形成か困
難であり、また、製品の歩留′が悪いという欠点がある
。
形板は、ポリフェニレンスルフィド樹脂が極めてエツチ
ングしにくいので、表層の電気回路形成のための化学メ
ツキかうまく付かず、その結果、微細な回路の形成か困
難であり、また、製品の歩留′が悪いという欠点がある
。
この発明の目的は、ポリフェニレンスルフィド樹脂成形
体が有する優れた耐熱性、難燃性、耐薬品性、電気特性
等を保持したまま、上記メツキの付きにくさによって生
じる問題を解決した回路基板を提供することである。
体が有する優れた耐熱性、難燃性、耐薬品性、電気特性
等を保持したまま、上記メツキの付きにくさによって生
じる問題を解決した回路基板を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本願発明者らは、鋭意研究の結果、ポリフェニレンスル
フィド樹脂成形板にポリフェニレンスルフィドフィルム
を積層し、該フィルムの上に電気回路を形成することに
よって上記目的を達成することがてきることを見出しこ
の発明を完成した。 □ 、 すなわち、この些明は、厚み０．５ｍｍ以上５
ｍｍ以下のポリフェニレンスルフィド、樹脂射出成形板
゛ と、鎖板の少なくとも片面上に一層された、厚み５
ｐｍ以上２５０ｇｍ以下のポリフェニレンスルフィドフ
ィルムとい該”フィルム□上に形成された電気回路とを
含む回路基板を提供する。
フィド樹脂成形板にポリフェニレンスルフィドフィルム
を積層し、該フィルムの上に電気回路を形成することに
よって上記目的を達成することがてきることを見出しこ
の発明を完成した。 □ 、 すなわち、この些明は、厚み０．５ｍｍ以上５
ｍｍ以下のポリフェニレンスルフィド、樹脂射出成形板
゛ と、鎖板の少なくとも片面上に一層された、厚み５
ｐｍ以上２５０ｇｍ以下のポリフェニレンスルフィドフ
ィルムとい該”フィルム□上に形成された電気回路とを
含む回路基板を提供する。
さらに、こめ発明は厚さ５ＪＬ１１ないし２５０ｐｍの
ポリフェニレンスルフィドフィルムを金型内の片面に貼
布し、該金型内にポリフェニレンスルフィド樹脂を射出
成形して厚み０．５■■以上５ｍｍ以下のポリフェニレ
ンスルフィド射出成形板と上記フィルムとを積層し、該
フィルム上に電気回路を形成することから成る上記回路
基板の製造方法を提供する。
ポリフェニレンスルフィドフィルムを金型内の片面に貼
布し、該金型内にポリフェニレンスルフィド樹脂を射出
成形して厚み０．５■■以上５ｍｍ以下のポリフェニレ
ンスルフィド射出成形板と上記フィルムとを積層し、該
フィルム上に電気回路を形成することから成る上記回路
基板の製造方法を提供する。
さらにまた、この発明は、予め電気回路が形成された厚
さ５ＩＬｍないし２５０ ｐｔａのポリフェニレンスル
フィドフィルムを金型内の片面に、上記電気回路が金型
の壁に接する向きに貼布し、該金型内にポリフェニレン
スルフィド樹脂を射出成形して厚み０．５＋＊ｍ以上５
ＩＩＩ１１以下のポリフェニレンスルフィド射出成形板
と上記フィルムとを積層し、該フィルム上に電気回路を
形成す嘘ることから成る上記回路基板の製造方法を提供
する。
さ５ＩＬｍないし２５０ ｐｔａのポリフェニレンスル
フィドフィルムを金型内の片面に、上記電気回路が金型
の壁に接する向きに貼布し、該金型内にポリフェニレン
スルフィド樹脂を射出成形して厚み０．５＋＊ｍ以上５
ＩＩＩ１１以下のポリフェニレンスルフィド射出成形板
と上記フィルムとを積層し、該フィルム上に電気回路を
形成す嘘ることから成る上記回路基板の製造方法を提供
する。
［発明の効果］
・この発明により１、ポリフェニレンスルフィド樹脂成
形体が有する優れた。耐熱性、難燃性、耐薬、品性、電
気特性等を保持したまま該樹脂成形体を基板とする新規
