JPH01198003A - フェライト焼結体およびチップ部品 - Google Patents
フェライト焼結体およびチップ部品Info
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、各種磁性材料として用いられるフェライト焼
結体、さらに詳しくは低温焼成が可能なフェライト焼結
体、およびそれを用いたチップ部品に関する。
結体、さらに詳しくは低温焼成が可能なフェライト焼結
体、およびそれを用いたチップ部品に関する。
〈従来の技術〉
各種フェライト焼結体が、そのすぐれた磁気特性から各
種磁心材料、磁気シールド材、電波シールド材、アッテ
ネータ等の用途に用いられている。 そして、これらの
うちＮｉフェライト、Ｎ １−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライト等のＮｉフェライト系フェライト
が印刷法やグリーンシート法等の低温焼成用材料として
多用されている。
種磁心材料、磁気シールド材、電波シールド材、アッテ
ネータ等の用途に用いられている。 そして、これらの
うちＮｉフェライト、Ｎ １−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライト等のＮｉフェライト系フェライト
が印刷法やグリーンシート法等の低温焼成用材料として
多用されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
このようなフェライト焼結体には、焼結温度が低いこと
、焼結密度が高く機械的強度に優れること、透磁率等の
電磁気特性に優れること等の特性が要求される。
、焼結密度が高く機械的強度に優れること、透磁率等の
電磁気特性に優れること等の特性が要求される。
しかしながら、従来のフェライト焼結体は十分な焼結密
度を得るためには通常１１００℃以上の高い焼成温度が
必要であり、製造費が高価になる問題点がある。
度を得るためには通常１１００℃以上の高い焼成温度が
必要であり、製造費が高価になる問題点がある。
また、焼成温度を高くしないと焼結密度が低く、実用可
能な機械的強度を得ることができず、さらに透磁率等の
電磁気特性も十分ではない。
能な機械的強度を得ることができず、さらに透磁率等の
電磁気特性も十分ではない。
このため、例えばフェライトと電極材料とを同時焼成し
てチップインダクタを得るような場合、電極材料として
銀を用いるようなとぎには９５０℃をこえる温度で焼成
を行うと銀が溶融してしまうので、チップ部品作製上の
大ぎな障壁となっている。
てチップインダクタを得るような場合、電極材料として
銀を用いるようなとぎには９５０℃をこえる温度で焼成
を行うと銀が溶融してしまうので、チップ部品作製上の
大ぎな障壁となっている。
本発明の目的は、特に９５０℃以下の低い焼成温度でも
十分な焼結密度が得られ、機械的強度が高く、しかも透
磁率等の電磁気特性にも優れるフェライト焼結体および
そのようなフェライト焼結体を用いたチップ部品を提供
することにある。
十分な焼結密度が得られ、機械的強度が高く、しかも透
磁率等の電磁気特性にも優れるフェライト焼結体および
そのようなフェライト焼結体を用いたチップ部品を提供
することにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、本発明のフェライト焼結体
は、酸化鉄と、２価の金属（Ｍ２）の酸化物（ただし、
Ｍ２はニッケルおよび／または銅、あるいはこれに亜鉛
を加えたもの）とを含有し、さらに、ｔ、ｔ２Ｏに換算
して０．０５〜５．０モル％の酸化リチウムと、Ｍ２Ｏ
３に換算して０．０１〜０．５モル％の４価の金属（Ｍ
４）の酸化物（ただし、Ｍ４はチタン、スズおよびゲル
マニウムの内の一種以上）とを含有する組成を有する。
は、酸化鉄と、２価の金属（Ｍ２）の酸化物（ただし、
Ｍ２はニッケルおよび／または銅、あるいはこれに亜鉛
を加えたもの）とを含有し、さらに、ｔ、ｔ２Ｏに換算
して０．０５〜５．０モル％の酸化リチウムと、Ｍ２Ｏ
３に換算して０．０１〜０．５モル％の４価の金属（Ｍ
４）の酸化物（ただし、Ｍ４はチタン、スズおよびゲル
マニウムの内の一種以上）とを含有する組成を有する。
また、本発明のチップ部品は、フェライト焼結体を有す
るチップ部品であって、フェライト焼結体が前記のもの
であるチップ部品である。
るチップ部品であって、フェライト焼結体が前記のもの
であるチップ部品である。
なお、特公昭６２−２９３７４号公報には、４５〜６４
モル％の酸化第２鉄、１０〜５０モル％の酸化ニッケル
、４０モル％以下の酸化亜鉛、０．１〜７モル％の酸化
リチウムよりなる組成のスピネル型フェライト組成物で
あって、化学量論もしくはそれよりも酸化第２鉄が５モ
ル％不足までの組成領域にあることを特徴とする一様か
つ小さな温度係数を呈する軟磁性材料が提案されている
。
モル％の酸化第２鉄、１０〜５０モル％の酸化ニッケル
、４０モル％以下の酸化亜鉛、０．１〜７モル％の酸化
リチウムよりなる組成のスピネル型フェライト組成物で
あって、化学量論もしくはそれよりも酸化第２鉄が５モ
ル％不足までの組成領域にあることを特徴とする一様か
つ小さな温度係数を呈する軟磁性材料が提案されている
。
このものは、酸化リチウムを含有する点て類似のもので
あるが、上記Ｍ４の酸化物を含有しない点で、本発明に
おけるような低温焼成ができないものである。
あるが、上記Ｍ４の酸化物を含有しない点で、本発明に
おけるような低温焼成ができないものである。
以下、本発明のフェライト焼結体についてより詳細に説
明する。
明する。
本発明のフェライト焼結体は、酸化鉄と、２価の金属（
Ｍ２）の酸化物（ただし、Ｍ２はニッケルおよび／また
