JPH01196826A - Ｅｃｒプラズマ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマ装置Info
- Publication number
- JPH01196826A JPH01196826A JP2224588A JP2224588A JPH01196826A JP H01196826 A JPH01196826 A JP H01196826A JP 2224588 A JP2224588 A JP 2224588A JP 2224588 A JP2224588 A JP 2224588A JP H01196826 A JPH01196826 A JP H01196826A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solenoid
- substrate
- axis
- lines
- plasma
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- Granted
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波を発生する手段と、このマイク
ロ波を伝達する手段と、このマイクロ波伝達手段と結合
されて前記マイクロ波が導入されかつガス供給手段を介
して送入されたガスをこのマイクロ波との共鳴効果によ
りプラズマ化して活性な原子１分子またはイオンを生ず
る磁力線を発生するソレノイドにより同軸に包囲される
とともに磁力線に沿って移送される前記活性な原子１分
子またはイオンにより表面にエツチングが施されまたは
薄膜が生成される基板が配される真空容器と、この真空
容器の排気を行う排気手段とを備えたＥＣＲプラズマ装
置に関する。
ロ波を伝達する手段と、このマイクロ波伝達手段と結合
されて前記マイクロ波が導入されかつガス供給手段を介
して送入されたガスをこのマイクロ波との共鳴効果によ
りプラズマ化して活性な原子１分子またはイオンを生ず
る磁力線を発生するソレノイドにより同軸に包囲される
とともに磁力線に沿って移送される前記活性な原子１分
子またはイオンにより表面にエツチングが施されまたは
薄膜が生成される基板が配される真空容器と、この真空
容器の排気を行う排気手段とを備えたＥＣＲプラズマ装
置に関する。
第３図に従来のＥＣＲプラズマ装置の構成例を示す、こ
の装置は、ここには図示されていないが、マイクロ波を
発生する手段としてのマグネトロンから発振されたマイ
クロ波を伝達する導波管１と、誘電体からなる真空窓２
を介して前記マイクロ波が導入されかつガス供給手段４
を介して送入されたガスを前記導入されたマイクロ波と
の共鳴効果によりプラズマ化して活性な原子９分子また
はイオンを生ずる磁力線８を発生する励磁ソレノイド６
により同軸に包囲されるとともに磁力線８に沿って移送
される前記活性な原子１分子またはイオンにより表面に
エツチングが施されまたは薄膜が生成される基板１１が
配される真空容器３と、この真空容器の排気を行う９図
示されない排気手段とを備えてなっている。
の装置は、ここには図示されていないが、マイクロ波を
発生する手段としてのマグネトロンから発振されたマイ
クロ波を伝達する導波管１と、誘電体からなる真空窓２
を介して前記マイクロ波が導入されかつガス供給手段４
を介して送入されたガスを前記導入されたマイクロ波と
の共鳴効果によりプラズマ化して活性な原子９分子また
はイオンを生ずる磁力線８を発生する励磁ソレノイド６
により同軸に包囲されるとともに磁力線８に沿って移送
される前記活性な原子１分子またはイオンにより表面に
エツチングが施されまたは薄膜が生成される基板１１が
配される真空容器３と、この真空容器の排気を行う９図
示されない排気手段とを備えてなっている。
このように構成されたＥＣＲプラズマ装置により基板表
面にエツチング加工を施す際には、ガス供給手段４から
エツチング用ガスを真空容器３内のプラズマ発生部７へ
送り込んでプラズマ化し、このプラズマ化により生じた
活性な原子１分子またはイオンを磁力線８に沿って基板
表面まで移送して基板表面をエツチングする。また、基
板表面に薄膜を生成する場合には、まずガス供給手段４
からＮ８などのプラズマ原料ガスを真空容器３内のプラ
ズマ発生部７へ送り込んでこれをプラズマ化する。この
プラズマはプラズマ発生部の開ロアａから磁力線８に沿
って処理部９へ押し出され、成膜ガス供給手段１２を介
してこの処理部内へ送入された成膜ガスを活性化して基
板表面に作用させ、基板表面に薄膜を生成させる。
面にエツチング加工を施す際には、ガス供給手段４から
エツチング用ガスを真空容器３内のプラズマ発生部７へ
送り込んでプラズマ化し、このプラズマ化により生じた
活性な原子１分子またはイオンを磁力線８に沿って基板
表面まで移送して基板表面をエツチングする。また、基
板表面に薄膜を生成する場合には、まずガス供給手段４