な回路基板が提供された。ポリフェニレンスルフィドフ
ィルム上、にば回路を形成し易いのて、従来のポリフェ
ニレンスルフィド射出成形板を基板とする回路基板にお
−けるメツキの付きにくさの問題が解決され、微細な回
・路、基−板であっても歩留良、〈形成することができ
る。
形体が有する優れた。耐熱性、難燃性、耐薬、品性、電
気特性等を保持したまま該樹脂成形体を基板とする新規
な回路基板が提供された。ポリフェニレンスルフィドフ
ィルム上、にば回路を形成し易いのて、従来のポリフェ
ニレンスルフィド射出成形板を基板とする回路基板にお
−けるメツキの付きにくさの問題が解決され、微細な回
・路、基−板であっても歩留良、〈形成することができ
る。
この発明において用いられる射出成形板は。
ポリフェニレンスルフィド樹脂を主成分とする樹脂組成
物又はこれを常法により無機物と混練されたポリフェニ
レンスルグイドコンバウ・ンドを射出成形して得られる
ものである。ここで、ポリフェニレンスルフィド樹脂を
主成分とする樹脂組成物とは、ポリフェニレンスルフィ
ドを７０重量％以上、好ましくは９０重量％以上含む組
成物をいう。
物又はこれを常法により無機物と混練されたポリフェニ
レンスルグイドコンバウ・ンドを射出成形して得られる
ものである。ここで、ポリフェニレンスルフィド樹脂を
主成分とする樹脂組成物とは、ポリフェニレンスルフィ
ドを７０重量％以上、好ましくは９０重量％以上含む組
成物をいう。
ポリフェニレンスルフィドの含有量が７０重量％未、満
ては、樹脂組成物としての結晶−性、熱転移度等が低く
なり、該組成物の特長である耐熱性、寸法安定性、へ機
械的特性等を損なう。
ては、樹脂組成物としての結晶−性、熱転移度等が低く
なり、該組成物の特長である耐熱性、寸法安定性、へ機
械的特性等を損なう。
該樹脂組成物は、この耐熱性、寸法安定性、機械的特性
等に悪影響を与えないならば、３０重量％以下の、ａ囲
でポリフェニレンスルフィド以外のポリマーを含んでい
てもよい、またコンパウンドはガラス繊維やタルクのよ
うな無機又は有機の、フィラー、着色剤、紫外線吸収剤
等を含んでいても差支えない。
等に悪影響を与えないならば、３０重量％以下の、ａ囲
でポリフェニレンスルフィド以外のポリマーを含んでい
てもよい、またコンパウンドはガラス繊維やタルクのよ
うな無機又は有機の、フィラー、着色剤、紫外線吸収剤
等を含んでいても差支えない。
・ 本発明においてポリフェニレンスルフィド（以下Ｐ
ＰＳと省略することがある）とは、繰りる構成単位から
成る重合体をいう、かかる成分が７０モル％未満ではポ
リマーの結晶性、熱転移温度等が低くなり、ポリフェニ
レンスルフィドを主成分とする樹脂組成物から成る成形
板の特長である耐熱性、寸法安定性、機械的特性等を損
なう。
ＰＳと省略することがある）とは、繰りる構成単位から
成る重合体をいう、かかる成分が７０モル％未満ではポ
リマーの結晶性、熱転移温度等が低くなり、ポリフェニ
レンスルフィドを主成分とする樹脂組成物から成る成形
板の特長である耐熱性、寸法安定性、機械的特性等を損
なう。
繰り返し単位の３０モル％未満、好ましくは１５モル％
未満であれば共重合可能な結合を含有する単位か含まれ
ていても差支えない。
未満であれば共重合可能な結合を含有する単位か含まれ
ていても差支えない。
この発明に用いられるポリフェニレンスルフィド射出成
形板の厚みは０．５ｍｓ以上５ｍｍ以下であり、好まし
くは０．５−一ないし３ｍｓ＋である。射出成形板の厚
みが０．５−層未満では強度が小さく、５ｍｍを超える
と基板として不必要に重いばかりでなく、スルーホール
などに支障を生じることがある。
形板の厚みは０．５ｍｓ以上５ｍｍ以下であり、好まし
くは０．５−一ないし３ｍｓ＋である。射出成形板の厚
