JPH01201329A - 芳香族ポリカーボネートフイルム - Google Patents
芳香族ポリカーボネートフイルムInfo
- Publication number
- JPH01201329A JPH01201329A JP2275288A JP2275288A JPH01201329A JP H01201329 A JPH01201329 A JP H01201329A JP 2275288 A JP2275288 A JP 2275288A JP 2275288 A JP2275288 A JP 2275288A JP H01201329 A JPH01201329 A JP H01201329A
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- Japan
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- bis
- hydroxyphenyl
- film
- tables
- cyclohexyl
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、各種の電子・電気機器の部品として用いられ
る芳香族ポリカーボネートフィルムに関するものである
。さらに詳しくは、本発明は、本質的に非品性であり、
透明性、耐熱性、機械的強度に優れるとともに、低透湿
性及び表面硬度において改良された芳香族ポリカーボネ
ートフィルムに関するものである。
る芳香族ポリカーボネートフィルムに関するものである
。さらに詳しくは、本発明は、本質的に非品性であり、
透明性、耐熱性、機械的強度に優れるとともに、低透湿
性及び表面硬度において改良された芳香族ポリカーボネ
ートフィルムに関するものである。
芳香族ポリカーボネートフィルムは、透明性、耐熱性、
機械的強度、電気的性質などにおいてバランスのとれた
ものとして知られており、電子・電気機器の部品等、各
種のエンジニアリングプラスチックとして使用されてい
る。従来一般に用いられてきた芳香族ポリカーボネート
フィルムは、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）とホスゲン等のカーボネ
ート前駆体との反応から得られる式 で表される繰り返し単位からなる市販の芳香族ポリカー
ボネートから作成されるものであった。
機械的強度、電気的性質などにおいてバランスのとれた
ものとして知られており、電子・電気機器の部品等、各
種のエンジニアリングプラスチックとして使用されてい
る。従来一般に用いられてきた芳香族ポリカーボネート
フィルムは、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）とホスゲン等のカーボネ
ート前駆体との反応から得られる式 で表される繰り返し単位からなる市販の芳香族ポリカー
ボネートから作成されるものであった。
しかし、近時、電子・電気機器の部品としてのフィルム
に要求される特性が高度化するにつれ、市販のポリカー
ボネートから成形されるフィルムの透湿度が大きい、表
面硬度が低い等の欠点が露顕するに至った。さらに、市
販のポリカーボネートには、溶剤などによるゲル化及び
結晶化傾向があり、フィルムの機械的強度や透明性の低
下を招くという問題があった。
に要求される特性が高度化するにつれ、市販のポリカー
ボネートから成形されるフィルムの透湿度が大きい、表
面硬度が低い等の欠点が露顕するに至った。さらに、市
販のポリカーボネートには、溶剤などによるゲル化及び
結晶化傾向があり、フィルムの機械的強度や透明性の低
下を招くという問題があった。
本発明は、上記の欠点が解消され、低透湿性及び表面硬
度において改良されたものであって、その重合体材料の
溶剤などによるゲル化や結晶化傾向がない芳香族ポリカ
ーボネートフィルムを堤供することを目的とするもので
ある。
度において改良されたものであって、その重合体材料の
溶剤などによるゲル化や結晶化傾向がない芳香族ポリカ
ーボネートフィルムを堤供することを目的とするもので
ある。
すわなち、請求項１の発明は、−形式（１）〔式中、×
１は、 Ｒ３ −Ｃ−（ここで、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ水素原子、炭
素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリー
ル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい
。）、 ）、 →Ｃ１１ｚ’ｈ−（ここで、ｐは２〜１０の整数を表す
。
１は、 Ｒ３ −Ｃ−（ここで、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ水素原子、炭
素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリー
ル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい
。）、 ）、 →Ｃ１１ｚ’ｈ−（ここで、ｐは２〜１０の整数を表す
。
）、
単結合、−ｏ−、−ｓ−、−５ｏ−１又は−５Ｏ２−を
表し、ＲＩ及びＲ２はそれぞれハロゲン原子、炭素数１
〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリール基を
表し、互いに同一であっても異なっていてもよｌ及びｍ
はそれぞれＯ〜３の整数を表し、互いに同一であっても
異なっていてもよい。〕で表される繰り返し単位を有す
るポリカーボネート重合体から成形された芳香族ポリカ
ーボネートフィルムを提供するものである。
表し、ＲＩ及びＲ２はそれぞれハロゲン原子、炭素数１
〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリール基を
表し、互いに同一であっても異なっていてもよｌ及びｍ
はそれぞれＯ〜３の整数を表し、互いに同一であっても
異なっていてもよい。〕で表される繰り返し単位を有す
るポリカーボネート重合体から成形された芳香族ポリカ
ーボネートフィルムを提供するものである。
請求項２の発明は、−形式（１）及び−形式（ＩＩ）
〔式中、ｘ′及びｘ２は、
素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリー
ル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい
。）、 ）、 六ＧＨｚ？ （ここで、ｐは２〜１０の整数を表す。
ル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい
。）、 ）、 六ＧＨｚ？ （ここで、ｐは２〜１０の整数を表す。
）、
単結合、−ｏ−、−ｓ−、−５ｏ−１又は−３Ｏ２−を
表し、 Ｒ１，ＲＺ、Ｒ５、及びＲ６はそれぞれハロゲン原子、
炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリ
ール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよ
く、 ２及びｍはそれぞれＯ〜３の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、 Ｓ及びＬはそれぞれＯ〜４の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよい。〕で表される繰り返し単