からＮ８などのプラズマ原料ガスを真空容器３内のプラ
ズマ発生部７へ送り込んでこれをプラズマ化する。この
プラズマはプラズマ発生部の開ロアａから磁力線８に沿
って処理部９へ押し出され、成膜ガス供給手段１２を介
してこの処理部内へ送入された成膜ガスを活性化して基
板表面に作用させ、基板表面に薄膜を生成させる。
このように構成されたＥＣＲプラズマ装置における問題
点はつぎの通りである。すなわち、プラズマ発生部７で
生成されたプラズマは磁力線８に沿って処理部９へ移送
される。このため、基板表面の励磁ソレノイド軸線位置
まわりの中心部に基板に作用するプラズマが集中する傾
向を生じ、エツチングもしくは薄膜生成時の基板の加工
速度が基板中央部で速く、周縁部でおそくなり、処理速
度の分布を一様にすることができなかった。
点はつぎの通りである。すなわち、プラズマ発生部７で
生成されたプラズマは磁力線８に沿って処理部９へ移送
される。このため、基板表面の励磁ソレノイド軸線位置
まわりの中心部に基板に作用するプラズマが集中する傾
向を生じ、エツチングもしくは薄膜生成時の基板の加工
速度が基板中央部で速く、周縁部でおそくなり、処理速
度の分布を一様にすることができなかった。
この発明の目的は、従来のＥＣＲプラズマ装置における
前記従来の欠点を除去し、基板表面の処理速度の分布を
一様にして基板表面が均一にエツチングされあるいは均
一な薄膜が生成されるＥＣＲプラズマ装置を提供するこ
とである。
前記従来の欠点を除去し、基板表面の処理速度の分布を
一様にして基板表面が均一にエツチングされあるいは均
一な薄膜が生成されるＥＣＲプラズマ装置を提供するこ
とである。
上記目的を達成するために、この発明によれば、マイク
ロ波を発生する手段と、このマイクロ波を伝達する手段
と、このマイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ
波が導入されかつガス供給手段を介して送入されたガス
をこのマイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活
性な原子１分子またはイオンを生ずる磁力線を発生する
ソレノイドにより同軸に包囲されるとともに磁力線に沿
って移送される前記活性な原子１分子またはイオンによ
り表面にエツチングが施されまたは薄膜が生成される基
板が配される真空容器と、この真空容器の排気を行う排
気手段とを備えたＥＣＲプラズマ装置において、前記基
板の近傍に前記ソレノイドの軸線と直交する磁力線を発
生させるとともにこの磁力線を前記ソレノイドの軸線と
直交する平面内で回転させる回転磁場発生手段を前記真
空容器の外側に備えしめるものとする。
ロ波を発生する手段と、このマイクロ波を伝達する手段
と、このマイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ
波が導入されかつガス供給手段を介して送入されたガス
をこのマイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活
性な原子１分子またはイオンを生ずる磁力線を発生する
ソレノイドにより同軸に包囲されるとともに磁力線に沿
って移送される前記活性な原子１分子またはイオンによ
り表面にエツチングが施されまたは薄膜が生成される基
板が配される真空容器と、この真空容器の排気を行う排
気手段とを備えたＥＣＲプラズマ装置において、前記基
板の近傍に前記ソレノイドの軸線と直交する磁力線を発
生させるとともにこの磁力線を前記ソレノイドの軸線と
直交する平面内で回転させる回転磁場発生手段を前記真
空容器の外側に備えしめるものとする。
このように、基板の近傍に励磁ソレノイドの軸線と直交
する磁力線を発生させるとともにこの磁力線を励磁ソレ
ノイドの軸線と直交する平面内で回転させる回転磁場発
生手段を真空容器の外側に設けることにより、基板中央
部に到達しようとする。密度の高いプラズマは、回転磁
場発注手段が発生する。励磁ソレノイドの軸線と直交す
る磁力線に沿って基板周縁部へ移動しながら励磁ソレノ
イドの軸線まわりに回転する。渦巻き軌道の移動成分を
与えられる。これにより、プラズマ密度の低い基板周縁
部の処理速度が促進され、基板表面のより均一なエツチ
ング加工または薄膜生成が可能になる。
する磁力線を発生させるとともにこの磁力線を励磁ソレ
ノイドの軸線と直交する平面内で回転させる回転磁場発
生手段を真空容器の外側に設けることにより、基板中央
部に到達しようとする。密度の高いプラズマは、回転磁
場発注手段が発生する。励磁ソレノイドの軸線と直交す
る磁力線に沿って基板周縁部へ移動しながら励磁ソレノ
イドの軸線まわりに回転する。渦巻き軌道の移動成分を
与えられる。これにより、プラズマ密度の低い基板周縁
部の処理速度が促進され、基板表面のより均一なエツチ
ング加工または薄膜生成が可能になる。
第１図に、本発明に基づいて構成されるＥＣＲプラズマ
装置の一実施例を示す、第３図と同一の部材には同一の