みが０．５−層未満では強度が小さく、５ｍｍを超える
と基板として不必要に重いばかりでなく、スルーホール
などに支障を生じることがある。
この発明に用いられるポリフェニレンスルフィドフィル
ムは、ポリフェニレンスルフィドを主成分とする樹脂組
成物を、溶融成形してシート状とし、延伸、熱処理して
成るフィルムである。
ムは、ポリフェニレンスルフィドを主成分とする樹脂組
成物を、溶融成形してシート状とし、延伸、熱処理して
成るフィルムである。
ここで、「ポリフェニレンスルフィドを主成分と。
する樹脂組成物」及び「ボリフェニレンスルブ、・イ・
：喧ト」の定義は上記と同じであ“る、なお、樹脂組成
物の溶融粘度は、温度３００℃゛、剪断速度２０（１１
／ｓｅｃ、のもとて５００〜１２０００ボイズ（より好
ましくは７００〜ｔＯｏｏｏボイズ）の範囲がフィルム
の成形性の点で好ましい。
：喧ト」の定義は上記と同じであ“る、なお、樹脂組成
物の溶融粘度は、温度３００℃゛、剪断速度２０（１１
／ｓｅｃ、のもとて５００〜１２０００ボイズ（より好
ましくは７００〜ｔＯｏｏｏボイズ）の範囲がフィルム
の成形性の点で好ましい。
ポリフェニレンスルフィドフィルムの厚みは５ｕＬ１１
以上２５０ ｐ、’ｍ以下、好ましくは５ル■ないし１
２５ｐｉである。ポリフェニレンスルフィドフィルムの
厚みが５．１未満では、破断強度が小さくて破れ易く、
２５０ ｐ、ｔａを超えるとフィルムの熱収縮などの問
題点が射出成形板の反り等に悪影響を及ぼすことがある
。
以上２５０ ｐ、’ｍ以下、好ましくは５ル■ないし１
２５ｐｉである。ポリフェニレンスルフィドフィルムの
厚みが５．１未満では、破断強度が小さくて破れ易く、
２５０ ｐ、ｔａを超えるとフィルムの熱収縮などの問
題点が射出成形板の反り等に悪影響を及ぼすことがある
。
ポリフェニレンスルフィドは２軸延伸フイルムが好まし
く、その破断強度は長手方向及び幅方向の両方とも１５
ｋｇ／ａｍ”以上であることが好ましい。
く、その破断強度は長手方向及び幅方向の両方とも１５
ｋｇ／ａｍ”以上であることが好ましい。
ポリフェニレンスルフィドフィルムは、ポリフェニレン
スルフィド射出成形板の片面又は両面に積層される。積
層は、ウレタン系、エポキシ系、アクリル系、シリコー
ン系等の接着剤層を介して行なうこともできるし、後述
するいわゆるインモールド法により、接着剤層を介する
−ことなく行なうこともできる。ｍｓ剤層を介する場合
には、接着剤層の厚さは２ＩＬ１以上５０１Ｌｍ以下で
あることが好ましい。
スルフィド射出成形板の片面又は両面に積層される。積
層は、ウレタン系、エポキシ系、アクリル系、シリコー
ン系等の接着剤層を介して行なうこともできるし、後述
するいわゆるインモールド法により、接着剤層を介する
−ことなく行なうこともできる。ｍｓ剤層を介する場合
には、接着剤層の厚さは２ＩＬ１以上５０１Ｌｍ以下で
あることが好ましい。
ポリフェニレンスルフィドフィルム上には電気回路が形
成されている。ポリフェニレンスルフィド樹脂成形板の
両面にポリフェニレンスルフィドフィルムが積層される
場合にはそれらの２つのポリフェニレンスルフィドフィ
ルムのそれぞれに回路が形成されていてもよいし、一方
だけに形成されていてもよい、ポリフェニレンスルフィ
ドフィルム上の回路の形成は、周知の方法により行なう
ことができる０例えば、銅等の金属箔を接着剤でフィル
ムに貼り合せ若しくは金属メツキ膜をフィルム上に形成
し、これをエツチングすることによって、また、予め電
気回路を形成した金属箔をフィルムに貼り合せることに
よって、あるいは導電性塗料を塗布することによって形
成することができる。
成されている。ポリフェニレンスルフィド樹脂成形板の
両面にポリフェニレンスルフィドフィルムが積層される
場合にはそれらの２つのポリフェニレンスルフィドフィ
