JPH0343225B2 - - Google Patents
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- JPH0343225B2 JPH0343225B2 JP57198900A JP19890082A JPH0343225B2 JP H0343225 B2 JPH0343225 B2 JP H0343225B2 JP 57198900 A JP57198900 A JP 57198900A JP 19890082 A JP19890082 A JP 19890082A JP H0343225 B2 JPH0343225 B2 JP H0343225B2
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は低温焼結型で高いＱを有する誘電体磁
器材料に係るもので、特にLC複合チツプ素子の
一括焼結体を製造するのに適した低温焼結誘電体
磁器材料とその製造法に関する。 従来、LC複合チツプ素子は、別個に製造され
たチツプインダクタ及びチツプコンデンサを組合
わせて構成され、共振作用を有する回路素子、例
えばトラツプ回路やフイルタ回路として広く使用
されている。その製造方法は、シート法、印刷法
などにより誘電体層と電極層の積層、及び磁性体
層とコイル形成用導体の積層を行い、個々の積層
体を所定の温度で焼成してそれぞれ焼結チツプコ
ンデンサ及び焼結チツプインダクタとし、これら
を１個１個接着してLC複合チツプ素子とするこ
とが一般的に行われている。別法として、LC複
合チツプ素子を一括焼成して一体的な素子とする
方法も行われている。この場合にはコンデンサ材
料として結晶化ガラスが使用されているが、チツ
プインダクタのフエライト焼結体と結晶化ガラス
焼結体の熱膨脹係数の差が大きいため長期間使用
しているうちに接合面でのクラツクやはがれが生
じる。これに対処するためにこれら両材料の中間
の熱膨脹係数を有するガラス等の歪緩和層を介在
させる必要があるのが現状である。 上記の方法のうち、チツプ焼結体を接着する方
法は、チツプ焼結体が微小なため製造工程がはん
雑になり大量生産が容易にできない欠点がある。
また、中間緩和層を形成する方法は余分な層を要
する点で製造工程がはん雑になり、また回路的に
機能しない無駄な部分を含むことになる。 従つて、本発明の目的は、一括焼成に適し、中
間緩和層を必要としない、誘電体磁器材料を提供
することにあり、特にフエライト磁性体と共に焼
結されるときにすぐれた特性を発揮する低温焼結
誘電体磁器材料を提供することにある。 本発明者は磁性フエライトと一緒に焼成される
ときに、磁性フエライトとの間に熱膨脹係数の実
質的な差がなく、且つそれに対して十分な接着強
度を有する材料を探求した結果、スピネル型フエ
ライト系の素材とガラスとの混合焼結体が所期の
目的を達成するものであることを見出した。しか
も、本発明の材料は電気特性も高く、比較的低温
で焼結しうるものであることが分つた。 本発明者はチツプインダクタ用磁性材料とし
て、低温焼結フエライトを発明したが（特願昭56
−182307号）、現在それと同程度の焼結温度を有
するLC共振回路素子に使用できる高いＱを呈す
る誘電体としては結晶化ガラスしかないが、上記
のように結晶化ガラスは磁性フエライトとの熱膨
脹係数の差が大きいため、接合面に中間層を介在
させなければならなかつたが、本発明の誘電体磁
器材料は中間層を用いないで上記の磁性フエライ
トと一括焼結するのに適した誘電体材料であるこ
とが分つた。 本発明の低温焼結誘電体磁器材料は回路素子と
して必要な電気特性を有し、そして焼結特性とし
て磁性フエライトと同程度の焼結温度及び縮率を
有し、さらに焼結体として同程度の熱膨脹係数を
有するものである。従つて、焼成前にLC一体化
した形状の予成形体を焼結してLC複合チツプを
製造でき、上記のように焼結体を１個づつ接着し
たり、接合部に中間緩和層を形成する必要もな
く、大量生産が容易で、材料の消費量も中間層が
不要であるので少なくて済み、製造コストを低減
できる利点がある。 以下、本発明を詳しく説明する。一般に、スピ
ネル型フエライトは高周波磁性材料として実用に
供されており、CuZnフエライトはその１例であ
る。このフエライトはCuを含むことにより他の
スピネル型フエライトよりも低温で焼結する。ま
た非磁性のZuフエライトの含有量に応じてこの
