JPS61199044A - 記録媒体用錫−鉛合金 - Google Patents
記録媒体用錫−鉛合金Info
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- JPS61199044A JPS61199044A JP60039694A JP3969485A JPS61199044A JP S61199044 A JPS61199044 A JP S61199044A JP 60039694 A JP60039694 A JP 60039694A JP 3969485 A JP3969485 A JP 3969485A JP S61199044 A JPS61199044 A JP S61199044A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、記録媒体用錫−鉛合金に関する。
(従来の技術)
近年になって、高速ランダムアクセスの可能な高密度大
容量の情報記録媒体円盤についての研究開発が盛んに行
なわれるようになったが、レーザ光スポットの照射によ
る情報の記録再生が可能で。
容量の情報記録媒体円盤についての研究開発が盛んに行
なわれるようになったが、レーザ光スポットの照射によ
る情報の記録再生が可能で。
かつ、レーザ光または/及び必要に応じて適当な補助手
段をも用いて記録された情報を消去し、新しい情報に書
換えうるような機能も備えている如き新規な記録媒体に
ついての探索も行なわれている。
段をも用いて記録された情報を消去し、新しい情報に書
換えうるような機能も備えている如き新規な記録媒体に
ついての探索も行なわれている。
ところで、レーザ光を用いて情報の記録、再生が行なわ
れるようにされている記録媒体について。
れるようにされている記録媒体について。
レーザ光ビームのスポットによる加熱作用により。
記録媒体にどのような物理的な変化を生じさせて情報の
記録を行なうようにしているのかに着目して、現在まで
に提案されている多くの記録媒体を分類すると、ピット
形成型、泡あるいは凹凸形成型、光磁気型、相変化型(
熱エネルギにより光の透過率1反射率、吸収率等に変化
が生じる熱変態型)等の各種型式の記録媒体に大別でき
る。
記録を行なうようにしているのかに着目して、現在まで
に提案されている多くの記録媒体を分類すると、ピット
形成型、泡あるいは凹凸形成型、光磁気型、相変化型(
熱エネルギにより光の透過率1反射率、吸収率等に変化
が生じる熱変態型)等の各種型式の記録媒体に大別でき
る。
そして、前記した各種型式の記録媒体の内で相変化型に
属する記録媒体は、低記録情報の消去の可能性もあると
いう点で注目されていて、現在までにこの種の記録媒体
としては、カルコゲナイド系の物質(ゲルマニウム、テ
ルル、アンチモン、シリコン、砒素、ビスマス、インジ
ュウム、ガリュウム、タリウム、セレン、硫黄)の色々
な組合わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物(例え
ば、TeとT602の混合組成物等)の薄膜を用いた記
録媒体が提案されている。
属する記録媒体は、低記録情報の消去の可能性もあると
いう点で注目されていて、現在までにこの種の記録媒体
としては、カルコゲナイド系の物質(ゲルマニウム、テ
ルル、アンチモン、シリコン、砒素、ビスマス、インジ
ュウム、ガリュウム、タリウム、セレン、硫黄)の色々
な組合わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物(例え
ば、TeとT602の混合組成物等)の薄膜を用いた記
録媒体が提案されている。
(発明が解決しようとする問題点)
ところが、カルコゲナイド系の物質の色々な組合わせか
らなる組成物の薄膜や、低級酸化物(例えば、TeとT
e O2の混合組成物等)の薄膜を用いて構成されて
いる既提案の記録媒体では、レーザ光強度(記録媒体に
相変化を起こさせることができる強度範囲内のレーザ光
強度であって、記録媒体にその強度のレーザ光が照射さ
れた部分からの再生信号中における2次高調波歪が極小
になされる如きレーザ光強度)及び/または信号対雑音
比が記録媒体の薄膜を構成しでいる物質の組成比によっ
て大きく変化するために、所定の特性を備えている記録
媒体の大量生産を簡単に行なうことができないという点
