JPH01196832A - 半導体基板のエッチング方法 - Google Patents
半導体基板のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH01196832A JPH01196832A JP2136788A JP2136788A JPH01196832A JP H01196832 A JPH01196832 A JP H01196832A JP 2136788 A JP2136788 A JP 2136788A JP 2136788 A JP2136788 A JP 2136788A JP H01196832 A JPH01196832 A JP H01196832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- substrate
- side face
- etching
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は半導体基板のエツチング処理に関し、特に半導
体基板の厚さ方向である側面にエツチング処理を施す方
法に好適するものである。
体基板の厚さ方向である側面にエツチング処理を施す方
法に好適するものである。
(従来の技術)
半導体素子ではいわゆるベベル処理を施して耐圧を向上
する方式が知られているが、特に個別半導体分野の素子
にあっては半導体基板の側面にpn接合を露出し、この
部分にベベル処理を実施する手法を採用する頻度が割合
い多い。
する方式が知られているが、特に個別半導体分野の素子
にあっては半導体基板の側面にpn接合を露出し、この
部分にベベル処理を実施する手法を採用する頻度が割合
い多い。
このベベル形成に当たっては半導体基板の主面に対する
方向に正もしくは負の方向の一方か、又は両方を実施し
て必要とする半導体特性である耐圧を得るのが一般的で
ある。
方向に正もしくは負の方向の一方か、又は両方を実施し
て必要とする半導体特性である耐圧を得るのが一般的で
ある。
即ち半導体基板の主表面に隣接して形成する熱酸化膜を
選択的に除去してからは不純物を導入して不純物領域を
設置してpn接合を形成する等の公知の個別半導体素子
であるトランジスタ、ダイオードあるいは整流素子等を
構成する。このような個別半導体素子ではpn接合端を
半導体基板の主表面に露出するのでなく、半導体基板の
厚さ方向を構成する側面に露出させる。更に導電性金属
であるアルミニュウムもしくはアルミニュウム合金を電
極として半導体基板の主表面に堆積し、これに伴う配線
層のパターンを形成する。又半導体基板の裏面にも導電
性金属で構成する電極を形成する。
選択的に除去してからは不純物を導入して不純物領域を
設置してpn接合を形成する等の公知の個別半導体素子
であるトランジスタ、ダイオードあるいは整流素子等を
構成する。このような個別半導体素子ではpn接合端を
半導体基板の主表面に露出するのでなく、半導体基板の
厚さ方向を構成する側面に露出させる。更に導電性金属
であるアルミニュウムもしくはアルミニュウム合金を電
極として半導体基板の主表面に堆積し、これに伴う配線
層のパターンを形成する。又半導体基板の裏面にも導電
性金属で構成する電極を形成する。
第3図に示すように、半導体基板20側面に露出したp
n接合を除去してベベル構造を形成するには、裏面全体
に耐エツチング液を刷毛で塗布後、同径のふっ素樹脂製
の円板21に貼付ける このふっ素樹脂製の円板21を下にして熱板(図示せず
)に置いて、ベーキングして密着させる。
n接合を除去してベベル構造を形成するには、裏面全体
に耐エツチング液を刷毛で塗布後、同径のふっ素樹脂製
の円板21に貼付ける このふっ素樹脂製の円板21を下にして熱板(図示せず
)に置いて、ベーキングして密着させる。
この後、半導体基板20の主表面側にも刷毛で耐エツチ
ング液を塗布してから前述のようにベーキングする。
ング液を塗布してから前述のようにベーキングする。
このような刷毛塗り工程では半導体基板20側面に耐エ
ツチング液が付着しないように配慮して側面だけを露出
させてから、エツチング工程に移る。
ツチング液が付着しないように配慮して側面だけを露出
させてから、エツチング工程に移る。
即ちピンセットでこの半導体基板20を挟んでからエツ
チング溶液に所定の時間授精して、露出している側面だ
けをエツチングしてベベル処理を行う。
チング溶液に所定の時間授精して、露出している側面だ
けをエツチングしてベベル処理を行う。
(発明が解決しようとする課題)
■ 半導体基板の両表面だけに耐エツチング液を塗布す
るのが大変難しくて長時間が必要になる。
るのが大変難しくて長時間が必要になる。