符号を付し説明を省略する。基板近傍の真空容器１３の
外側に真空容器１３を挟んで２個の磁心入リソレノイド
２４を対向配置する。さらに、この２個のソレノイド２
４に共通の軸線と励磁ソレノイド６の軸線とに直角方向
にも２個の磁心入りソレノイド２５を対向配置する。こ
の２組のソレノイド２４．２５の配置状況を第２図の平
面図に示す、この２組のソレノイドに流す電流を交流と
し、かつこの電流の位相が９０度ずれるようにすること
によって、励磁ソレノイド６の軸線と直交する平面内で
時間的に方向が回転する磁界を発生させることができる
。すなわち、電圧位相が９０度ずれた二相交流ｔｆｌに
接続される２組のソレノイドが回転磁界発生手段を構成
する。これにより、プラズマ発生部１７で発生したプラ
ズマは、処理部１９に配した基板１１に均一に移送され
る。
装置の一実施例を示す、第３図と同一の部材には同一の
符号を付し説明を省略する。基板近傍の真空容器１３の
外側に真空容器１３を挟んで２個の磁心入リソレノイド
２４を対向配置する。さらに、この２個のソレノイド２
４に共通の軸線と励磁ソレノイド６の軸線とに直角方向
にも２個の磁心入りソレノイド２５を対向配置する。こ
の２組のソレノイド２４．２５の配置状況を第２図の平
面図に示す、この２組のソレノイドに流す電流を交流と
し、かつこの電流の位相が９０度ずれるようにすること
によって、励磁ソレノイド６の軸線と直交する平面内で
時間的に方向が回転する磁界を発生させることができる
。すなわち、電圧位相が９０度ずれた二相交流ｔｆｌに
接続される２組のソレノイドが回転磁界発生手段を構成
する。これにより、プラズマ発生部１７で発生したプラ
ズマは、処理部１９に配した基板１１に均一に移送され
る。
なお、回転磁界の発生は、三相交流電源に接続される。
同一平面内に６０度づつずれて配された３組のソレノイ
ドによっても可能であることは明らかである。
ドによっても可能であることは明らかである。
以上に述べたように、本発明によれば、マイクロ波を発
生する手段と、このマイクロ波を伝達する手段と、この
マイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波が導入
されかつガス供給手段を介して送入されたガスをこのマ
イクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活性な原子
１分子またはイオンを生ずる磁力線を発生するソレノイ
ドにより同軸に包囲されるとともに磁力線に沿って移送
される前記活性な原子１分子またはイオンにより表面に
エツチングが施されまたは薄膜が生成される基板が配さ
れる真空容器と、この真空容器の排気を行う排気手段と
を備えたＥＣＲプラズマ装置において、前記基板の近傍
に前記ソレノイドの軸線と直交する磁力線を発生させる
とともにこの磁力線を前記ソレノイドの軸線と直交する
平面内で回転させる回転磁場発生手段を前記真空容器の
外側に備えしめたので、真空容器内のプラズマ発生部か
ら励磁ソレノイドが発生する磁力線に沿って基板方向へ
移送される。中心部の密度の高いプラズマが、基板近傍
において、前記ｗＪ磁ソレノイドの軸線と直交する平面
内で基板中央部から周縁部へ渦巻き状に軌道を画こうと
する移動成分を与えられるから、密度の高い中心部のプ
ラズマが基板周縁部へ向かって移動し、周縁部の処理速
度が促進され、基板表面のより均一なエツチング加工ま
たは薄膜形成が可能になる。しかも本発明による装置構
成は従来の装置本体に何らの変更を加えることなく可能
であり、基板表面のより均一な加工が安直に可能となる
メリットがある。
生する手段と、このマイクロ波を伝達する手段と、この
マイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波が導入
されかつガス供給手段を介して送入されたガスをこのマ
イクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活性な原子
１分子またはイオンを生ずる磁力線を発生するソレノイ
ドにより同軸に包囲されるとともに磁力線に沿って移送
される前記活性な原子１分子またはイオンにより表面に
エツチングが施されまたは薄膜が生成される基板が配さ
れる真空容器と、この真空容器の排気を行う排気手段と
を備えたＥＣＲプラズマ装置において、前記基板の近傍
に前記ソレノイドの軸線と直交する磁力線を発生させる
とともにこの磁力線を前記ソレノイドの軸線と直交する
平面内で回転させる回転磁場発生手段を前記真空容器の
外側に備えしめたので、真空容器内のプラズマ発生部か
ら励磁ソレノイドが発生する磁力線に沿って基板方向へ
移送される。中心部の密度の高いプラズマが、基板近傍
において、前記ｗＪ磁ソレノイドの軸線と直交する平面
内で基板中央部から周縁部へ渦巻き状に軌道を画こうと
する移動成分を与えられるから、密度の高い中心部のプ
ラズマが基板周縁部へ向かって移動し、周縁部の処理速
度が促進され、基板表面のより均一なエツチング加工ま
