JPH0119450B2 - - Google Patents
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- JPH0119450B2 JPH0119450B2 JP60020274A JP2027485A JPH0119450B2 JP H0119450 B2 JPH0119450 B2 JP H0119450B2 JP 60020274 A JP60020274 A JP 60020274A JP 2027485 A JP2027485 A JP 2027485A JP H0119450 B2 JPH0119450 B2 JP H0119450B2
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、記録媒体用錫−銅合金に関する。
（従来の技術）
近年になつて、高速ランダムアクセスの可能な
高密度大容量の情報記録媒体円盤についての研究
開発が盛んに行なわれるようになつたが、レーザ
光スポツトの照射による情報の記録再生が可能
で、かつ、レーザ光または／及び必要に応じて適
当な補助手段をも用いて記録された情報を消去
し、新しい情報に書換えうるような機能も備えて
いる如き新規な記録媒体についての探索も行なわ
れている。
高密度大容量の情報記録媒体円盤についての研究
開発が盛んに行なわれるようになつたが、レーザ
光スポツトの照射による情報の記録再生が可能
で、かつ、レーザ光または／及び必要に応じて適
当な補助手段をも用いて記録された情報を消去
し、新しい情報に書換えうるような機能も備えて
いる如き新規な記録媒体についての探索も行なわ
れている。
ところで、レーザ光を用いて情報の記録、再生
が行なわれるようにされている記録媒体につい
て、レーザ光ビームのスポツトによる加熱作用に
より、記録媒体にどのような物理的な変化を生じ
させて情報の記録を行なうようにしているのかに
着目して、現在までに提案されている多くの記録
媒体を分類すると、ピツト形成型、泡あるいは凹
凸形成型、光磁気型、相変化型（熱エネルギによ
り光の透過率、反射率、吸収率等に変化が生じる
熱変態型）等の各種型式の記録媒体に大別でき
る。
が行なわれるようにされている記録媒体につい
て、レーザ光ビームのスポツトによる加熱作用に
より、記録媒体にどのような物理的な変化を生じ
させて情報の記録を行なうようにしているのかに
着目して、現在までに提案されている多くの記録
媒体を分類すると、ピツト形成型、泡あるいは凹
凸形成型、光磁気型、相変化型（熱エネルギによ
り光の透過率、反射率、吸収率等に変化が生じる
熱変態型）等の各種型式の記録媒体に大別でき
る。
そして、前記した各種型式の記録媒体の内で相
変化型に属する記録媒体は、既記録情報の消去の
可能性もあるという点で注目されていて、現在ま
でにこの種の記録媒体としては、カルコゲナイド
系の物質（ゲルマニウム、テルル、アンチモン、
シリコン、砒素、ビスマス、インジユウム、ガリ
ユウム、タリウム、セレン、硫黄）の色々な組合
わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物（例え
ば、TeとTeO2の混合組成物等）の薄膜を用いた
記録媒体が提案されている。
変化型に属する記録媒体は、既記録情報の消去の
可能性もあるという点で注目されていて、現在ま
でにこの種の記録媒体としては、カルコゲナイド
系の物質（ゲルマニウム、テルル、アンチモン、
シリコン、砒素、ビスマス、インジユウム、ガリ
ユウム、タリウム、セレン、硫黄）の色々な組合
わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物（例え
ば、TeとTeO2の混合組成物等）の薄膜を用いた
記録媒体が提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、カルコゲナイト系の物質の色々な組
合わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物（例
えば、TeとTeO2の混合組成物等）の薄膜を用い