は銅、あるいはこれに亜鉛を加えたもの）と、酸化リチ
ウムと、４価の金属（Ｍ４）の酸化物（ただし、Ｍ４は
チタン、スズおよびゲルマニウムの内の一種以上）とを
含有するものである。
Ｍ２）の酸化物（ただし、Ｍ２はニッケルおよび／また
は銅、あるいはこれに亜鉛を加えたもの）と、酸化リチ
ウムと、４価の金属（Ｍ４）の酸化物（ただし、Ｍ４は
チタン、スズおよびゲルマニウムの内の一種以上）とを
含有するものである。
本発明のフェライト焼結体に含有される酸化鉄の含有量
は、Ｆｅ２Ｏ５に換算して４５〜５３モル％、より好ま
しくは４５〜５１そル％、特に４９〜５３モル％である
ことが好ましい。 酸化鉄の含有量が４５モル％未満で
は２価金属の酸化物の含有量が多く、透磁率の低下がお
こり、５３モル％を超えるとＦｅ、０３が過剰となり、
９５０℃以下の焼成温度では、Ｆｅ２Ｏ，がヘマタイト
相となり、透磁率が低下するからである。
は、Ｆｅ２Ｏ５に換算して４５〜５３モル％、より好ま
しくは４５〜５１そル％、特に４９〜５３モル％である
ことが好ましい。 酸化鉄の含有量が４５モル％未満で
は２価金属の酸化物の含有量が多く、透磁率の低下がお
こり、５３モル％を超えるとＦｅ、０３が過剰となり、
９５０℃以下の焼成温度では、Ｆｅ２Ｏ，がヘマタイト
相となり、透磁率が低下するからである。
また、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が４９〜５１モル％であると
、化学量論的にスピネル構造単相となり、特に高透磁率
を得ることができる点でより好ましい。
、化学量論的にスピネル構造単相となり、特に高透磁率
を得ることができる点でより好ましい。
本発明のフェライト焼結体に含有される２価の金属（Ｍ
２）の酸化物は、ニッケルおよび／または銅、あるいは
これに亜鉛を加えたものの酸化物である。
２）の酸化物は、ニッケルおよび／または銅、あるいは
これに亜鉛を加えたものの酸化物である。
このような２価の金属の酸化物の含有量は、Ｍ’Ｏに換
算して、合計で、４５〜５１モル％、より好ましくは４
７〜５０モル％である。 ２価の金属の酸化物の含有量
が４５モル％未満ではＦｅ２０ｓが過剰となり、前記の
不都合が生じるからであり、５５モル％を超えると２価
の金属の酸化物が過剰となり透磁率の低下の原因となる
からである。
算して、合計で、４５〜５１モル％、より好ましくは４
７〜５０モル％である。 ２価の金属の酸化物の含有量
が４５モル％未満ではＦｅ２０ｓが過剰となり、前記の
不都合が生じるからであり、５５モル％を超えると２価
の金属の酸化物が過剰となり透磁率の低下の原因となる
からである。
このような場合、２価の金属酸化物および酸化鉄の含有
量は下記のものであるとより好ましい結果を得る。 こ
のとき、化学量論的に、スピネル単相となり、高透磁率
となるからである。
量は下記のものであるとより好ましい結果を得る。 こ
のとき、化学量論的に、スピネル単相となり、高透磁率
となるからである。
２価の金属の酸化物が酸化ニッケル単独である場合、そ
の含有量はＮｉＯに換算して４５〜５１モル％、より好
ましくは４７〜５０モル％、またこの場合の酸化鉄の含
有量はＦｅ２Ｏ，に換算して４５〜５２モル％、より好
ましくは４９〜５１モル％であることが好ましい。
の含有量はＮｉＯに換算して４５〜５１モル％、より好
ましくは４７〜５０モル％、またこの場合の酸化鉄の含
有量はＦｅ２Ｏ，に換算して４５〜５２モル％、より好
ましくは４９〜５１モル％であることが好ましい。
また、２価の金属の酸化物が酸化銅単独である場合、そ
の含有量はＣｕＯにＩＡ ３％して４５〜５１そル％、
より好ましくは４７〜５０モル％、またこの場合の酸化
鉄の含有量はＦｅ２Ｏ，に換算して４５〜５２モル％、
より好ましくは４９〜５１モル％であることが好ましい
。
の含有量はＣｕＯにＩＡ ３％して４５〜５１そル％、
より好ましくは４７〜５０モル％、またこの場合の酸化
鉄の含有量はＦｅ２Ｏ，に換算して４５〜５２モル％、
より好ましくは４９〜５１モル％であることが好ましい
。
また、２価の金属の酸化物が酸化ニッケルおよび酸化銅
の組合せである場合、その含有量はそれぞれＮｉＯおよ
びＣｕＯに換算して１０〜３０モル％および２０〜４０
モル％、より好ましくは１５〜２５モル％および２５〜
３５モル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２Ｏ
，に換算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９〜
５１モル％であることが好ましい。
の組合せである場合、その含有量はそれぞれＮｉＯおよ
びＣｕＯに換算して１０〜３０モル％および２０〜４０
モル％、より好ましくは１５〜２５モル％および２５〜
３５モル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２Ｏ
，に換算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９〜
５１モル％であることが好ましい。
また、２価の金属の酸化物が酸化ニッケルおよび酸化亜
鉛の組合せである場合、その含有量それぞれＮｉＯおよ
びＺｎＯに換算して２０〜４０モル％および１０〜３０
モル％、より好ましくは２５〜３５モル％および１５〜
２５モル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２Ｏ
３に換算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９〜
５１モル％であることが好ましい。
鉛の組合せである場合、その含有量それぞれＮｉＯおよ
