JPH0417334A

JPH0417334A - 基板のウェット処理装置

Info

Publication number: JPH0417334A
Application number: JP11990090A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Matsuyama; 良二松山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-05-11
Filing date: 1990-05-11
Publication date: 1992-01-22
Anticipated expiration: 2011-01-31
Also published as: JPH0810685B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要］基板のウェット処理装置の改良、特に、基板の全面を均
一にウェット処理することができるようにする基板のウ
ェット処理装置の改良に関し、基板に接触する処理液の
組成が面内において均一になるようにし、また、表面に
付着する気泡等を除去するようにして、全面を均一にウ
ェット処理することができるように改良された基板のウ
ェット処理装置を提供することを目的とし、小さくとも
被処理基板と同じ大きさの開口を有し、底面に処理液送
入口が形成されてなるカップ状の処理槽と、この処理槽
に充満された処理液と前記の被処理基板の被処理面とが
接触するように前記の被処理基板を保持する被処理基板
保持手段と、前記の被処理基板に僅かの間隙を介して対
接し、前記の処理槽内に配設されてなる複数枚のフィン
と、前記の被処理基板の中心に処理液を噴射するノズル
とを有する基板のウェット処理装置帯もって構成される
。

チャック等の基板保持手段２を使用して基板１を保持し
、ポンプ１４を使用してエツチング液、洗浄液等の処理
液を処理液送入口５を介して処理槽３内に送入し、基板
１に接触させて、エツチング、洗浄等を実行する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、基板のウェット処理装置の改良、特に、基板
の全面を均一にウェット処理することができるようにす
る基板のウェット処理装置の改良に関する。

〔従来の技術〕

基板のウェット処理装置は、半導体ウェーハ等の基板の
エツチング、洗浄等に使用される装置であり、従来技術
に係る基板のウェット処理装置の構成図を第２図に示す
、３は処理槽であり、５は処理液送入口であり、１５は
処理槽３をオーバーフローした処理液を回収するタンク
であり、１４は処理液を処理槽３内に送入するポンプで
ある。真空〔発明が解決しようとする課題〕半導体ウェー八等の基板の面積が小さい場合は、全面か
は一均一にウェット処理されるが、基板の面積が太き（
なると、基板の周辺領域においては、中央領域において
すでに反応した処理液が混入するため、中央領域と周辺
領域とでは処理液の組成が異なり、また、基板の表面に
付着した気泡等も除去されにく−なるため、ウェット処
理が基板の面内において均一になされなくなるという欠
点がある。

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、基板
に接触する処理液の組成が面内において均一になるよう
にし、また、表面に付着する気泡等を除去するようにし
て、全面を均一にウェット処理することができるように
改良された基板のウェット処理装置を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、小さくとも被処理基板（１）と同じ大き
さの開口を有し、底面に処理液送入口（５）が形成され
てなるカップ状の処理槽（３）と、この処理槽（３）に
充満された処理液と前記の被処理基板（１）の被処理面
とが接触するように前記の被処理基板（１）を保持する
被処理基板保持手段（２）と、前記の被処理基板（１）
に僅かの間隙を介して対接し、前記の処理槽（３）内に
配設されてなる複数枚のフィン（６）と、前記の被処理
基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル（１１）と
を有する基板のウェット処理装置によって達成される。

なお、前記の複数枚のフィン（６）には、回転手段（９
）　　（１２）　　（１３）が具備されることが好適で
あり、また、前記のノズル（１１）には、処理液の噴射
を断続する制御弁（１８）が具備されることが好適であ
る。

〔作用〕

ウェット処理が均一になされない理由は、基板の各領域
に接触する処理液の流量、流速、衝突角度及び組成が不
均一であること一１基板表面に気泡等が付着するためで
あるから、基板の各領域に同一組成の処理液が同一の角
度をもって衝突・接触するようにし、また、気泡等を強
制的に除去するようにすればよいとの着想にもとづき、
この着想を実現するために以下に説明する手段を使用す
ること−した。

まず、処理槽３の内部にウェット処理される基板１と直
交する方向、または、傾斜する方向に複数枚のフィン６
を配設して処理槽の内部を分割することによって、処理
液がフィン６の壁面に沿って同一の角度をもって基板１
０表面に接触するようにした。さらに、上記のフィン６
を回転させることによって、処理液を撹拌し、反応前の
処理液と反応後の処理液とを混合させて均一化した処理
液を基板１の表面に接触させるようにした。なお、処理
液はフィン６の壁面に沿って流れるため、フィン６を回
転させることによって、基板１のすべての領域に処理液
が均一に接触するようになる。

また、フィン６の端面と基板１との間隙を０．５ｍｍ程
度と小さくすることによって、基板１に付着した気泡、
異物等をフィン６による物理的な力によって除去するよ
うにした。なお、基板１の中心部には気泡が特に付着し
易いので、ノズル１１から基板ｌの中心部に処理液を噴
射することによって、気泡を周辺領域に押し流して除去
するようにした。

