JPH01197076A - 溶接チップ - Google Patents
溶接チップInfo
- Publication number
- JPH01197076A JPH01197076A JP63020528A JP2052888A JPH01197076A JP H01197076 A JPH01197076 A JP H01197076A JP 63020528 A JP63020528 A JP 63020528A JP 2052888 A JP2052888 A JP 2052888A JP H01197076 A JPH01197076 A JP H01197076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- welding
- film
- tip
- diamond
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアーク溶接機の先端に取付けられアーク放電を
発生する溶接チップに関するものである。
発生する溶接チップに関するものである。
従来の技術
以下に第２図ａ、ｂ’６用いて溶接チップについて記述
する。第２図ａはアーク溶接機の全体概略図で第２図す
は溶接チップの拡大図である。溶接作業は、作業台１１
上へ被溶接物８が設置された後、溶接チップ孔１５を貫
通する溶接用ワイヤー６に、アーク放電電圧がアーク電
源１２から、トーチ１０．溶接チップ７を介し印加され
アーク放電１４が発生する。溶接用ワイヤー６が前記ア
ーク放電１４により溶融し徐々に消費されていくことで
被溶接物８も溶融し溶接されていく。この溶接作業を長
時間連続的に行なうため、前記溶接用ワイヤー６は線状
であり、スプール９に長尺２巻付けられている。溶接用
ワイヤー６の消費とともに溶接チップから送り出されて
いく。
する。第２図ａはアーク溶接機の全体概略図で第２図す
は溶接チップの拡大図である。溶接作業は、作業台１１
上へ被溶接物８が設置された後、溶接チップ孔１５を貫
通する溶接用ワイヤー６に、アーク放電電圧がアーク電
源１２から、トーチ１０．溶接チップ７を介し印加され
アーク放電１４が発生する。溶接用ワイヤー６が前記ア
ーク放電１４により溶融し徐々に消費されていくことで
被溶接物８も溶融し溶接されていく。この溶接作業を長
時間連続的に行なうため、前記溶接用ワイヤー６は線状
であり、スプール９に長尺２巻付けられている。溶接用
ワイヤー６の消費とともに溶接チップから送り出されて
いく。
第２図ａ、ｂに示すアーク溶接機は、例えば溶接用ロボ
ットと組合わされて自動車の生産ラインに多数導入され
、高品質の溶接を長時間連続して行なうことで、自動車
等、多数の工業製品の生産性を向上し低コスト化に寄与
するところが大きい。
ットと組合わされて自動車の生産ラインに多数導入され
、高品質の溶接を長時間連続して行なうことで、自動車
等、多数の工業製品の生産性を向上し低コスト化に寄与
するところが大きい。
この連続溶接中、溶接チップ７の特にチップ先端面１３
には、前記アーク放電１４によシ高温に溶融した被溶接
部１７からの高温のスパッタ粒子１６が多数飛来する。
には、前記アーク放電１４によシ高温に溶融した被溶接
部１７からの高温のスパッタ粒子１６が多数飛来する。
前記スパッタ粒子１６に対し、溶接チップ７の材料の融
点が低く熱伝導率が小さければ、チップ先端面１３に熱
が蓄積され、スパッタ粒子１６がチップ先端面１３に融
着する。
点が低く熱伝導率が小さければ、チップ先端面１３に熱
が蓄積され、スパッタ粒子１６がチップ先端面１３に融
着する。
このため、一般にはＣｕ−Ｃｒ合金の様に熱伝導率が大
きい材料の中でも比較的高融点であるものが溶接チップ
７の材料として用いられている。
きい材料の中でも比較的高融点であるものが溶接チップ
７の材料として用いられている。
Ｃｕ−Ｃｒ合金でできた溶接チップの場合にも高温のス
パッタ粒子が多数飛来しチップ先端面に堆積するものの
、融着しにくいため、例えば溶接用ワイヤー６の送り出
しに伴なって自然落下する。
パッタ粒子が多数飛来しチップ先端面に堆積するものの
、融着しにくいため、例えば溶接用ワイヤー６の送り出
しに伴なって自然落下する。
このため、長時間の連続溶接が可能であった。ところが
、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金は高価であるため、例えば黄銅な
どの低コスト材料でできた安価な溶接チップが広く望壕
れている。
、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金は高価であるため、例えば黄銅な
