JPH01199342A - 光磁気記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録素子に関し、より詳細には低バイア
ス磁界による磁界変調記録方式に適し、これによってオ
ーバーライド（重ね書き）を可能とした光磁気記録素子
に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近時、希土類金属元素と遷移金属元素から成る非晶質金
属合金を用いた光磁気記録が盛んに研究されており、そ
の記録方式は集束レーザー光を記録媒体に投光して局部
加熱し、これによってピントを書き込み、次に磁気光学
効果を利用して読み出しており、そして、記録ビットを
消去し、改めてビットを書き込むこともできる。

このような書き換えを光変調記録方式により行う場合は
記録と消去を別々に行わねばならず、これにより、光磁
気ディスクを少なくとも２回転させねばならず、そのた
め、リアルタイムで書き換えることはできなかった。

この光変調記録方式に代わって磁界変調記録方式によっ
て書き換えを行うことが提案されており、この方式によ
れば、オーバーライドが可能となるが、その反面、大き
なバイアス磁界を印加しながら高速でスイッチングでき
る磁気ヘッドを用いなければならず、そのため、この磁
気ヘッドは大きなドライブ電流並びに大きなりアクタン
スを有するという点で製作するのが難しい。

上記磁界変調記録方式によれば、小さな外部磁界で記録
できるような磁性材料が求められ、この要望に対して、
近時、ＴｂＦｅＣｏ磁性合金が提案されている。この磁
性合金は室温下で希土類元素副格子磁化優勢であり、ま
た、キエリー温度と室温の間に補償温度があり、そして
、約±２０００ｅにおける記録等が可能となることが報
告されている。

しかし乍ら、上記光磁気記録素子は比較的大きなバイア
ス磁界を必要としており、そのために磁界の強さが±２
０００ｅ未満、特に±１５００ｅ以下での記録が可能な
素子の開発が望まれている。

〔発明の目的〕

従って、本発明の目的は低バイアス磁界において記録可
能となった光磁気記録素子を提供することにある。

本発明の他の目的は低バイアス磁界による磁界変調記録
に有利に適用でき、これにより、オーバーライドを可能
とした光磁気記録素子を提供することにある。

本発明の更に他の目的は磁化ＦＩｓと保磁力Ｈｅの積が
新規で且つ一定の範囲内にある光磁気記録素子を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録素子は、基体上に誘電体層及び非晶
質垂直磁化膜を有し、垂直磁化膜が希土類金属成分とし
て少なくともＧｄ元素及び遷移金属成分としてＦｅ元素
を含有し且つＦｅ副格子磁化優勢であり、前記誘電体層
が非晶質窒化シリコンから成り、更にこの光磁気記録素
子はその垂直磁化膜の磁化Ｍｓが２０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍ
ｓ≦７０ｅｍｕ／ｃｃに且つ該磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの
積が１００ｅＩＩＩｕ−ｋＯｅ／ｃｃ≦Ｍｓ−Ｈｃ≦５
００ｅｍｕ−ｋｏｅ／ｃｃの範囲内となるように設定さ
れていることを特徴とする。

本発明の光磁気記録素子は、（ｉ）希土類金属成分とし
て少なくともＧｄ元素及び遷移金属成分としてＦｅ元素
を含有し且つＦｅ副格子磁化優勢な垂直磁化膜を用いる
こと、（ｉｉ　）誘電体層として非晶質窒化シリコンか
ら成る誘電体層を用いること、並びに（ｉｉｉ　）垂直
磁化膜の磁化Ｍｓ及び磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃとの積が下
記の式（１）及び（２）の両方を満足する範囲にあるこ
との組合せに特徴を有するものである。尚、本願発明に
おいては、磁気的組成、磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃは２０
℃における値でもって規定する。

２０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｉｓ≦７０ｅＩｌｕ／ｃｃ　・　・
　（１）１（ｉｏｅｍｕ−ＫＯｅ／ｃｃ≦Ｍｓ−Ｈｃ≦
５００ｅＩｌｕ−ＫＯｅ／ｃｃ・・・（２） 希土類金属と遷移金属とを含有する合金磁性膜では、両
者の比率に応じて磁化Ｍｓがゼロの位置（補償組成）が
あり、該位置の一方の側に遷移金属副格子磁化優勢域が
、他方の側に希土類金属副格子磁化優勢域がある。

