JPH01197310A - 四塩化珪素の製造方法 - Google Patents
四塩化珪素の製造方法Info
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- JPH01197310A JPH01197310A JP1857188A JP1857188A JPH01197310A JP H01197310 A JPH01197310 A JP H01197310A JP 1857188 A JP1857188 A JP 1857188A JP 1857188 A JP1857188 A JP 1857188A JP H01197310 A JPH01197310 A JP H01197310A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、四塩化珪素の製造方法に関し、詳しくは、コ
ロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液を出発原料とし
て、これを炭素微粉末とともにゲル化した後に、塩素と
反応させることによって、効率よく四塩化珪素を製造す
る方法に関する。
ロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液を出発原料とし
て、これを炭素微粉末とともにゲル化した後に、塩素と
反応させることによって、効率よく四塩化珪素を製造す
る方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕一般に
、四塩化珪素は、半導体用の高純度シリコン、アエロジ
ル、石英ガラス等の原料として広く使用されている。し
かし、現在工業化されている四塩化珪素の製造方法は、
出発原料として金属珪素、炭化珪素を用いており、多く
のエネルギーを必要とするなど、様々な問題がある。
、四塩化珪素は、半導体用の高純度シリコン、アエロジ
ル、石英ガラス等の原料として広く使用されている。し
かし、現在工業化されている四塩化珪素の製造方法は、
出発原料として金属珪素、炭化珪素を用いており、多く
のエネルギーを必要とするなど、様々な問題がある。
従来から知られている四塩化珪素の製造方法として、例
えば特開昭48−66097号公報、同50−9595
号公報、同53−6297号公報等に示されるものでは
、SiC,FeSi、Stなどを塩素と反応させて四塩
化珪素を得ているが、これら原料であるSiC,FeS
i、Stは、二酸化珪素(シリカ;Sing)から得ら
れた中間製品であり、そのため四塩化珪素を製造するま
でに要するエネルギー量は多大なものであった。
えば特開昭48−66097号公報、同50−9595
号公報、同53−6297号公報等に示されるものでは
、SiC,FeSi、Stなどを塩素と反応させて四塩
化珪素を得ているが、これら原料であるSiC,FeS
i、Stは、二酸化珪素(シリカ;Sing)から得ら
れた中間製品であり、そのため四塩化珪素を製造するま
でに要するエネルギー量は多大なものであった。
また特開昭58−217421号公報、同59−500
17号公報、同60−65711号公報等には、シリカ
粉末とカーボン粉末を混合してペレット化したものを原
料とし、これを塩素と反応させる方法が開示されている
。しかしながら、この方法は、反応温度が1000°C
以上、実質1200〜1300″Cであるために、この
温度に耐えられる特殊な反応器が必要であり、その材質
などの選択が困難であるという問題がある。
17号公報、同60−65711号公報等には、シリカ
粉末とカーボン粉末を混合してペレット化したものを原
料とし、これを塩素と反応させる方法が開示されている
。しかしながら、この方法は、反応温度が1000°C
以上、実質1200〜1300″Cであるために、この
温度に耐えられる特殊な反応器が必要であり、その材質
などの選択が困難であるという問題がある。
この反応温度を下げるために、これと同様の原料を用い
てPOCl3やBCj’+、AsCj!+などの触媒の
存在下で塩素と反応させる方法が特開昭61−2650
7号公報、同5B−55329号公報等に示されている
。しかし、この方法では、製品の四塩化珪素中に触媒か
らのリン、ホウ素。
てPOCl3やBCj’+、AsCj!+などの触媒の
存在下で塩素と反応させる方法が特開昭61−2650
7号公報、同5B−55329号公報等に示されている
。しかし、この方法では、製品の四塩化珪素中に触媒か
らのリン、ホウ素。
ヒ素などが混入することがあるため、半導体材料として
用いることができなかった。
用いることができなかった。
さらに特開昭58−99116号公報、同62−170
12号公報等には、有機珪素含有植物の炭化灰を塩素化
することにより四塩化珪素を得る方法が示されている。
