JPS63181324A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPS63181324A JPS63181324A JP1237787A JP1237787A JPS63181324A JP S63181324 A JPS63181324 A JP S63181324A JP 1237787 A JP1237787 A JP 1237787A JP 1237787 A JP1237787 A JP 1237787A JP S63181324 A JPS63181324 A JP S63181324A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sample
- processing
- supply line
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理方法及び装置に係り、特に半導
体素子基板等の試料を温度制御してプラズマ処理するの
に好適なプラズマ処理方法及び装置に関するものである
。
体素子基板等の試料を温度制御してプラズマ処理するの
に好適なプラズマ処理方法及び装置に関するものである
。
半導体素子基板等の試料をプラズマ処理する場合、該処
理中に試料温度を所定温度に制御することが重要である
。このため、試料台を温度制御し試料台に試料を設置し
てプラズマ処理するようになされているが、これでは、
未だ不充分であり、そこで１例えば、実開昭５８−７７
０４３号公報に記載のように、試料台と試料の裏面との
間に熱伝導率増加用ガスを供給して試料をプラズマ処理
する技術が提案されている。
理中に試料温度を所定温度に制御することが重要である
。このため、試料台を温度制御し試料台に試料を設置し
てプラズマ処理するようになされているが、これでは、
未だ不充分であり、そこで１例えば、実開昭５８−７７
０４３号公報に記載のように、試料台と試料の裏面との
間に熱伝導率増加用ガスを供給して試料をプラズマ処理
する技術が提案されている。
上記従来技術では、プラズマ処理中に試料温度を所定温
度に制御できるが、しかし、試料台と試料の裏面との間
の試料のプラズマ処理完了（＆番こおける排気直後にお
いて排気されたガスが処理室内に瞬間的に逆流し、これ
により発塵が生じるといった問題があった。
度に制御できるが、しかし、試料台と試料の裏面との間
の試料のプラズマ処理完了（＆番こおける排気直後にお
いて排気されたガスが処理室内に瞬間的に逆流し、これ
により発塵が生じるといった問題があった。
本発明の目的は、排気されたガスの処理室内への瞬間的
逆流を抑制することで、処理室内での発塵な防止できる
プラズマ処理方法及び装置を提供することにある。
逆流を抑制することで、処理室内での発塵な防止できる
プラズマ処理方法及び装置を提供することにある。
上記目的は、プラズマ処理方法を、温度制御される試料
台と該試料台に設置されプラズマにより処理される試料
の裏面との間に供給された熱伝導率増加用ガスを、前記
試料の処理終了後にガスフィルターを有する処理ガス供
給ラインを介して排気する方法とし、プラズマ処理装置
を、減圧排気されガスフィルターを有する処理ガス供給
ラインを介して処理ガスが供給されると共に該処理ガス
がプラズマ化される処理室と、該処理室に内設され４度
制御される試料台と、該試料台と該試料台に設置された
試料の裏面との間に熱伝導率増加用ガスを供給するガス
供給ラインと、該ガス供給ラインから分岐されて前記ガ
スフィルターの前流側で前記処理ガス供給ラインに合流
連結されたガス排気ラインとを具備したものとすること
により、達成される。
台と該試料台に設置されプラズマにより処理される試料
の裏面との間に供給された熱伝導率増加用ガスを、前記
試料の処理終了後にガスフィルターを有する処理ガス供
給ラインを介して排気する方法とし、プラズマ処理装置
を、減圧排気されガスフィルターを有する処理ガス供給
ラインを介して処理ガスが供給されると共に該処理ガス
がプラズマ化される処理室と、該処理室に内設され４度
制御される試料台と、該試料台と該試料台に設置された
試料の裏面との間に熱伝導率増加用ガスを供給するガス
供給ラインと、該ガス供給ラインから分岐されて前記ガ
スフィルターの前流側で前記処理ガス供給ラインに合流
連結されたガス排気ラインとを具備したものとすること
により、達成される。
温度制御される試料台と該試料台に設置されプラズマ処
理される試料の裏面との間に、試料のプラズマ処理時に
供給された熱伝導率増加用ガスは、該ガスを上記間に供
給するガス供給ラインと該ラインから分岐されガスフィ
ルターの前流側で処理ガス供給ラインに合流連結された
ガス排気ラインと上記ガスフィルター、処理ガス供給ラ