■ 半導体基板をふっ素樹脂製(テフロン)円板に貼付
けるのが大変難しい。
けるのが大変難しい。
(3)エツチング処理後耐エツチング液を除去するには
、煮沸した有機溶材へ授精、純水洗浄等の後処理が多い
。
、煮沸した有機溶材へ授精、純水洗浄等の後処理が多い
。
(イ) このようにふっ素樹脂製(テフロン)円板もエ
ツチング液に授精するので洗浄が要るが、雰囲気等の管
理に注意が必要である。
ツチング液に授精するので洗浄が要るが、雰囲気等の管
理に注意が必要である。
■ 半導体基板の両表面に耐エツチング液を均一に塗布
するのが大変難しく、ムラが発生して歩留りが悪い欠点
がある。
するのが大変難しく、ムラが発生して歩留りが悪い欠点
がある。
本発明は上記欠点を除去する新規な半導体基板のエツチ
ング方法を提供し、特に半導体基板側面のみに処理する
ことを目的とするものである。
ング方法を提供し、特に半導体基板側面のみに処理する
ことを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
この目的を達成するのに本発明では、相対向して設置さ
れ回転及び相対的な移動が可能な吸盤間に径大な半導体
基板を配置し、露出しかつ回転する半導体基板側面を、
これに向合って配置するスプレーノズルから噴射する流
体により除去する手法を採用する。
れ回転及び相対的な移動が可能な吸盤間に径大な半導体
基板を配置し、露出しかつ回転する半導体基板側面を、
これに向合って配置するスプレーノズルから噴射する流
体により除去する手法を採用する。
(作 用)
このように本発明では被処理半導体基板の表裏両面をゴ
ム製吸盤により確実保持し、露出する半導体基板側面を
エツチング処理する方式を採用しているので、歩留りが
向上したために品質が特に安定した。
ム製吸盤により確実保持し、露出する半導体基板側面を
エツチング処理する方式を採用しているので、歩留りが
向上したために品質が特に安定した。
と言うのは、このエツチング処理では常に新鮮な溶液が
供給されるので一定のエツチングが得られる利点により
歩留りが向上し、更に種々の面倒な作業が無くなってこ
の歩留り向上に大きく寄与している。
供給されるので一定のエツチングが得られる利点により
歩留りが向上し、更に種々の面倒な作業が無くなってこ
の歩留り向上に大きく寄与している。
(実施例)
第1図と第2図により本発明を詳述する。
第1図は被処理半導体基板1を保持する処理具2.3を
示し、第2図は被処理半導体基板1を処理具2,3によ
り固定した状態を示している。
示し、第2図は被処理半導体基板1を処理具2,3によ
り固定した状態を示している。
、この処理具2,3には共に回転軸4とスライド軸4を
設置し、これには減圧機構(図示せず)に連通ずる大小
の通路5,5.6.6を形成する。即ち回転軸4、スラ
イド軸4の軸に直交して大小の通路5.5.6.6を形
成しており、その端末を前述の減圧機構(図示せず)に
連通して、後述するゴム製吸盤7,7間に配置する被処
理半導体基板1の保持を確実にする。
設置し、これには減圧機構(図示せず)に連通ずる大小
の通路5,5.6.6を形成する。即ち回転軸4、スラ
イド軸4の軸に直交して大小の通路5.5.6.6を形
成しており、その端末を前述の減圧機構(図示せず)に
連通して、後述するゴム製吸盤7,7間に配置する被処
理半導体基板1の保持を確実にする。
図に明らかなように1回転軸4.スライド軸4の中心に
は中空部8,8が形成されており、この−部に小通路6
,6を直交して設置するのは前述の通りであり、この回
転軸4スライド軸4の他部には環状溝9,9を設置し、
更にこの回転軸4スライド軸4の端部にはフランジ10
.10を形成する。
は中空部8,8が形成されており、この−部に小通路6
,6を直交して設置するのは前述の通りであり、この回
転軸4スライド軸4の他部には環状溝9,9を設置し、
更にこの回転軸4スライド軸4の端部にはフランジ10
.10を形成する。
ところで環状溝9,9には椀状のゴム製吸盤7,7に設
置する突起部10.10を嵌入固定し、更にこのゴム製
吸盤7,7の形状の一部は丁度突出した形状となり、フ
ランジ11.11は回転軸4,4の外周に設置する軸受
12,12と接触する。この軸受12.12の内壁と回
転軸4,4の間には溝13.13を設置して小通路6,
6と直交して連絡する。
置する突起部10.10を嵌入固定し、更にこのゴム製
吸盤7,7の形状の一部は丁度突出した形状となり、フ
ランジ11.11は回転軸4,4の外周に設置する軸受
12,12と接触する。この軸受12.12の内壁と回
転軸4,4の間には溝13.13を設置して小通路6,
6と直交して連絡する。
椀状のゴム製吸盤7,7にはその中心部に貫通孔14.