が問題になった。
らなる組成物の薄膜や、低級酸化物(例えば、TeとT
e O2の混合組成物等)の薄膜を用いて構成されて
いる既提案の記録媒体では、レーザ光強度(記録媒体に
相変化を起こさせることができる強度範囲内のレーザ光
強度であって、記録媒体にその強度のレーザ光が照射さ
れた部分からの再生信号中における2次高調波歪が極小
になされる如きレーザ光強度)及び/または信号対雑音
比が記録媒体の薄膜を構成しでいる物質の組成比によっ
て大きく変化するために、所定の特性を備えている記録
媒体の大量生産を簡単に行なうことができないという点
が問題になった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、錫が30重量%乃至70重量%であって残部
が鉛である記録媒体用錫−鉛合金を提供するものである
。
が鉛である記録媒体用錫−鉛合金を提供するものである
。
(実施例)
本発明は相変化型(熱エネルギにより光の透過率2反射
率、吸収率等に変化が生じる熱変態型)の記録媒体に適
する記録材料の探索に当り錫と鉛とからなる合金に着目
し、その錫−鉛合金における錫と鉛との組成を変化させ
て、錫が30重量%乃至70重量%であって残部が鉛で
あるような組成範囲の錫−鉛合金が、相変化型の記録媒
体に適した特性を備えていることを見出したことに基づ
いて。
率、吸収率等に変化が生じる熱変態型)の記録媒体に適
する記録材料の探索に当り錫と鉛とからなる合金に着目
し、その錫−鉛合金における錫と鉛との組成を変化させ
て、錫が30重量%乃至70重量%であって残部が鉛で
あるような組成範囲の錫−鉛合金が、相変化型の記録媒
体に適した特性を備えていることを見出したことに基づ
いて。
本発明の記録媒体用錫−鉛合金を完成させたものである
。
。
次に、添付図面を参照しながら本発明の記録媒体用錫−
鉛合金について詳絹に説明する。本発明の錫と鉛との二
元合金からなる記録媒体用錫−鉛合金は、例えば、真空
蒸着法やスパッタリング法、その他、前記の方法に類似
な方法の適用によって厚さが1000オングストローム
内外の薄膜として容易に形成できるものであるが、次に
、−例として二元独立同時スパッタリング法により1本
発明の記録媒体用錫−鉛合金、すなわち、錫が30重量
%乃至70重量%であって残部が鉛である記録媒体用錫
−鉛合金を、各種基板上に所定の厚さの薄膜として付着
形成させる場合の概略を説明すると次のとおりである。
鉛合金について詳絹に説明する。本発明の錫と鉛との二
元合金からなる記録媒体用錫−鉛合金は、例えば、真空
蒸着法やスパッタリング法、その他、前記の方法に類似
な方法の適用によって厚さが1000オングストローム
内外の薄膜として容易に形成できるものであるが、次に
、−例として二元独立同時スパッタリング法により1本
発明の記録媒体用錫−鉛合金、すなわち、錫が30重量
%乃至70重量%であって残部が鉛である記録媒体用錫
−鉛合金を、各種基板上に所定の厚さの薄膜として付着
形成させる場合の概略を説明すると次のとおりである。
すなわち、まず、真空槽内に設置された回転自在な基板
ホルダーに、適当な構成材料(例えば、ガラス、プラス
チックス)で製作されている基板を取付けた後に、真空
槽内を10−’ 〜10−’ Torr程度の真空度に
なるように排気し1次にアルゴンガス(アルゴンガス圧
は1.0X101〜5X10−3Torr)の導入の下
に、錫のターゲットと鉛のターゲットとの独立した2つ
のターゲットにアルゴンイオンを衝突させてスパッタリ
ングを起こさせ、適当な回転速度で回転している基板上
に、所定の組成比と所要の厚さとを有する錫と鉛との合
金の薄膜を付着形成させるのである。
ホルダーに、適当な構成材料(例えば、ガラス、プラス
チックス)で製作されている基板を取付けた後に、真空
槽内を10−’ 〜10−’ Torr程度の真空度に
なるように排気し1次にアルゴンガス(アルゴンガス圧
は1.0X101〜5X10−3Torr)の導入の下
に、錫のターゲットと鉛のターゲットとの独立した2つ
のターゲットにアルゴンイオンを衝突させてスパッタリ
ングを起こさせ、適当な回転速度で回転している基板上
に、所定の組成比と所要の厚さとを有する錫と鉛との合
金の薄膜を付着形成させるのである。
前記のように基板上に形成される錫−鉛合金薄膜の組成
は、前記した2つの独立したターゲットに衝突させるべ