12号公報等には、有機珪素含有植物の炭化灰を塩素化
することにより四塩化珪素を得る方法が示されている。
しかしながら、これらの方法は未だ製造効率が低く、実
用性に乏しいものであった。
用性に乏しいものであった。
〔課題を解決するための手段]
そこで本発明者は、上記従来技術の課題を解決し、出発
原料として直接シリカを用い、これを効率よく塩素と反
応させて四塩化珪素を製造する方法を開発すべく鋭意研
究を重ねた。
原料として直接シリカを用い、これを効率よく塩素と反
応させて四塩化珪素を製造する方法を開発すべく鋭意研
究を重ねた。
その結果、原料としてコロイドシリカ溶液又はケイ酸ソ
ーダ溶液を用いるとともに、これを予め炭素の微粉末と
混合してゲルとしておき、このゲルの乾燥したものを塩
素と反応させることにより、目的を達成できることを見
出し、本発明を完成するに至った。
ーダ溶液を用いるとともに、これを予め炭素の微粉末と
混合してゲルとしておき、このゲルの乾燥したものを塩
素と反応させることにより、目的を達成できることを見
出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、コロイ1シリカシリカ溶液又はケイ
酸ソーダ溶液と炭素微粉末を混合してゲル化し、次いで
これを乾燥し、しかる後に塩素と反応させることを特徴
とする四塩化珪素の製造方法を提供するものである。
酸ソーダ溶液と炭素微粉末を混合してゲル化し、次いで
これを乾燥し、しかる後に塩素と反応させることを特徴
とする四塩化珪素の製造方法を提供するものである。
本発明の方法において、出発原料として用いられるコロ
イドシリカ溶液としては、各種のものが充当できる。例
えば、ケイ酸含有熱水から回収されるコロイドシリカ溶
液1舎成コロイドシリカ溶液などがある。また、これら
のうち水、メタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール、アセトン等の溶媒中に粒径が50〜800人
の5iOzを1〜50重量%含むものが好適に使用でき
る。
イドシリカ溶液としては、各種のものが充当できる。例
えば、ケイ酸含有熱水から回収されるコロイドシリカ溶
液1舎成コロイドシリカ溶液などがある。また、これら
のうち水、メタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール、アセトン等の溶媒中に粒径が50〜800人
の5iOzを1〜50重量%含むものが好適に使用でき
る。
ここで、ケイ酸含有熱水から回収されるコロイドシリカ
とは、温泉あるいは地熱発電等において湧出する熱水中
に溶解しているコロイド状シリカであり、非品性(アモ
ルファス)の超微粒子であるという特性を有し、本発明
の方法の出発原料として最適なものである。また、他の
出発原料として用いられるケイ酸ソーダ溶液とは 式 Na、O・n S 102(n = 0.5〜4.
0 )で表わされるケイ酸ソーダの水溶液を意味し、2
0〜40重量%の5in2を含有しているものが好適に
使用できる。
とは、温泉あるいは地熱発電等において湧出する熱水中
に溶解しているコロイド状シリカであり、非品性(アモ
ルファス)の超微粒子であるという特性を有し、本発明
の方法の出発原料として最適なものである。また、他の
出発原料として用いられるケイ酸ソーダ溶液とは 式 Na、O・n S 102(n = 0.5〜4.
0 )で表わされるケイ酸ソーダの水溶液を意味し、2
0〜40重量%の5in2を含有しているものが好適に
使用できる。
一方、このコロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と
混合すべき炭素微粉末は、要するに上記シリカ源の酸素
原子と反応する炭素源であればよく、具体的にはカーボ
ンブラック、石油コークス。
混合すべき炭素微粉末は、要するに上記シリカ源の酸素
原子と反応する炭素源であればよく、具体的にはカーボ
ンブラック、石油コークス。
活性炭、木炭などの粉末(微粉末)が使用できる。
この炭素微粉末のカーボン粒径については、上記コロイ
ドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と溶媒中で混合して
ゲルを形成しうるとともに、このコロイドシリカ溶液又
はケイ酸ソーダ溶液と充分に接触できるものであればよ
い。具体的には74μm以下(200メツシユパス以下
の径)、好ましくは10μm以下のものを用いる。この
粒径が大きいとシリカ源との接触が不充分となって反応
速度が遅くなり好ましくない。
ドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と溶媒中で混合して
ゲルを形成しうるとともに、このコロイドシリカ溶液又
はケイ酸ソーダ溶液と充分に接触できるものであればよ