タイプのフエライトのキユリー温度は変化し、常
温の一般に各種電気機器が実用に供される温度範
囲で非磁性のものとしうることが知られている。
さらにフエライトの誘電率εは一般に10以上の常
誘電体であるし、またフエライト焼結体の熱膨脹
係数αは２価イオンの種類によらず約80〜110×
10-7／℃の範囲にある。以上から、非磁性の
CuZnフエライトは磁性フエライトと共に一括焼
成するに適する誘電体として用いうるかを検討し
た。 非磁性CuZnフエライトの特性を詳しく調べた
結果を第１図に示す。同図は1000℃で焼成した
CuZnフエライトの組成とε、Ｑ、d.sh（ε：比誘
電率、Ｑ：誘電体のＱ、ｄ：焼結密度ｇ／cm3、
sh：縮率％）の関係を示すもので、Fe2O340〜
50wt％、CuO0〜20wt％、ZnO残部の範囲でTc
＝−50℃以下の部分、すなわち−50℃以上で非磁
性となる。しかし、この図から分るように、焼結
性は良好で低温焼結するがCuZnフエライトのＱ
は著しく低く、LC複合チツプの誘電体としては
不適当なことが分つた。 フエライトの誘電体としてのＱはその固有抵
抗、すなわち、結晶粒の抵抗と結晶粒界の抵抗に
依存すると思われるので、本発明者はこれらをで
きるだけ大きくしてCuZnフエライトの抵抗を上
げることを試みた。その結果、非磁性のCuZnフ
エライト（Cu＝0mol％も含む）を主成分とする
酸化物にガラス成分を添加して高抵抗粒界を導入
すると、Ｑの値が著しく増大することが分つた。
このガラスとしては、焼成温度付近で軟化する、
固有抵抗が109Ω−cm以上のガラスであれば良く、
ホウ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ケイ酸ソーダ
ガラス等が使用でき、さらにMgO、Al2O3、
PbO、ZnO、CaOなどのいずれの成分を含んでい
ても良い。 主成分となる非磁性CuZnフエライトは、第１
図に示した範囲のうち、右下部分のキユリー温度
Tc＝−50℃以上の部分を除いた組成から選択す
る。Fe2O350mol％を越える組成は焼結体の中に
Fe2+イオンを生じる可能性があり、Fe2+、Fe3+
イオンの電気伝導が生じてガラスを含有させたと
してもＱを著しく低下させ、また化学量論量に対
してFe2O3が多くなると焼結体を著しく劣下する
ので好ましくない。これに対してFe2O350mol％
以下であるとスピネル型フエライトの化学量論量
から外れるためスピネル固溶体は２相以上のスピ
ネル型フエライトを主成分とする酸化物となる
が、誘電体として何らの支障がないことが分つ
た。上に規定したCuZnフエライトは800〜1000℃
の温度範囲で焼成したとき良好な焼結特性を有し
ており、LC複合チツプ素子の材料としてすぐれ
ている。焼成温度が1000℃を越える酸化物とガラ
スの混合焼結体の場合、酸化物の焼結反応が緩慢
で焼結密度が低いためその焼結体内部に多数の空
孔が生じるため誘電体としては耐湿性に劣り実用
に供するのが困難となる。 混合されるガラスの量は、焼結体の全量に対し
て１〜50wt％の範囲で選択する。一般に上記の
ガラスはその熱膨脹係数が10〜50×10-7／℃程度
であり、これを熱膨脹係数が90〜100×10-7／℃
程度のCuZnフエライトと混合焼成した焼結体の
熱膨脹係数はその混合割合によつて変化する。低
温焼成磁性フエライトの熱膨脹係数は約90×
10-7／℃程度なので、これに複合させる誘電体材
料の熱膨脹係数αは70〜110×10-7／℃の範囲、
すなわち磁性フエライトの熱膨脹係数の±20×
10-7／℃の範囲にあればよい。この範囲はガラス
の量約50％以下において実現される。 低温焼成フエライトはその粉末の製造に於て、
適当な条件を選択すれば焼成温度800〜900℃の範
囲で電気的、磁気的特性を損うことなくその縮率
を10〜20％の範囲で制御しうる。したがつてLC
複合チツプを一括焼成で製造する場合に誘電体材
料として満足な電気的特性を有する非磁性CuZn
系フエライトを主成分とする、酸化物とガラスの
混合物の焼結体の縮率±１％にある低温焼成磁性
フエライトと組合せてやれば、磁性体部分と誘電
体部分の縮率の差による変形、まがりなどの生じ
ることがなく、LC複合チツプとして十分実用に
供せられるものが容易に製造できる。 低温焼成磁性フエライトを用いるチツプインダ
クタは内部巻線としてAgを用いた焼結体であり、