どの低コスト材料でできた安価な溶接チップが広く望壕
れている。
発明が解決しようとする課題
ところが黄銅は融点も前記Ｃｕ−Ｃｒ合金はど高くなく
、また熱伝導率も小さいため、スパッタ粒子が融着しや
すく、融着したまま溶接時間とともに堆積していく。そ
して遂には第３図に示す様に完全に覆いつくされ、溶接
用ワイヤー２０が溶接チップ１８に固着されてしまう。
、また熱伝導率も小さいため、スパッタ粒子が融着しや
すく、融着したまま溶接時間とともに堆積していく。そ
して遂には第３図に示す様に完全に覆いつくされ、溶接
用ワイヤー２０が溶接チップ１８に固着されてしまう。
この時間は溶接条件によって異なるが、概ね溶接開始後
１分程度である。この状態では溶接用ワイヤー２０が溶
接チップ１８から送９出されなくなり、長時間の連続溶
接が不可能である。従って、従来の技術では長時間連続
溶接できる安価な溶接チップを提供することは不可能で
あった。
１分程度である。この状態では溶接用ワイヤー２０が溶
接チップ１８から送９出されなくなり、長時間の連続溶
接が不可能である。従って、従来の技術では長時間連続
溶接できる安価な溶接チップを提供することは不可能で
あった。
本発明は上記問題点に鑑み、安価な構成で長時間連続溶
接が可能な溶接チップを提供することを目的とする。
接が可能な溶接チップを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達するため、少なくとも被溶接物か
らのスパッタ粒子が飛来する面にダイヤモンド膜、もし
くはダイヤモンド状炭素膜、もしくはＢＮＣ膜、もしく
はＴｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ。
らのスパッタ粒子が飛来する面にダイヤモンド膜、もし
くはダイヤモンド状炭素膜、もしくはＢＮＣ膜、もしく
はＴｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ。
Ｔａ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｓｉ 、 Ｂの炭化物膜
、あるいは窒化物膜のうちの１層以上全被覆層として設
けた構成となっている。
、あるいは窒化物膜のうちの１層以上全被覆層として設
けた構成となっている。
作用
本発明は上記した構成により、被覆層であるダイヤモン
ド膜、ダイヤモンド状炭素膜、ＢＩＧ膜、Ｔｉ 、 Ｚ
ｒ 、 Ｈｆ、 Ｖ 、 Ｗｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｏ
、 Ｗ 、 ３ｉ 、 Ｂ（Ｄ炭化物膜、あるいは窒化
物膜は融点が２０００”Ｃ〜３０００°Ｃ以上と、前記
のＣｕ−Ｃｒ合金に比べてもはるかに高く、高温のスパ
ッタ粒子の融着に対しても十分耐え得る。従って本発明
の溶接チップでは、前記高温のスパッタ粒子がチップ先
端に到達しても融着しにくい。このため、チップ先端に
堆積したスパッタ粒子がとれやすく、例えば溶接用ワイ
ヤーの送り出しに伴なって自然落下する。
ド膜、ダイヤモンド状炭素膜、ＢＩＧ膜、Ｔｉ 、 Ｚ
ｒ 、 Ｈｆ、 Ｖ 、 Ｗｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｏ
、 Ｗ 、 ３ｉ 、 Ｂ（Ｄ炭化物膜、あるいは窒化
物膜は融点が２０００”Ｃ〜３０００°Ｃ以上と、前記
のＣｕ−Ｃｒ合金に比べてもはるかに高く、高温のスパ
ッタ粒子の融着に対しても十分耐え得る。従って本発明
の溶接チップでは、前記高温のスパッタ粒子がチップ先
端に到達しても融着しにくい。このため、チップ先端に
堆積したスパッタ粒子がとれやすく、例えば溶接用ワイ
ヤーの送り出しに伴なって自然落下する。
この結果、スパッタ粒子がチップ先端に堆積しチップ先
端面を覆いつくすことがなくなり、長時間の連続溶接が
可能となる。
端面を覆いつくすことがなくなり、長時間の連続溶接が
可能となる。
実施例
〔実施例１〕
本発明の第１の実施例として、第１図に示す黄銅製の溶
接チップ１のチップ先端面３の被覆層２をダイヤモンド
状炭素膜とした。ダイヤモンド状炭素膜の成膜方法とし
ては、例えばプラズマ・インジェクシコンＣｖＤ法、ス
パッタリング法、イオンビームデポジション法等々が挙
げられるが、特にプラズマ・インジェクションＣＶＤ法
は、他の方法に比べ高速成膜できる等、工業的メリット
も大であるので、前記ダイヤモンド状炭素膜の成膜方法
として推奨できる。（例えば参考文献、黒用他：プラズ
マ・インジェクションＣＶＤ法による高硬度炭素膜の形
成及び評価、昭和６０年度精密工学会春季学術講演論文
集、虱４２２に明記。）この溶接チップでＣｏ２アーク