びＺｎＯに換算して２０〜４０モル％および１０〜３０
モル％、より好ましくは２５〜３５モル％および１５〜
２５モル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２Ｏ
３に換算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９〜
５１モル％であることが好ましい。
また、２価の金属の酸化物が酸化銅および酸化亜鉛の組
合せである場合、その含有量はそれぞれＣｕＯおよびＺ
ｎＯ１，：換算して２０〜４０モル％および１０〜３０
モル％、より好ましくは２５〜３５および１５〜２５モ
ル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２Ｏ，に換
算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９〜５１モ
ル％であることが好ましい。
合せである場合、その含有量はそれぞれＣｕＯおよびＺ
ｎＯ１，：換算して２０〜４０モル％および１０〜３０
モル％、より好ましくは２５〜３５および１５〜２５モ
ル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２Ｏ，に換
算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９〜５１モ
ル％であることが好ましい。
また、２価の金属の酸化物が酸化ニッケル、酸化銅およ
び酸化亜鉛の組合せである場合、その含有量はそれぞれ
ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯに換算して１０〜２５モル
％、８〜２０モル％および１０〜３０モル％、より好１
しくは１０〜２０モル％、１０〜１５モル％および１５
〜２５モル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２
Ｏ，に換算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９
〜５１モル％であることが好ましい。
び酸化亜鉛の組合せである場合、その含有量はそれぞれ
ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯに換算して１０〜２５モル
％、８〜２０モル％および１０〜３０モル％、より好１
しくは１０〜２０モル％、１０〜１５モル％および１５
〜２５モル％、またこの場合の酸化鉄の含有量はＦｅ２
Ｏ，に換算して４５〜５２モル％、より好ましくは４９
〜５１モル％であることが好ましい。
本発明のフェライト焼結体に含有される酸化リチウムの
含有量は、Ｌｉ２Ｏに換算して０．０１〜５．０モル％
、より好ましくは０．０５〜４．０モル％である。 酸
化リチウムの含有量が０．０１モル％未満では低温焼成
の効果が表れず、高い焼結密度を得ることができず、５
．０モル％を超えると、逆に焼結反応を制御し、さらに
透磁率の温度特性が非常に大きくなるからである。
含有量は、Ｌｉ２Ｏに換算して０．０１〜５．０モル％
、より好ましくは０．０５〜４．０モル％である。 酸
化リチウムの含有量が０．０１モル％未満では低温焼成
の効果が表れず、高い焼結密度を得ることができず、５
．０モル％を超えると、逆に焼結反応を制御し、さらに
透磁率の温度特性が非常に大きくなるからである。
本発明のフェライト焼結体に含有される４価の金属（Ｍ
４）の酸化物はチタン、スズおよびゲルマニウムのうち
の１種〜３種の酸化物である。
４）の酸化物はチタン、スズおよびゲルマニウムのうち
の１種〜３種の酸化物である。
このような４価の金属の酸化物の含有量の合計は、Ｍ’
Ｏ，に換算して０．０１〜０．５モル％、より好まし
くは０．０１〜０．３モル％である。 ４価の金属の酸
化物の含有量が０゜０１モル％未満では低温焼成の効果
が表れず焼結密度が低く、０．５モル％を超えると難焼
結になり、キュリー温度を急激に低下させるからである
。
Ｏ，に換算して０．０１〜０．５モル％、より好まし
くは０．０１〜０．３モル％である。 ４価の金属の酸
化物の含有量が０゜０１モル％未満では低温焼成の効果
が表れず焼結密度が低く、０．５モル％を超えると難焼
結になり、キュリー温度を急激に低下させるからである
。
なお、Ｍ４がチタン、スズおよびゲルマニウムのうちの
２種または３種であるとき、これらの混合比は任意であ
る。
２種または３種であるとき、これらの混合比は任意であ
る。
本発明のフェライト焼結体には、上記のもの以外にも酸
化ニオブ、酸化コバルト等を２０００ｐｐｍ以下含有し
てもよい。
化ニオブ、酸化コバルト等を２０００ｐｐｍ以下含有し
てもよい。
なお、酸素はほぼ化学量論組成として含有され、通常化
学量論組成の±０．０１％程度である。
学量論組成の±０．０１％程度である。
以上、本発明のフェライト焼結体の組成について詳細に
説明したが、９５０℃以下の低い焼結温度でも十分な焼
結密度が得られ、機械的強度に優れる、透磁率等の電磁
気特性に優れる等の本発明の優れた効果は、以上の組成
の場合のみに発揮されるものでありこれ以外の組成では
本発明の効果は発現しない。
説明したが、９５０℃以下の低い焼結温度でも十分な焼
結密度が得られ、機械的強度に優れる、透磁率等の電磁
気特性に優れる等の本発明の優れた効果は、以上の組成
の場合のみに発揮されるものでありこれ以外の組成では
本発明の効果は発現しない。
本発明のフェライト焼結体は、前記の組成を有するもの
であれば製造方法には特に制限はなく、通常のフェライ
ト焼結体の製造方法はいずれも用いることができるが、
通常下記の方法により製造される。
であれば製造方法には特に制限はなく、通常のフェライ