ルムのそれぞれに回路が形成されていてもよいし、一方
だけに形成されていてもよい、ポリフェニレンスルフィ
ドフィルム上の回路の形成は、周知の方法により行なう
ことができる０例えば、銅等の金属箔を接着剤でフィル
ムに貼り合せ若しくは金属メツキ膜をフィルム上に形成
し、これをエツチングすることによって、また、予め電
気回路を形成した金属箔をフィルムに貼り合せることに
よって、あるいは導電性塗料を塗布することによって形
成することができる。
この発明の回路基板は例えば以下のようにして製造する
ことができる。
ことができる。
本発明に用いるポリフェニレンスルフィドは、硫化アル
カリとバラジハロベンゼンとを極性溶媒中て高温高圧下
に反応させて得られる。特に硫化ナトリウムとパラジク
ロルベンゼンをＮ−メチルピロリドン等のアミド系高沸
点極性溶媒中て反応させるのが好ましい、この場合１重
合度を調整するために、カルボン酸アルカリ金属塩等の
いわゆる重合助剤を添加して２３０°Ｃ〜２８０℃で反
応させるのが最も好ましい０重合系内の圧力及び重合時
間は使用する助剤の種類や量及び所望する重合度等によ
つて適宜決定する。得られた粉状又は粒状のポリマーを
、水及び／又は溶媒で洗浄して、副生塩、重合助剤、未
反応モノマー等を分離する。
カリとバラジハロベンゼンとを極性溶媒中て高温高圧下
に反応させて得られる。特に硫化ナトリウムとパラジク
ロルベンゼンをＮ−メチルピロリドン等のアミド系高沸
点極性溶媒中て反応させるのが好ましい、この場合１重
合度を調整するために、カルボン酸アルカリ金属塩等の
いわゆる重合助剤を添加して２３０°Ｃ〜２８０℃で反
応させるのが最も好ましい０重合系内の圧力及び重合時
間は使用する助剤の種類や量及び所望する重合度等によ
つて適宜決定する。得られた粉状又は粒状のポリマーを
、水及び／又は溶媒で洗浄して、副生塩、重合助剤、未
反応モノマー等を分離する。
このポリマーをフィルムに成形するには、押出機により
溶融された該樹脂を口金から定量的に金属ドラムの上に
キャスティングし、急速冷却することによって無配向、
非晶状態のシートを得て、該シートを周知の方法で延伸
、好ましくは２軸延伸し、熱処理する。延伸は投手力向
、幅方向とも９０〜１１０℃で３．０倍〜４．５倍の範
囲で行なう、熱処理は２４０℃〜融点の範囲で、定長又
は１５％以下の制限収縮下に１〜６０秒間行なう。
溶融された該樹脂を口金から定量的に金属ドラムの上に
キャスティングし、急速冷却することによって無配向、
非晶状態のシートを得て、該シートを周知の方法で延伸
、好ましくは２軸延伸し、熱処理する。延伸は投手力向
、幅方向とも９０〜１１０℃で３．０倍〜４．５倍の範
囲で行なう、熱処理は２４０℃〜融点の範囲で、定長又
は１５％以下の制限収縮下に１〜６０秒間行なう。
さらに、該フィルムの熱的寸法安定性を向上させるため
に、一方向又は二方向にリラックスしてもよい。
に、一方向又は二方向にリラックスしてもよい。
ポリフェニレンスルフィド樹脂成形板とポリフェニレン
スルフィドフィルムとの積層体をインモールド法により
、接着剤を用いることなく製造する場合には、このよう
にして得られたポリフェニレンスルフィドフィルムを射
出成形用の金型内の片面に貼布し、上記ポリフェニレン
スルフィド樹脂又はフンバウンドを金型内に射出して成
形する。好ましくは、樹脂温度３００℃から３５０℃、
金型温度常温から２５０℃の間で成形される。
スルフィドフィルムとの積層体をインモールド法により
、接着剤を用いることなく製造する場合には、このよう
にして得られたポリフェニレンスルフィドフィルムを射
出成形用の金型内の片面に貼布し、上記ポリフェニレン
スルフィド樹脂又はフンバウンドを金型内に射出して成
形する。好ましくは、樹脂温度３００℃から３５０℃、