14が設けられてあり、鉛直方向に配置する処理具2,
3に形成する環状溝9,9に嵌入する場合には、一方の
ゴム製吸盤7に形成する肉薄傘部15を下方に向け、他
方の肉薄傘部15は上方を向けて設置して被処理半導体
基板1の保持に備える。
14が設けられてあり、鉛直方向に配置する処理具2,
3に形成する環状溝9,9に嵌入する場合には、一方の
ゴム製吸盤7に形成する肉薄傘部15を下方に向け、他
方の肉薄傘部15は上方を向けて設置して被処理半導体
基板1の保持に備える。
前述のように鉛直方向の上方に配置する処理具3では軸
受12間に設置する溝13は鉛直方向の下方に配置する
処理具2に形成する溝13より長く形成しているので、
処理具3ではスライド軸4が下降しても小道路6との連
通が確保できる。
受12間に設置する溝13は鉛直方向の下方に配置する
処理具2に形成する溝13より長く形成しているので、
処理具3ではスライド軸4が下降しても小道路6との連
通が確保できる。
更に第3図ではこの処理具2,3の間に被処理半導体基
板1を固定した状態を示しており、椀状のゴム製吸盤7
,7の中処理具2に設置するそれでは肉薄傘部15の全
長(被処理半導体基板1の表面にほぼ沿った方向)は処
理具3に設置する肉薄傘部15より長く形成している形
状を明らかにしている。
板1を固定した状態を示しており、椀状のゴム製吸盤7
,7の中処理具2に設置するそれでは肉薄傘部15の全
長(被処理半導体基板1の表面にほぼ沿った方向)は処
理具3に設置する肉薄傘部15より長く形成している形
状を明らかにしている。
この第3図の状態を得るには下方の処理具3の肉薄傘部
15に被処理半導体基板1を固定してから上方の処理具
2を低速度で移動してその肉薄傘部15を重ねるが、そ
の端部が接触した時に減圧機構を駆動する。従って被処
理半導体基板1はこの椀状のゴム製吸盤7,7間に確実
に水平に固定できる。
15に被処理半導体基板1を固定してから上方の処理具
2を低速度で移動してその肉薄傘部15を重ねるが、そ
の端部が接触した時に減圧機構を駆動する。従って被処
理半導体基板1はこの椀状のゴム製吸盤7,7間に確実
に水平に固定できる。
説明が前後するが回転軸4とスライド軸4に設置する小
道路6,6には図示しない排気管が設置されており、こ
れに連通ずる減圧機構の駆動により肉薄傘部15,15
に密着して前述のように確実に固定されることになる。
道路6,6には図示しない排気管が設置されており、こ
れに連通ずる減圧機構の駆動により肉薄傘部15,15
に密着して前述のように確実に固定されることになる。
このように被処理半導体基板1が固定されると、その側
面に対向して設置するスプレーノズル16よりエツチン
グ溶液が一定時間噴射されて被処理半導体基板1の側面
が除去される。このエツチング処理としては液体だけで
なく、場合によっては気体も適用できる。
面に対向して設置するスプレーノズル16よりエツチン
グ溶液が一定時間噴射されて被処理半導体基板1の側面
が除去される。このエツチング処理としては液体だけで
なく、場合によっては気体も適用できる。
処理具2に設置するフランジ10はスライド軸4のスト
ッパ役としての機能も果たす。
ッパ役としての機能も果たす。
更に被処理半導体基板1は処理具3の回転軸4の回転に
伴って回転して、その側面は均一にエツチング即ち除去
される。
伴って回転して、その側面は均一にエツチング即ち除去
される。
このように本発明では被処理半導体基板1の表面を完全
にゴム製の吸盤で確実に固定され、露出した側面だけが
均一に除去されるので、安定したエツチング処理がなさ
れ、安定した品質が得られる。
にゴム製の吸盤で確実に固定され、露出した側面だけが
均一に除去されるので、安定したエツチング処理がなさ
れ、安定した品質が得られる。
しかも耐エツチング液の塗布ならびに除去作業が不要に
なって工程の短縮化が図られると共に。
なって工程の短縮化が図られると共に。
人体にとって有害な有機溶剤の適用も無くなるので作業
の安全性が向上し、薬品のランニングコストが大幅に低
下する。
の安全性が向上し、薬品のランニングコストが大幅に低
下する。
更にスプレーエツチング方法では常に新しい薬液が使用
できるのでエツチングムラが無くなり歩留りが向上する
。
できるのでエツチングムラが無くなり歩留りが向上する
。
第1図は被処理半導体基板を固定する処理具を示す図、
第2図は被処理半導体基板を処理具により固定した状態
を示す断面図、第3図は従来の装置の断面図である。
第2図は被処理半導体基板を処理具により固定した状態
を示す断面図、第3図は従来の装置の断面図である。
Claims (1)
- 相対向して配置され回転及び移動可能な吸盤間に径大
な半導体基板を設置し、露出しかつ回転する半導体基板
側面を、これに向合って配置するスプレーノズルから噴
射する流体により除去することを特徴とする半導体基板
