JPH01200601A - 温度検出装置 - Google Patents
温度検出装置Info
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- JPH01200601A JPH01200601A JP63317579A JP31757988A JPH01200601A JP H01200601 A JPH01200601 A JP H01200601A JP 63317579 A JP63317579 A JP 63317579A JP 31757988 A JP31757988 A JP 31757988A JP H01200601 A JPH01200601 A JP H01200601A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、温度の検出に係り、更に詳細には非常に高い
温度の検出に係る。本発明は特にオーブン等の内部の温
度を検出する装置に適用され得るものであり、かかる実
施例について本発明を説明するが、本発明はより広い局
面を有し、他の環境の温度を検出するためにも使用され
得るものである。
温度の検出に係る。本発明は特にオーブン等の内部の温
度を検出する装置に適用され得るものであり、かかる実
施例について本発明を説明するが、本発明はより広い局
面を有し、他の環境の温度を検出するためにも使用され
得るものである。
産業上の利用分野
温度検出プローブの両端部の間の温度勾配は非常に大き
くなることが多い。かかる大きい温度勾配及びプローブ
の検出端に於ける温度が非常に高くなることによりプロ
ーブが損傷されたりプローブの寿命が大きく低減される
ことが多い。
くなることが多い。かかる大きい温度勾配及びプローブ
の検出端に於ける温度が非常に高くなることによりプロ
ーブが損傷されたりプローブの寿命が大きく低減される
ことが多い。
従ってプローブの損傷の虞れが低減され、またプローブ
の寿命が長くなるような態様にて温度検出プローブを組
立てることが望ましい。
の寿命が長くなるような態様にて温度検出プローブを組
立てることが望ましい。
発明の概要
本発明によれば、温度検出プローブは全長に沿ってセラ
ミック基体に溶着された一対の互に隔置された細長い導
電ストリップを含んでいる。導電ストリップの一端はセ
ラミック基体に接着されたプラチナ抵抗温度測定要素に
接続されている。
ミック基体に溶着された一対の互に隔置された細長い導
電ストリップを含んでいる。導電ストリップの一端はセ
ラミック基体に接着されたプラチナ抵抗温度測定要素に
接続されている。
一つの好ましい構成に於ては、導電ストリップはセラミ
ック基体上に配置されしかる後基体に溶着させるべく焼
成された導電性を有する厚い膜状のセラミック材料を含
んでいる。
ック基体上に配置されしかる後基体に溶着させるべく焼
成された導電性を有する厚い膜状のセラミック材料を含
んでいる。
導電ストリップは金線によりプラチナ抵抗温度測定要素
と接続されている。
と接続されている。
導電ストリップの温度測定要素の側とは反対の側の端部
、即ち低温側の端部は導電性エポキシ樹脂の如き導電性
を有する接着剤にて電気端子に接続されている。
、即ち低温側の端部は導電性エポキシ樹脂の如き導電性
を有する接着剤にて電気端子に接続されている。
かくして組立てられたセラミック基体は温度検出プロー
ブを形成すべく金属鞘内に挿入される。
ブを形成すべく金属鞘内に挿入される。
本発明の主要な目的は、高温及び高い温度勾配に耐える
ことのでき−る温度検出プローブを提供することである
。
ことのでき−る温度検出プローブを提供することである
。
本発明の他の一つの目的は、比較的経済的に製造し組立
てることのできる温度検出プローブを提供することであ
る。
てることのできる温度検出プローブを提供することであ
る。
以下に添付の図を参照しつつ、本発明を実施例について
訂細に説明する。
訂細に説明する。
実施例
第１図はアルミナ等よりなる実質的に平坦で矩形をなす
セラミック基体Ａを示している。基体Ａはその全長に沿
って延在する実質的に平坦な面１０を有している。
セラミック基体Ａを示している。基体Ａはその全長に沿
って延在する実質的に平坦な面１０を有している。
基体の面１０には一対の互いに隔置された細長い導電ス
トリップ１２及び１４が設けられている。
トリップ１２及び１４が設けられている。
好ましい構成に於ては、導電ストリップ１２．１４は導
電性を有するセラミック上薬のストリップを基体の表面
に適用し、次いでそのストリップを焼成してストリップ
をその全長に沿って基体の表面に溶着させることにより
形成される。かくして導電ストリップ１２．１４は導電
性を有する厚い膜である。基体Ａ及び導電ストリップ１
２．１４の何れもセラミックよりなっており互いに溶む
されているので、それらの熱膨張係数は非常に近く、従
って導電ストリップに破損が生じる虞れは非常に低い。
電性を有するセラミック上薬のストリップを基体の表面
に適用し、次いでそのストリップを焼成してストリップ
をその全長に沿って基体の表面に溶着させることにより