溶接を行ない連続溶接耐久時間を評価した。アーク溶接
条件は、被溶接物６の材質・・・・・・軟鉄（厚さ３．
２ｍｍ）溶接用ワイヤー４の材質・・・・・・ソリッド
ワイヤー（直径１．２間） アーク放電電流、電圧・・・・・・１８０人、２３ｖ溶
接速度・・・・・・６ｏα７＝ｎ で行なった。
接チップ１のチップ先端面３の被覆層２をダイヤモンド
状炭素膜とした。ダイヤモンド状炭素膜の成膜方法とし
ては、例えばプラズマ・インジェクシコンＣｖＤ法、ス
パッタリング法、イオンビームデポジション法等々が挙
げられるが、特にプラズマ・インジェクションＣＶＤ法
は、他の方法に比べ高速成膜できる等、工業的メリット
も大であるので、前記ダイヤモンド状炭素膜の成膜方法
として推奨できる。（例えば参考文献、黒用他：プラズ
マ・インジェクションＣＶＤ法による高硬度炭素膜の形
成及び評価、昭和６０年度精密工学会春季学術講演論文
集、虱４２２に明記。）この溶接チップでＣｏ２アーク
溶接を行ない連続溶接耐久時間を評価した。アーク溶接
条件は、被溶接物６の材質・・・・・・軟鉄（厚さ３．
２ｍｍ）溶接用ワイヤー４の材質・・・・・・ソリッド
ワイヤー（直径１．２間） アーク放電電流、電圧・・・・・・１８０人、２３ｖ溶
接速度・・・・・・６ｏα７＝ｎ で行なった。
〔実施例２〕
第１図に示す被覆層２’１ｓｉｃ膜とした。成膜方法は
前記プラズマ・インジェクションＣＶＤ法で原料ガスを
ＳｉＨ４と０Ｍ４とした。
前記プラズマ・インジェクションＣＶＤ法で原料ガスを
ＳｉＨ４と０Ｍ４とした。
この溶接チップでアーク溶接を行ない連続溶接耐久時間
を評価した。アーク溶接条件は実施例１と同一とし７′
ｃ。
を評価した。アーク溶接条件は実施例１と同一とし７′
ｃ。
〔実施例３〕
第１図に示す被覆層２ ｆ ＴｉＣ膜とした０成膜方法
は前記プラズマ・インジェクションＣＶＤ法で原料ガ、
ｘ、ｆＴｉｃ１４とＯＨ４とし７’Ｃ。
は前記プラズマ・インジェクションＣＶＤ法で原料ガ、
ｘ、ｆＴｉｃ１４とＯＨ４とし７’Ｃ。
この溶接チップでアーク溶接を行ない連続溶接耐久時間
を評価した。アーク溶接条件は実施例１と同一とした０ 〔実施例４〕 第１図に示す被覆層２ ｙ２ ＴｉＮ膜とした。成膜方
法は前記プラズマ・インジェクションＣＶＤ法で原料ガ
、ｘ、 ｆ Ｔｉ（Ｊ４とＮＨ，としｆＣ。
を評価した。アーク溶接条件は実施例１と同一とした０ 〔実施例４〕 第１図に示す被覆層２ ｙ２ ＴｉＮ膜とした。成膜方
法は前記プラズマ・インジェクションＣＶＤ法で原料ガ
、ｘ、 ｆ Ｔｉ（Ｊ４とＮＨ，としｆＣ。
この溶接チップでアーク溶接を行ない連続溶接耐久時間
を評価した。アーク溶接条件は実施例１と同一とし７’
Ｃ。
を評価した。アーク溶接条件は実施例１と同一とし７’
Ｃ。
以上の実施例１〜４の連続溶接耐久時間と、前記従来の
被覆層がない黄銅でできた溶接チップの連続溶接耐久時
間との比較を第１表に示す０従来の溶接チップのアーク
溶接条件は実施例１と同一とした。
被覆層がない黄銅でできた溶接チップの連続溶接耐久時
間との比較を第１表に示す０従来の溶接チップのアーク
溶接条件は実施例１と同一とした。
第１表
発明の効果
この様に本発明の溶接チップは、例えば黄銅等の低コス
ト材料でも長時間の連続溶接が行えるものである。この
結果、安価で長時間使用できる溶接チップが提供できる
。
ト材料でも長時間の連続溶接が行えるものである。この
結果、安価で長時間使用できる溶接チップが提供できる
。
また、以上記した説明においては溶接チップの材料を黄
銅としたが、本発明は溶接チップの材料を規定するもの
ではない。
銅としたが、本発明は溶接チップの材料を規定するもの
ではない。
また、前記被覆層は、前記高融物質膜の１層でもよく、
あるいは積層であっても本発明の効果は同様に発揮でき
ることはいうまでもない。
あるいは積層であっても本発明の効果は同様に発揮でき
ることはいうまでもない。
第１図は本発明の一実施例における溶接チップの平面図
、第２図ａはアーク溶接機の全体概略図、第２図すは溶
接チップの拡大斜視図、第３図は堆積物に覆れた状態を
示す溶接チップの要部拡大図である。 １・・・・・・溶接チップ、２・・・・・・被覆層、３
・・・・・・チップ先端面、４・・・・・・溶接用ワイ
ヤー、５・・・・・・被溶接物０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−溶接チツブ ２− 被覆層 ３−−−チップ先端面 ４−一一占…致ｍフィマー ５−ａ溶接物 第１図 ５１＝＝＝＝コ 第２図 （ａ、 ’−−溶壊■ワオヤー ９−
一一スプージレ７−−−溶接チップ ｔｏ−−−ト