本発明において遷移金属成分としてＦｅ元素を選ぶのは
、例えばＣｏ元素を用いたものに比して高温におけるヒ
ステリシスループの角形性に優れているためである。ま
た、希土類金属成分として少なくともＧｄ元素を用いる
のは、合金のキュリー点を実用的範囲（１６０℃以上）
にもたらすためである。

また、上記合金組成はＦｅ副格子磁化優勢範囲となるこ
とも重要であり、これにより、小さなバイアス磁界での
記録が可能となる。この理由は、補償組成から組成が偏
よるにつれて磁化Ｍｓは大きくなり、保磁力は小さくな
る傾向があるが、希土類金属副格子優勢側では、補償組
成近傍において記録されるビットが小さく且つ不安定な
ため、補償組成よりもかなり離れた組成を用いる必要が
あり・これに伴って大きなバイアス磁界を用いる必要が
あるのに対して、遷移金属（ｒｅ）副格子優勢側では補
償組成近傍でもビットが大きく安定しており、小さなバ
イアス磁界でも記録が可能となることによると思われる
。

次に、本発明において誘電体層として非晶質窒化シリコ
ンを用いるのは、このものが比較的大きな屈折率を有し
ていてカー回転角のエンハンスメントが大きく、酸素や
水に対するバリヤー性が大きく、しかも、その上に形成
される垂直磁化膜の保磁力Ｈｃを減少せしめて、Ｍｓ　
Ｘ　Ｈｃの値を前記式（２）の小さい範囲に抑制しやす
いことによる。

本発明の素子は、前記式（１）で規定される磁化ＭＳと
前記式（２）で規定される磁化（Ｍｓ）と保磁力（Ｈｃ
）との積を有することも重要である。

磁界変調記録方式によってオーバーライドを行うに当た
っては、既に記録されたビットの磁化方向に対して反対
方向に磁化反転させるように磁界を印加する場合と、そ
の磁化方向と同じ方向に磁界を印加する場合とがある。

以下、前者の場合に印加される磁界を記録反転磁界と呼
び、後者の場合に印加される磁界を記録保持磁界と呼ぶ
。

そして、記録反転磁界を印加した場合にはその印加磁界
方向と同じ方向に漏洩磁界とビット内の反磁界が加わる
。従って、記録反転磁界を小さくするためには、その漏
洩磁界と反磁界を大きくせねばならず、このような要求
に対しては磁性体層の磁化Ｍｓを大きくしなければなら
ない。

一方、記録保持磁界を印加した場合には、その印加磁界
方向と反対方向に漏洩磁界とビット内の反磁界が加わり
、従って、記録保持磁界を小さくするためには、その漏
洩磁界と反磁界を小さくせねばならず、このような要求
に対しては磁性体層の磁化Ｍ＋を小さくしなければなら
ない。

このように記録反転を行う場合と記録保持を行う場合と
では磁化Ｍｓについて相反する所要特性となる。

本発明者等は、磁性体層（垂直磁化膜）の保磁力Ｈｃは
下地層（誘電体層）の種類や表面状態（形状や圧縮応力
）によっても大きな影響を受け（この影響は成長誘導異
方性乃至歪誘導異方性として知られている）、このこと
を利用して上記磁化Ｍｓを所定の範囲内に設定し、しか
も、磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの積を所定値以下に設定した
場合、両者の印加磁界を小さくして所要通りにビットを
保持したり或いはビット反転させることができることを
見い出した。