きアルゴンイオンに与えるエネルギの設定の仕方を変え
ることにより変化できるのであり、それは前記した2つ
の独立したターゲットに与える電力を変化することによ
って容易に行なわれうる。また、基板の表面上に形成さ
せるべ。
は、前記した2つの独立したターゲットに衝突させるべ
きアルゴンイオンに与えるエネルギの設定の仕方を変え
ることにより変化できるのであり、それは前記した2つ
の独立したターゲットに与える電力を変化することによ
って容易に行なわれうる。また、基板の表面上に形成さ
せるべ。
き記録媒体用錫−鉛合金による薄膜記録媒体の厚さは、
スパッタリング時間を変化させることによって所定の膜
厚に設定することが容易である。
スパッタリング時間を変化させることによって所定の膜
厚に設定することが容易である。
そして、前記のようにして錫が30重量%乃至70重量
%であって残部が鉛であるような記録媒体用錫−鉛合金
薄膜が記録層として基板の表面に付着形成されている記
録媒体を容易に製作することができる。
%であって残部が鉛であるような記録媒体用錫−鉛合金
薄膜が記録層として基板の表面に付着形成されている記
録媒体を容易に製作することができる。
基板の表面に形成された記録層の表面に保護層を形成す
ることが必要な場合には、適当な合成樹脂の薄膜による
保護層を周知の任意の手段の適用によって記録層の表面
に被着させればよい。
ることが必要な場合には、適当な合成樹脂の薄膜による
保護層を周知の任意の手段の適用によって記録層の表面
に被着させればよい。
また、スパッタリング法の適用による成膜に際しては、
錫と鉛とのスパッタリングレートを考慮した組成の錫−
鉛合金による1個のターゲットを用いて成膜が行なわれ
るようにしてもよい。
錫と鉛とのスパッタリングレートを考慮した組成の錫−
鉛合金による1個のターゲットを用いて成膜が行なわれ
るようにしてもよい。
第1図は、前記のようにして基板上に記録媒体用錫−鉛
合金による記録層が付着形成されてなる記録媒体に1ノ
ーザ光のスポットを照射して、信号の記録再生を行なう
ための実験に用いた記録再生装置の概略構成を示すブロ
ック図であり、この第1図においてMはモータ、TTは
ターンテーブルであり、前記のターンテーブルTTには
記録媒体りが固着装置4(クランパ4 )によって固着
される。
合金による記録層が付着形成されてなる記録媒体に1ノ
ーザ光のスポットを照射して、信号の記録再生を行なう
ための実験に用いた記録再生装置の概略構成を示すブロ
ック図であり、この第1図においてMはモータ、TTは
ターンテーブルであり、前記のターンテーブルTTには
記録媒体りが固着装置4(クランパ4 )によって固着
される。
記録媒体りは透明なプラスチックの基板1上に記録媒体
用錫−鉛合金の記録M2が付着形成された上に1図示の
例では保護膜3が設けられている。
用錫−鉛合金の記録M2が付着形成された上に1図示の
例では保護膜3が設けられている。
ブロックRは記録系であり、また、ブロックPは再生系
であって、記録系Rには高出力状態に付勢させることが
できるとともに、変調信号によってレーザ光の強度変調
ができるようになされた半導体レーザ光源5(波長が8
300オングストロームのレーザ光を放射)と、レーザ
光を集束して記録媒体りの記録層2に所定の径のレーザ
光スポットを照射させる光学系7と、ハーフミラ6と、
フォーカス系及びトラッキングサーボ系8などを含んで
構成されており、また、再生系Pは低出力(例えば、1
〜3mw )で連続点灯できる半導体レーザ光源9(波
長が8300オンゲストロー11のレーザ光を放射)と
、レーザ光を集束して記録媒体りの記録層2に所定の径
のレーザ光スポットを照射させろ光学系11ど、ハーフ
ミラ10と、記録媒体りの記録R・12に生した物理的
な変化を読出すための光検出器(シリコンPINダイオ
ード)と信号処回路及びフォーカス系ならびにトラッキ
ングサーボ系12などを含んで構成されている。
であって、記録系Rには高出力状態に付勢させることが
できるとともに、変調信号によってレーザ光の強度変調
ができるようになされた半導体レーザ光源5(波長が8
300オングストロームのレーザ光を放射)と、レーザ
光を集束して記録媒体りの記録層2に所定の径のレーザ
光スポットを照射させる光学系7と、ハーフミラ6と、
フォーカス系及びトラッキングサーボ系8などを含んで