金型温度常温から２５０℃の間で成形される。
樹脂を冷却後、金型から取り出すと射出成形板とフィル
ムの積層体が得られる。
ムの積層体が得られる。
接着剤を用いて積層する方法では、上述のポリフェニレ
ンスルフィドフィルムと、上記と同様な射出成形によっ
て得られたポリフェニレンスルフィド射出成形板とを準
備し、これらの少なくとも一方に接着剤を塗布し、貼り
合せる。
ンスルフィドフィルムと、上記と同様な射出成形によっ
て得られたポリフェニレンスルフィド射出成形板とを準
備し、これらの少なくとも一方に接着剤を塗布し、貼り
合せる。
接着剤は特に限定されないが、耐熱性及び作業性から考
えて熱硬化型の溶剤系が好ましく、例えばウレタン系、
エポキシ系、アクリル系、シリコーン系接着剤等を挙げ
ることができ、市販のものを用いることができる。
えて熱硬化型の溶剤系が好ましく、例えばウレタン系、
エポキシ系、アクリル系、シリコーン系接着剤等を挙げ
ることができ、市販のものを用いることができる。
また、接着剤の塗布の方法としては、グラビアロール法
、リバースロールコータ法、ダイコータ法等の周知の方
法を採用することができる。
、リバースロールコータ法、ダイコータ法等の周知の方
法を採用することができる。
バッチ式で行なう場合には、メタリングバー、アプリケ
ータ、ガラス棒等で接着剤を塗布することができる。
ータ、ガラス棒等で接着剤を塗布することができる。
さらに塗布後の溶剤の乾燥は、用いる溶剤の種類により
異なり１通常は溶剤の沸点付近の温度で残存溶剤が完全
になくなる条件が選ばれる。
異なり１通常は溶剤の沸点付近の温度で残存溶剤が完全
になくなる条件が選ばれる。
又、貼り合せの条件は、常温から２００℃、線圧ｌ〜５
０ ｋｇ／ｃｍの範囲で行なうのがよい。
０ ｋｇ／ｃｍの範囲で行なうのがよい。
また、必要に応じて接着剤の硬化を行なう。
硬化条件は接着剤の種類や組成、厚みによって異なるが
、常温ないし１７０℃で０．５時間〜１００時間の範囲
内が好ましい。
、常温ないし１７０℃で０．５時間〜１００時間の範囲
内が好ましい。
なお、接着剤は上述のようにポリフェニレンスルフィド
フィルムや射出成形板に直接塗布するのが好ましいが、
別の離型性を有するフィルムや紙等に塗布した後、ポリ
フェニレンスルフィドフィルムや射出成形板に転写して
もよい。
フィルムや射出成形板に直接塗布するのが好ましいが、
別の離型性を有するフィルムや紙等に塗布した後、ポリ
フェニレンスルフィドフィルムや射出成形板に転写して
もよい。
また、ポリフェニレンスルフィド射出成形板の両面にポ
リフェニレンスルフィドフィルムを形成する場合には、
片面をインモールド成形により積層し、もう片面を接着
剤で積層するか、又は両面とも接着剤で積層することが
できる。
リフェニレンスルフィドフィルムを形成する場合には、
片面をインモールド成形により積層し、もう片面を接着
剤で積層するか、又は両面とも接着剤で積層することが
できる。
ポリフェニレンスルフィド樹脂成形体とポリフェニレン
スルフィドフィルムとの積層方法は上述の通りであるが
、ポリフェニレンスルフィドフィルム上への電気回路の
形成は例えば次のような数多くのルートで行なうことが
できる。
スルフィドフィルムとの積層方法は上述の通りであるが
、ポリフェニレンスルフィドフィルム上への電気回路の
形成は例えば次のような数多くのルートで行なうことが
できる。
（１）ＰＰＳフィルムに金属箔を貼り、これをエツチン
グする場合 （ａ）金属箔貼着ＰＰＳフィルム→インモールド成形→
エツチング （ｂ）ｐｐｓフィルム→インモールド成形→金属箔貼り
→エツチング （Ｃ）回路形成済みＰＰＳフィルム→インモールド成形 （２）ＰＰＳフィルムに金属をメツキし、これをエツチ