そのＱは50程度である。トラツプ回路やフイルタ
ー回路に要求される減衰量は一般に−20dB以上
であり、組合せる誘電体のＱによつてこの減衰量
は変化する。第２図は組合わせる誘電体のＱを変
えたときのLC共振回路の減衰量を示すもので、
曲線に沿えた数字１はμ＝108、Ｑ＝50（4MHz）、
sh＝12％、α＝95×10-7／℃の焼結チツプインダ
クタ、数字２はμ＝153、Ｑ＝42、sh＝17％、α
＝89×10-7／℃の焼結チツプインダクタ、数字３
はμ＝125、Ｑ＝47、sh＝15％、α＝92×10-7／
℃の焼結チツプインダクタを示し、いずれも焼成
温度900℃のものである。第２図から分るように
チツプコンデンサのＱが100以上あれば十分に実
用に供しうることが分るが、本発明のガラスを混
在したCuZnフエライト（Cu＝0mol％も含む）は
この要件を十分に満足する。 次に、本発明の実施例を説明する。 実施例 １ 市販の酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銅粉体を
Fe2O340.5mol％、CuO10.0mol％、ZnO49.5mol
％の割合で重量300ｇになるように秤量し、これ
に水600ｇを加えボールミルに入れて２時間混合
し、混合後乾燥した。次いでこの乾燥粉体を空気
中で700℃、２時間仮焼成した。仮焼成した粉体
に、ZnO−B2O3−SiO2系ガラスを０〜100wt％加
え、混合物の重量240ｇに水480ｇを加え、ボール
ミルで100時間粉砕し、粉砕後乾燥した。 乾燥粉体50ｇ、結着剤としてエチルセルロース
の８％溶液（溶媒はターピネオール）16ｇ、溶剤
としてターピネオール25ｇを秤量しらいかい機で
２時間撹拌しペーストを作つた。このペースト及
びAg粉のペーストをスクリーン印刷法により交
互に積層してチツプコンデンサを作り、乾燥後、
焼結体寸法4.5×3.2mmのチツプに切断し、850℃
及び900℃で２時間空気中で焼結してチツプコン
デンサを得た。諸特性は表１に通す通りであつ
た。
器材料に係るもので、特にLC複合チツプ素子の
一括焼結体を製造するのに適した低温焼結誘電体
磁器材料とその製造法に関する。 従来、LC複合チツプ素子は、別個に製造され
たチツプインダクタ及びチツプコンデンサを組合
わせて構成され、共振作用を有する回路素子、例
えばトラツプ回路やフイルタ回路として広く使用
されている。その製造方法は、シート法、印刷法
などにより誘電体層と電極層の積層、及び磁性体
層とコイル形成用導体の積層を行い、個々の積層
体を所定の温度で焼成してそれぞれ焼結チツプコ
ンデンサ及び焼結チツプインダクタとし、これら
を１個１個接着してLC複合チツプ素子とするこ
とが一般的に行われている。別法として、LC複
合チツプ素子を一括焼成して一体的な素子とする
方法も行われている。この場合にはコンデンサ材
料として結晶化ガラスが使用されているが、チツ
プインダクタのフエライト焼結体と結晶化ガラス
焼結体の熱膨脹係数の差が大きいため長期間使用
しているうちに接合面でのクラツクやはがれが生
じる。これに対処するためにこれら両材料の中間
の熱膨脹係数を有するガラス等の歪緩和層を介在
させる必要があるのが現状である。 上記の方法のうち、チツプ焼結体を接着する方
法は、チツプ焼結体が微小なため製造工程がはん
雑になり大量生産が容易にできない欠点がある。
また、中間緩和層を形成する方法は余分な層を要
する点で製造工程がはん雑になり、また回路的に
機能しない無駄な部分を含むことになる。 従つて、本発明の目的は、一括焼成に適し、中
間緩和層を必要としない、誘電体磁器材料を提供
することにあり、特にフエライト磁性体と共に焼
結されるときにすぐれた特性を発揮する低温焼結
誘電体磁器材料を提供することにある。 本発明者は磁性フエライトと一緒に焼成される
ときに、磁性フエライトとの間に熱膨脹係数の実
質的な差がなく、且つそれに対して十分な接着強
度を有する材料を探求した結果、スピネル型フエ
ライト系の素材とガラスとの混合焼結体が所期の
目的を達成するものであることを見出した。しか
も、本発明の材料は電気特性も高く、比較的低温
で焼結しうるものであることが分つた。 本発明者はチツプインダクタ用磁性材料とし
て、低温焼結フエライトを発明したが（特願昭56
−182307号）、現在それと同程度の焼結温度を有
するLC共振回路素子に使用できる高いＱを呈す