構成されており、また、再生系Pは低出力(例えば、1
〜3mw )で連続点灯できる半導体レーザ光源9(波
長が8300オンゲストロー11のレーザ光を放射)と
、レーザ光を集束して記録媒体りの記録層2に所定の径
のレーザ光スポットを照射させろ光学系11ど、ハーフ
ミラ10と、記録媒体りの記録R・12に生した物理的
な変化を読出すための光検出器(シリコンPINダイオ
ード)と信号処回路及びフォーカス系ならびにトラッキ
ングサーボ系12などを含んで構成されている。
さて、例えば、プラスチック類の円盤状の基板1の表面
に、錫が20重址%乃至75重量%であって残部が鉛で
あるような組成範囲内にある色々な組成の賜−鉛合金を
約500オングストロームの厚さの薄膜として被着させ
たものを試料として用意し、それぞれ組成を異にしてい
る錫−鉛合金薄膜が付着されている各試料を回転させた
状態にして、前記の各試料毎の錫−鉛合金薄膜を直径が
約1μmに集束さ九たレーザ光束(波長が8300オン
グストロームの半導体レーザからのレーザ光)により断
続的に照射された状態にして信号の記録を行なった場合
には、前記の試料におけるレーザ光束で照射された部分
が照射されなかった部分に比べて光学的な反射率が増加
するために、前記の試料におけるレーザ光束で照射され
た部分と照射されなかった部分とは室内光の下での目視
によっても明瞭に弁別できたが、それを光学顕微鏡によ
り観察したところ、試料の錫−鉛合金薄膜におけるレー
ザ光束の照射により相変化を起こしている部分は、その
他の部分に比べて高い反射率を有するために明瞭なコン
トラスト比を有する明るい状態の部分の連なりとして明
確に認識できた。
に、錫が20重址%乃至75重量%であって残部が鉛で
あるような組成範囲内にある色々な組成の賜−鉛合金を
約500オングストロームの厚さの薄膜として被着させ
たものを試料として用意し、それぞれ組成を異にしてい
る錫−鉛合金薄膜が付着されている各試料を回転させた
状態にして、前記の各試料毎の錫−鉛合金薄膜を直径が
約1μmに集束さ九たレーザ光束(波長が8300オン
グストロームの半導体レーザからのレーザ光)により断
続的に照射された状態にして信号の記録を行なった場合
には、前記の試料におけるレーザ光束で照射された部分
が照射されなかった部分に比べて光学的な反射率が増加
するために、前記の試料におけるレーザ光束で照射され
た部分と照射されなかった部分とは室内光の下での目視
によっても明瞭に弁別できたが、それを光学顕微鏡によ
り観察したところ、試料の錫−鉛合金薄膜におけるレー
ザ光束の照射により相変化を起こしている部分は、その
他の部分に比べて高い反射率を有するために明瞭なコン
トラスト比を有する明るい状態の部分の連なりとして明
確に認識できた。
第2図は前記のように試料を回転させ、それを時間軸上
で第2図の(a)のように断続するレーザ光束で照射し
たときに錫−鉛合金薄膜に生じる記録ドツト(第2図の
(b))と、前記の錫−鉛合金薄膜の記録ドツトの部分
とその他の部分とにおける反射率の状態(第2図の(b
))とを示している。
で第2図の(a)のように断続するレーザ光束で照射し
たときに錫−鉛合金薄膜に生じる記録ドツト(第2図の
(b))と、前記の錫−鉛合金薄膜の記録ドツトの部分
とその他の部分とにおける反射率の状態(第2図の(b
))とを示している。
そして、前記のようにして部分的に相変化を生じさせた
錫−鉛合金の薄膜を走査電子顕微鏡によってm察したと
ころ、記録ドツトは全く認められなかったが、このこと
は前記のようにレーザ光のスポットの照射によって錫−
鉛合金の薄膜に生じた光の反射率等の光学的変化は、レ
ーザ光の照射によって錫−鉛合金の薄膜の表面に凹凸が
生じることによって起きたのではないことを示している
。
錫−鉛合金の薄膜を走査電子顕微鏡によってm察したと
ころ、記録ドツトは全く認められなかったが、このこと
は前記のようにレーザ光のスポットの照射によって錫−
鉛合金の薄膜に生じた光の反射率等の光学的変化は、レ
ーザ光の照射によって錫−鉛合金の薄膜の表面に凹凸が
生じることによって起きたのではないことを示している
。
次に、前記のようにしてレーザ光スポットの照射により
相変化を生じさせた錫−鉛合金の薄膜をEPMA(El
ectron Probe Micro Analys
is)によって、それの記録部分と非記録部分とのそれ