て構成されている既提案の記録媒体では、レーザ
光強度（記録媒体に相変化を起こさせることがで
きる強度範囲内のレーザ光強度であつて、記録媒
体にその強度のレーザ光が照射された部分からの
再生信号中における２次高調波歪が極小になされ
る如きレーザ光強度）が一定となされる如き記録
媒体の薄膜を構成している物質の組成範囲が狭い
ので、所定の特性の記録媒体の大量生産を簡単に
行なうことができないという点が問題になつた。
合わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物（例
えば、TeとTeO2の混合組成物等）の薄膜を用い
て構成されている既提案の記録媒体では、レーザ
光強度（記録媒体に相変化を起こさせることがで
きる強度範囲内のレーザ光強度であつて、記録媒
体にその強度のレーザ光が照射された部分からの
再生信号中における２次高調波歪が極小になされ
る如きレーザ光強度）が一定となされる如き記録
媒体の薄膜を構成している物質の組成範囲が狭い
ので、所定の特性の記録媒体の大量生産を簡単に
行なうことができないという点が問題になつた。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、錫が40原子％乃至60原子％であつて
残部が銅である記録媒体用錫−銅合金を提供する
ものである。
残部が銅である記録媒体用錫−銅合金を提供する
ものである。
（実施例）
錫と銅とからなる合金は、古くから青銅（唐金
と俗称されている合金）として知られており、普
通の青銅は錫４〜12重量％を含む銅−錫合金、す
なわち、銅−錫合金におけるαまたはα＋γ固溶
体であり、古来、青銅貨、銅像などの美術品、機
械の部分品に用いられる砲金、鐘銅、工業用材料
用青銅、その他一般的な用途に応じて、それぞれ
組成を異にしているものが作られているが、上記
のような各種の用途に用いられている青銅は、そ
れらのものにおける何れのものでも錫が10重量％
程度、銅が90重量％程度の組成となされている銅
−錫合金である。
と俗称されている合金）として知られており、普
通の青銅は錫４〜12重量％を含む銅−錫合金、す
なわち、銅−錫合金におけるαまたはα＋γ固溶
体であり、古来、青銅貨、銅像などの美術品、機
械の部分品に用いられる砲金、鐘銅、工業用材料
用青銅、その他一般的な用途に応じて、それぞれ
組成を異にしているものが作られているが、上記
のような各種の用途に用いられている青銅は、そ
れらのものにおける何れのものでも錫が10重量％
程度、銅が90重量％程度の組成となされている銅
−錫合金である。
ところで、錫の原子量は118.69であり、また、
銅の原子量は63.546であるから、前記したように
錫が10重量％程度、錫が90重量％適度の組成を持
つている銅−錫合金は、それの組成を原子％に換
算すると、銅が94原子％程度、錫が６原子％程度
の銅−錫合金として表わされるが、銅−錫合金に
おいて、錫の含有率を増加させて合金を作ろうと
すると偏析が生じて脆くなる等の欠点があるため
に、古来から広く実用されている青銅では、それ
の組成が前記のように錫が10重量％程度、銅が90
重量％程度となされているともいえる。
銅の原子量は63.546であるから、前記したように
錫が10重量％程度、錫が90重量％適度の組成を持
つている銅−錫合金は、それの組成を原子％に換
算すると、銅が94原子％程度、錫が６原子％程度
の銅−錫合金として表わされるが、銅−錫合金に
おいて、錫の含有率を増加させて合金を作ろうと
すると偏析が生じて脆くなる等の欠点があるため
に、古来から広く実用されている青銅では、それ
の組成が前記のように錫が10重量％程度、銅が90
重量％程度となされているともいえる。
本発明は相変化型（熱エネルギにより光の透過
率、反射率、吸収率等に変化が生じる熱変態型）
の記録媒体に適する記録材料の探索に当り銅と錫
とからなる合金に着目し、その錫−銅合金におけ
る銅と錫との組成を変化させて、錫が40原子％乃
至60原子％であつて残部が銅であるような組成範
囲の錫−銅合金が、相変化型の記録媒体に適した
特性を備えていることを見出したことに基づい
て、本発明の記録媒体用錫−銅合金を完成させた