ングする場合 （ａ）核付けＰＰＳフィルム→゛インモールド成形→メ
ツキ呻エツチング （ｂ）メツキ済みＰＰＳフィルム→インモールド成形→
エツチング − （Ｃ）回路形成済みフィルム→インモールド成形 （３）導電性塗料を塗布する場合 ・（ａ）ＰＰＳフ
ィルム→インモールド成形→回路 （ｂ）回路形成済みＰＰＳフィルム→インモールド成形 なお、上記各ルート中の「インモールド成形」を接着剤
を用いた積層に換えることができることは言うまでもな
い、また、ポリフェニレンスルフィドフィルム上への金
属箔の接着、金属のメツキ及びそれらのエツチングはこ
の分野において間知の方法により行なうことができる。
グする場合 （ａ）金属箔貼着ＰＰＳフィルム→インモールド成形→
エツチング （ｂ）ｐｐｓフィルム→インモールド成形→金属箔貼り
→エツチング （Ｃ）回路形成済みＰＰＳフィルム→インモールド成形 （２）ＰＰＳフィルムに金属をメツキし、これをエツチ
ングする場合 （ａ）核付けＰＰＳフィルム→゛インモールド成形→メ
ツキ呻エツチング （ｂ）メツキ済みＰＰＳフィルム→インモールド成形→
エツチング − （Ｃ）回路形成済みフィルム→インモールド成形 （３）導電性塗料を塗布する場合 ・（ａ）ＰＰＳフ
ィルム→インモールド成形→回路 （ｂ）回路形成済みＰＰＳフィルム→インモールド成形 なお、上記各ルート中の「インモールド成形」を接着剤
を用いた積層に換えることができることは言うまでもな
い、また、ポリフェニレンスルフィドフィルム上への金
属箔の接着、金属のメツキ及びそれらのエツチングはこ
の分野において間知の方法により行なうことができる。
また、予め金属膜又は回路か形成されたポリフェニレン
スルフィドフィルムをインモールド成形する場合には、
その金属膜又は回路が金型の壁に接する向きにフィルム
を貼布する。
スルフィドフィルムをインモールド成形する場合には、
その金属膜又は回路が金型の壁に接する向きにフィルム
を貼布する。
［実施例］
次にこの発明の実施例及び比較例を示し、この発明の効
果を具体的に説明する。
果を具体的に説明する。
実施例１
ガラス人ポリフェニレンスルフィド樹脂（フィリップス
石油製Ｒ−４）を樹脂温度３２０°Ｃ１金型温度１３０
℃の射出条件で薄板状のテストピース（厚さ２■、１／
２インチｘ １５０ ＋ｓｍ）を成形した。この時、金
型の型面に１７２インチ×１５０１のポリフェニレンス
ルフィドフィルム「トレリナ」 （東し製、１００．厚
）を貼っておくと成形体は射出成形体とフィルムが一体
化した形になった。
石油製Ｒ−４）を樹脂温度３２０°Ｃ１金型温度１３０
℃の射出条件で薄板状のテストピース（厚さ２■、１／
２インチｘ １５０ ＋ｓｍ）を成形した。この時、金
型の型面に１７２インチ×１５０１のポリフェニレンス
ルフィドフィルム「トレリナ」 （東し製、１００．厚
）を貼っておくと成形体は射出成形体とフィルムが一体
化した形になった。
この基板に接着剤（東し製「ケミットエボキシＴＥ５９
２０Ｊを塗布し１００℃で乾燥した後ｌオンスの銅箔を
圧着後キユアリング（１５０℃、２時間）して銅貼りの
ポリフェニレンスルフィド回路基板を作った。さらにこ
れを常法によりパターン化した。
２０Ｊを塗布し１００℃で乾燥した後ｌオンスの銅箔を
圧着後キユアリング（１５０℃、２時間）して銅貼りの
ポリフェニレンスルフィド回路基板を作った。さらにこ
れを常法によりパターン化した。
結果を下表に示す。なお、この積層体の曲げ強度は八Ｓ
ＴＭ ０７９０に従って測定した。
ＴＭ ０７９０に従って測定した。
比較例１
金型の型面にポリフェニレンスルフィドフィルムを貼付
しないことを除き、実施例１と同様にしてポリフェニレ
ンスルフィド回路基板を製造した。これを実施例１と同
様に試験した。結果を下表に示す。
