JPS6057903A - サ−ミスタ - Google Patents
サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS6057903A JPS6057903A JP16641283A JP16641283A JPS6057903A JP S6057903 A JPS6057903 A JP S6057903A JP 16641283 A JP16641283 A JP 16641283A JP 16641283 A JP16641283 A JP 16641283A JP S6057903 A JPS6057903 A JP S6057903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- glass
- lead wire
- sealing
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性と高温安定性を向上させたガラス封着
タイプのサーミスタに関する。
タイプのサーミスタに関する。
従来、ガラス付着タイプのサーミスタは、第１図および
第２図に示す引出しリード線１で素子３を挟んで直接接
触させ、素子３の周縁部を封着ガラス２で封着固定した
タイプのものと、第３図に示す素子３に白金線４の電極
を植入み、この白金線４と引出しリード線ｌとを接続し
、素子３とその接続部分の周縁部を封着ガラス２で封着
固定したタイプのものなどがある。
第２図に示す引出しリード線１で素子３を挟んで直接接
触させ、素子３の周縁部を封着ガラス２で封着固定した
タイプのものと、第３図に示す素子３に白金線４の電極
を植入み、この白金線４と引出しリード線ｌとを接続し
、素子３とその接続部分の周縁部を封着ガラス２で封着
固定したタイプのものなどがある。
従来のタイプのサーミスタでは、リード線としては封着
ガラスとの密着性の良いジュメット線が一般に用いられ
、封着ガラス部としては鉛ガラスが用いられ、加熱溶融
させて封着固定させて製造する。
ガラスとの密着性の良いジュメット線が一般に用いられ
、封着ガラス部としては鉛ガラスが用いられ、加熱溶融
させて封着固定させて製造する。
このような従来のサーミスタの構成において、引出しリ
ード線としてジュメット線また封着ガラスとして鉛ガラ
スを用いたものを４５０℃以上の高温度領域で使用する
と、引出しリード線の酸化がガラス封着内部まで進行し
てサーミスタ特性が著しく変化を起こし最終的に破損す
る危険がある。
ード線としてジュメット線また封着ガラスとして鉛ガラ
スを用いたものを４５０℃以上の高温度領域で使用する
と、引出しリード線の酸化がガラス封着内部まで進行し
てサーミスタ特性が著しく変化を起こし最終的に破損す
る危険がある。
また封着ガラスの加熱溶融による素子との反応によって
サーミスタ特性を著しく変化させる問題点がある。
サーミスタ特性を著しく変化させる問題点がある。
以上の点に鑑みて本発明は５５０℃以上の高温度領域で
の使用に耐え得る高い耐熱性を有し、サーミスタ特性が
高温で安定なサーミスタを提供することを目的とする。
の使用に耐え得る高い耐熱性を有し、サーミスタ特性が
高温で安定なサーミスタを提供することを目的とする。
本発明者等は、耐熱性および高温安定性の良好なサーミ
スタについて種々研究を行い次の知見を得た。
スタについて種々研究を行い次の知見を得た。
ｆｌｌ ５５０℃以」二の高温度領域での使用に耐える
ためには封着ガラスの軟化点が６７０℃以上であること
が必要であるが、軟化点が高くてもソーダガラスや鉛ガ
ラスなどの体積抵抗率ｌｏｇ （Ω・Ｃｌ）の低いもの
は高温度領域での通電によって封着ガラスの内部に変質
を起しサーミスタ特性の安定性が悪くなる。
ためには封着ガラスの軟化点が６７０℃以上であること
が必要であるが、軟化点が高くてもソーダガラスや鉛ガ
ラスなどの体積抵抗率ｌｏｇ （Ω・Ｃｌ）の低いもの
は高温度領域での通電によって封着ガラスの内部に変質
を起しサーミスタ特性の安定性が悪くなる。
しかし硼珪酸ガラスは一般に高温度領域での体積抵抗率
が大きい傾向にあり、封着ガラスとして軟化点６７０℃
以上の硼珪酸ガラスを用いたサーミスタは高温度領域に
おいて通電にもサーミスタ特性の変化率が小さい。
が大きい傾向にあり、封着ガラスとして軟化点６７０℃
以上の硼珪酸ガラスを用いたサーミスタは高温度領域に
おいて通電にもサーミスタ特性の変化率が小さい。
（２）クロムメッキをした施した引出しリード線を用い
ると高温度領域におせる耐酸化性に優れ、しかも封着ガ