ものである。
率、反射率、吸収率等に変化が生じる熱変態型）
の記録媒体に適する記録材料の探索に当り銅と錫
とからなる合金に着目し、その錫−銅合金におけ
る銅と錫との組成を変化させて、錫が40原子％乃
至60原子％であつて残部が銅であるような組成範
囲の錫−銅合金が、相変化型の記録媒体に適した
特性を備えていることを見出したことに基づい
て、本発明の記録媒体用錫−銅合金を完成させた
ものである。
次に、添付図面を参照しながら本発明の記録媒
体用錫−銅合金について詳細に説明する。
体用錫−銅合金について詳細に説明する。
第１図は、二元蒸着法を適用して本発明の記録
媒体用錫−銅合金、すなわち、錫が40原子％乃至
60原子％であつて残部が銅であるような記録媒体
用錫−銅合金による薄膜記録媒体を基板表面に付
着形成させるようにする成膜装置の概略構成を示
す斜視図であり、この第１図において、１は表面
に対して記録媒体用錫−銅合金が付着形成される
べき基板であり、前記の基板１としては、例えば
ガラス円板、あるいはアクリル樹脂の円板、その
他適当な材料による円板が用いられてよい。
媒体用錫−銅合金、すなわち、錫が40原子％乃至
60原子％であつて残部が銅であるような記録媒体
用錫−銅合金による薄膜記録媒体を基板表面に付
着形成させるようにする成膜装置の概略構成を示
す斜視図であり、この第１図において、１は表面
に対して記録媒体用錫−銅合金が付着形成される
べき基板であり、前記の基板１としては、例えば
ガラス円板、あるいはアクリル樹脂の円板、その
他適当な材料による円板が用いられてよい。
２は前記した基板１を高速に回転させる回転軸
であつて、この回転軸２は図示されていない回転
駆動装置（例えばモータ）によつて所定の回転数
で高速に回転される。
であつて、この回転軸２は図示されていない回転
駆動装置（例えばモータ）によつて所定の回転数
で高速に回転される。
３，４は、それぞれ蒸発材料を収容するボート
であり、また、５，６は前記したボート３，４を
加熱する電熱線であり、前記したボート３と電熱
線５とは一方の蒸発源Ａを構成し、また、前記し
たボート４と電熱線６とは他方の蒸発源Ｂを構成
しており、前記した一方の蒸発源Ａでは、それの
ボート３中に収容されている錫を加熱蒸発させ、
また、前記した他方の蒸発源Ｂでは、それのボー
ト４中に収容されている銅を加熱蒸発させる。
であり、また、５，６は前記したボート３，４を
加熱する電熱線であり、前記したボート３と電熱
線５とは一方の蒸発源Ａを構成し、また、前記し
たボート４と電熱線６とは他方の蒸発源Ｂを構成
しており、前記した一方の蒸発源Ａでは、それの
ボート３中に収容されている錫を加熱蒸発させ、
また、前記した他方の蒸発源Ｂでは、それのボー
ト４中に収容されている銅を加熱蒸発させる。
７は、前記した基板１と２つの蒸発源Ａ，Ｂと
の間に出入自在になされているシヤツタ板であ
る。そして前記した各構成部分の全体は図示され
ていない容器内に収納され、前記した容器内に形
成される真空雰囲気中で、基板１に対する次のよ
うな成膜動作が行なわれるようになされている。
の間に出入自在になされているシヤツタ板であ
る。そして前記した各構成部分の全体は図示され
ていない容器内に収納され、前記した容器内に形
成される真空雰囲気中で、基板１に対する次のよ
うな成膜動作が行なわれるようになされている。
すなわち、基板１を回転軸２に固着し、また、
一方の蒸発源Ａにおけるボート３中に蒸発材料と
される錫を収容し、また、前記した他方の蒸発源
Ｂにおけるボート４中に蒸発材料とされる銅を収
容してから、容器内の排気を行なつて容器内が必
要な真空度の真空雰囲気になるようにする。
一方の蒸発源Ａにおけるボート３中に蒸発材料と
される錫を収容し、また、前記した他方の蒸発源
Ｂにおけるボート４中に蒸発材料とされる銅を収
容してから、容器内の排気を行なつて容器内が必
要な真空度の真空雰囲気になるようにする。
次に、各蒸発源Ａ，Ｂと基板１との間にシヤツ
タ板７を挿入し、また、基板１を所定の回転数で
高速回転させ、さらに各蒸発源Ａ，Ｂにおける各
電熱線５，６に対して、それぞれ所定の加熱用電
圧を供給して、蒸発源Ａのボート３内に収容され
