JPS6024464Y2 - 拡散不純物源塗布装置

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【考案の詳細な説明】本考案は、拡散不純物源の回転塗布装置における半導体
ウェハーの回転吸着治具に関するものである。

半導体ウェハーへの不純物拡散方法の一つとして液状の
拡散不純物源を半導体ウェハーに回転塗布した後に、熱
処理を行うという方法が知られている。

この時、拡散不純物源を塗布した半導体ウェハーは、洗
浄工程を経ないで、熱処理が行なわれるが、これは洗浄
工程で、洗浄液中に塗布された不純物源が溶出し、熱処
理後に所望の拡散不純物濃度が得られないためである。

以上に述べた事情から拡散不純物源の回転塗布に際して
は、半導体ウェハーの汚染、ことに重金属による汚染を
極力避けることが重要である。

ところが、半導体ウェハーに拡散不純物源を回転塗布す
る際に、半導体ウェハーの裏面を回転軸に吸着保持する
治具は、従来ステンレス等の金属が用いられ、上に述さ
た重金属汚染に対する配慮がなされていなかった。

このためステンレスを構成する鉄、ニッケル、クロム等
の重金属が半導体ウェハーの裏面から半導体ウェハー中
に拡散し、その速い拡散速度で半導体ウェハーの表面に
到達して酸化誘起積層欠陥（Ｏ３Ｆ：０ｘｉｃｌａ
ｔｉｏｎＳｔａｃｋｉｎｇＦａｕｌｔ）の原因とな
る。

すなわち、半導体ウェハー表面近傍に重金属汚染がある
と、１０００℃以上の温度での熱酸化でＯ３Ｆヲ生Ｌ；
６（特開昭５３−１０８３７３）。

このＯ３ＦはＰＮ接合と接触するとリーク電流の原因と
なり製造歩留りを低くしてしまう。

本考案は上記の半導体ウェハの吸着保治具の材質に石英
ガラスまたは、樹脂を用い、重金属汚染を回避すること
を特徴とする。

本考案によれば、重金属汚染による積層欠陥等の結晶欠
陥の発生が低減でき、素子特性の劣化を防止できる。

以下、本考案を図面を参照してより詳細に説明する。

第１図は、本考案の一実施例による不純物拡散源塗布機
における。

不純物拡散源滴下ノズル１と不純物拡散源が塗布される
半導体ウェハー２及び吸着治具３を示し、例えば、アン
チモン拡散源の回転塗布は、このような位置関係で行な
われる。

本考案では半導体ウェハー２を吸引密着させる真空吸引
孔４を有する吸着治具３の材質を例えば重金属汚染の恐
れがなく、耐薬品性に優れた石英ガラスや、同じく加工
性にも優れた弗素樹脂などの樹脂にすることを特徴とす
る。

このように本願考案によれば、重金属汚染のない材質を
用いているので、以後の熱酸化によってもＯ３Ｆの発生
はなく、高歩留りで半導体装置を製造できる。

以上の実施例では、アンチモン拡散源塗布機について述
べたが、本考案は他の不純物拡散源、例えば砒素、ボロ
ン、リン等の拡散源についても有効である。

またフォトレジスタ塗布機や、スクライブ装置の回転吸
着治具についても有効であるのは言うまでもない。

以上説明したように本考案は、不純物拡散源の回転塗布
に際して吸着治具による半導体ウエノ＼−の重金属汚染
を回避するために有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の一実施例における不純物拡散源塗布
装置の要部断面図である。１・・・・・・不純物拡散源滴下ノズル、２・・・・・
・半導体ウェハー３・・・・・・吸着治具。

【実用新案登録請求の範囲】

半導体ウェハー表面に拡散不純物源を回転塗布する装置
において、前記半導体ウェハーを真空吸着して保持し回
転する治具の材質が石英ガラスまたは樹脂であることを
特徴とする拡散不純物源塗布装置。