位を有し、−形式（Ｉ）で表される繰り返し単位のモル
分率をｑとし、−Ｓ式（ＩＩ）で表される繰り返し単位
のモル分率をｒカーボネート共重合体から成形された芳
香族ポリカーボネートフィルムを提供するものである。
表し、 Ｒ１，ＲＺ、Ｒ５、及びＲ６はそれぞれハロゲン原子、
炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリ
ール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよ
く、 ２及びｍはそれぞれＯ〜３の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、 Ｓ及びＬはそれぞれＯ〜４の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよい。〕で表される繰り返し単
位を有し、−形式（Ｉ）で表される繰り返し単位のモル
分率をｑとし、−Ｓ式（ＩＩ）で表される繰り返し単位
のモル分率をｒカーボネート共重合体から成形された芳
香族ポリカーボネートフィルムを提供するものである。
請求項２の発明のフィルムの成形に用いられるポリカー
ボネートは、重合体の主鎖が、前記−形式（１）で表さ
れる繰り返し単位と、前記−形式（ｎ）で表される繰り
返し単位とからなる構造を有し、かつ前記式−ユーの値
が０．０５以上のものｑ＋ｒ である。この値が０．０５未満であると、フィルムの低
透湿性化、表面硬度の改良の効果が得られなくなる。ま
た、重合体材料の溶剤などによるゲル化及び結晶化の防
止の効果が得られな（なる。
ボネートは、重合体の主鎖が、前記−形式（１）で表さ
れる繰り返し単位と、前記−形式（ｎ）で表される繰り
返し単位とからなる構造を有し、かつ前記式−ユーの値
が０．０５以上のものｑ＋ｒ である。この値が０．０５未満であると、フィルムの低
透湿性化、表面硬度の改良の効果が得られなくなる。ま
た、重合体材料の溶剤などによるゲル化及び結晶化の防
止の効果が得られな（なる。
請求項１及び２の発明のフィルムには、−ｉにいう薄膜
の他、物品の表面を薄く被覆する膜も含まれる。
の他、物品の表面を薄く被覆する膜も含まれる。
請求項１及び２の発明において用いられる芳香族ポリカ
ーボネートの分子量は、フィルムの種類に応じて適宜選
定すればよいが、濃度０．５ｇ／ｄの塩化メチレン溶液
の２０°Ｃにおける還元粘度〔ηｓｐ／′ｃ〕が０．３
〜３． Ｏｄ／ｇ、好ましくは０．４〜２、５ ｄ１７
ｇとなるようなものであることが望ましい。
ーボネートの分子量は、フィルムの種類に応じて適宜選
定すればよいが、濃度０．５ｇ／ｄの塩化メチレン溶液
の２０°Ｃにおける還元粘度〔ηｓｐ／′ｃ〕が０．３
〜３． Ｏｄ／ｇ、好ましくは０．４〜２、５ ｄ１７
ｇとなるようなものであることが望ましい。
この還元粘度が０．３ｄｌ／ｇ未満のものを用いた場合
、得られるフィルムの強度が不十分となることがある。
、得られるフィルムの強度が不十分となることがある。
また、３．０ ｄｉ／ｇを超えると、フィルムの成形が
実質的に困難となることがある。
実質的に困難となることがある。
の具体例としては、例えば水素原子、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
フェニル基、トリル基、ビフェニリル基、ナフチル基等
を挙げることができる。
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
フェニル基、トリル基、ビフェニリル基、ナフチル基等
を挙げることができる。
ＸＩの特に好適なものとしては、例えばが挙げられる。
ＣＨ。
が挙げられる。
前記１１７１． Ｒ２、Ｒ５，Ｒ６の具体例としては、
例えばフッ素原子、臭素原子、塩素原子などのハロゲン
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基
、イソヘキシル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリ
ル基、ナフチル基等を挙げることができる。
例えばフッ素原子、臭素原子、塩素原子などのハロゲン
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基
、イソヘキシル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリ
ル基、ナフチル基等を挙げることができる。
請求項１及び２の発明で用いられる芳香族ポリカーボネ
ートは、従来公知の様々な方法により製造することがで
きるが、例えば−形式（ＩＩＩ）〔式中、ｘｌ、Ｒ１，
Ｒ２，１１及びｍは先に規定したと同じ意味を有する〕 で表される二価フェノール化合物とホスゲン、又は前記
−形式（ＩＩＩ）で表される二価フェノール化合物及び
−形式（ＩＶ） 〔式中、ｘ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｓ、及びｔは先に規定した
と同じ意味を有する。〕 二価フェノール化合物とホスゲンとの直接反応、或いは
前記二価フェノール化合物とビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応などの方法を採用することができ
る。
ートは、従来公知の様々な方法により製造することがで
きるが、例えば−形式（ＩＩＩ）〔式中、ｘｌ、Ｒ１，
Ｒ２，１１及びｍは先に規定したと同じ意味を有する〕 で表される二価フェノール化合物とホスゲン、又は前記
−形式（ＩＩＩ）で表される二価フェノール化合物及び
−形式（ＩＶ） 〔式中、ｘ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｓ、及びｔは先に規定した
と同じ意味を有する。〕 二価フェノール化合物とホスゲンとの直接反応、或いは
前記二価フェノール化合物とビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応などの方法を採用することができ
る。
前者の二価フェノール化合物とホスゲンとの直接反応法
においては、通常、酸結合剤及び溶媒の存在下において
、前記二価フェノール化合物とホスゲンとを反応させる
。酸結合剤としては、例えハヒリジンや水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また、溶媒としては、例えば塩化メチレン
、クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに
、縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよ
うな第三級アミン又は第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調整するために、ｐ−ｔ−７”チル
フェノールやフェニルフェノールなどの分子量調節剤を
添加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ
、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化
防止剤を少量添加してもよい。反応は通常０〜１５０°