形成される。かくして導電ストリップ１２．１４は導電
性を有する厚い膜である。基体Ａ及び導電ストリップ１
２．１４の何れもセラミックよりなっており互いに溶む
されているので、それらの熱膨張係数は非常に近く、従
って導電ストリップに破損が生じる虞れは非常に低い。
プラチナ抵抗温度測定チップＢがセラミック接着剤１６
を使用する等の方法によって基体の面１０に取付けられ
ている。チップＢは温度と共に抵抗が変化する可変抵抗
装置を郭定している。プラチナ抵抗回路１８が溶射等に
よって薄い膜の形態にてチップＢ上に溶着され、写真平
版的に成形されている。勿論他の型式の温度検出デバイ
スが使用されてもよい。
を使用する等の方法によって基体の面１０に取付けられ
ている。チップＢは温度と共に抵抗が変化する可変抵抗
装置を郭定している。プラチナ抵抗回路１８が溶射等に
よって薄い膜の形態にてチップＢ上に溶着され、写真平
版的に成形されている。勿論他の型式の温度検出デバイ
スが使用されてもよい。
超音波溶接、熱圧着（熱及び圧力）又はサーモソニック
溶接（熱及び超音波パワー）により、金線２２．２４が
導電ストリップ１２．１４及び抵抗回路１８に接続され
ている。このことにより温度検出プローブの高温側の端
部が非常に信頼性の高いものにされている。金線及び超
音波溶接部はストリップ１２．１４を抵抗回路１８と導
電接続するための接続手段を郭定している。
溶接（熱及び超音波パワー）により、金線２２．２４が
導電ストリップ１２．１４及び抵抗回路１８に接続され
ている。このことにより温度検出プローブの高温側の端
部が非常に信頼性の高いものにされている。金線及び超
音波溶接部はストリップ１２．１４を抵抗回路１８と導
電接続するための接続手段を郭定している。
ストリップ１２．１４の他端部、即ち低温側の端部は導
電性エポキシ樹脂の如き導電性を有する接着剤を使用す
ることにより従来の導線２８．３０と接続されている。
電性エポキシ樹脂の如き導電性を有する接着剤を使用す
ることにより従来の導線２８．３０と接続されている。
導線２８．３０は可変抵抗装置Ｂを電気回路に接続する
ための適当なコネクタ３４に取付けられている。
ための適当なコネクタ３４に取付けられている。
セラミック基体Ａは温度検出プローブを形成するよう金
属製の保護鞘Ｃに受入れられるようになっている。鞘Ｃ
の直径はセラミック基体Ａの幅よりも僅かに大きく、従
って基体Ａの全長が鞘Ｃ内にその中心より下方の位置に
て受入れられるようになっている。鞘Ｃの端部３８が環
境の温度を検出するための好ましい位置に位置決めされ
た状態にて鞘Ｃを所望の位置に装着するための適当な装
着ブラケット３６が鞘Ｃに設けられている。可変抵抗装
置Ｂは鞘Ｃの端部３８に隣接して鞘Ｃ内に配置される。
属製の保護鞘Ｃに受入れられるようになっている。鞘Ｃ
の直径はセラミック基体Ａの幅よりも僅かに大きく、従
って基体Ａの全長が鞘Ｃ内にその中心より下方の位置に
て受入れられるようになっている。鞘Ｃの端部３８が環
境の温度を検出するための好ましい位置に位置決めされ
た状態にて鞘Ｃを所望の位置に装着するための適当な装
着ブラケット３６が鞘Ｃに設けられている。可変抵抗装
置Ｂは鞘Ｃの端部３８に隣接して鞘Ｃ内に配置される。
実質的に平坦で矩形をなすセラミック基体Ａの代わりに
、他の形状の基体が使用されてもよい。
、他の形状の基体が使用されてもよい。
例えば基体Ａは実質的に三角形の断面形状を有し、三角
形の三つの平坦面の内の一つが面１０であってよい。導
電ストリップ１２．１４はセラミック基体Ａの長さの主
要な部分に亘り延在しており、１＋Ｊ変抵抗装置Ｂは基
体Ａの一端に隣接して装着されている。金線２２．２４
は可変抵抗装置を導電ストリップに接続するための信頼
性の高い接続手段を与えている。抵抗回路１８はセラミ
ックダイ上に装着されており、セラミックダイは基体Ａ
に接着されている。
形の三つの平坦面の内の一つが面１０であってよい。導
電ストリップ１２．１４はセラミック基体Ａの長さの主
要な部分に亘り延在しており、１＋Ｊ変抵抗装置Ｂは基
体Ａの一端に隣接して装着されている。金線２２．２４
は可変抵抗装置を導電ストリップに接続するための信頼
性の高い接続手段を与えている。抵抗回路１８はセラミ
ックダイ上に装着されており、セラミックダイは基体Ａ
に接着されている。
例えば導電ストリップ１２．１４はセラミック上−の導
電性を有するインクを使用することにより厚い膜として
基体Ａ上に配置され、次いで基体及びその厚い膜のスト
リップが焼成されて互いに溶着される。焼成温度は種々
の温度であってよく例えば約８５０℃であってよい。抵
抗回路１８は薄い膜を形成すべく公知の態様にて溶射を
行なう等の方法によってそのセラミックダイ上に形成さ
れる。セラミックダイはアルミナやサファイアであって
よい。導電性を有するセラミック上薬及び接着剤はそれ
らに導電性を有する金属粒子を充填することにより形成
される。
電性を有するインクを使用することにより厚い膜として
基体Ａ上に配置され、次いで基体及びその厚い膜のスト
リップが焼成されて互いに溶着される。焼成温度は種々