ぞれの部分における酸素址と窒素量とを測定したが、両
者間においての差は認められなかった。このことは前記
のようにレーザ光のスポットの照射によって錫−鉛合金
の薄膜に生じた光の反射率、透過率の変化と1色調の変
化などは、レーザ光の照射によって錫−鉛合金の薄膜に
形成された記録部分が、レーザ光の照射による加熱によ
って非記録部分とは異なる物質に変化したことによっ′
C生じたものではないことを示している。
相変化を生じさせた錫−鉛合金の薄膜をEPMA(El
ectron Probe Micro Analys
is)によって、それの記録部分と非記録部分とのそれ
ぞれの部分における酸素址と窒素量とを測定したが、両
者間においての差は認められなかった。このことは前記
のようにレーザ光のスポットの照射によって錫−鉛合金
の薄膜に生じた光の反射率、透過率の変化と1色調の変
化などは、レーザ光の照射によって錫−鉛合金の薄膜に
形成された記録部分が、レーザ光の照射による加熱によ
って非記録部分とは異なる物質に変化したことによっ′
C生じたものではないことを示している。
以上の実験結果から考えると、レーザ光のスポットの照
Hによって錫−鉛合金の薄膜に生じた光学的特性の変化
は、レーザ光の照射によって錫−鉛合金の薄膜に与えら
れた熱エネルギにより、錫−鉛合金の2膜の構成物質に
原子配列の変化が生じ、それによって錫−鉛合金の薄膜
の光学的特性が記録部分と非記録部分とにおいて変化し
ているものと推論される。
Hによって錫−鉛合金の薄膜に生じた光学的特性の変化
は、レーザ光の照射によって錫−鉛合金の薄膜に与えら
れた熱エネルギにより、錫−鉛合金の2膜の構成物質に
原子配列の変化が生じ、それによって錫−鉛合金の薄膜
の光学的特性が記録部分と非記録部分とにおいて変化し
ているものと推論される。
第3図の(a)は錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)
の変化に対する錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度(記録媒
体に相変化を起こさせることができる強度範囲内のレー
ザ光強度であって、記録媒体にその強度のレーザ光が照
射された部分からの再生信号中における2次高調波歪が
極小になされる如きレーザ光強度)の変化を示す図であ
り、また。
の変化に対する錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度(記録媒
体に相変化を起こさせることができる強度範囲内のレー
ザ光強度であって、記録媒体にその強度のレーザ光が照
射された部分からの再生信号中における2次高調波歪が
極小になされる如きレーザ光強度)の変化を示す図であ
り、また。
第3図の(b)は錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)
の変化に対する再生信号のC/N(搬送波対雑音比)の
変化を示す図であるが、第3図の(a)。
の変化に対する再生信号のC/N(搬送波対雑音比)の
変化を示す図であるが、第3図の(a)。
(b)に示されている測定結果は、次の様な条件の下で
得られたものである。
得られたものである。
すなわち1合成樹脂製の円盤状の基板(アクリル樹脂製
の円盤状の基板)の表面に、錫の含有率が錫が20重量
%乃至75重量の範囲で残部が鉛であるような組成の錫
−鉛合金を約500オングストロームの厚さの薄膜とし
て被着させてなる記録媒体D(記録層上に保護膜を設け
ていない状態のもの)を、それの中心を回転軸に固着し
て毎分900回転させ、前記した情報記録円盤における
中心から50■の径の位置を、繰返し周波数が500K
Hzの矩形波信号によって強度変調されている状態の波
長が8300オングストロームレーザ光の径が約1ミク
ロンのスポットによって照射し、錫−鉛合金の薄膜に5
00KHzの矩形波信号を相変化によって記録するよう
にした場合のものであり、第3図の(a)、(b)に示
されている測定結果を得るための実験は、錫の含有率が
錫が20重量%乃至75重量%の範囲で残部が鉛である
ような組成の錫−鉛合金を約500オングストロームの
厚さの薄膜として被着させてなる記録媒体りとして、錫
が20重量%乃至75重量%の範囲で錫の含有率をそれ
ぞれ異にしている如き多数の記録媒体りを用いて行なわ