ている錫と、蒸発源Ｂのボート４内に収容されて
いる銅とをそれぞれ溶融させる。
タ板７を挿入し、また、基板１を所定の回転数で
高速回転させ、さらに各蒸発源Ａ，Ｂにおける各
電熱線５，６に対して、それぞれ所定の加熱用電
圧を供給して、蒸発源Ａのボート３内に収容され
ている錫と、蒸発源Ｂのボート４内に収容されて
いる銅とをそれぞれ溶融させる。
蒸発源Ａのボート３内に収容されている錫の温
度と、蒸発源Ｂのボート４内に収容されている銅
の温度と、基板１の回転数とを制御して、基板１
の表面に対して所定の組成の錫−銅合金薄膜、す
なわち、錫が40原子％乃至60原子％で残部が銅で
あるような組成の錫−銅合金薄膜が形成されるよ
うにする。
度と、蒸発源Ｂのボート４内に収容されている銅
の温度と、基板１の回転数とを制御して、基板１
の表面に対して所定の組成の錫−銅合金薄膜、す
なわち、錫が40原子％乃至60原子％で残部が銅で
あるような組成の錫−銅合金薄膜が形成されるよ
うにする。
また、基板１の表面に対して蒸発物質による真
空蒸着を行なう時間長は、基板１の表面に錫が40
原子％乃至60原子％で残部が銅であるような組成
の錫−銅合金の薄膜が所定の厚さ、例えば500〜
1000オングストローム程度の厚さに付着形成され
るような時間値に設定されるのであり、それにし
たがつてシヤツタ板７に対する開閉制御が行なわ
れる。
空蒸着を行なう時間長は、基板１の表面に錫が40
原子％乃至60原子％で残部が銅であるような組成
の錫−銅合金の薄膜が所定の厚さ、例えば500〜
1000オングストローム程度の厚さに付着形成され
るような時間値に設定されるのであり、それにし
たがつてシヤツタ板７に対する開閉制御が行なわ
れる。
前記したような二元蒸着法の適用により、基板
１の表面に錫が40原子％乃至60原子％で残部が銅
であるような組成の錫−銅合金が所定の厚さの薄
膜の記録層として付着形成された後に、基板１の
回転を停止するとともに、容器中に大気を導入
し、次いで、容器中から表面に記録層が形成され
た状態の基板１を取出す。
１の表面に錫が40原子％乃至60原子％で残部が銅
であるような組成の錫−銅合金が所定の厚さの薄
膜の記録層として付着形成された後に、基板１の
回転を停止するとともに、容器中に大気を導入
し、次いで、容器中から表面に記録層が形成され
た状態の基板１を取出す。
基板１の表面に形成された記録層の表面に保護
層を形成することが必要な場合には、記録層の表
面に適当な合成樹脂の薄膜による保護層を被着さ
せる。前記した合成樹脂の薄膜による保護層の被
着は図示されていない蒸発源から適当な合成樹脂
材料を蒸発させることによつて行なわれるように
してもよい。基板１の表面に対して錫が40原子％
乃至60原子％で残部が銅であるような組成の錫−
銅合金を所定の厚さの薄膜の記録層として付着形
成させる手段としては、前記したような二元蒸着
法の適用の他に、スパツタリング法その他の適当
な成膜手段が採用されてもよいことは勿論である
が、基板１に対する成膜手段としてスパツタリン
グ法が採用された場合には、基板１の回転速度
と、銅のターゲツトに射突させるイオン（例えば
アルゴンイオン）のエネルギと、錫のターゲツト
に射突させるイオン（例えばアルゴンイオン）の
エネルギと、スパツタリングが行なわれるべき時
間長などを適当に設定することにより、基板１の
表面に錫が40原子％乃至60原子％で残部が銅であ
るような組成の錫−銅合金を所定の厚さの薄膜の
記録層として形成させることができる。また、ス
パツタリング法の適用による成膜に際しては、錫
と銅とのスパツタリングレートを考慮した組成の
錫−銅合金による１個のターゲツトを用いて成膜
が行なわれるようにしてもよい。
層を形成することが必要な場合には、記録層の表
面に適当な合成樹脂の薄膜による保護層を被着さ
せる。前記した合成樹脂の薄膜による保護層の被
着は図示されていない蒸発源から適当な合成樹脂
材料を蒸発させることによつて行なわれるように
してもよい。基板１の表面に対して錫が40原子％
乃至60原子％で残部が銅であるような組成の錫−
銅合金を所定の厚さの薄膜の記録層として付着形