たは薄膜形成が可能になる。しかも本発明による装置構
成は従来の装置本体に何らの変更を加えることなく可能
であり、基板表面のより均一な加工が安直に可能となる
メリットがある。
第１図は本発明の一実施例によるＥＣＲプラズマ装置の
縦断面図、第２図は回転磁場発生手段を構成するソレノ
イドの真空容器まわりの配置状況を示す平面図、第３図
は従来例によるＥＣＲプラズマ装置の構成を示す縦断面
図である。 １：導波管（マイクロ波伝達手段）、３．１３：真空容
器、４：ガス供給手段、６：励磁ソレノイド （ソレノ
イド）、７．１７：プラズマ発生部、８：磁力線、９，
１９：処理部、２４．２５：ソレノイ第１ 図
縦断面図、第２図は回転磁場発生手段を構成するソレノ
イドの真空容器まわりの配置状況を示す平面図、第３図
は従来例によるＥＣＲプラズマ装置の構成を示す縦断面
図である。 １：導波管（マイクロ波伝達手段）、３．１３：真空容
器、４：ガス供給手段、６：励磁ソレノイド （ソレノ
イド）、７．１７：プラズマ発生部、８：磁力線、９，
１９：処理部、２４．２５：ソレノイ第１ 図
Claims (1)
- １）マイクロ波を発生する手段と、このマイクロ波を伝
達する手段と、このマイクロ波伝達手段と結合されて前
記マイクロ波が導入されかつガス供給手段を介して送入
されたガスをこのマイクロ波との共鳴効果によりプラズ
マ化して活性な原子、分子またはイオンを生ずる磁力線
を発生するソレノイドにより同軸に包囲されるとともに
磁力線に沿って移送される前記活性な原子、分子または
イオンにより表面にエッチングが施されまたは薄膜が生
成される基板が配される真空容器と、この真空容器の排
気を行う排気手段とを備えたＥＣＲプラズマ装置におい
て、前記基板の近傍に前記ソレノイドの軸線と直交する
磁力線を発生させるとともにこの磁力線を前記ソレノイ
ドの軸線と直交する平面内で回転させる回転磁場発生手
段を前記真空容器の外側に備えていることを特徴とする
ＥＣＲプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022245A JPH088239B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | Ｅｃｒプラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022245A JPH088239B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | Ｅｃｒプラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196826A true JPH01196826A (ja) | 1989-08-08 |
| JPH088239B2 JPH088239B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=12077410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63022245A Expired - Lifetime JPH088239B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | Ｅｃｒプラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088239B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244615A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS63278339A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-11-16 | アプライド マテリアルズインコーポレーテッド | シリコンおよび珪化物のための臭素およびヨウ素エッチング方法 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63022245A patent/JPH088239B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278339A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-11-16 | アプライド マテリアルズインコーポレーテッド | シリコンおよび珪化物のための臭素およびヨウ素エッチング方法 |
| JPS63244615A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088239B2 (ja) | 1996-01-29 |
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