れたものである。
の円盤状の基板)の表面に、錫の含有率が錫が20重量
%乃至75重量の範囲で残部が鉛であるような組成の錫
−鉛合金を約500オングストロームの厚さの薄膜とし
て被着させてなる記録媒体D(記録層上に保護膜を設け
ていない状態のもの)を、それの中心を回転軸に固着し
て毎分900回転させ、前記した情報記録円盤における
中心から50■の径の位置を、繰返し周波数が500K
Hzの矩形波信号によって強度変調されている状態の波
長が8300オングストロームレーザ光の径が約1ミク
ロンのスポットによって照射し、錫−鉛合金の薄膜に5
00KHzの矩形波信号を相変化によって記録するよう
にした場合のものであり、第3図の(a)、(b)に示
されている測定結果を得るための実験は、錫の含有率が
錫が20重量%乃至75重量%の範囲で残部が鉛である
ような組成の錫−鉛合金を約500オングストロームの
厚さの薄膜として被着させてなる記録媒体りとして、錫
が20重量%乃至75重量%の範囲で錫の含有率をそれ
ぞれ異にしている如き多数の記録媒体りを用いて行なわ
れたものである。
第3図の(a)に示されている錫−鉛合金中の錫の含有
率(重量%)の変化に対する錫−鉛合金薄膜のレーザ光
感度の変化特性を見ると、錫−鉛合金薄膜におけるレー
ザ光感度は錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)が30
重量%乃至70重量%という広い範囲にわたり略々一定
の状態に保たれているというような特性を示している。
率(重量%)の変化に対する錫−鉛合金薄膜のレーザ光
感度の変化特性を見ると、錫−鉛合金薄膜におけるレー
ザ光感度は錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)が30
重量%乃至70重量%という広い範囲にわたり略々一定
の状態に保たれているというような特性を示している。
このように、錫−鉛合金では錫の含有率が30重量%乃
至70重量%というように広い範囲で変動しても、錫−
鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる(錫が
30重量%〜70重量%という広い組成範囲にわたって
錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる)
から、記録媒体の製作時における記録層の構成物質の組
成のばらつきの許容度が広く、したがって、記録媒体の
大量生産が容易になる。
至70重量%というように広い範囲で変動しても、錫−
鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる(錫が
30重量%〜70重量%という広い組成範囲にわたって
錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる)
から、記録媒体の製作時における記録層の構成物質の組
成のばらつきの許容度が広く、したがって、記録媒体の
大量生産が容易になる。
また、前記のように記録媒体の製作時における記録層の
構成物質の組成のばらつきの許容度が広いことから、錫
及び鉛の溶融固化物による錫−鉛合金のターゲットを使
用した連続インラインスパッタリングによる情報記録媒
円盤の製作も容易に行なわれ得るのである。なお、錫−
鉛合金による記録層に対する情報の記録は、レーザ光の
スポットの使用による温度上昇以外の方法による記録層
の温度上昇によっても行なわれ得ることはいうまでもな
い。
構成物質の組成のばらつきの許容度が広いことから、錫
及び鉛の溶融固化物による錫−鉛合金のターゲットを使
用した連続インラインスパッタリングによる情報記録媒
円盤の製作も容易に行なわれ得るのである。なお、錫−
鉛合金による記録層に対する情報の記録は、レーザ光の
スポットの使用による温度上昇以外の方法による記録層
の温度上昇によっても行なわれ得ることはいうまでもな
い。
また、錫−鉛合金薄膜を記録層に用いている記録媒体り
においては、再生信号のC/Nが第3図の(b)に示さ
れているように、錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)
が1130重量%乃至70重量%というように広い範囲
にわたって高いC/Nを示すのであり、このような特性