インを順次弁して排気される。従って、これ（こより、
排気直後におけるガスの処理室内への瞬間的な逆流が抑
制される。
理される試料の裏面との間に、試料のプラズマ処理時に
供給された熱伝導率増加用ガスは、該ガスを上記間に供
給するガス供給ラインと該ラインから分岐されガスフィ
ルターの前流側で処理ガス供給ラインに合流連結された
ガス排気ラインと上記ガスフィルター、処理ガス供給ラ
インを順次弁して排気される。従って、これ（こより、
排気直後におけるガスの処理室内への瞬間的な逆流が抑
制される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、処理室１０内には、試料台銀が内設されてい
る。試料台銀は、例えば、水冷される。処理室１０内に
処理ガスを供給する処理ガス供給ライン園は、 配管３
１とマスフローコントローラ３２．１’羽とガスフィル
ターあとで構成されている。配管３１の一端は、処理ガ
スＮ（図示省略）に連結され、他端は、処理室１０に連
通して連結されている。配管３１には、処理室１０に向
ってマスフローコントローラ３２．ガスフィルター具が
順次設けられている。
る。試料台銀は、例えば、水冷される。処理室１０内に
処理ガスを供給する処理ガス供給ライン園は、 配管３
１とマスフローコントローラ３２．１’羽とガスフィル
ターあとで構成されている。配管３１の一端は、処理ガ
スＮ（図示省略）に連結され、他端は、処理室１０に連
通して連結されている。配管３１には、処理室１０に向
ってマスフローコントローラ３２．ガスフィルター具が
順次設けられている。
処理室１０には、排気管切の一端が連通連結され、その
他端は、真空ポンプ４１の吸気口に連結されている。排
気管間には、仕切弁４２が設けられている。
他端は、真空ポンプ４１の吸気口に連結されている。排
気管間には、仕切弁４２が設けられている。
ガス供給ライン望は、試料台銀に形成されたガス流路５
１と配管５２とマスフローコントローラ団と弁ヌとで構
成されている。配管５２の一端は、熱伝導率増加用ガス
のガス源（図示省略）に連結され、他端は、ガス流路５
１に連通して試料台田に連結されている。配管５２には
、試料台団に向ってマスフローコントローラ閏、弁８が
順次設けられている。
１と配管５２とマスフローコントローラ団と弁ヌとで構
成されている。配管５２の一端は、熱伝導率増加用ガス
のガス源（図示省略）に連結され、他端は、ガス流路５
１に連通して試料台田に連結されている。配管５２には
、試料台団に向ってマスフローコントローラ閏、弁８が
順次設けられている。
排気ガスラインωは、弁ヌの後流側で配管５２より分岐
しガスフィルターあの前流側で配管五に合流連結された
配管６１に設けられた弁６２とで構成されている。
しガスフィルターあの前流側で配管五に合流連結された
配管６１に設けられた弁６２とで構成されている。
第１図で、試料台銀には、試料７０が、その周縁端部を
試料台（資）にクランプ治具間でクランプされて載置さ
れる。一方、処理室１０内は真空ポンプ４１により減圧
排気され、また、処理ガスが処理ガス供給ライン菊な介
し所定流量で供給されて処理室１０は所定処理圧力に調
節される。その後、処理室１０内の処理ガスはプラズマ
化され、該プラズマにより試料７０は処理される。この
処理時に、試料台（９）と試料７０の裏面との間には、
ガス供給ライン（資）を介して熱伝導率増加用ガスが所
定流量で供給される。この場合、弁３３．弁ヌ、仕切弁
４２は開弁されており、弁６２は閉弁されている。試料
７０のプラズマ処理が完了した時点で、弁３３．弁シが
閉弁され、弁６２が開弁される。これにより、試料台銀
と試料７０の裏面との間のガスは、ガス流路５１．配管
５２、６１．３１およびガスフィルター具を介し処理室
１０を通過して真空ポンプ４１により排気される。この
ような排気で試料台銀と試料７０の裏面との間の圧力が
処理室１０内圧力と略同圧となった後、弁６１゜仕切弁
４２も閉弁され、一方、試料７０のクランプが解除され
て該試料７０は処理室１０外へ搬出される。
試料台（資）にクランプ治具間でクランプされて載置さ
れる。一方、処理室１０内は真空ポンプ４１により減圧
排気され、また、処理ガスが処理ガス供給ライン菊な介
し所定流量で供給されて処理室１０は所定処理圧力に調
節される。その後、処理室１０内の処理ガスはプラズマ
化され、該プラズマにより試料７０は処理される。この
処理時に、試料台（９）と試料７０の裏面との間には、
ガス供給ライン（資）を介して熱伝導率増加用ガスが所
定流量で供給される。この場合、弁３３．弁ヌ、仕切弁
４２は開弁されており、弁６２は閉弁されている。試料
７０のプラズマ処理が完了した時点で、弁３３．弁シが
閉弁され、弁６２が開弁される。これにより、試料台銀
と試料７０の裏面との間のガスは、ガス流路５１．配管