のエッチング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136788A JPH01196832A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136788A JPH01196832A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体基板のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196832A true JPH01196832A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12053122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2136788A Pending JPH01196832A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19622015A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage |
| EP0924754A2 (en) * | 1997-12-19 | 1999-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Low temperature system and method for CVD copper removal |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP2136788A patent/JPH01196832A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19622015A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage |
| US5945351A (en) * | 1996-05-31 | 1999-08-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for etching damaged zones on an edge of a semiconductor substrate, and etching system |
| EP0924754A2 (en) * | 1997-12-19 | 1999-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Low temperature system and method for CVD copper removal |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5486234A (en) | Removal of field and embedded metal by spin spray etching | |
| JPH0435901B2 (ja) | ||
| JPH02309638A (ja) | ウエハーエッチング装置 | |
| JP2005515629A5 (ja) | ||
| US20050121313A1 (en) | Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station | |
| JPH0712035B2 (ja) | 噴流式液処理装置 | |
| US3597289A (en) | Method of etching a semiconductor body | |
| JPH01196832A (ja) | 半導体基板のエッチング方法 | |
| JPS62264626A (ja) | ウエツトエツチング装置 | |
| JPH09171989A (ja) | 半導体基板のウエットエッチング方法 | |
| US7584761B1 (en) | Wafer edge surface treatment with liquid meniscus | |
| JPH01120328U (ja) | ||
| EP1327257A1 (en) | Method of cleaning an electronic device | |
| JPH0325938A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH01316936A (ja) | 半導体基板エッチング処理装置 | |
| RU2795297C1 (ru) | Способ и устройство для травления заготовки | |
| JP3134483B2 (ja) | 半導体基板の液体による処理装置 | |
| SU809434A1 (ru) | Способ обработки пластин иуСТРОйСТВО дл ЕгО ОСущЕСТВлЕНи | |
| JPS6036676A (ja) | 板状物処理装置 | |
| JPH0325235U (ja) | ||
| JPS63193529A (ja) | 半導体ウエハの洗浄乾燥装置 | |
| JPH0417334A (ja) | 基板のウェット処理装置 | |
| JPH05304134A (ja) | ウエットエッチング方法及び装置 | |
| JPS5815238A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS6024464Y2 (ja) | 拡散不純物源塗布装置 |