ト焼結体の製造方法はいずれも用いることができるが、
通常下記の方法により製造される。
まず、各組成に対応する酸化物あるいは焼成により酸化
物となる化合物（例えばリチウムでは炭酸塩など）の所
定量を例えば水、各種アルコール等の適当な分散媒を用
いて例えばボールミル等で混合し、例えばスプレードラ
イヤー等により乾燥する。
物となる化合物（例えばリチウムでは炭酸塩など）の所
定量を例えば水、各種アルコール等の適当な分散媒を用
いて例えばボールミル等で混合し、例えばスプレードラ
イヤー等により乾燥する。
その後例えば６００〜８００℃程度の温度で仮焼し、例
えば水、各種アルコール等の適当な分散媒を用いて例え
ばアトライター、ボールミル等を用いて１μｍ以下まで
粉砕する。 乾燥した後、例えばＰＶＡ等のバインダー
を添加して、例えばスプレードライヤー等にて造粒した
後、金型等を用いて成型して例えば空気中で９５０℃以
下の温度にて焼成する。
えば水、各種アルコール等の適当な分散媒を用いて例え
ばアトライター、ボールミル等を用いて１μｍ以下まで
粉砕する。 乾燥した後、例えばＰＶＡ等のバインダー
を添加して、例えばスプレードライヤー等にて造粒した
後、金型等を用いて成型して例えば空気中で９５０℃以
下の温度にて焼成する。
なお、本発明のフェライト焼結体はこのような種々の成
型体の他、成型体を粉砕した粉体や、仮焼後の造粒ない
し顆粒体を焼成した粉体であフてもよい。
型体の他、成型体を粉砕した粉体や、仮焼後の造粒ない
し顆粒体を焼成した粉体であフてもよい。
また、フェライト焼結体はペースト化して焼成したもの
であってもよく、このものは仮焼、粉砕後、乾燥して粉
末とした後、例えばエチルセルロース等のバインダーと
、例えばチルビオネール、ブチルカルピトール等の溶媒
中に溶かしてペースト化すればよい。
であってもよく、このものは仮焼、粉砕後、乾燥して粉
末とした後、例えばエチルセルロース等のバインダーと
、例えばチルビオネール、ブチルカルピトール等の溶媒
中に溶かしてペースト化すればよい。
なお、酸化ニオブ、酸化コバルト等の添加物を添加する
際には、原料混合時や、仮焼後の粉砕時に添加すればよ
い。
際には、原料混合時や、仮焼後の粉砕時に添加すればよ
い。
本発明のチップ部品は、フェライト焼結体を有し、その
フェライト焼結体が前記の組成を有するものであれば他
に一切の制限はなく、チップインダクタ、チップコンデ
ンサ、ＬＣ複合部品等の各種チップ部品に適用可能であ
る。
フェライト焼結体が前記の組成を有するものであれば他
に一切の制限はなく、チップインダクタ、チップコンデ
ンサ、ＬＣ複合部品等の各種チップ部品に適用可能であ
る。
また、その製造方法もペースト化してグリーンシートに
よる方法、印刷性等公知の製造方法によればよい。
よる方法、印刷性等公知の製造方法によればよい。
第２図に本発明のチップ部品のうちチップインダクタの
１例が示される。
１例が示される。
チップインダクタ１は、第２図に示されるように従来公
知の構造をもち、スパイラル状等の所定のパターンに形
成した内部導体層２とフェライト磁性層３とを交互に積
層して、フェライト磁性体中に所定巻形状および巻数の
内部導体を形成し、内部導体層２の両端部を外部型持４
１．４５に接続したものであり、従来公知の方法で作製
される。
知の構造をもち、スパイラル状等の所定のパターンに形
成した内部導体層２とフェライト磁性層３とを交互に積
層して、フェライト磁性体中に所定巻形状および巻数の
内部導体を形成し、内部導体層２の両端部を外部型持４
１．４５に接続したものであり、従来公知の方法で作製
される。
このチップインダクタ１のフェライト磁性層用ペースト
は、上記したフェライト焼結体用ペーストと同様にして
作製することができる。
は、上記したフェライト焼結体用ペーストと同様にして
作製することができる。
このフェライト磁性層用ペーストと、ＡｇあるいはＡｇ
−Ｐｄ等の内部導体用ペーストとを、例えばＰＥＴ等の
基板上に各所定パターンをもつように交互に印刷または
グリーンシート等により積層し、９５０℃以下、好まし
くは８５０〜９３０℃で、０．５〜４時間焼結を行い、
チップインダクタ１を得ることができる。
−Ｐｄ等の内部導体用ペーストとを、例えばＰＥＴ等の
基板上に各所定パターンをもつように交互に印刷または
グリーンシート等により積層し、９５０℃以下、好まし
くは８５０〜９３０℃で、０．５〜４時間焼結を行い、
チップインダクタ１を得ることができる。
このようにして作製されるチップインダクタ１は、フェ
ライト磁性層に所定の所定の組成を有するフェライト焼
結体を有しているので高い機械的強度を持っている。
また、同じ焼結密度を得るのに必要な焼結温度は、−従
来の場合に比べて低くてよい。
ライト磁性層に所定の所定の組成を有するフェライト焼
結体を有しているので高い機械的強度を持っている。
また、同じ焼結密度を得るのに必要な焼結温度は、−従
来の場合に比べて低くてよい。
さらに、電磁気特性等の高周波特性の点でも優れた特性
を有する。
を有する。
なお、フェライト磁性層３の積層数は目的に応じて選定
すればよいが、通常は、１〜２０層とする。 −層当り
の厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、通常は１
０〜５０ＩＩｍ程度とする。 また、内部導体２は例え
ばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属から形成し、通常その厚さ
は１０〜２５μｍ程度とする。
すればよいが、通常は、１〜２０層とする。 −層当り
の厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、通常は１