成させる手段としては、前記したような二元蒸着
法の適用の他に、スパツタリング法その他の適当
な成膜手段が採用されてもよいことは勿論である
が、基板１に対する成膜手段としてスパツタリン
グ法が採用された場合には、基板１の回転速度
と、銅のターゲツトに射突させるイオン（例えば
アルゴンイオン）のエネルギと、錫のターゲツト
に射突させるイオン（例えばアルゴンイオン）の
エネルギと、スパツタリングが行なわれるべき時
間長などを適当に設定することにより、基板１の
表面に錫が40原子％乃至60原子％で残部が銅であ
るような組成の錫−銅合金を所定の厚さの薄膜の
記録層として形成させることができる。また、ス
パツタリング法の適用による成膜に際しては、錫
と銅とのスパツタリングレートを考慮した組成の
錫−銅合金による１個のターゲツトを用いて成膜
が行なわれるようにしてもよい。
第２図は、ガラス製の基板の表面に、錫が53原
子％で残部が銅であるような組成の錫−銅合金を
500オングストロームの厚さの薄膜として被着さ
せたものにおける錫−銅合金薄膜を、45度の入射
角でHe−Neレーザ光（波長6328オングストロー
ム）を照射している状態で、前記した錫−銅合金
薄膜の温度を室温から200℃まで変化させた場合
における前記したような組成を有する錫−銅合金
の薄膜の光の反射率の変化の測定結果を示した図
である。この第２図から明らなように、錫が53原
子％で残部が銅であるような組成を有する錫−銅
合金の薄膜における光の反射率は、錫−銅合金の
薄膜の温度が120℃付近以上において顕著に変化
しており（光の透過率の変化も、錫−銅合金の薄
膜の温度が120℃付近以上において顕著に変化し
ているものとなる）また、前記の錫−銅合金の薄
膜の色調も、温度の変化に応じて変化することが
目視によつて明瞭に確認できた。
子％で残部が銅であるような組成の錫−銅合金を
500オングストロームの厚さの薄膜として被着さ
せたものにおける錫−銅合金薄膜を、45度の入射
角でHe−Neレーザ光（波長6328オングストロー
ム）を照射している状態で、前記した錫−銅合金
薄膜の温度を室温から200℃まで変化させた場合
における前記したような組成を有する錫−銅合金
の薄膜の光の反射率の変化の測定結果を示した図
である。この第２図から明らなように、錫が53原
子％で残部が銅であるような組成を有する錫−銅
合金の薄膜における光の反射率は、錫−銅合金の
薄膜の温度が120℃付近以上において顕著に変化
しており（光の透過率の変化も、錫−銅合金の薄
膜の温度が120℃付近以上において顕著に変化し
ているものとなる）また、前記の錫−銅合金の薄
膜の色調も、温度の変化に応じて変化することが
目視によつて明瞭に確認できた。
次に、合成樹脂製の基板（アクリル樹脂製の基
板）の表面に、錫が53原子％で残部が銅であるよ
うな組成の錫−銅合金を500オングストロームの
厚さの薄膜として被着させたものにおける錫−銅
合金の薄膜を、波長が8300オングストロームで径
が約１ミクロンのレーザ光のスポツトで照射して
錫−銅合金の薄膜に相変化を生じさせると、錫−
銅合金の薄膜には光の反射率、透過率の変化と、
室内光の下での目視によつても一目瞭然な色調の
変化とが生じた。
板）の表面に、錫が53原子％で残部が銅であるよ
うな組成の錫−銅合金を500オングストロームの
厚さの薄膜として被着させたものにおける錫−銅
合金の薄膜を、波長が8300オングストロームで径
が約１ミクロンのレーザ光のスポツトで照射して
錫−銅合金の薄膜に相変化を生じさせると、錫−
銅合金の薄膜には光の反射率、透過率の変化と、
室内光の下での目視によつても一目瞭然な色調の
変化とが生じた。
そして、前記のようにして部分的に相変化を生
じさせた錫−銅合金の薄膜を走査電子顕微鏡によ
つて観察したところ、記録ドツトは全く認められ
なかつたが、このことは前記のようにレーザ光の
スポツトの照射によつて錫−銅合金の薄膜に生じ
た光の反射率、透過率の変化と、色調の変化は、
レーザ光の照射によつて錫−銅合金の薄膜の表面
に凹凸が生じることによつて起きたのではないこ
とを示している。
じさせた錫−銅合金の薄膜を走査電子顕微鏡によ
つて観察したところ、記録ドツトは全く認められ