の温度であってよく例えば約８５０℃であってよい。抵
抗回路１８は薄い膜を形成すべく公知の態様にて溶射を
行なう等の方法によってそのセラミックダイ上に形成さ
れる。セラミックダイはアルミナやサファイアであって
よい。導電性を有するセラミック上薬及び接着剤はそれ
らに導電性を有する金属粒子を充填することにより形成
される。
可変抵抗装置は抵抗回路を流れる起電流を測定するホイ
ートストンブリッジの一つの脚部に接続されていてよい
。本発明の温度検出プローブはセルフクリーニング式の
オーブンに於てドアを閉じられた状態にロックするため
のソレノイドへ信号を供給するために使用されてよい。
ートストンブリッジの一つの脚部に接続されていてよい
。本発明の温度検出プローブはセルフクリーニング式の
オーブンに於てドアを閉じられた状態にロックするため
のソレノイドへ信号を供給するために使用されてよい。
また本発明のプローブは加熱要素の作動を停止させたり
それを調節したりして所望の温度を維持するために使用
されてもよい。導電ストリップ１２．１４の抵抗は可変
抵抗装置Ｂの抵抗に比して小さく、従って可変抵抗装置
Ｂの温度性能に対し及ぼす影響は無視し得るものである
。
それを調節したりして所望の温度を維持するために使用
されてもよい。導電ストリップ１２．１４の抵抗は可変
抵抗装置Ｂの抵抗に比して小さく、従って可変抵抗装置
Ｂの温度性能に対し及ぼす影響は無視し得るものである
。
プローブの低温側の端部に於て導電ストリップ１２．１
４に導線２８．３０を接続するのではなく、低温側の端
部を直接コネクタのソケット内に挿入することも可能で
ある。第３図は互いに隔置された脚部４０．４２及び外
方へ湾曲された端部４４．４６を有する実質的にＵ形を
なすコネクタ端子ＤＳＥを示している。端子り、Ｅはコ
ネクタボディ内に装着されており、該コネクタボディ内
に於て導線が端子ＤＳＥに適宜に接続されている。
４に導線２８．３０を接続するのではなく、低温側の端
部を直接コネクタのソケット内に挿入することも可能で
ある。第３図は互いに隔置された脚部４０．４２及び外
方へ湾曲された端部４４．４６を有する実質的にＵ形を
なすコネクタ端子ＤＳＥを示している。端子り、Ｅはコ
ネクタボディ内に装着されており、該コネクタボディ内
に於て導線が端子ＤＳＥに適宜に接続されている。
このことによりプローブの低温側の端部を端子Ｄ１Ｅ内
へ直接挿入することができる。脚部４０．４２は基体Ａ
を弾性的に把持し、ストリップ１２．１４に導電可能に
摩擦係合する。
へ直接挿入することができる。脚部４０．４２は基体Ａ
を弾性的に把持し、ストリップ１２．１４に導電可能に
摩擦係合する。
第４図は外方へ湾曲された外端部５４．５６を有する互
いに隔置されたブレード５０．５２を収容し、外端部５
４．５６の間に入口ソケット６０が郭定されたコネクタ
ボディＦを示している。ブレード５０．５２の内端部は
内方へ湾曲されており、締結装置６４により導線６２に
クランプされた状態で互いに固定されている。ブレード
５０．５２の間の間隔は基体Ａ及びストリップ１２．１
４の厚さよりも小さく、従って基体及びストリップはブ
レードの間に弾性的に把持されるようになっている。
いに隔置されたブレード５０．５２を収容し、外端部５
４．５６の間に入口ソケット６０が郭定されたコネクタ
ボディＦを示している。ブレード５０．５２の内端部は
内方へ湾曲されており、締結装置６４により導線６２に
クランプされた状態で互いに固定されている。ブレード
５０．５２の間の間隔は基体Ａ及びストリップ１２．１
４の厚さよりも小さく、従って基体及びストリップはブ
レードの間に弾性的に把持されるようになっている。
以上に於ては本発明を特定の実施例について詳細に説明
したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内にて他の種々の実施例が可能であ
ることは当業者にとって明らかであろう。
したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内にて他の種々の実施例が可能であ
ることは当業者にとって明らかであろう。
第１図は本発明に従って構成された温度検出装置を示す
斜視図である。 第２図は第１図の温度検出装置を受入れる保護鞘を示す
斜視図である。 第３図はセラミック基体の低温側の端部に直接接続され
た端子を示す部分斜視図である。 第４図はセラミック基体の低温側の端部に直接接続され
てよい端子の側面図である。 １０・・・基体の面、１２．１４・・・導電ストリップ
２１６・・・セラミック接着剤、１８・・・抵抗回路、
２２．２４・・・金線、２８．３０・・・導線、３４・
・・導電体。 ３６・・・ブラケット、４０，４２・・・脚部、５０．
５２・・・ブレード、６０・・・ソケット、６２・・・
導線、６４・・・締結装置 ＦＩＧ、’３ ＦＩＧ、４
斜視図である。 第２図は第１図の温度検出装置を受入れる保護鞘を示す
斜視図である。 第３図はセラミック基体の低温側の端部に直接接続され
た端子を示す部分斜視図である。 第４図はセラミック基体の低温側の端部に直接接続され