が得られる合金記録媒体は既提案の記録媒体からは求め
ることができないのであり、本発明の記録媒体用錫−鉛
合金を記録層に用いた記録媒体によれば、S/Nが良好
な状態での信号の再生を容易に行なうことができる。
においては、再生信号のC/Nが第3図の(b)に示さ
れているように、錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)
が1130重量%乃至70重量%というように広い範囲
にわたって高いC/Nを示すのであり、このような特性
が得られる合金記録媒体は既提案の記録媒体からは求め
ることができないのであり、本発明の記録媒体用錫−鉛
合金を記録層に用いた記録媒体によれば、S/Nが良好
な状態での信号の再生を容易に行なうことができる。
(効果)
以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の記録媒体用錫−鉛合金では、錫の含有率が30重量
%乃至70重量%というように広い範囲で変動しても、
錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる(
Sが30重量%乃至70重量%という広い組成範囲にわ
たって錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保た
れる)ものであリ、これは従来のカルコゲナイド系や低
級酸化物系の相変化型の記録媒体では到底得ることがで
きなかったものであり1本発明の記録媒体用部−鉛合金
を用いた記録媒体は、従来の相変化型の記録媒体に比べ
て大量生産が容易であり、また、本発明の記録媒体用部
−鉛合金を記録層に用いている記録媒体りにおいては、
錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)が錫30重量%乃
至70重量%というように広い範囲にわたって再生信号
が高いC/Nを示すのであり、このような特性が得られ
る合金記録媒体は既提案の記録媒体からは求めることが
できなかったものであって1本発明によれば既述した従
来の欠点はすべて良好に解消されるのである。
明の記録媒体用錫−鉛合金では、錫の含有率が30重量
%乃至70重量%というように広い範囲で変動しても、
錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる(
Sが30重量%乃至70重量%という広い組成範囲にわ
たって錫−鉛合金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保た
れる)ものであリ、これは従来のカルコゲナイド系や低
級酸化物系の相変化型の記録媒体では到底得ることがで
きなかったものであり1本発明の記録媒体用部−鉛合金
を用いた記録媒体は、従来の相変化型の記録媒体に比べ
て大量生産が容易であり、また、本発明の記録媒体用部
−鉛合金を記録層に用いている記録媒体りにおいては、
錫−鉛合金中の錫の含有率(重量%)が錫30重量%乃
至70重量%というように広い範囲にわたって再生信号
が高いC/Nを示すのであり、このような特性が得られ
る合金記録媒体は既提案の記録媒体からは求めることが
できなかったものであって1本発明によれば既述した従
来の欠点はすべて良好に解消されるのである。
第1図は記録媒体の記録再生の実験に用いた記録再生装
置の一例の概略構成を示すブロック図、第2図は記録媒
体用錫−鉛合金薄膜を照射するレーザ光ビームの断続の
状態と、錫−鉛合金薄膜の記録ドツトの状態と、光の反
射率の変化の状態との関係を示す図、第3図の(a)は
錫−鉛合金薄膜の錫の含有率とレーザ光感度との関係を
示す図、第3図の(b)は錫−鉛合金薄膜の錫の含有率
と再生時のC/Nの関係を示す図である。 D・・・記録媒体、R・・・記録系、P・・・再生系、
M・・・モータ、TT・・・ターンテーブル、■・・・
基板、2・・・記8)’a、5.9・・・レーザ光源、
6,11・・・ハーフミラ−、7,11・・・光学系、 特許出願人 日本ビクター株式会社 −二、手続補正
帯(自発) 昭和61年3月14日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 2、発明の名称 記録媒体用錫−鉛合金 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 性 所 神奈川県横浜市神奈用区守屋町3丁目12番地