５２、６１．３１およびガスフィルター具を介し処理室
１０を通過して真空ポンプ４１により排気される。この
ような排気で試料台銀と試料７０の裏面との間の圧力が
処理室１０内圧力と略同圧となった後、弁６１゜仕切弁
４２も閉弁され、一方、試料７０のクランプが解除され
て該試料７０は処理室１０外へ搬出される。
本実施例では、排気されたガスの処理室内への瞬間的逆
流を抑制できるため、処理室内での発塵な防止できる。
流を抑制できるため、処理室内での発塵な防止できる。
例えば、従来技術において、１μｍ以上の大きさの異物
の試料の被処理面への付着数は、例えば、５インチウェ
ハで５０個以上であったのに対し、本実施例では、５個
以下に少なくすることができた。また、このようなこと
より、試料の歩留りを向上させることができる。
の試料の被処理面への付着数は、例えば、５インチウェ
ハで５０個以上であったのに対し、本実施例では、５個
以下に少なくすることができた。また、このようなこと
より、試料の歩留りを向上させることができる。
本発明によれば、排気されたガスの処理室内への瞬間的
逆流を抑制できるので、処理室内での発塵な防止できる
という効果がある。
逆流を抑制できるので、処理室内での発塵な防止できる
という効果がある。
第１ＦｇＪは５本発明の一実施例のプラズマ処理装置の
系統図である。
系統図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、温度制御される試料台と該試料台に設置されプラズ
マにより処理される試料の裏面との間に供給された熱伝
導率増加用ガスを、前記試料の処理終了後にガスフィル
ターを有する処理ガス供給ラインを介して排気すること
を特徴とするプラズマ処理方法。 ２、減圧排気されガスフィルターを有する処理ガス供給
ラインを介して処理ガスが供給されると共に該処理ガス
がプラズマ化される処理室と、該処理室に内設され温度
制御される試料台と、該試料台と該試料台に設置された
試料の裏面との間に熱伝導率増加用ガスを供給するガス
供給ラインと、該ガス供給ラインから分岐されて前記ガ
スフィルターの前流側で前記処理ガス供給ラインに合流
連結されたガス排気ラインとを具備したことを特徴とす
るプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237787A JPS63181324A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237787A JPS63181324A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181324A true JPS63181324A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11803581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1237787A Pending JPS63181324A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2776441B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1998-07-16 | 忠弘 大見 | プロセスガス供給装置及び供給方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139519A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6142831B2 (ja) * | 1978-07-19 | 1986-09-24 | Casio Computer Co Ltd |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP1237787A patent/JPS63181324A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142831B2 (ja) * | 1978-07-19 | 1986-09-24 | Casio Computer Co Ltd | |
| JPS6139519A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2776441B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1998-07-16 | 忠弘 大見 | プロセスガス供給装置及び供給方法 |
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