い。具体的には74μm以下(200メツシユパス以下
の径)、好ましくは10μm以下のものを用いる。この
粒径が大きいとシリカ源との接触が不充分となって反応
速度が遅くなり好ましくない。
上記コロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と炭素微
粉末とは、一般にSiO□とCのモル比(C/ S i
O□)が1.0〜10.好ましくは2.0〜5.0と
なるように混合される。
粉末とは、一般にSiO□とCのモル比(C/ S i
O□)が1.0〜10.好ましくは2.0〜5.0と
なるように混合される。
この両者のモル比が1.0以下では反応が充分に進行せ
ず、またこの比を10以上とすると炭素微粒子が無駄と
なり、コストアップの原因となるため好ましくない。
ず、またこの比を10以上とすると炭素微粒子が無駄と
なり、コストアップの原因となるため好ましくない。
本発明の方法では、このコロイドシリカ溶液又はケイ酸
ソーダ溶液と炭素微粉末とを溶媒の存在下あるいは不存
在下で混合する。この混合にあたっては、別途調製した
溶媒にコロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と炭素
微粉末とを加えて混合してもよく、また、コロイドシリ
カ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と炭素微粉末とを混合した
後に、溶媒を加えて撹拌混合してもよい。さらにはコロ
イドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と上記炭素微粉末
を撹拌槽などに入れ、これを充分に撹拌して混合させて
もよい。また混合の際あるいは混合後に、これを適度に
加熱して、例えば溶媒が水の場合には50〜100 ”
Cに加熱し、あるいはこれにメタノール、エタノールな
どのアルコールまたは塩酸、酢酸、硝酸などの酸を加え
ることによって、コロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ
溶液と炭素微粉末との混合物をゲル化させる。
ソーダ溶液と炭素微粉末とを溶媒の存在下あるいは不存
在下で混合する。この混合にあたっては、別途調製した
溶媒にコロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と炭素
微粉末とを加えて混合してもよく、また、コロイドシリ
カ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と炭素微粉末とを混合した
後に、溶媒を加えて撹拌混合してもよい。さらにはコロ
イドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と上記炭素微粉末
を撹拌槽などに入れ、これを充分に撹拌して混合させて
もよい。また混合の際あるいは混合後に、これを適度に
加熱して、例えば溶媒が水の場合には50〜100 ”
Cに加熱し、あるいはこれにメタノール、エタノールな
どのアルコールまたは塩酸、酢酸、硝酸などの酸を加え
ることによって、コロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ
溶液と炭素微粉末との混合物をゲル化させる。
本発明では、さらにこのゲル化したものを熱風等の乾燥
手段にて乾燥させる。この乾燥は、溶媒を充分に減少さ
せることができる温度および時間で行えばよく、好まし
くは溶媒の沸点以上の温度、例えば溶媒が水の場合、8
0〜150°C程度が好ましい。
手段にて乾燥させる。この乾燥は、溶媒を充分に減少さ
せることができる温度および時間で行えばよく、好まし
くは溶媒の沸点以上の温度、例えば溶媒が水の場合、8
0〜150°C程度が好ましい。
さらに乾燥後のゲルを、必要に応じてボールミルなどに
より微粒子状に粉砕する。この粉砕は、ゲルを解膠させ
ることのできる装置を用い、適度な粒度、例えば5.0
〜0.1μmとなるまで行えばよく、時間は20〜30
0分間程度で、また温度は室温で充分である。
より微粒子状に粉砕する。この粉砕は、ゲルを解膠させ
ることのできる装置を用い、適度な粒度、例えば5.0
〜0.1μmとなるまで行えばよく、時間は20〜30
0分間程度で、また温度は室温で充分である。
この乾燥したゲルの微粒化は、次の塩素との反応を効率
よく行わせるためのものであって、乾燥後のゲルの状態
あるいは塩素化の手段によっては省略することもできる
。
よく行わせるためのものであって、乾燥後のゲルの状態
あるいは塩素化の手段によっては省略することもできる
。
本発明の方法では、上記の如く調製した乾燥ゲルを塩素
と反応させることによって、四塩化珪素を製造する。こ
の塩素との反応は、各種条件下で行うことができるが、