ラスとの密着性が良好であるので高温度領域と常温領域
とのと一トサイクルによるサーミスタ特性の変化率が一
層小さくなる。
ると高温度領域におせる耐酸化性に優れ、しかも封着ガ
ラスとの密着性が良好であるので高温度領域と常温領域
とのと一トサイクルによるサーミスタ特性の変化率が一
層小さくなる。
本発明は以上の如き知見に基づいて得られたものであっ
て、サーミスタ素子の封着固定に軟化点６７０℃以上の
硼珪酸ガラスを用いることを特徴とし、更に好ましくは
引出しリード線の少なくともガラス封着される部分が厚
さ０．１〜２０ｔｔｔｇでクロムメッキを施されている
ことを特徴とする。
て、サーミスタ素子の封着固定に軟化点６７０℃以上の
硼珪酸ガラスを用いることを特徴とし、更に好ましくは
引出しリード線の少なくともガラス封着される部分が厚
さ０．１〜２０ｔｔｔｇでクロムメッキを施されている
ことを特徴とする。
本発明において引出しリード線は、耐熱性の高いものが
選ばれるが、たとえばＮ１、Ｎｉ −Ｃｒ合金、Ｎｊ−
Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｎ１−Ｗ合金、Ｎｊ −Ｆｅ合金及び
Ｎｊ−Ｃｏ −Ｆｅ合金等のいずれかからなる。
選ばれるが、たとえばＮ１、Ｎｉ −Ｃｒ合金、Ｎｊ−
Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｎ１−Ｗ合金、Ｎｊ −Ｆｅ合金及び
Ｎｊ−Ｃｏ −Ｆｅ合金等のいずれかからなる。
引出しリード線のクロムメッキ厚さが０．１μｍ以下で
は硼珪酸ガラスとの密着性が悪く、更に高温度領域での
耐酸化性も悪くなる。
は硼珪酸ガラスとの密着性が悪く、更に高温度領域での
耐酸化性も悪くなる。
またクロムメッキ厚さが２０ＩｉＩ１１以上では引出し
リード線の柔軟性が損なわれ、メブキ皮膜に微細な亀裂
が入りやす（なって封着ガラスとの密着性が必ずしも良
好でなくなる。なお耐熱性が高い引出しリード線を用い
る場合はガラス封着に相当する部分のみクロムメッキを
するだけでも本発明の目的とするサーミスタが得られる
。
リード線の柔軟性が損なわれ、メブキ皮膜に微細な亀裂
が入りやす（なって封着ガラスとの密着性が必ずしも良
好でなくなる。なお耐熱性が高い引出しリード線を用い
る場合はガラス封着に相当する部分のみクロムメッキを
するだけでも本発明の目的とするサーミスタが得られる
。
本発明において硼珪酸ガラスとしてはアルカリ金属酸化
物の含有量のずくないものを用いると一般に体積抵抗率
が大きくなり良好である。
物の含有量のずくないものを用いると一般に体積抵抗率
が大きくなり良好である。
また硼珪酸ガラスの軟化点が６７０℃以下では５５０℃
以上の高温度領域で封着ガラスが変形したりガラスの加
熱溶融にＪ：る素子との反応によってサーミスタ特性を
変化させ本発明の目的とするサーミスタが１すられない
。
以上の高温度領域で封着ガラスが変形したりガラスの加
熱溶融にＪ：る素子との反応によってサーミスタ特性を
変化させ本発明の目的とするサーミスタが１すられない
。
なお本発明においてガラス封着を完全にするため引出し
リード線と封着ガラスとの膨張係数をほぼ一致させるこ
とが好ましい。
リード線と封着ガラスとの膨張係数をほぼ一致させるこ
とが好ましい。
次に本発明のサーミスタの製造を添付の図面を参照して
説明する。第１図および第２図のタイプのサーミスタは
クロムメッキを施した引出しリード線１に金ロウで素子
３をつけたのち、軟化点６７０℃以上の硼珪酸ガラス管
（直径０．６〜２．５ｍφ、長さ２〜Ｂ＋ｎｍ）を素子
部に通したのち、９００〜１２００℃の温度で加熱して
溶融封着する。
説明する。第１図および第２図のタイプのサーミスタは
クロムメッキを施した引出しリード線１に金ロウで素子
３をつけたのち、軟化点６７０℃以上の硼珪酸ガラス管
（直径０．６〜２．５ｍφ、長さ２〜Ｂ＋ｎｍ）を素子
部に通したのち、９００〜１２００℃の温度で加熱して
溶融封着する。
また第３図のタイプのサーミスタは白金線４の電極を植
込れた素子３の白金線４をクロムメッキを施したリード
線１に接続し、軟化点６７０”Ｃ以上の硼珪酸ガラス管
（直径０．６〜２．５ｍｍφ、長さ２〜８ｍｍ）を素子
と白金線の接続分まで通したのち、９００〜１２００℃
の温度で加熱して溶融封着する。
込れた素子３の白金線４をクロムメッキを施したリード
線１に接続し、軟化点６７０”Ｃ以上の硼珪酸ガラス管
（直径０．６〜２．５ｍｍφ、長さ２〜８ｍｍ）を素子
と白金線の接続分まで通したのち、９００〜１２００℃
の温度で加熱して溶融封着する。