る誘電体としては結晶化ガラスしかないが、上記
のように結晶化ガラスは磁性フエライトとの熱膨
脹係数の差が大きいため、接合面に中間層を介在
させなければならなかつたが、本発明の誘電体磁
器材料は中間層を用いないで上記の磁性フエライ
トと一括焼結するのに適した誘電体材料であるこ
とが分つた。 本発明の低温焼結誘電体磁器材料は回路素子と
して必要な電気特性を有し、そして焼結特性とし
て磁性フエライトと同程度の焼結温度及び縮率を
有し、さらに焼結体として同程度の熱膨脹係数を
有するものである。従つて、焼成前にLC一体化
した形状の予成形体を焼結してLC複合チツプを
製造でき、上記のように焼結体を１個づつ接着し
たり、接合部に中間緩和層を形成する必要もな
く、大量生産が容易で、材料の消費量も中間層が
不要であるので少なくて済み、製造コストを低減
できる利点がある。 以下、本発明を詳しく説明する。一般に、スピ
ネル型フエライトは高周波磁性材料として実用に
供されており、CuZnフエライトはその１例であ
る。このフエライトはCuを含むことにより他の
スピネル型フエライトよりも低温で焼結する。ま
た非磁性のZuフエライトの含有量に応じてこの
タイプのフエライトのキユリー温度は変化し、常
温の一般に各種電気機器が実用に供される温度範
囲で非磁性のものとしうることが知られている。
さらにフエライトの誘電率εは一般に10以上の常
誘電体であるし、またフエライト焼結体の熱膨脹
係数αは２価イオンの種類によらず約80〜110×
10-7／℃の範囲にある。以上から、非磁性の
CuZnフエライトは磁性フエライトと共に一括焼
成するに適する誘電体として用いうるかを検討し
た。 非磁性CuZnフエライトの特性を詳しく調べた
結果を第１図に示す。同図は1000℃で焼成した
CuZnフエライトの組成とε、Ｑ、d.sh（ε：比誘
電率、Ｑ：誘電体のＱ、ｄ：焼結密度ｇ／cm3、
sh：縮率％）の関係を示すもので、Fe2O340〜
50wt％、CuO0〜20wt％、ZnO残部の範囲でTc
＝−50℃以下の部分、すなわち−50℃以上で非磁
性となる。しかし、この図から分るように、焼結
性は良好で低温焼結するがCuZnフエライトのＱ
は著しく低く、LC複合チツプの誘電体としては
不適当なことが分つた。 フエライトの誘電体としてのＱはその固有抵
抗、すなわち、結晶粒の抵抗と結晶粒界の抵抗に
依存すると思われるので、本発明者はこれらをで
きるだけ大きくしてCuZnフエライトの抵抗を上
げることを試みた。その結果、非磁性のCuZnフ
エライト（Cu＝0mol％も含む）を主成分とする
酸化物にガラス成分を添加して高抵抗粒界を導入
すると、Ｑの値が著しく増大することが分つた。
このガラスとしては、焼成温度付近で軟化する、
固有抵抗が109Ω−cm以上のガラスであれば良く、
ホウ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ケイ酸ソーダ
ガラス等が使用でき、さらにMgO、Al2O3、
PbO、ZnO、CaOなどのいずれの成分を含んでい
ても良い。 主成分となる非磁性CuZnフエライトは、第１
図に示した範囲のうち、右下部分のキユリー温度
Tc＝−50℃以上の部分を除いた組成から選択す
る。Fe2O350mol％を越える組成は焼結体の中に
Fe2+イオンを生じる可能性があり、Fe2+、Fe3+
イオンの電気伝導が生じてガラスを含有させたと
してもＱを著しく低下させ、また化学量論量に対
してFe2O3が多くなると焼結体を著しく劣下する
ので好ましくない。これに対してFe2O350mol％
以下であるとスピネル型フエライトの化学量論量
から外れるためスピネル固溶体は２相以上のスピ
ネル型フエライトを主成分とする酸化物となる
が、誘電体として何らの支障がないことが分つ
た。上に規定したCuZnフエライトは800〜1000℃
の温度範囲で焼成したとき良好な焼結特性を有し
ており、LC複合チツプ素子の材料としてすぐれ
ている。焼成温度が1000℃を越える酸化物とガラ
スの混合焼結体の場合、酸化物の焼結反応が緩慢
で焼結密度が低いためその焼結体内部に多数の空
孔が生じるため誘電体としては耐湿性に劣り実用
に供するのが困難となる。 混合されるガラスの量は、焼結体の全量に対し
て１〜50wt％の範囲で選択する。一般に上記の
ガラスはその熱膨脹係数が10〜50×10-7／℃程度