一般には700〜1300°C1好ましくは800〜1
000°Cの温度で、上記乾燥ゲルと塩素ガスとを接触
させることにより行われる。反応温度が700°C未満
では、反応速度が遅くなり、また反応温度を1300℃
を超えると塩素による装置腐食が発生するため、特別な
装置を用意しなくてはならない等の不都合が生ずる。
と反応させることによって、四塩化珪素を製造する。こ
の塩素との反応は、各種条件下で行うことができるが、
一般には700〜1300°C1好ましくは800〜1
000°Cの温度で、上記乾燥ゲルと塩素ガスとを接触
させることにより行われる。反応温度が700°C未満
では、反応速度が遅くなり、また反応温度を1300℃
を超えると塩素による装置腐食が発生するため、特別な
装置を用意しなくてはならない等の不都合が生ずる。
本発明の方法における上記反応は、
510g+2C+2C1□→S i Cf a + 2
COで表わされるが、コロイドシリカと炭素微粒子が
ゲル化によって均一に混合されるため、塩素との反応の
効率が向上し、純粋な四塩化珪素を容易に得ることが可
能である。
COで表わされるが、コロイドシリカと炭素微粒子が
ゲル化によって均一に混合されるため、塩素との反応の
効率が向上し、純粋な四塩化珪素を容易に得ることが可
能である。
次に、本発明を実施例及び比較例により更に詳しく説明
する。
する。
実施例1
20wt%のSiO□を含むコロイドシリカ水溶液に、
粒径が74μm以下の石油コークス粉末を、C/5i0
2のモル比が2.5になるように加え、室温で撹拌混合
しながら、このコロイド水溶液に対して50−t%のメ
タノールを加え、60°Cに加温して撹拌を続けた。撹
拌開始から2〜3分後に溶液が粘稠になりゲル化が始ま
った。約30分間撹拌した後、このシリカ−炭素ゲル化
物を110°Cで5時間熱風乾燥した。
粒径が74μm以下の石油コークス粉末を、C/5i0
2のモル比が2.5になるように加え、室温で撹拌混合
しながら、このコロイド水溶液に対して50−t%のメ
タノールを加え、60°Cに加温して撹拌を続けた。撹
拌開始から2〜3分後に溶液が粘稠になりゲル化が始ま
った。約30分間撹拌した後、このシリカ−炭素ゲル化
物を110°Cで5時間熱風乾燥した。
これをボールミル(フリッチェ社製、P−5型)で60
分間解砕(粉砕)し微粒子とした。この微粒子の5iO
z濃度は56%であった。
分間解砕(粉砕)し微粒子とした。この微粒子の5iO
z濃度は56%であった。
次いで、この微粒子を反応用試料としてアルミナボード
(100mm(長さ)x15mm(幅)×10mm(高
さ))に1.040 g採取し、このアルミナボードを
石英ガラス製反応管(1000mm(長さ)x3.om
m(内径))に設置した。しかる後に、系内を真空に引
いた後、アルゴンガスでパージし、さらにアルゴンガス
を流しながら900℃まで昇温した。
(100mm(長さ)x15mm(幅)×10mm(高
さ))に1.040 g採取し、このアルミナボードを
石英ガラス製反応管(1000mm(長さ)x3.om
m(内径))に設置した。しかる後に、系内を真空に引
いた後、アルゴンガスでパージし、さらにアルゴンガス
を流しながら900℃まで昇温した。
昇温後にアルゴンガスを塩素ガスに切り替え、塩素ガス
を100 SCCMの流量で流しながら試料を入れたア
ルミナボードを900℃に達した炉内に移動させた。
を100 SCCMの流量で流しながら試料を入れたア
ルミナボードを900℃に達した炉内に移動させた。
反応生成したガスを苛性ソーダ水溶液と反応させたとこ
ろ、S i Ozのゲル状の固形物を生じた。
ろ、S i Ozのゲル状の固形物を生じた。
またガスクロマトグラフィーにより四塩化珪素の生成を
確認するとともに、他の珪素化合物は検出されなかった
。
確認するとともに、他の珪素化合物は検出されなかった
。
この条件下で1時間反応させた後に、アルミナボードを
炉外に出し、塩素ガスを、アルゴンガスに切り替えて冷
却とともにパージを行った。
炉外に出し、塩素ガスを、アルゴンガスに切り替えて冷
却とともにパージを行った。
反応終了後の試料の重量は0.300gであり、S i
Oを濃度は28%であった。また、反応前後の試料の
重さと試料中のSing濃度をもとにして、次式により
反応率を求めたところ、85%であった。
Oを濃度は28%であった。また、反応前後の試料の
重さと試料中のSing濃度をもとにして、次式により
反応率を求めたところ、85%であった。
5i02の反応率(%) = (1−by/ax) X
100a:反応開始前の試料の重さ(g) b:反応開始後の試料の重さ(g) X:反応開始前の試料中のSiO□濃度(重量%)y:
反応開始後の試料中のSing濃度(重量%)実施例2 実施例1において、C/ S i Ozのモル比が5.