即ち、本発明者等は磁性体層の磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの
積を小さくした場合、記録保持磁界が印加され且つ集束
レーザー光が照射された場所では反転磁区が微小な芽と
して発生しようとするが、冷却過程においてその反転磁
区が安定に存在し得るようなビット径よりも小さい場合
には消滅し、その結果、記録保持磁界を印加する方向に
磁化の向きが安定に存在することを見い出し、更に本発
明者等は磁化Ｍｓを所定の範囲内に設定した場合、記録
反転磁化の閾値が小さくなり、しかも、ジッター量で表
わされる信号品質が向上することも見い出した。尚、上
記ビット径については、−ｍに安定に存在する最小ビッ
ト径ｄ＝σｗ／　（２Ｍｓ　　・Ｈｃ）　ＣＫ：１／（
Ｈｓ・Ｈｃ）　　・・・（σ−は磁壁エネルギーであり
、磁性体層の材料により一義的に決められる物理量であ
る）で規定される。

前記磁化は保磁力との積、即ち、Ｍｓ−Ｈｃが１００ｅ
ｍｕ１００ｅ／ｃｃ≦Ｍｓ　・Ｈｃ≦５００ｅｍｕ−Ｋ
Ｏｅ／ｃｃ、好適には１５０ｅｍｕ−ＫＯｅ／ｃｃ≦Ｍ
Ｓ−Ｈｃ≦４００ｅｍｕ−ＫＯｅ／ｃｃの範囲内に設定
するとよく、そのＭＳ−Ｈｃが１００ｅｍｕ１００ｅ／
ｃｃ未満の場合にはジッター量が悪＜　、Ｃ／Ｎも低下
し、更に磁界の極性反転に伴う磁化反転が生じなくなり
、磁気ヘッドの設計が複雑となり、一方、５００ｅ＋＋
ｕ−ＫＯｅ／ｃｃを越える場合には記録保持磁界の閾値
が−１０００ｅを越える。

前記磁化Ｍｓは２０ｅ＊ｕ／ｃｃ≦ｈ≦７０ｅ＋ｗｕ／
ｃｃ、好適には３０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５ｅｎ＋ｕ
／ｃｃの範囲内に設定するとよく、そのＭｓが２０ｅｍ
ｕ／ｃｃ未満の場合には記録反転磁界の闇値が１５００
ｅ以上となり、一方、ｌ’ｌｓが７０ｅｍｕ／ｃｃを越
えた場合には記録保持磁界の閾値が大きくなるとともに
保磁力Ｈｃが小さくなりすぎ、更にジッター量も悪化す
る。

尚、上記記録反転磁界や記録保持磁界の閾値は記録再生
装置のシステムノイズの大小並びに磁界強度の測定誤差
により、装置が異なれば、±３００ｅ程度ずれる場合が
ある。

磁性体層の保磁力Ｈｃを小さくして前記式（１）のＭｓ
の範囲内において、前記式（２）の範囲内とするには、
これに必ずしも限定されるものでないが、−例として窒
化シリコン誘電体層として５　ＸＩＯ’乃至１０ＸＩＯ
”　ｄｙｎｅ／ｃａｂ”の圧縮応力を有するものを用い
るのがよい。また、他の例として基板に対する入射角度
が３０乃至７０度となるように、基板に対して直角から
ずれた角度で５ｉ３Ｎｎターゲツトのスパッタリングを
行うのもよい。

このような窒化シリコン誘電体層及び磁性体層から成る
光磁気記録素子の典型的層構成は第１図に示す通りであ
る。

第１図によれば、基板１の上に窒化シリコン誘電体層２
を介して磁性体Ｎ３を形成し、この磁性体層３の上に保
護Ｎ４を形成し、更に保護層４の上に樹脂被覆層５が形
成される。

上記磁性体層３は希土類金属元素と遷移金属元素の組合
せにより垂直磁化膜が形成される。希土類金属元素はＧ
ｄを必須不可欠とし、それにｔｂ、ｏｙ。

Ｎｄ、Ｓｍ、Ｈｏなどの元素を加えてもよく、そして、
遷移金属元素はＦｅを主体としており、これにより、高
温域における角型性に優れ、誘電体１ｉｉ２の影響を受
は易くなる。このような磁性合金にはＧｄＤｙＦｅ、　
ＧｄＴｂＦｅ、　ＧｄＴｂＤｙＦｅ、　ＮｄＧｄＴｂＦ
ｅ、　ＮｄＧｄＤｙＦｅ、　ＮｄＧｄＴｂＤｙＦｅなど
がある。