０〜５０ＩＩｍ程度とする。 また、内部導体２は例え
ばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属から形成し、通常その厚さ
は１０〜２５μｍ程度とする。
また、外部電極４は、同様にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。
第３図に本発明のチップ部品のうちＬＣｉ合部合部−例
が示される。
が示される。
ＬＣ複合部品５は、インダクタ部６とコンデンサ部７と
を一体化したものである。
を一体化したものである。
インダクタ部６は、所定のパターンに形成した内部導体
６５を互いに導通するように介在させながら、フェライ
ト磁性層６１を積層したものである。 また、このイン
ダクタ部６に積層一体化されるコンデンサ部７は、内部
電極７５とセラミックの誘電体層７１とを、交互に積層
したものである。
６５を互いに導通するように介在させながら、フェライ
ト磁性層６１を積層したものである。 また、このイン
ダクタ部６に積層一体化されるコンデンサ部７は、内部
電極７５とセラミックの誘電体層７１とを、交互に積層
したものである。
第３図に示される例では、インダクタ部６およびコンデ
ンサ部７は、それぞれ複数のしおよびＣを有し、これら
から所定のＬＣ回路が構成されるように所定の外部電極
８を設けている。
ンサ部７は、それぞれ複数のしおよびＣを有し、これら
から所定のＬＣ回路が構成されるように所定の外部電極
８を設けている。
本発明のＬＣ複合部品５の、インダクタ部６は、前述の
第２図に示されるチップインダクタ１と同様のものであ
り、低温焼成が可能で、周波数特性、機械的強度に優れ
たものである。
第２図に示されるチップインダクタ１と同様のものであ
り、低温焼成が可能で、周波数特性、機械的強度に優れ
たものである。
コンデンサ部７の誘電体層７１を構成する材質としては
種々の話電材料を用いてよいが、ＴｉＯ２を主成分とす
るＴｉＯ２系が好ましい。
種々の話電材料を用いてよいが、ＴｉＯ２を主成分とす
るＴｉＯ２系が好ましい。
ＴｉＯ２系としてはＮｉｐ、Ｃｕｂ。
Ｍｎ３Ｏ４，ＡＪ２２０３ 、 ＭｇＯ１Ｓｉ０２等を
、総計１０ｍｏｊ２％程度以下含有するものが、話電体
損失および線膨張率の変化等の点で好ましい。
、総計１０ｍｏｊ２％程度以下含有するものが、話電体
損失および線膨張率の変化等の点で好ましい。
コンデンサ部７の誘電体層７１の積層数は目的に応じて
定めればよいが、通常は１〜１０程度とする。 −層当
りの厚さは通常５０〜１５０１．１ｍ程度とする。 ま
た、コンデンサ部の内部電極７５は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
等の金属から形成すればよく、その厚さは、通常５〜１
５μｍ程度とされる。
定めればよいが、通常は１〜１０程度とする。 −層当
りの厚さは通常５０〜１５０１．１ｍ程度とする。 ま
た、コンデンサ部の内部電極７５は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
等の金属から形成すればよく、その厚さは、通常５〜１
５μｍ程度とされる。
なお、磁性層６１の積層数は目的に応じて選定すればよ
いが、通常は、１〜２０層とする。
いが、通常は、１〜２０層とする。
−層当りの厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、
通常は１０〜５０μｍ程度とする。
通常は１０〜５０μｍ程度とする。
また、内部導体６５は例えばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属
から形成し、通常その厚さは１０〜３０μｍと程度とす
る。
から形成し、通常その厚さは１０〜３０μｍと程度とす
る。
また、外部電極８は、上記と同様にＡｇ−Ｐｄ等の金属
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。
このようなＬＣ複合部品は、従来公知の印刷法やグリー
ンシートによって製造される。
ンシートによって製造される。
すなわち、セラミック磁性層、誘電体層および内部電極
、導体のペーストを用意し、これらを印刷法やグリーン
シートにより、例えばＰＥＴ等の基板上に一層ごとに積
層していくものである。
、導体のペーストを用意し、これらを印刷法やグリーン
シートにより、例えばＰＥＴ等の基板上に一層ごとに積
層していくものである。
この場合コンデンサ部７の誘電体層７１および内部電極
７５や、インダクタ部６の内部導体６５や外部電極８の
ペーストはバインダー、溶剤を用いて作製すればよい。
７５や、インダクタ部６の内部導体６５や外部電極８の
ペーストはバインダー、溶剤を用いて作製すればよい。
これら各ペーストを用い、印刷法やグリーンシートによ
りコンデンサ部、インダクタ部とを積層して形成した後
、所定形状に切断し基板から積層品を剥離して、９５０
℃以下、例えば８５０〜９３０℃で焼成する。 焼成時
間は０．５〜４時間時間上する。
りコンデンサ部、インダクタ部とを積層して形成した後
、所定形状に切断し基板から積層品を剥離して、９５０
℃以下、例えば８５０〜９３０℃で焼成する。 焼成時
間は０．５〜４時間時間上する。
焼成後、Ａｇペーストを焼きつけて外部電極とする。
なお、このようにして製造されるＬＣ複合部品の大きさ
等は、目的に応じ選定すればよい。
等は、目的に応じ選定すればよい。
〈実施例〉
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をより詳細
に説明する。
に説明する。
実施例 １
各組成に対応する酸化物（リチウムは炭酸リチウム）を