てよい端子の側面図である。 １０・・・基体の面、１２．１４・・・導電ストリップ
２１６・・・セラミック接着剤、１８・・・抵抗回路、
２２．２４・・・金線、２８．３０・・・導線、３４・
・・導電体。 ３６・・・ブラケット、４０，４２・・・脚部、５０．
５２・・・ブレード、６０・・・ソケット、６２・・・
導線、６４・・・締結装置 ＦＩＧ、’３ ＦＩＧ、４
Claims (2)
- （１）長手方向に沿って延在する実質的に平坦な面を有
する細長いセラミック部材と、 前記実質的に平坦な面に沿って延在し全長に亘り前記セ
ラミック部材に接合された一対の互いに隔置された細長
い導電ストリップと、 温度と共に変化する抵抗を有し前記セラミック部材上に
装着された可変抵抗装置と、 前記導電ストリップを前記可変抵抗装置と導電接続する
接続手段と、 を含む温度検出装置。 - （２）両端を有する細長いセラミック部材と、温度と共
に変化する抵抗を有し、前記両端のうちの一端に隣接し
て前記セラミック部材上に装着された可変抵抗装置と、 前記セラミック部材上に装着され前記両端の間に前記セ
ラミック部材に沿って延在する細長い導電体と、 前記導電体を前記可変抵抗装置と接続する接続手段と、 を含む温度検出装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/134,881 US4841273A (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | High temperature sensing apparatus |
| US134,881 | 1987-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200601A true JPH01200601A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=22465435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63317579A Pending JPH01200601A (ja) | 1987-12-18 | 1988-12-15 | 温度検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4841273A (ja) |
| EP (1) | EP0322338A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01200601A (ja) |
| CA (1) | CA1314730C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012508870A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 |
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| US5726624A (en) * | 1996-07-01 | 1998-03-10 | Honeywell Inc. | Temperature sensor with internal rigid substrate |
| US6354736B1 (en) * | 1999-03-24 | 2002-03-12 | Honeywell International Inc. | Wide temperature range RTD |
| US6341892B1 (en) * | 2000-02-03 | 2002-01-29 | George Schmermund | Resistance thermometer probe |
| FR2836205B1 (fr) * | 2002-02-15 | 2004-06-18 | Renault | Procede de determination de la temperature instantanee d'un gaz sous pression, notamment d'un gaz pour une pile a combustible |
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| US20100033295A1 (en) | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Therm-O-Disc, Incorporated | High temperature thermal cutoff device |
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| CN103515041B (zh) | 2012-06-15 | 2018-11-27 | 热敏碟公司 | 用于热截止装置的高热稳定性丸粒组合物及其制备方法和用途 |
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