〔実施例〕

以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る基板
のウェット処理装置について説明する。

第１図参照第１図は、基板のウェット処理装置の構成を示す断面図
である０図において、１はウェット処理される基板であ
り、真空チャック等の基板保持手段２によって保持され
る。３は外槽４内に設けられたカップ状の処理槽であり
、開口部の口径は基板１の直径と同一か、または、それ
より大きく形成されている。なお、表面張力を利用して
開口部の処理液面を盛り上らせて、基板１の背面に処理
液が付着しないようにするため、関口部の縁部は鋭角を
なしていることが望ましい、処理槽３の底面には処理液
送入口５が形成されており、処理液が下から上へ通過し
うるようにしである。６は基板１の面に直角、または傾
斜して配設されている複数枚のフィンであり、軸７の上
端部に固着されている。軸７は軸受８によって水平方向
及び垂直方向に支持され、軸７の下端部には、羽根車９
が固着されており、軸７の中心部には、処理液の流路と
なる中心孔ＩＯが形成されている。ポンプ１４を使用し
て処理液をノズル１２またはノズル１３から羽根車９に
噴射させることによって軸７を回転することができる。

二つのノズル１２．１３のうち、一方のノズルは軸７を
正回転し、他方のノズルは軸７を逆回転するように装着
しておけば、二つのバルブ１６．１７のいずれかを開く
ことによって羽根車９をいずれの方向にも回転させるこ
とができる。なお、回転手段としては、この他に電動機
を使用することも可能であるが処理液のシール機構が複
雑になるという欠点を伴う。

ノズル１２またはノズル１３から噴射され、羽根車９の
回転に使用された処理液は処理液送入口５を通って上昇
し、回転するフィン６によって撹拌され、組成が均一化
されて基板１の表面に接触して基板１をウェット処理す
る。処理槽３からオーバーフローした処理液は外槽４の
底面に形成された関口を介してタンク１５に回収され、
再びポンプ１４によって処理槽３内に送入される。また
、バルブ１８を周期的に開くことによって、処理液供給
口１９と僅かな間隙を介して対接する軸７の下端から処
理液が中心孔１０内に送入され、ノズル１１から基板１
の中心部に向けて噴射されて、基板１の中心部に付着し
た気泡を強制的に外周方向に移動させて除去する。なお
、基板の中心部に連続的に処理液を噴射すると、中心部
のウェット処理反応が他の領域より促進されて好ましく
ない、また、軸７は外槽４を貫通していないので、回転
部に対する処理液シール機構を必要としない。

〔発明の効果〕

以上説明せるとおり、本発明に係る基板のウェット処理
装置においては、処理槽の内部に複数枚のフィンを配設
して処理槽内部を分割することによって、処理液が基板
の各領域に同一の角度をもって接触するようになり、ま
た、フィンを回転することによって、基板に接触する処
理液の組成が均一化して、基板のすべての領域に均一に
処理液が接触するようになり、さらに、基板とフィンと
の間隙を僅かにすること一１基板中心部に処理液を周期
的に噴射すること−によって、気泡、異物等が物理的に
除去されるようになり、基板の全面が均一にウェット処
理されるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る基板のウェット処理
装置の構成を示す断面図である。第２図は、従来技術に係る基板のウェット処理装置の構
成を示す断面図である。ｌ・・・被処理基板、２・・・被処理基板保持手段、３・・・処理槽、４・・・外槽、５・・・処理液送入口、６・　・　・フィン、７・・・軸、８・・・軸受、９・・・フィン、１０・・・中心孔、１１．１２．１３・・・ノズル、１４・・・ポンプ、１５・・・回収タンク、１６．１７．１８・・・制御バルブ、１９・・・処理液供給口。

Claims

【特許請求の範囲】［１］小さくとも被処理基板（１）と同じ大きさの開口
を有し、底面に処理液送入口（５）が形成されてなるカ
ップ状の処理槽（３）と、該処理槽（３）に充満された処理液と前記被処理基板（
１）の被処理面とが接触するように前記被処理基板（１
）を保持する被処理基板保持手段（２）と、前記被処理基板（１）に僅かの間隙を介して対接し、前
記処理槽（３）内に配設されてなる複数枚のフィン（６
）と、前記被処理基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル
（１１）とを有することを特徴とする基板のウェット処理装置。［２］前記複数枚のフィン（６）には、回転手段（９）
（１２）（１３）が具備されてなることを特徴とする請
求項［１］記載の基板のウェット処理装置。［３］前記ノズル（１１）には、処理液の噴射を断続す
る制御弁（１８）が具備されてなることを特徴とする請
求項［１］または［２］記載の基板のウェット処理装置
。