0となるようにしたこと以外は、実施例1と同様にして
試料を調製した。この試料のSiO□濃度は41%であ
った。次に、この試料1.054 gをアルミナボード
に分取し、実施例1と同じ条件で塩素化した。
100a:反応開始前の試料の重さ(g) b:反応開始後の試料の重さ(g) X:反応開始前の試料中のSiO□濃度(重量%)y:
反応開始後の試料中のSing濃度(重量%)実施例2 実施例1において、C/ S i Ozのモル比が5.
0となるようにしたこと以外は、実施例1と同様にして
試料を調製した。この試料のSiO□濃度は41%であ
った。次に、この試料1.054 gをアルミナボード
に分取し、実施例1と同じ条件で塩素化した。
反応終了後の試料の重さは0.420gであり、5iO
t1度は4.7%であった。また、このときの5iOt
の反応率は95%であった。
t1度は4.7%であった。また、このときの5iOt
の反応率は95%であった。
実施例3
コロイドシリカ水溶液に、平均粒径が0.5μmのカー
ボンブラックをC/ S i O□のモル比が2.5に
なるように撹拌混合し、実施例1と同じ方法で試料を調
製した。この試料のS i Oを濃度は61%であった
。この試料1.037 gをアルミナボードに分取し、
実施例1と同じ条件で塩素化、した。
ボンブラックをC/ S i O□のモル比が2.5に
なるように撹拌混合し、実施例1と同じ方法で試料を調
製した。この試料のS i Oを濃度は61%であった
。この試料1.037 gをアルミナボードに分取し、
実施例1と同じ条件で塩素化、した。
反応終了後の試料の重さは0.174 gであり、5i
Ot1度は24%であった。また、このときのS i
O!の反応率は93%であった。
Ot1度は24%であった。また、このときのS i
O!の反応率は93%であった。
実施例4
30wt%のSiO□を含む水ガラス(ケイ酸ソーダ水
溶液)に、粒径が74μm以下の石油コークス粉末をC
/SiO2のモル比が2.5になるように加え、さらに
石油コークス粉末と水をよくなじませるために陰イオン
界面活性剤を30ppm加えた。
溶液)に、粒径が74μm以下の石油コークス粉末をC
/SiO2のモル比が2.5になるように加え、さらに
石油コークス粉末と水をよくなじませるために陰イオン
界面活性剤を30ppm加えた。
この混合物を室温で撹拌しながら、ナトリウムイオンを
中和するのに見合う当量の塩酸を加え、ゲル化した。こ
のゲル化物を水洗後、110°Cで5時間熱風乾燥し、
実施例1と同様にボールミルで60分間解砕し、試料と
した。この試料のS i Oz濃度は53%であった。
中和するのに見合う当量の塩酸を加え、ゲル化した。こ
のゲル化物を水洗後、110°Cで5時間熱風乾燥し、
実施例1と同様にボールミルで60分間解砕し、試料と
した。この試料のS i Oz濃度は53%であった。
この試料1.035 gをアルミナボードに分取し、実
施例1と同じ条件で塩素化した。
施例1と同じ条件で塩素化した。
反応終了後の試料の重さは0.239gであり、sio
!濃度は36%であった。また、このときのStowの
反応率は84%であった。
!濃度は36%であった。また、このときのStowの
反応率は84%であった。
実施例5
実施例4において、C/SiO□のモル比を5.0とし
たこと以外は、実施例4と同じ条件で試料を調製した。
たこと以外は、実施例4と同じ条件で試料を調製した。
この試料のSiO□濃度は37%であった。この試料1
.017gをアルミナボードに分取し、実施例1と同じ
条件で塩素化した。
.017gをアルミナボードに分取し、実施例1と同じ
条件で塩素化した。
反応終了後の試料の重さは0.388gであり、SiO
□濃度は7%であった。また、このときのSiO□の反
応率は93%であった。
□濃度は7%であった。また、このときのSiO□の反
応率は93%であった。
比較例1
コロイドシリカ水溶液を噴霧乾燥し、得られた粉末をボ
ールミルで20分間粉砕した。このシリカ粉末の平均粒
径は約1.0μmであった。
ールミルで20分間粉砕した。このシリカ粉末の平均粒
径は約1.0μmであった。
このシリカ粉末に粒径74μm以下の石油コークス粉末
をC/ S i O2のモル比が2.5となるように加
えて、上記ボールミルで60分間粉砕混合して試料とし
た。この試料のSiO□濃度は57%であった。この試
料1.053 gをアルミナボードに分取し、実施例1
と同じ条件で塩素化した。
をC/ S i O2のモル比が2.5となるように加
えて、上記ボールミルで60分間粉砕混合して試料とし
た。この試料のSiO□濃度は57%であった。この試
料1.053 gをアルミナボードに分取し、実施例1
と同じ条件で塩素化した。
反応終了後の試料の重さは0.478gであり、S i
Oを濃度は46%であった。また、このときのS i
Ozの反応率は63%であった。
Oを濃度は46%であった。また、このときのS i
Ozの反応率は63%であった。
比較例2