なかつたが、このことは前記のようにレーザ光の
スポツトの照射によつて錫−銅合金の薄膜に生じ
た光の反射率、透過率の変化と、色調の変化は、
レーザ光の照射によつて錫−銅合金の薄膜の表面
に凹凸が生じることによつて起きたのではないこ
とを示している。
しかし、錫−銅合金の薄膜における相変化によ
る記録ドツトは光学顕微鏡による観察によつては
色調の変化によつて明瞭に認められた。
る記録ドツトは光学顕微鏡による観察によつては
色調の変化によつて明瞭に認められた。
次に、前記のようにしてレーザ光スポツトの照
射により相変化を生じさせた錫−銅合金の薄膜を
EPMA（Electron Probe Micro Analysis）によ
つて、それの記録部分と非記録部分とのそれぞれ
の部分における酸素量と窒素量とを測定したが、
両者間においての差は認められなかつた。このこ
とは前記のようにレーザ光のスポツトの照射によ
つて錫−銅合金の薄膜に生じた光の反射率、透過
率の変化と、色調の変化などは、レーザ光の照射
によつて錫−銅合金の薄膜に形成された記録部分
が、レーザ光の照射による加熱によつて非記録部
分とは異なる物質に変化したことによつて生じた
ものではないことを示している。
射により相変化を生じさせた錫−銅合金の薄膜を
EPMA（Electron Probe Micro Analysis）によ
つて、それの記録部分と非記録部分とのそれぞれ
の部分における酸素量と窒素量とを測定したが、
両者間においての差は認められなかつた。このこ
とは前記のようにレーザ光のスポツトの照射によ
つて錫−銅合金の薄膜に生じた光の反射率、透過
率の変化と、色調の変化などは、レーザ光の照射
によつて錫−銅合金の薄膜に形成された記録部分
が、レーザ光の照射による加熱によつて非記録部
分とは異なる物質に変化したことによつて生じた
ものではないことを示している。
以上の実験結果から考えると、レーザ光のスポ
ツトの照射によつて錫−銅合金の薄膜に生じた光
の反射率、透過率の変化と、色調の変化は、レー
ザ光の照射によつて錫−銅合金の薄膜に与えられ
た熱エネルギにより、錫−銅合金の薄膜の構成物
質に原子配列の変化が生じ、それによつて錫−銅
合金の薄膜の光学的特性が記録部分と非記録部分
とにおいて変化しているものと推論される。
ツトの照射によつて錫−銅合金の薄膜に生じた光
の反射率、透過率の変化と、色調の変化は、レー
ザ光の照射によつて錫−銅合金の薄膜に与えられ
た熱エネルギにより、錫−銅合金の薄膜の構成物
質に原子配列の変化が生じ、それによつて錫−銅
合金の薄膜の光学的特性が記録部分と非記録部分
とにおいて変化しているものと推論される。
第３図は錫−銅合金中の錫の含有率（原子％）
の変化に対する錫−銅合金薄膜のレーザ光感度
（記録媒体に相変化を起こさせることができる強
度範囲内のレーザ光強度であつて、記録媒体にそ
の強度のレーザ光が照射された部分からの再生信
号中における２次高調波歪が極小になされる如き
レーザ光強度）の変化を示す図であるが、第３図
示の測定結果は、次の様な条件の下で得られたも
のである。
の変化に対する錫−銅合金薄膜のレーザ光感度
（記録媒体に相変化を起こさせることができる強
度範囲内のレーザ光強度であつて、記録媒体にそ
の強度のレーザ光が照射された部分からの再生信
号中における２次高調波歪が極小になされる如き
レーザ光強度）の変化を示す図であるが、第３図
示の測定結果は、次の様な条件の下で得られたも
のである。
すなわち、合成樹脂製の円盤状の基板（アクリ
ル樹脂製の円盤状の基板）の表面に、錫の含有率
が30原子％〜75原子％の範囲で残部が銅であるよ
うな組成の錫−銅合金を500オングストロームの
厚さの薄膜として被着させてなる情報記録媒体円
盤を、それの中心を回転軸に固着して毎分900回
転させ、前記した情報記録円盤における中心から
50mmの径の位置を、周波数が500KHzの信号によ
つて強度変調されている波長が8300オングストロ
ームレーザ光の径が約１ミクロンのスポツトによ
つて照射し、錫−銅合金の薄膜に500KHzの信号
を相変化によつて記録するようにした場合のもの
であり、第３図示の測定結果を得るための実験