本発明のサーミスタは封着ガラスとして軟化点６７０℃
以上の硼珪酸ガラスをもちいているので耐熱性が高くま
た高温度領域における通電によっても封着ガラス内部に
全く変化が起きずサーミスタ特性が安定である。
以上の硼珪酸ガラスをもちいているので耐熱性が高くま
た高温度領域における通電によっても封着ガラス内部に
全く変化が起きずサーミスタ特性が安定である。
また引出しリード線の表面にクロムメッキを施した場合
、耐熱性が向上し、しかもガラス封着時に酸化クロムの
うすい皮膜を生じ、この皮膜が硼珪酸ガラスとの密着性
を良好にするので素子の部分の封着が完璧となる。その
結果、５５０℃以上の高温度領域に長時間さらされたり
また高温度領域と當温領域とのヒートサイクルによって
も引出しリード線の酸化がガラス封着内部まで進行する
ようなことは起きずサーミスタ特性が安定である。
、耐熱性が向上し、しかもガラス封着時に酸化クロムの
うすい皮膜を生じ、この皮膜が硼珪酸ガラスとの密着性
を良好にするので素子の部分の封着が完璧となる。その
結果、５５０℃以上の高温度領域に長時間さらされたり
また高温度領域と當温領域とのヒートサイクルによって
も引出しリード線の酸化がガラス封着内部まで進行する
ようなことは起きずサーミスタ特性が安定である。
以下実施例によって本発明を具体的に説明する。
実流頁
３００℃に於ける抵抗値が２６にΩ（３００〜５００℃
のＢ定数６１００ｋ ）となるように第１表に示す条件
で本発明に従いサーミスタを製造した。これらについて
通電安定性試験およびヒートサイクル試験を行い、試験
後の抵抗変化率（Ｘ１００％、Ｒｏ；初期抵抗、Ｒｔｉ
ｔ時間後の抵抗）を第１表に示した。
のＢ定数６１００ｋ ）となるように第１表に示す条件
で本発明に従いサーミスタを製造した。これらについて
通電安定性試験およびヒートサイクル試験を行い、試験
後の抵抗変化率（Ｘ１００％、Ｒｏ；初期抵抗、Ｒｔｉ
ｔ時間後の抵抗）を第１表に示した。
比較のために封着ガラスとしてソーダガラス、鉛ガラス
および軟化点６７０℃以下の硼珪酸ガラスを用いたサー
ミスタおよびクロムメッキを施さない引出しリード線を
用いたサーミスタについて同様に試験を行いその結果を
第１表に示した。
および軟化点６７０℃以下の硼珪酸ガラスを用いたサー
ミスタおよびクロムメッキを施さない引出しリード線を
用いたサーミスタについて同様に試験を行いその結果を
第１表に示した。
なお通電安定性試験は５８０℃において０．７ｍＨを印
加して１０００時間後の抵抗変化率を３００℃で測定す
ることにより実施した。
加して１０００時間後の抵抗変化率を３００℃で測定す
ることにより実施した。
またヒートサイクル試験は５８０℃に２０分間放置後直
ちに常温で１０分間風冷を行うのを１サイクルとして１
０００サイクル後、３００℃に維持して変化率を測定し
て実施した。
ちに常温で１０分間風冷を行うのを１サイクルとして１
０００サイクル後、３００℃に維持して変化率を測定し
て実施した。
第１表に示す結果から明らかな如く、本発明に従うサー
ミスタは通電安定性試験後の抵抗変化率がいずれも約１
０％以下と低く、ヒートサイクル試験後の抵抗変化率も
約６％以下と低く、優れた耐熱性および高温安定性を有
することが解かる。比較のため本発明の範囲外で製造し
たサーミスタは上記通電安定性試験およびヒートサイク
ル試験中に破損したり、５８０℃以上の高温での使用に
耐えないほどの抵抗変化を示している。
ミスタは通電安定性試験後の抵抗変化率がいずれも約１
０％以下と低く、ヒートサイクル試験後の抵抗変化率も
約６％以下と低く、優れた耐熱性および高温安定性を有
することが解かる。比較のため本発明の範囲外で製造し
たサーミスタは上記通電安定性試験およびヒートサイク
ル試験中に破損したり、５８０℃以上の高温での使用に
耐えないほどの抵抗変化を示している。
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明はこれ
らの実施例に制限されるものではなく、特に第１図乃至
第３図に示すタイプのサーミスタにも限定されるもので
はない。
らの実施例に制限されるものではなく、特に第１図乃至
第３図に示すタイプのサーミスタにも限定されるもので
はない。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図はガラス封着タイプのサー
ミスタの縦断面図を示す。 （参照番号） １：引出しリード線、 ０ ２：封着ガラス、 ３：素子、 ４：白金線 出願人 三井金属鉱業株式会社 代理人 弁理士 新居 正彦 １