所定量、水を分散媒としてボールミルにより混合した。
所定量、水を分散媒としてボールミルにより混合した。
この混合物をスプレードライヤーにて乾燥後、空気中で
７００℃にて４時間仮焼した。
７００℃にて４時間仮焼した。
仮焼後、ボールミルにて粒径１μｍ以下に粉砕し、スプ
レードライヤーにて粒径１５０μｍに造粒して、金型ブ
レスにて成型後、空気中にて、８５０℃で２時間焼成し
た。
レードライヤーにて粒径１５０μｍに造粒して、金型ブ
レスにて成型後、空気中にて、８５０℃で２時間焼成し
た。
このようにして、内径５ｍｍ、外径１１ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍのトロイダル状の各種フェライト焼結体のサンプルを
得た。 なお、各種フェライト焼結体サンプルの、酸化
鉄はＦｅ２Ｏ，に、２価の金属の酸化物はＭ’ ０に、
酸化リチウムはＬｉ２Ｏに、４価の金属の酸化物はＭ２
Ｏ３に換算した組成を表１に示す。
ｍのトロイダル状の各種フェライト焼結体のサンプルを
得た。 なお、各種フェライト焼結体サンプルの、酸化
鉄はＦｅ２Ｏ，に、２価の金属の酸化物はＭ’ ０に、
酸化リチウムはＬｉ２Ｏに、４価の金属の酸化物はＭ２
Ｏ３に換算した組成を表１に示す。
このようにして得られた各サンプルについて、各焼成温
度に対する焼結密度および２ＭＨｚにおける透磁率を測
定した。
度に対する焼結密度および２ＭＨｚにおける透磁率を測
定した。
結果を表１に示す。
また、第１図には、サンプルＮ０１６および２８のもの
と同様の組成を有するフェライト焼結体の、焼結温度と
焼結密度との関係を表すグラフが示される。
と同様の組成を有するフェライト焼結体の、焼結温度と
焼結密度との関係を表すグラフが示される。
実施例 ２
焼成温度を９００℃にした以外は、実施例１と同様の方
法でフェライト焼結体を作製し、同様の試験を行なった
。
法でフェライト焼結体を作製し、同様の試験を行なった
。
フェライト焼結体の組成および試験結果を表２に示す。
表１、表２および第１図を見れば明らかなように、本発
明のフェライト焼結体は、８５０℃および９００℃とい
う低温での焼成でも十分な焼結密度が得られ、機械的強
度に優れるということがわかる。
明のフェライト焼結体は、８５０℃および９００℃とい
う低温での焼成でも十分な焼結密度が得られ、機械的強
度に優れるということがわかる。
また、機械的強度のみならず、透磁率も従来のものに比
べて高く、優れた電磁気特性を有することがわかる。
べて高く、優れた電磁気特性を有することがわかる。
実施例 ３
実施例２のサンプルＮｏ１８のフェライト焼結体と同組
成のフェライトを仮焼後、粉砕してスプレードライヤー
にて乾燥し、平均粒径０．１μｍの粉体とした。
成のフェライトを仮焼後、粉砕してスプレードライヤー
にて乾燥し、平均粒径０．１μｍの粉体とした。
得られた粉体を所定量のエチルセルロースとともにチル
ビオネール中に溶解し、ペースト化した。
ビオネール中に溶解し、ペースト化した。
このフェライト焼結体用ペーストを磁性層として用い、
また、内部導体層としてＡｇペーストとを用い、印刷積
層法によって４．５ｍｍｘ３．２ｍｍｘ″１．ｏｍｍの
第２図に示されるチップインダクタを作製した。
また、内部導体層としてＡｇペーストとを用い、印刷積
層法によって４．５ｍｍｘ３．２ｍｍｘ″１．ｏｍｍの
第２図に示されるチップインダクタを作製した。
各フェライト層の厚さは４０μｍ、導電体の厚さは２０
μｍ１その線巾は３００μｍ１コイルは長径１０ｍｍｂ
短径１．７ｍｍの楕円形とし１０タ一ン積層した。 外
部電極はＡｇ−Ｐｄペーストで構成した。 また、焼成
温度は８フＯ℃で２時間とした。
μｍ１その線巾は３００μｍ１コイルは長径１０ｍｍｂ
短径１．７ｍｍの楕円形とし１０タ一ン積層した。 外
部電極はＡｇ−Ｐｄペーストで構成した。 また、焼成
温度は８フＯ℃で２時間とした。
このようにして得られたチップインダクタは非常に焼結
密度の高い、機械的強度の優れたものであった。
密度の高い、機械的強度の優れたものであった。
また、得られたチップインダクタのインダクタンス、Ｑ
値を測定したところインダクタンスが３５μＨ％Ｑ値が
６３であり、非常に良好な特性を得ることができた。
値を測定したところインダクタンスが３５μＨ％Ｑ値が
６３であり、非常に良好な特性を得ることができた。
（実施例４）
粒径０．０１〜０．１μｍのＴｉＯ２を７５０℃にて仮
焼し、顆粒として、これをボールミルにて粉砕したのち
スプレードライヤーで乾燥し、平均粒径０．１μｍの粉
体とした。
焼し、顆粒として、これをボールミルにて粉砕したのち
スプレードライヤーで乾燥し、平均粒径０．１μｍの粉
体とした。
得られた粉体を、所定量のエチルセルロースとともにチ
ルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合し
コンデンサ部８１ Ｍ体層のペーストを作製した。
ルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合し
コンデンサ部８１ Ｍ体層のペーストを作製した。
このコンデンサ部誘電体層ペーストと、内部電極用Ａｇ
−Ｃｕペーストとを用い、さらに実施例２に用いたイン
ダクタ用ペーストおよび導電層ペーストを用い、これら
を印刷法により積層した。
−Ｃｕペーストとを用い、さらに実施例２に用いたイン
ダクタ用ペーストおよび導電層ペーストを用い、これら
を印刷法により積層した。
インダクタ部−層当りの厚さは４０μｍ１積層数は８、
コンデンサ部−層当りの厚さは１００μｍ１積層数は２
とした。 また、内部ｉ極および導体の厚さは２０μｍ
とした。 印刷積層後、８７０℃で２時間焼成を行なっ
た。
コンデンサ部−層当りの厚さは１００μｍ１積層数は２
とした。 また、内部ｉ極および導体の厚さは２０μｍ
とした。 印刷積層後、８７０℃で２時間焼成を行なっ
た。
その後、徐諭して第３図に示されるような４つのＬと３
つのＣを有する４ＭＨｚ以上のＬＣフィルター回路の４
．５ｍｍｘ３．２ｍｍＸ１．５ｍｍのＬＣ複合部品を得
た。
つのＣを有する４ＭＨｚ以上のＬＣフィルター回路の４
．５ｍｍｘ３．２ｍｍＸ１．５ｍｍのＬＣ複合部品を得
た。
このようにして得られたＬＣ複合部品は、非常に焼結密
度の高い、機械的強度の優れたものであった。
度の高い、機械的強度の優れたものであった。
また、このものの伝送特性を測定したところ、低損失で
あり、優れたフィルター電磁気特性を有することがわか
った。
あり、優れたフィルター電磁気特性を有することがわか
った。
〈発明の効果〉
以上詳述したように、本発明のフェライト焼結体は、９
５０℃以下という低温での焼成が可能で、製造コスト等
の点で非常に優れたものである。
５０℃以下という低温での焼成が可能で、製造コスト等
の点で非常に優れたものである。
例えば、チップインダクタの場合には、通常内部導体に
Ａｇを用いるが、本発明のフェライト焼結体を用いた場
合、ＡｇにＣｕを５％以下加えた、融点が低く、安価な
内部導体を使用できる。
Ａｇを用いるが、本発明のフェライト焼結体を用いた場
合、ＡｇにＣｕを５％以下加えた、融点が低く、安価な
内部導体を使用できる。
また、このような低温焼成でも十分な焼結密度を得るこ
とができ、非常に機械的強度にも優れる。
とができ、非常に機械的強度にも優れる。
さらに、透磁率等の電磁気特性も優れた特性を有する。
また、このようなフェライト焼結体を有するチップ部品
又は通常の焼結体としてのフェライト製品も低温焼成が
可能、機械的強度が高い、電磁気特性に優れる等の優れ
た特性を有する。
又は通常の焼結体としてのフェライト製品も低温焼成が
可能、機械的強度が高い、電磁気特性に優れる等の優れ
た特性を有する。
第１図は、本発明および従来品のフェライト焼結体の、
焼成温度と焼結密度との関係を表すグラフである。 第２図は、本発明のチップ部品のチップインダクタの実
施例を一部切欠いて示す正面図である。 第３図は、本発明のチップ部品のＬＣ複合部品の実施例
を一部切欠いて示す斜視図である。 符号の説明 １・・・チップインダクタ、 ２・・・内部導体、 ３・・・フェライト磁性層、 ４１．４５・・・外部？ｉｌｔ極、 ５・・・ＬＣ複合部品、 ６・・・インダクタ部、 ６１・・・フェライト磁性層、 ６５・・・内部導体、 ７・・・コンデンサ部、 ７１・・・お電体層、 ７５・・・内部電極、 ８・・・外部電極 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社ＦＩＧ、１ ズ見 千古 温 度（°Ｃ） Ｆ Ｉ Ｇ、 ３ ■ 手続ネ甫正書（自発） 平成元年５月１日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 ３、補正をする者 ４、代理人 天神弥栄興産ビル３階 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第８ページ第１５行〜第１６行の「４５
〜５１モル％、特に４９〜５３モル％」を、［４５〜５
２モル％、特に４９〜５１モル％」に訂正する。 （２）同第１５ページ第１７行〜第１８行の「チルビオ
ネール」を「テルピネオール」に訂正する。 （３）同第１５ページ第１８行の「ブチルカルピトール
」を「ブチルカルビノール」に訂正する。 （４）同第２８ページ下から第５行の「チルビオネール
」を「テルピネオール」に訂正する。 （５）同第３０ページ第２行の「チルビオネール」を「
テルピネオール」に訂正する。 （６）同第３０ページ第６行〜第７行の「実施例２」を
「実施例３」に訂正する。
焼成温度と焼結密度との関係を表すグラフである。 第２図は、本発明のチップ部品のチップインダクタの実
施例を一部切欠いて示す正面図である。 第３図は、本発明のチップ部品のＬＣ複合部品の実施例
を一部切欠いて示す斜視図である。 符号の説明 １・・・チップインダクタ、 ２・・・内部導体、 ３・・・フェライト磁性層、 ４１．４５・・・外部？ｉｌｔ極、 ５・・・ＬＣ複合部品、 ６・・・インダクタ部、 ６１・・・フェライト磁性層、 ６５・・・内部導体、 ７・・・コンデンサ部、 ７１・・・お電体層、 ７５・・・内部電極、 ８・・・外部電極 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社ＦＩＧ、１ ズ見 千古 温 度（°Ｃ） Ｆ Ｉ Ｇ、 ３ ■ 手続ネ甫正書（自発） 平成元年５月１日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 ３、補正をする者 ４、代理人 天神弥栄興産ビル３階 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第８ページ第１５行〜第１６行の「４５
〜５１モル％、特に４９〜５３モル％」を、［４５〜５
２モル％、特に４９〜５１モル％」に訂正する。 （２）同第１５ページ第１７行〜第１８行の「チルビオ
ネール」を「テルピネオール」に訂正する。 （３）同第１５ページ第１８行の「ブチルカルピトール
」を「ブチルカルビノール」に訂正する。 （４）同第２８ページ下から第５行の「チルビオネール
」を「テルピネオール」に訂正する。 （５）同第３０ページ第２行の「チルビオネール」を「
テルピネオール」に訂正する。 （６）同第３０ページ第６行〜第７行の「実施例２」を
「実施例３」に訂正する。
Claims (10)