平均粒径1.5μmの石英砂粉末に、粒径74μm以下
の石油コークス粉末をC/SiO□のモル比が2.5と
るように加えて、ボールミルで60分間粉砕混合して試
料とした。
の石油コークス粉末をC/SiO□のモル比が2.5と
るように加えて、ボールミルで60分間粉砕混合して試
料とした。
この試料のSing濃度は58%であった。この試料1
.083 gをアルミナボードに分取し、実施例1と同
じ条件で塩素化した。
.083 gをアルミナボードに分取し、実施例1と同
じ条件で塩素化した。
反応終了後の試料の重さは1.029 gであり、S
i Oを濃度は56%であった。また、このときのSi
O□の反応率は8%であった。
i Oを濃度は56%であった。また、このときのSi
O□の反応率は8%であった。
以上の各実施例及び比較例の結果を、第1表にまとめて
示す。
示す。
畝上の如く、本発明の方法によれば、コロイドシリカを
出発原料として、これを炭素微粉末と合してゲル化させ
るのでシリカと炭素を均一に混合することができ、また
これを乾燥後に塩素と反応させることから、触媒を用い
ずに低温で塩素化を効率よく行うことができる。したが
って、本発明の方法によれば、不純物を含まない高品質
の四塩化珪素を高収率で得ることができる。
出発原料として、これを炭素微粉末と合してゲル化させ
るのでシリカと炭素を均一に混合することができ、また
これを乾燥後に塩素と反応させることから、触媒を用い
ずに低温で塩素化を効率よく行うことができる。したが
って、本発明の方法によれば、不純物を含まない高品質
の四塩化珪素を高収率で得ることができる。
このように、本発明の方法で製造された四塩化珪素は高
品質であるため、半導体工業、電子工業。
品質であるため、半導体工業、電子工業。
ガラス工業などの原料として、あるいはさらに付加価値
の高いトリクロロシラン、モノシランの原料として有効
に利用することができる。
の高いトリクロロシラン、モノシランの原料として有効
に利用することができる。
特許出願人 、出光興産株式会社
Claims (1)
- (1)コロイドシリカ溶液又はケイ酸ソーダ溶液と炭素
微粉末を混合してゲル化し、次いでこれを乾燥し、しか
る後に塩素と反応させることを特徴とする四塩化珪素の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1857188A JPH01197310A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 四塩化珪素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1857188A JPH01197310A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 四塩化珪素の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197310A true JPH01197310A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=11975308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1857188A Pending JPH01197310A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 四塩化珪素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01197310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8071837B2 (en) | 2005-11-14 | 2011-12-06 | Uni-Charm Corporation | Method of manufacturing absorbent article, manufacturing apparatus for absorbent body, and absorbent article manufactured thereby |
-
1988
- 1988-01-30 JP JP1857188A patent/JPH01197310A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8071837B2 (en) | 2005-11-14 | 2011-12-06 | Uni-Charm Corporation | Method of manufacturing absorbent article, manufacturing apparatus for absorbent body, and absorbent article manufactured thereby |
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