ミスタの縦断面図を示す。 （参照番号） １：引出しリード線、 ０ ２：封着ガラス、 ３：素子、 ４：白金線 出願人 三井金属鉱業株式会社 代理人 弁理士 新居 正彦 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１サーミスタ素子と、該素子と電気的に接続する引
出しリード線と、該素子及び該引出しリード線の接続部
分を封着固定するガラス部とからなり、該ガラス部は軟
化点６７０℃以上の硼珪酸ガラスから構成されることを
特徴とするサーミスタ。 ＋２１該引出しリード線の少なくともガラス封着される
部分は０．１〜２０．ｌｊ＋ｎの厚さでクロムメッキさ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
サーミスタ。 （３）該引出しリード線は、Ｎｉ、 Ｎｉ−Ｃｒ合金、
Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金
及びＮｊ−Ｃｏ−Ｆｅ合金のいずれか１種からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項のいず
れかに記載のサーミスタ。 （４）該引出しリード線は該素子に金ロウ付されている
か或いは白金線を介して接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の
サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16641283A JPS6057903A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16641283A JPS6057903A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057903A true JPS6057903A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0358161B2 JPH0358161B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=15830940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16641283A Granted JPS6057903A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200601A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-08-11 | Emerson Electric Co | 温度検出装置 |
| US4977943A (en) * | 1988-05-14 | 1990-12-18 | Jujo Paper Co., Ltd. | Waste paper de-inking process using multi-stage vertical column vapor-liquid mixer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453486A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16641283A patent/JPS6057903A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453486A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200601A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-08-11 | Emerson Electric Co | 温度検出装置 |
| US4977943A (en) * | 1988-05-14 | 1990-12-18 | Jujo Paper Co., Ltd. | Waste paper de-inking process using multi-stage vertical column vapor-liquid mixer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358161B2 (ja) | 1991-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |