JPH01200636A - 半導体基板熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造工程において半導体基板（以下、ウ
ェハという）の熱処理を行う半導体基板熱処理装置に関
するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体基板熱処理装置の雰囲気置換ガス
は供給源から送られてきたガスを装置内でフィルタリン
グした後、直接処理室へ導入していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の半導体基板熱処理装置では、供給源から
のガスを直接処理室へ導入するので、処理室の温度に比
して低い温度のガスで雰囲気の置換を行うため、ウェハ
の温度の上昇度を悪くしていたにのことは特にウェハを
プレート上にわずかに浮かせた状態で熱処理を行う型式
の熱処理装置では顕著に発生していた。

本発明の目的は前記課題を解決した半導体基板熱処理装
置を提供することにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

上述した従来の半導体基板熱処理装置に対し、本発明は
処理室雰囲気置換ガスの温調機構をもっという相違点を
有する。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明の半導体基板熱処理装
置においては、熱処理室へ供給される雰囲気置換ガスの
温度調整を行う温調機構を装備したものである。

（実施例〕 以下、本発明の実施例を図により説明する。

（実施例１） 第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。

第１図において、６は処理室、７は処理室６内の半導体
基板８を加熱するプレート、１は置換ガス供給源、２は
フィルタ、３は減圧弁、４は流量計である６ 本発明は供給源１から処理室６内に供給される置換ガス
ａの温度調整を行う温調器５を装備したものである。

実施例において、処理室雰囲気置換ガスａは供給源１よ
り送られる。その後フィルタ２．減圧弁３、流量計４．
温調器５を通ってウェハの熱処理室６へと導入される。

本発明では置換ガスａを温調器５を通すことにより、置
換ガスａの温度を熱処理温度と等しくすることが可能と
なる。

（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す構成図である６本実施
例では実施例１で用いた温調器５としてプレート７を用
いるものであり、置換ガスａをプレート７内を流すこと
により置換ガスａの温度制御をプレート温度に同期させ
て行う。この実施例では温調器５として既設のプレート
７を用いるため、価格的にも安価で、かつ装置全体のコ
ンパクト化も可能であるという利点をもつ。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は置換ガスの温調機能を有す
ることにより、ウェハ熱処理時におけるウェハ温度の上
昇時間が短縮でき、処理能力向上に役立つという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１を示す配管系統図、第２図は
実施例２の配管系統図である。 １・・・置換ガス供給源　　　２・・・フィルタ３・・
・減圧弁　　　　　　４・・・流量計５・・・温調器　
　　　　　　６・・・処理室７・・・プレート　　　　
　　８・・・ウェハａ・・・置換ガス 特許出願人　　九州日本電気株式会社 代理人　弁理士管灯　中゛“・；。 そノ 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、温度コントロールされたプレート上に半導体基板を
   近接させて熱処理を行う半導体基板熱処理装置において
   、熱処理室へ供給される雰囲気置換ガスの温度調整を行
   う温調機構を装備したことを特徴とする半導体基板熱処
   理装置。