これらの磁性体層の内でも、下記式 ％式％ 式中、ｙは０．３０乃至０．９５、特に０．４０乃至０
．８０、Ｘは０．１７乃至０．２５、特に０．１９乃至
０．２３ の組成のものが好ましい。この磁性体層３の厚みは３０
０乃至１０００　Ａの範囲内に設定するとよく、これに
よって記録反転磁界や記録保持磁界のそれぞれの闇値を
最も小さくすることができる。

そして、これらの磁性体層は周知の薄膜形成手段により
形成され、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法、イオン注入法、メツキ法等々があ
る。尚、上記磁性体層は希土類金属とＦｅ金属以外の元
素の含有を排除するものではなく、例えば上記薄膜形成
手段によって不可避的に酸素、炭素等の他種元素が混入
されることが許容される。

前記窒化シリコン誘電体層２は窒化シリコンをターゲッ
トとしたスパッタリング法により形成することができ、
そのスパッタ用ガスとしてアルゴンガスが用いられ、そ
して、そのガス圧を調整して所要通りの圧縮応力や形状
をもつ窒化シリコン誘電体層を形成することができる。

本発明者等は、このようにして窒化シリコン誘電体層の
圧縮応力と磁性体層の保磁力Ｈｅの関係を見い出したが
、その知見に係る因果関係については十分なる明確な解
答を出しているわけではない、しかし乍ら、本発明者等
が繰り返し行った実験によれば、上記スパッタリング法
によって窒化シリコン誘電体層を形成する場合、磁性体
層の保磁力低下をねらうにはアルゴンガス圧を３ｍＴｏ
ｒｒ以下に設定するとよく、このときに誘電体層の圧縮
応力が変化することを確認した。そして、本発明者等は
これと同時にその層の表面状態が変化していると考える
。このことはスパッタ粒子の基板面に対する入射角並び
にその運動エネルギーが上記磁性体層の低保磁力化に影
響を及ぼしており、そのため、スパッタ粒子の入射角分
布を調節することによっても磁性体層の保磁力を変化さ
せることができると考える。

また、上記のようなスパッタリング法により窒化シリコ
ン誘電体層を形成した場合、その層は非晶質化している
ことを確認した。

更にまた、上記窒化シリコン誘電体層を形成するに当た
って、前記ターゲットに窒化シリコン以外の原子を含有
させ、成膜に伴ってその他種原子を膜中に添加してもよ
い。この添加成分にはＹ、Ｌａ、Ｃｅなどの周期律表第
１［Ｉａ族元素、Ｔｉ、Ｚｒなどの第１Ｖａ族元素、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの第ＶＩａ族元素、Ｓｂ、　Ｂｉなどの第
ｖｂ族元素、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの第■ｂ族元
素、Ｂ、　ＡＩなどの第ｍｂ族元素、Ｚｎ　、　Ｃｄな
どの第ｎｂ族元素のそれセれの単体もしくは酸化物、窒
化物、硫化物、ケイ化物などがある。そして、上記他種
原子は誘電体Ｎ２の非晶質状態が実質上維持されている
範囲内で添加される。

前記保護Ｎ４はＴｉｔＣｒ＋Ｚｒ＋Ｔａ＋ＡＩなどの耐
食性金属、Ｓｉ、ＡＩ＋Ｔｉなど窒化物、Ｓｉ＋Ｃｄ＋
Ｔｉなどの炭化物、Ｚｎ、Ｃｔｉなどの硫化物、Ｍｇな
どのフッ化物、Ａ１．Ｃｅｌ　Ｚｒ、　Ｓｉ　＋　Ｃｄ
＋　Ｂｔなどの酸化物を単独で又は組合せて形成される
。

前記樹脂被覆層５はエポキシ系、ポリエステル系、アク
リル系、アクリルウレタン系の樹脂により形成される。

そして、この樹脂にシリカ、アルミナ、チタニアなどの
フィラーを入れ、その樹脂の硬度を上げることができ、
また、固体もしくは液体の潤滑側を入れて表面潤滑性を
向上させることができる。