しないことを除き、実施例１と同様にしてポリフェニレ
ンスルフィド回路基板を製造した。これを実施例１と同
様に試験した。結果を下表に示す。
Claims (5)
- （１）厚み０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下のポリフェニレン
スルフィド樹脂射出成形板と、該板の少なくとも片面上
に積層された、厚み５μｍ以上２５０μｍ以下のポリフ
ェニレンスルフィドフィルムと、該フィルム上に形成さ
れた電気回路とを含む回路基板。 - （２）前記ポリフェニレンスルフィド射出成形板とポリ
フェニレンスルフィドフィルムとが接着層を介すること
なく積層されている請求項１記載の回路基板。 - （３）前記ポリフェニレンスルフィド射出成形板とポリ
フェニレンスルフィドフィルムとが厚み２μｍないし５
０μｍの接着層を介して積層されている請求項１記載の
回路基板。 - （４）厚さ５μｍないし２５０μｍのポリフェニレンス
ルフィドフィルムを金型内の片面に貼布し、該金型内に
ポリフェニレンスルフィド樹脂を射出成形して厚み０．
５ｍｍ以上５ｍｍ以下のポリフェニレンスルフィド射出
成形板と上記フィルムとを積層し、該フィルム上に電気
回路を形成することから成る回路基板の製造方法。 - （５）予め電気回路が形成された厚さ５μｍないし２５
０μｍのポリフェニレンスルフィドフィルムを金型内の
片面に、上記電気回路が金型の壁に接する向きに貼布し
、該金型内にポリフェニレンスルフィド樹脂を射出成形
して厚み０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下のポリフェニレンス
ルフィド射出成形板と上記フィルムとを積層し、該フィ
ルム上に電気回路を形成することから成る回路基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1664788A JPH01192192A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1664788A JPH01192192A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192192A true JPH01192192A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11922140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1664788A Pending JPH01192192A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372585A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-03-27 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 接着シート及び半導体装置 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP1664788A patent/JPH01192192A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372585A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-03-27 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 接着シート及び半導体装置 |
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