は、錫の含有率が30原子％〜75原子％の範囲で残
部が銅であるような組成の錫−銅合金を500オン
グストロームの厚さの薄膜として被着させてなる
情報記録媒体円盤として、30原子％〜75原子％の
範囲で錫の含有率を、それぞれ異にしている如き
多数の情報記録媒体円盤を用いて行なわれたもの
である。
ル樹脂製の円盤状の基板）の表面に、錫の含有率
が30原子％〜75原子％の範囲で残部が銅であるよ
うな組成の錫−銅合金を500オングストロームの
厚さの薄膜として被着させてなる情報記録媒体円
盤を、それの中心を回転軸に固着して毎分900回
転させ、前記した情報記録円盤における中心から
50mmの径の位置を、周波数が500KHzの信号によ
つて強度変調されている波長が8300オングストロ
ームレーザ光の径が約１ミクロンのスポツトによ
つて照射し、錫−銅合金の薄膜に500KHzの信号
を相変化によつて記録するようにした場合のもの
であり、第３図示の測定結果を得るための実験
は、錫の含有率が30原子％〜75原子％の範囲で残
部が銅であるような組成の錫−銅合金を500オン
グストロームの厚さの薄膜として被着させてなる
情報記録媒体円盤として、30原子％〜75原子％の
範囲で錫の含有率を、それぞれ異にしている如き
多数の情報記録媒体円盤を用いて行なわれたもの
である。
第３図に示されている錫−銅合金中の錫の含有
率（原子％）の変化に対する錫−銅合金薄膜のレ
ーザ光強度の変化特性を見ると、錫−銅合金薄膜
におけるレーザ光感度は、錫−銅合金中の錫の含
有率（原子％）が40原子％〜60原子％という広い
範囲にわたつて略々一定の状態に保たれていると
いうような特性を示していることが判かる。
率（原子％）の変化に対する錫−銅合金薄膜のレ
ーザ光強度の変化特性を見ると、錫−銅合金薄膜
におけるレーザ光感度は、錫−銅合金中の錫の含
有率（原子％）が40原子％〜60原子％という広い
範囲にわたつて略々一定の状態に保たれていると
いうような特性を示していることが判かる。
このように、錫−銅合金では錫の含有率が40原
子％〜60原子％というように広い範囲で変動して
も、錫−銅合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に
保たれる（錫が40原子％〜60原子％という広い組
成範囲にわたつて錫−銅合金薄膜のレーザ光感度
が略々一定に保たれる）から、記録媒体の製作時
における記録層の構成物質の組成のばらつきの許
容度が広く、したがつて、記録媒体の大量生産が
容易になる。
子％〜60原子％というように広い範囲で変動して
も、錫−銅合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に
保たれる（錫が40原子％〜60原子％という広い組
成範囲にわたつて錫−銅合金薄膜のレーザ光感度
が略々一定に保たれる）から、記録媒体の製作時
における記録層の構成物質の組成のばらつきの許
容度が広く、したがつて、記録媒体の大量生産が
容易になる。
また、前記のように記録媒体の製作時における
記録層の構成物質の組成のばらつきの許容度が広
いことから、錫及び銅の溶融固化物による錫−銅
合金のターゲツトを使用した連続インラインスパ
ツタリングによる情報記録媒円盤の製作も容易に
行なわれ得るのである。
記録層の構成物質の組成のばらつきの許容度が広
いことから、錫及び銅の溶融固化物による錫−銅
合金のターゲツトを使用した連続インラインスパ
ツタリングによる情報記録媒円盤の製作も容易に
行なわれ得るのである。
（効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の錫が40原子％乃至60原子％であつて
残部が銅である記録媒体用錫−銅合金では、錫の
含有率が40原子％〜60原子％というように広い範
囲で変動しても、錫−銅合金薄膜のレーザ光感度
が略々一定に保たれる（錫が40原子％〜60原子％
という広い組成範囲にわたつて錫−銅合金薄膜の
レーザ光感度が略々一定に保たれる）ものであ
り、これは従来のカルコゲナイド系や低級酸化物
系の相変化型の記録媒体では到底得ることができ