前記基板１にはガラス板やプラスチック板が用いられ、
このプラスチック基板用材料としてポリカーボネート系
、エポキシ系、ポリエステル系、アクリル系の樹脂があ
る。

〔実施例〕

次に本発明を実施例により説明する。

（例１） 基板ホルダーの中心に対して１２０　”の回転対称の位
置に各ターゲット（５インチφ）を配置できる基板回転
式高周波三源マグネトロンスパッタリング装置にＳｉ３
Ｎ４セラミツク焼結体（焼結助剤にＡｌ２Ｏ、とＹｚＯ
ｓを含む）から成るターゲットを配置し、更にポリカー
ボネート製ディスク基板を１２０ｍｍ離れた位置に備え
、５　Ｘ　１０”Ｔｏｒｒに至るまで十分に真空排気し
、次いでＡｒガス（純度９９．９９９χ）を３３ｓｃｃ
＋ｍの流量で導入した。そして、基板ホルダーの回転数
を６Ｏｒｐｍに設定し、基板に１００−の電力を印加し
、ボンバード処理を行った。然る後、Ａｒガス圧を３通
りに変え、印加電力１ｋＷで５分間プレスパツタし、続
けて厚み７５０人の窒化シリコン層をスパッタリング形
成し、これによって上記Ａｒガス圧の相違によって圧縮
応力が異なる３種類の窒化シリコン層を形成した。次い
でＦｅターゲットの上にＧｄチップとＤｙチップを配置
し、スパッタリング法によって上記各窒化シリコン層の
上に厚み４００人のＧｄＤｙＦｅ磁性体層（その組成は
遷移金属副格子磁化優勢の（Ｇｄｏ、ａＤＶｏ、ａ）ｘ
　Ｆｅｒ−ｘ　”　”　’０．１７≦Ｘ≦０．２５）を
形成し、続けて同装置内で保護層４（酸化チタンから成
り、チタン原子に対する酸素原子比率が０．０５乃至０
．９０の範囲内に設定されている）を６５０人の厚みで
形成し、然る後、保護Ｎ４の上に紫外線硬化型樹脂層を
３乃至６μ■の厚みで塗布し、第１図に示す構成の光磁
気記録素子を３種類製作した。

かくして得られた各素子におけるＡｒガス圧と窒化シリ
コン層の圧縮応力の関係は第１表に示す通りである。上
記圧縮応力はポリカーボネート基板に変えてガラス製薄
板（厚み７５μｍ）を用意し、その基板に上記と同じ条
件で窒化シリコン層を形成し、窒化シリコン層の厚みと
薄板のソリ量を測定することによって求めた。

第１表 第１表に示した各素子Ａ、Ｂ、Ｃについて磁性体層の前
記Ｘ値を代えて種々の磁化Ｍｓを作成し、次いでそれぞ
れの保磁力Ｈｅを測定し、ＭＳ−ＨＣを求めたところ、
第２図に示す通りの結果が得られた。尚、本実施例にお
ける試料測定の位置は基板ホルダーの回転中心により半
径５５＋＋ｖ＋の部位であり、この部位においては基板
面に対して約３０乃至７０°の斜めスパッタ粒子により
成膜される。

同図において、横軸は磁化Ｍｓであり、左側縦軸は保磁
力Ｈｃ、右側縦軸はＭｓ　Ｘ　Ｈｃを示しており、０■
＠は各素子の保磁力特性曲線であり、ａ、　ｂ、　ｃは
それぞれのＭｓ−Ｈｅ特性曲線を示している。

第２図より明らかな通り、磁性体層の組成比及び磁化Ｍ
ｓが同じであっても窒化シリコン層の圧縮応力が大きく
なるに伴って保磁力Ｈｃが低下する傾向にあり、従って
、ＭＳ−Ｈｃも低下傾向にあることが判る。

（例２） 本例においては、上記光磁気記録素子Ａ、Ｂ、Ｃ（但し
、基板として１３０ｍｍφのポリカーボネート製基板を
用いており、磁性体層の磁化ＭｓはＭｓ〜４５ｅｍｕ／
ｃｃに設定されている）にバイアス磁界を印加し、その
磁界強度を変化させて光変調記録方式によってＣ／Ｎを
測定したところ、第３図に示す通りの結果が得られた。

尚、このＣ／Ｎは半径５５ｍ＋＊、回転数１２０Ｏｒｐ
ｍ　、記録周波数２．７ＭＨｚ、記録パワー５．５ｍｗ
、再生パワー１．５１に設定して求めた。

第３図中、ｄ＋ｅ＋ｆはそれぞれ素子＾、Ｂ、ＣのＣ／
Ｎのバイアス磁界依存特性曲線であり、また、Ｄ、Ｅは
素子＾、Ｃのそれぞれの記録保持磁界の閾値、Ｆ。

Ｇは素子Ａ、Ｃのそれぞれの記録反転磁界の閾値を示す
。

第３図より明らかな通り、圧縮応力の大きい素子Ｃは素
子Ａに比べて記録保持磁界及び記録反転磁界のそれぞれ
の闇値が小さくなっていることが判る。そして、Ｄ、Ｈ
によって表わされるバイアス磁界依存性は前述した反転
磁区の芽の消失機構が存在しているであろうことが示唆
されている。

（例３） 次に（例２）に用いられた素子について窒化シリコン層
の圧縮応力と磁化Ｍｓを幾通りにも変え、これにより、
Ｍｓ−Ｈｃが異なる種々の素子を製作し、各々の素子に
おける記録保持磁界と記録反転磁界の閾値を測定し、更
に各素子のディスク板より小片を切り出し、その小片よ
り試料振動型磁力計（ＶＳＭ）によって磁化Ｍｓと保磁
力Ｈｃを測定した。そして、記録反転磁界の闇値が＋１
００乃至＋１５００ｅになったディスクの記録保持磁界
の闇値とＭＳ−Ｈｃの関係をプロットしたところ、第４
図に示すように・印のプロットとなった。

また窒化シリコン層に変えてＺｎＳ　Ｆｉを形成し、そ
の他の製作条件を同一にして得られた光磁気記録素子に
ついて、記録保持磁界の閾値とＭｓ−Ｈｃの関係をプロ
ットしたところ、Ｑ印のプロットとなった。

そして、第４図中、ｋ、Ｉｌはそれぞれ窒化シリコン層
が形成された素子、ＺｎＳ層が形成された素子の特性曲
線である。

第４図より明らかな通り、窒化シリコン層を用いた場合
、ＺｎＳ層を形成した素子に比べて記録保持磁界の闇値
が小さく、また、Ｍｓ−Ｈｃが５００ｅｍｕ・ＫＯｅ／
ｃｃ以下の場合、記録保持磁界の閾値が１０００ｅ以下
となり、これにより、磁界変調記録に適していることが
判る。

また、Ｍｓ−Ｈｃが１００ｅｎ＋ｕ−ＫＯｅ／ｃｃ以下
の場合、記録保持磁界が零から正へ変化しており、これ
は漏洩磁界を想定しただけでは全（説明ができない現象
であり、そのことは前述したビット消去のメカニズムが
存在するであろうことが示唆される。

更にまた、上記窒化シリコン層の原子構造をＸ線回折法
により測定したところ、いずれの窒化シリコン層も結晶
性のピークが検出されず、ハローパターンが検出されて
いるだけであり、非晶質化していることが判った。一方
、ＺｎＳ層も同様に測定したところ、−軸配向性を示す
ことが確認できた。

（例４） （例２）に示された素子Ｃより磁性体層を第２表に示す
ような材料に代え、それ以外の層構造並びに製法及び成
膜条件は素子Ｃと全く同じにして製作した素子Ｈ、Ｉ、
Ｊについて、バイアス磁界を印加し、その磁界の強度変
化に対するＣ／Ｎを測定したところ、第５図に示す通り
の結果が得られた。