ーチ８−−−す良溶接ａＪ Ｈ−−一作業′台
ｌ８−−−溶接チツブ Ｉ９− 椎績吻 ２θ −−一疎用パワ′イマ− ２／−一・液溶接吻 ２２−−・チップ先地面 第３図 ？！ Ｔ＝二二＝＝コ
、第２図ａはアーク溶接機の全体概略図、第２図すは溶
接チップの拡大斜視図、第３図は堆積物に覆れた状態を
示す溶接チップの要部拡大図である。 １・・・・・・溶接チップ、２・・・・・・被覆層、３
・・・・・・チップ先端面、４・・・・・・溶接用ワイ
ヤー、５・・・・・・被溶接物０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−溶接チツブ ２− 被覆層 ３−−−チップ先端面 ４−一一占…致ｍフィマー ５−ａ溶接物 第１図 ５１＝＝＝＝コ 第２図 （ａ、 ’−−溶壊■ワオヤー ９−
一一スプージレ７−−−溶接チップ ｔｏ−−−ト
ーチ８−−−す良溶接ａＪ Ｈ−−一作業′台
ｌ８−−−溶接チツブ Ｉ９− 椎績吻 ２θ −−一疎用パワ′イマ− ２／−一・液溶接吻 ２２−−・チップ先地面 第３図 ？！ Ｔ＝二二＝＝コ
Claims (1)
- 少なくとも被溶接物からのスパッタ粒子が飛来する面に
ダイヤモンド膜、もしくはダイヤモンド状炭素膜、もし
くはＢＮＣもしくはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ
、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｂの炭化物膜、あるいは窒化物膜の
うちの１層以上を被覆層として設けた溶接チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020528A JPH01197076A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 溶接チップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020528A JPH01197076A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 溶接チップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197076A true JPH01197076A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12029656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020528A Pending JPH01197076A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 溶接チップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01197076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700721A1 (fr) * | 1993-01-22 | 1994-07-29 | American Power Connection Syst | Pointe de pistolet à souder. |
| WO2004108338A1 (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 加工機用ノズル、溶接用コンタクトチップ、加工機用ノズルの製造方法、溶接用コンタクトチップの製造方法 |
| US20100320184A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Lincoln Global, Inc. | Welding contact tip and welding gun incorporating the same |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020528A patent/JPH01197076A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700721A1 (fr) * | 1993-01-22 | 1994-07-29 | American Power Connection Syst | Pointe de pistolet à souder. |
| WO2004108338A1 (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 加工機用ノズル、溶接用コンタクトチップ、加工機用ノズルの製造方法、溶接用コンタクトチップの製造方法 |