なかつたものであり、本発明の記録媒体用錫−銅
合金を用いた記録媒体は、従来の相変化型の記録
媒体に比べて大量生産が容易であり、本発明によ
り既述した従来の欠点はすべて良好に解決され
る。
に、本発明の錫が40原子％乃至60原子％であつて
残部が銅である記録媒体用錫−銅合金では、錫の
含有率が40原子％〜60原子％というように広い範
囲で変動しても、錫−銅合金薄膜のレーザ光感度
が略々一定に保たれる（錫が40原子％〜60原子％
という広い組成範囲にわたつて錫−銅合金薄膜の
レーザ光感度が略々一定に保たれる）ものであ
り、これは従来のカルコゲナイド系や低級酸化物
系の相変化型の記録媒体では到底得ることができ
なかつたものであり、本発明の記録媒体用錫−銅
合金を用いた記録媒体は、従来の相変化型の記録
媒体に比べて大量生産が容易であり、本発明によ
り既述した従来の欠点はすべて良好に解決され
る。
第１図は成膜装置の一例の概略構成を示す斜視
図、第２図は記録媒体用錫−銅合金薄膜の温度と
光の反射率との関係を示す図、第３図は錫−銅合
金薄膜の錫の含有率とレーザ光感度との関係を示
す図である。 １……基板、２……回転軸、３，４……ボー
ト、５，６……電熱線、７……シヤツタ板、Ａ，
Ｂ……蒸発源。
図、第２図は記録媒体用錫−銅合金薄膜の温度と
光の反射率との関係を示す図、第３図は錫−銅合
金薄膜の錫の含有率とレーザ光感度との関係を示
す図である。 １……基板、２……回転軸、３，４……ボー
ト、５，６……電熱線、７……シヤツタ板、Ａ，
Ｂ……蒸発源。
Claims (1)
- １ 錫が40原子％乃至60原子％であつて残部が銅
である記録媒体用錫−銅合金。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60020274A JPS61179828A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 記録媒体用錫−銅合金 |
| US06/822,037 US4704326A (en) | 1985-02-05 | 1986-01-24 | Tin alloys for recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60020274A JPS61179828A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 記録媒体用錫−銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179828A JPS61179828A (ja) | 1986-08-12 |
| JPH0119450B2 true JPH0119450B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=12022593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60020274A Granted JPS61179828A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 記録媒体用錫−銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179828A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046339A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-13 | Hitachi Ltd | 情報記録再生装置 |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP60020274A patent/JPS61179828A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61179828A (ja) | 1986-08-12 |
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