であり、これを熱膨脹係数が90〜100×10-7／℃
程度のCuZnフエライトと混合焼成した焼結体の
熱膨脹係数はその混合割合によつて変化する。低
温焼成磁性フエライトの熱膨脹係数は約90×
10-7／℃程度なので、これに複合させる誘電体材
料の熱膨脹係数αは70〜110×10-7／℃の範囲、
すなわち磁性フエライトの熱膨脹係数の±20×
10-7／℃の範囲にあればよい。この範囲はガラス
の量約50％以下において実現される。 低温焼成フエライトはその粉末の製造に於て、
適当な条件を選択すれば焼成温度800〜900℃の範
囲で電気的、磁気的特性を損うことなくその縮率
を10〜20％の範囲で制御しうる。したがつてLC
複合チツプを一括焼成で製造する場合に誘電体材
料として満足な電気的特性を有する非磁性CuZn
系フエライトを主成分とする、酸化物とガラスの
混合物の焼結体の縮率±１％にある低温焼成磁性
フエライトと組合せてやれば、磁性体部分と誘電
体部分の縮率の差による変形、まがりなどの生じ
ることがなく、LC複合チツプとして十分実用に
供せられるものが容易に製造できる。 低温焼成磁性フエライトを用いるチツプインダ
クタは内部巻線としてAgを用いた焼結体であり、
そのＱは50程度である。トラツプ回路やフイルタ
ー回路に要求される減衰量は一般に−20dB以上
であり、組合せる誘電体のＱによつてこの減衰量
は変化する。第２図は組合わせる誘電体のＱを変
えたときのLC共振回路の減衰量を示すもので、
曲線に沿えた数字１はμ＝108、Ｑ＝50（4MHz）、
sh＝12％、α＝95×10-7／℃の焼結チツプインダ
クタ、数字２はμ＝153、Ｑ＝42、sh＝17％、α
＝89×10-7／℃の焼結チツプインダクタ、数字３
はμ＝125、Ｑ＝47、sh＝15％、α＝92×10-7／
℃の焼結チツプインダクタを示し、いずれも焼成
温度900℃のものである。第２図から分るように
チツプコンデンサのＱが100以上あれば十分に実
用に供しうることが分るが、本発明のガラスを混
在したCuZnフエライト（Cu＝0mol％も含む）は
この要件を十分に満足する。 次に、本発明の実施例を説明する。 実施例 １ 市販の酸化鉄、酸化亜鉛、酸化銅粉体を
Fe2O340.5mol％、CuO10.0mol％、ZnO49.5mol
％の割合で重量300ｇになるように秤量し、これ
に水600ｇを加えボールミルに入れて２時間混合
し、混合後乾燥した。次いでこの乾燥粉体を空気
中で700℃、２時間仮焼成した。仮焼成した粉体
に、ZnO−B2O3−SiO2系ガラスを０〜100wt％加
え、混合物の重量240ｇに水480ｇを加え、ボール
ミルで100時間粉砕し、粉砕後乾燥した。 乾燥粉体50ｇ、結着剤としてエチルセルロース
の８％溶液（溶媒はターピネオール）16ｇ、溶剤
としてターピネオール25ｇを秤量しらいかい機で
２時間撹拌しペーストを作つた。このペースト及
びAg粉のペーストをスクリーン印刷法により交
互に積層してチツプコンデンサを作り、乾燥後、
焼結体寸法4.5×3.2mmのチツプに切断し、850℃
及び900℃で２時間空気中で焼結してチツプコン
デンサを得た。諸特性は表１に通す通りであつ
た。
【表】
第３図の曲線１は本実施例（850℃焼成のもの）
による誘電体のガラス含有率と熱膨脹係数αの関
係を示すもので、ガラス量が約50wt％を超える
とαが70×10-7／℃以下となつて、磁性フエライ
トのα≒90×10-7／℃と相当に違つてしまうので
好ましくない。 また、本例のチツプコンデンサのうち、ガラス
含有量が０％のものと10wt％のものについて4M
HzのＱは、850℃で焼成のものは、第４図の線１
で示す通りガラス０％でＱ＝62であつたものが
10wt％ではＱ＝350となつた。また900℃で焼成
のものは線２で示すように０％ではＱ＝46のもの
が10wt％ではＱ＝280であつた。 実施例 ２ 実施例１において、ガラスとしてB2O3−SiO2
を０〜100％用いて同じ方法で（焼成温度850℃及
び900℃）誘電体を製造した。第３図の曲線２で
示す通り、ガラス含有量が約50wt％以下で熱膨
脹係数αが約70〜95×10-7／℃であつた。諸特性
を次表に示す。
による誘電体のガラス含有率と熱膨脹係数αの関
係を示すもので、ガラス量が約50wt％を超える
とαが70×10-7／℃以下となつて、磁性フエライ
トのα≒90×10-7／℃と相当に違つてしまうので