| US20100320184A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Lincoln Global, Inc. | Welding contact tip and welding gun incorporating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4323756A (en) | Method for fabricating articles by sequential layer deposition | |
| US6680456B2 (en) | Ion fusion formation | |
| Gatto et al. | Plasma Transferred Arc deposition of powdered high performances alloys: process parameters optimisation as a function of alloy and geometrical configuration | |
| CA1194560A (en) | Clad metal joint closure applied by plasma arc spray | |
| KR20160086281A (ko) | 고온 와이어 레이저 클래딩 프로세스 및 그를 위해 사용되는 소모품 | |
| JPS62252676A (ja) | オ−バレイ層を施す方法 | |
| JPH08288095A (ja) | プラズマアークトーチ用電極 | |
| US6419997B1 (en) | Guide bush and method of forming hard carbon film over the inner surface of the guide bush | |
| US5235156A (en) | Method and apparatus for surface modification of metal parts | |
| CN113927212B (zh) | 一种面向电弧增材修复的焊丝结构设计的方法 | |
| US5857888A (en) | Method of manufacturing a plasma torch eletrode | |
| JP2003519575A (ja) | 多段階アーク溶接法及び装置 | |
| Tseng et al. | Effect of process parameters of micro-plasma arc welding on morphology and quality in stainless steel edge joint welds | |
| US3582604A (en) | Method of plasma treatment of metals | |
| US11845227B2 (en) | Micro-welding using a three-dimensional printer | |
| US3062948A (en) | Method of forming hard surfacing | |
| US6852952B1 (en) | Welding method of an Si-based material | |
| Oleinik et al. | Deposition of multicomponent refractory-metal-containing alloys | |
| JPH0593254A (ja) | 金属接合方法 | |
| JPS62104683A (ja) | 溶接ト−チ | |
| WO1995033592A1 (en) | Material to be butt welded, cutting method and welding method therefor, and wire | |
| Blunt | Magnetic arc oscillation for weld surfacing, using mechanised TIG, MIG and PTA processes | |
| KR950031343A (ko) | 동(Cu) 및 동(Cu)합금재로 만든 가스용접기 팁과 노즐 표면의 산화동 피막처리에 의한 용접작업성 개선 | |
| JPH05261566A (ja) | 金属基複合材料の溶接方法 | |
| JPS61266185A (ja) | ２電極ミグ溶接法 |