- （１）酸化鉄と、２価の金属（Ｍ＾２）の酸化物（ただ
しＭ＾２は、ニッケルおよび／または銅、あるいはこれ
に亜鉛を加えたもの）とを含有し、さらに、Ｌｉ＿２Ｏ
に換算して０．０１〜５．０モル％の酸化リチウムと、
Ｍ＾４Ｏ＿２に換算して０．０１〜０．５モル％の４価
の金属（Ｍ＾４）の酸化物（ただし、Ｍ＾４はチタン、
スズおよびゲルマニウムの内の一種以上）とを含有する
ことを特徴とするフェライト焼結体。 - （２）酸化鉄の含有量がＦｅ＿２Ｏ＿３に換算して４５
〜５３モル％であり、２価の金属の酸化物の含有量がＭ
＾２Ｏに換算して４５〜５１モル％である請求項１に記
載のフェライト焼結体。 - （３）焼成温度が９５０℃以下である請求項１または請
求項２に記載のフェライト焼結体。 - （４）前記２価の金属の酸化物が酸化ニッケルであり、
酸化鉄の含有量がＦｅ＿２Ｏ＿３に換算して４５〜５２
モル％であり、酸化ニッケルの含有量が、ＮｉＯに換算
して４５〜５１モル％である請求項２または請求項３に
記載のフェライト焼結体。 - （５）前記２価の金属の酸化物が酸化銅で あり、酸化鉄の含有量がＦｅ＿２Ｏ＿３に換算して４５
〜５２モル％であり、酸化銅の含有量が、ＣｕＯに換算
して４５〜５１モル％である請求項２または請求項３に
記載のフェライト焼結体。 - （６）前記２価の金属の酸化物が酸化ニッ ケルおよび酸化銅であり、酸化鉄の含有量がＦｅ＿２Ｏ
＿３に換算して４５〜５２モル％であり、酸化ニッケル
および酸化銅の含有量が、それぞれＮｉＯおよびＣｕＯ
に換算して１０〜３０モル％および２０〜４０モル％で
ある請求項２または請求項３に記載のフェライト焼結体
。 - （７）前記２価の金属の酸化物が酸化ニッケルおよび酸
化亜鉛であり、酸化鉄の含有量が Ｆｅ＿２Ｏ＿３に換算して４５〜５２モル％であり、酸
化ニッケルおよび酸化亜鉛の含有量が、それぞれＮｉＯ
およびＺｎＯに換算して２０〜４０モル％および１０〜
３０モル％である請求項２または請求項３に記載のフェ
ライト焼結体。 - （８）前記２価の金属の酸化物が酸化銅および酸化亜鉛
であり、酸化鉄の含有量がＦｅ＿２Ｏ＿３に換算して４
５〜５２モル％であり、酸化銅および酸化亜鉛の含有量
が、それぞれＣｕＯおよびＺｎＯに換算して２０〜４０
モル％および１０〜３０モル％である請求項２または請
求項３に記載のフェライト焼結体。 - （９）前記２価の金属の酸化物が酸化ニッケル、酸化銅
および酸化亜鉛であり、酸化鉄の含有量がＦｅ＿２Ｏ＿
３に換算して４５〜５２モル％であり、酸化ニッケル、
酸化銅および酸化亜鉛の含有量が、それぞれＮｉＯ、Ｃ
ｕＯおよびＺｎＯに換算して１０〜２５モル％、８〜２
０モル％および１０〜３０モル％である請求項２または
請求項３に記載のフェライト焼結体。 - （１０）フェライト焼結体を有するチップ部品であって
、フェライト焼結体が請求項１ないし請求項９のいずれ
かに記載のものであるチップ部品。
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|---|---|---|---|
| JP63023469A JPH0630297B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | フェライト焼結体およびチップ部品 |
| DE68914484T DE68914484T2 (de) | 1988-02-03 | 1989-01-30 | Gesinterte Ferrit-Materialien und Teile von Chips. |
| EP89101580A EP0326999B1 (en) | 1988-02-03 | 1989-01-30 | Sintered ferrite materials and chip parts |
| US08/037,673 US5304318A (en) | 1988-02-03 | 1993-03-25 | Sintered ferrite materials and chip parts |
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|---|---|---|---|
| JP63023469A JPH0630297B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | フェライト焼結体およびチップ部品 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198003A true JPH01198003A (ja) | 1989-08-09 |
| JPH0630297B2 JPH0630297B2 (ja) | 1994-04-20 |
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ID=12111389
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| DE (1) | DE68914484T2 (ja) |
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- 1988-02-03 JP JP63023469A patent/JPH0630297B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1989-01-30 DE DE68914484T patent/DE68914484T2/de not_active Expired - Fee Related
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