名称(432) 日本ビクター株式会社4、代理人 ファクシミリ03 (472) 2257番5、補正命
令の日付 (自 発) 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄7、補
正の内容 (1)明細書第5頁第5行r内を・・・程」をr内を1
0′″’ Torr程」に補正する。 (61,3,1了
置の一例の概略構成を示すブロック図、第2図は記録媒
体用錫−鉛合金薄膜を照射するレーザ光ビームの断続の
状態と、錫−鉛合金薄膜の記録ドツトの状態と、光の反
射率の変化の状態との関係を示す図、第3図の(a)は
錫−鉛合金薄膜の錫の含有率とレーザ光感度との関係を
示す図、第3図の(b)は錫−鉛合金薄膜の錫の含有率
と再生時のC/Nの関係を示す図である。 D・・・記録媒体、R・・・記録系、P・・・再生系、
M・・・モータ、TT・・・ターンテーブル、■・・・
基板、2・・・記8)’a、5.9・・・レーザ光源、
6,11・・・ハーフミラ−、7,11・・・光学系、 特許出願人 日本ビクター株式会社 −二、手続補正
帯(自発) 昭和61年3月14日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 2、発明の名称 記録媒体用錫−鉛合金 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 性 所 神奈川県横浜市神奈用区守屋町3丁目12番地
名称(432) 日本ビクター株式会社4、代理人 ファクシミリ03 (472) 2257番5、補正命
令の日付 (自 発) 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄7、補
正の内容 (1)明細書第5頁第5行r内を・・・程」をr内を1
0′″’ Torr程」に補正する。 (61,3,1了
Claims (1)
- 錫が30重量%乃至70重量%であって残部が鉛である
記録媒体用錫−鉛合金
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039694A JPS61199044A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 記録媒体用錫−鉛合金 |
| US06/822,037 US4704326A (en) | 1985-02-05 | 1986-01-24 | Tin alloys for recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039694A JPS61199044A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 記録媒体用錫−鉛合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199044A true JPS61199044A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0119455B2 JPH0119455B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=12560141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039694A Granted JPS61199044A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-28 | 記録媒体用錫−鉛合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199044A (ja) |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60039694A patent/JPS61199044A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0119455B2 (ja) | 1989-04-11 |
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