好ましくない。 また、本例のチツプコンデンサのうち、ガラス
含有量が０％のものと10wt％のものについて4M
HzのＱは、850℃で焼成のものは、第４図の線１
で示す通りガラス０％でＱ＝62であつたものが
10wt％ではＱ＝350となつた。また900℃で焼成
のものは線２で示すように０％ではＱ＝46のもの
が10wt％ではＱ＝280であつた。 実施例 ２ 実施例１において、ガラスとしてB2O3−SiO2
を０〜100％用いて同じ方法で（焼成温度850℃及
び900℃）誘電体を製造した。第３図の曲線２で
示す通り、ガラス含有量が約50wt％以下で熱膨
脹係数αが約70〜95×10-7／℃であつた。諸特性
を次表に示す。
【表】
実施例 ３
実施例１において、ガラスとしてB2O3（水和物
H3BO3）を０、3.2及び8.8wt％用いて同じ方法で
（焼成温度850℃及び900℃）チツプコンデンサを
製造した。第４図の線３は850℃焼成のもの、線
４は900℃焼成のものを示す。明らかにガラス１
％以上でＱは100以上であり、8.8％で600以上と
なつている。諸特性を次表に示す。
H3BO3）を０、3.2及び8.8wt％用いて同じ方法で
（焼成温度850℃及び900℃）チツプコンデンサを
製造した。第４図の線３は850℃焼成のもの、線
４は900℃焼成のものを示す。明らかにガラス１
％以上でＱは100以上であり、8.8％で600以上と
なつている。諸特性を次表に示す。
【表】
実施例 ４
非磁性フエライトの原料としてCuOを含まない
でFe2O348mol％、ZnO52mol％を用い、ガラス
としてB2O30〜5wt％用いた他は実施例１と同じ
方法でチツプコンデンサを製造した。第５図に示
すように、Ｑはガラス１％以上で200以上であつ
た。諸特性を次表に示す。
でFe2O348mol％、ZnO52mol％を用い、ガラス
としてB2O30〜5wt％用いた他は実施例１と同じ
方法でチツプコンデンサを製造した。第５図に示
すように、Ｑはガラス１％以上で200以上であつ
た。諸特性を次表に示す。
【表】
実施例 ５
焼成温度850℃で空気中焼成して得たNiCuZn
フエライトで特性としてμ＝108、Ｑ（4MHz）＝
49、sh＝13.2％、α＝94×10-7／℃を有する磁性
フエライトをAgペーストによる内部コイル形成
導体のターンが18巻となるように積層して厚さ
1200μの積層体とし、その上に実施例１の誘電体
材料の４層をAgペースト電極と交互に積層して
厚さ900μの積層コンデンサとして複合し、850℃
で２時間空気中焼成してLC複合チツプを得た。
その減衰量の周波数ｆ特性を第６図に示す。この
LC回路のfrは4.72MHzで減衰量−21.5dBであり、
十分に実用に供せられる。
フエライトで特性としてμ＝108、Ｑ（4MHz）＝
49、sh＝13.2％、α＝94×10-7／℃を有する磁性
フエライトをAgペーストによる内部コイル形成
導体のターンが18巻となるように積層して厚さ
1200μの積層体とし、その上に実施例１の誘電体
材料の４層をAgペースト電極と交互に積層して
厚さ900μの積層コンデンサとして複合し、850℃
で２時間空気中焼成してLC複合チツプを得た。
その減衰量の周波数ｆ特性を第６図に示す。この
LC回路のfrは4.72MHzで減衰量−21.5dBであり、
十分に実用に供せられる。
第１図は非磁性CuZnフエライトの組成と特性
を示す図、第２図はチツプコンデンサのＱがLC
複合チツプの減衰量に及ぼす影響を示すグラフ、
第３図は非磁性フエライト誘電体に混合されるガ
ラスの混合比と熱膨脹係数の関係を示すグラフ、
第４図及び第５図は非磁性フエライト誘電体に混
合されるガラスの混合比とチツプコンデンサのＱ
の関係を示すグラフ、及び第６図は本発明の誘電
体によつて構成したLC複合チツプの減衰特性を
示すグラフである。
を示す図、第２図はチツプコンデンサのＱがLC
複合チツプの減衰量に及ぼす影響を示すグラフ、
第３図は非磁性フエライト誘電体に混合されるガ
ラスの混合比と熱膨脹係数の関係を示すグラフ、
第４図及び第５図は非磁性フエライト誘電体に混
合されるガラスの混合比とチツプコンデンサのＱ
の関係を示すグラフ、及び第６図は本発明の誘電
体によつて構成したLC複合チツプの減衰特性を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Fe2O340〜50mol％及び残部ZnOの範囲でキ