尚、いずれの上記磁性体層も補償組成近傍の遷移金属副
格子磁化優勢の組成のものを作成した。

第５表より明らかな通り、素子Ｈは素子Ｃと同様に記録
保持磁界が小さいことが判る。

然るに素子Ｉと素子Ｊは記録保持磁界が一２０００ｅ以
上と大きくなっており、その原因は窒化シリコン誘電体
層の圧縮応力が大きくなってもＭＳ−Ｈｃの絶対値が大
きく、しかも、磁化ＭＳと保磁力Ｈｃの温度依存性が異
なるためであると考える。

（例５） 次に本発明者等は素子Ｃを用いて下記条件によりオーバ
ーライドを行ったところ、光変調記録時にＣ／Ｎが４６
ｄＢであるのに対して、変調磁界強さ±１０００ｅを用
いた磁界変調記録時においてはＣ／Ｎが４５ｄＢであり
、前者と概ね同様な値が得られた。

半径・・・５５ＩＩＩｌｌ＋ 回転数・・・１２００ｒｐＩＩ 記録周波数・・・Ｑ、５ＭＨｚ 記録パワー・・・５．５ｍＷ 再生パワー・・・１　、５ｍＷ 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明の光磁気記録素子によれば、磁界変
調記録方式に適しており、これによってオーバーライド
を行っても優れた特性が得られる高性能な素子と成り得
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明光磁気記録素子の層構成を示す断面図、
第２図は磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの関係並びに磁化Ｍｓと
Ｍｓ　Ｘ　Ｈｃの関係を表わす線図、第３図及び第５図
はバイアス磁界とＣ／Ｈの関係を表わす線図、第４図は
Ｍｓ　Ｘ　Ｈｃと記録保持磁界の闇値の関係を表わす線
図である。 ｌ・・・基板 ２・・・窒化シリコン誘電体層 ３・・・磁性体層 ４・・・保護層 ５・・・樹脂被覆層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 バ１了ス乃龜ｖ３患度（Ｏｅ） 第５図 バイ了ス本３堺５ム度（Ｏｅ）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に誘電体層及び非晶質垂直磁化膜を有する
   光磁気記録素子において、前記垂直磁化膜が希土類金属
   成分として少なくともＧｄ元素及び遷移金属成分として
   Ｆｅ元素を含有し且つＦｅ副格子磁化優勢であり、前記
   誘電体層が非晶質窒化シリコンから成り、更に前記光磁
   気記録素子はその垂直磁化膜の磁化Ｍｓが２０ｅｍｕ／
   ｃｃ≦Ｍｓ≦７０ｅｍｕ／ｃｃに且つ該磁化Ｍｓと保磁
   力Ｈｃの積が１００ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃ≦Ｍｓ・Ｈｃ
   ≦５００ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃの範囲内となるように設
   定されていることを特徴とする光磁気記録素子。
2. （２）前記垂直磁化膜の磁化Ｍｓが３０ｅｍｕ／ｃｃ≦
   Ｍｓ≦５５ｅｍｕ／ｃｃの範囲内となるように設定され
   ている請求項（１）記載の光磁気記録素子。
3. （３）前記垂直磁化膜の磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの積が１
   ５０ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃ≦Ｍｓ・Ｈｃ≦４００ｅｍｕ
   ・ｋＯｅ／ｃｃの範囲内となるように設定されている請
   求項（１）記載の光磁気記録素子。
4. （４）前記非晶質窒化シリコン誘電体層が５×１０＾９
   乃至１０×１０＾９ｄｙｎｅ／ｃｍ＾２の圧縮応力を有
   するものである請求項（１）記載の光磁気記録素子。
5. （５）前記垂直磁化膜がＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、
   ＧｄＴｂＤｙＦｅ、ＮｄＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＧｄＤｙＦ
   ｅ又はＮｄＧｄＴｂＤｙＦｅの合金である請求項（１）
   記載の光磁気記録素子。
6. （６）前記垂直磁化膜が下記式 （Ｇｄ＿ｙＤｙ＿ｉ＿−＿ｙ）＿ｘＦｅ＿ｉ＿−＿ｘ式
   中のｙは０．３０乃至０．９５であり、 ｘは０．１７乃至０．２５である で表わされる合金から成る請求項（１）記載の光磁気記
   録素子。