ユリー温度Tc＝−50℃以下の組成のZn系フエラ
イトを主成分とする酸化物（ただしCuは含まな
い）、およびFe2O340〜50mol％、CuO20mol％以
下及び残部ZnOの範囲でキユリー温度Tc＝−50
℃以下の組成のCuZn系フエライトを主成分とす
る酸化物から選択された酸化物に、１〜50wt％
のガラス組成物を混合してなる誘電体磁器材料。 ２ Fe2O340〜50mol％及び残部ZnOの範囲でキ
ユリー温度Tc＝−50℃以下の組成のZn系フエラ
イトを主成分とする酸化物（ただしCuは含まな
い）、及びFe2O340〜50mol％、CuO20mol％以下
及び残部ZnOの範囲でキユリー温度Tc＝−50℃
以下の組成のCuZn系フエライトを主成分とする
酸化物から選択された酸化物に、１〜50wt％の
ガラス組成物を混合し、ついで800〜900℃の温度
で焼成することによりなる誘電体磁器材料の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198900A JPS5988370A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 誘電体磁器材料とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198900A JPS5988370A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 誘電体磁器材料とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988370A JPS5988370A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0343225B2 true JPH0343225B2 (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=16398804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198900A Granted JPS5988370A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 誘電体磁器材料とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988370A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01158706A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-21 | Tdk Corp | インダクター |
| JPH0787047B2 (ja) * | 1987-12-16 | 1995-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | インダクター用捲心 |
| JPH01222414A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Tdk Corp | 高周波用コア |
| JP4873959B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2012-02-08 | Ｔｃｍ株式会社 | 運搬用車両 |
| CN101889319B (zh) * | 2007-12-25 | 2013-01-02 | 日立金属株式会社 | 叠层电感器以及使用该叠层电感器的功率转换装置 |
| JP6205149B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-09-27 | Fdk株式会社 | 非磁性材料および非磁性磁器組成物の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57198900A patent/JPS5988370A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5988370A (ja) | 1984-05-22 |
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