Ｃ１好ましくは５〜４０″Ｃの範囲の温度で行われる。
においては、通常、酸結合剤及び溶媒の存在下において
、前記二価フェノール化合物とホスゲンとを反応させる
。酸結合剤としては、例えハヒリジンや水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また、溶媒としては、例えば塩化メチレン
、クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに
、縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよ
うな第三級アミン又は第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調整するために、ｐ−ｔ−７”チル
フェノールやフェニルフェノールなどの分子量調節剤を
添加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ
、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化
防止剤を少量添加してもよい。反応は通常０〜１５０°
Ｃ１好ましくは５〜４０″Ｃの範囲の温度で行われる。
反応時間は反応温度によって左右されるが、通常０．５
分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。また、
反応中は、反応系のｐｎを１０以上に保持することが望
ましい。
分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。また、
反応中は、反応系のｐｎを１０以上に保持することが望
ましい。
一方、後者のエステル交換法においては、前記二価フェ
ノール化合物とビスアリールカーボネートとを混合し、
減圧下で高温において反応させる。
ノール化合物とビスアリールカーボネートとを混合し、
減圧下で高温において反応させる。
反応は通常１５０〜３５０°Ｃ１好ましくは２００〜３
００°Ｃの範囲の温度において行われ、また減圧度は最
終で好ましくはｌｍｍＨｇ以下にして、エステル交換反
応により生成した該ビスアリールカーボネートから由来
するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応
温度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時
間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス
雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に応じて前
記の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して、反応を
行ってもよい。
００°Ｃの範囲の温度において行われ、また減圧度は最
終で好ましくはｌｍｍＨｇ以下にして、エステル交換反
応により生成した該ビスアリールカーボネートから由来
するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応
温度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時
間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス
雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に応じて前
記の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して、反応を
行ってもよい。
−Ｃ式（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、
例えば２，２−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、１−フェニル−１，ｌ−ビス
（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、１．ｌ−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサン、３．３−ビス（３−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、ビス
（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、３，３′−ジシクロへキシル−４，４′−ジヒド
ロキシビフェニル、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、■−フェニルー１，１−ビ
ス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１．２−ビス（３−シクロへキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ｌ、３−ビス
（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、１．４−ビス（３−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス
（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルブタン、２．２−ビス（３−シクロへキシル
−４−ヒドロキシフェニル）オクタン、１，８−ビス（
３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス−（３−シクロへキシル−４−ヒド
ロキシフェニル）スルフィド、ビス−（３−シクロへキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、１．ｌ
−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル
）シクロペンクン、２，２−ビス（２−シクロへキシル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロへキシルフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（２，３−ジメチル−４
−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）プロパン
、２．２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシ−５−シ
クロへキシルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
フェニル−４−ヒドロキシ−５−シクロへキシルフェニ
ル）プロパン、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、及び１，１−ビス（
３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘプタン等を挙げることができる。
例えば２，２−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、１−フェニル−１，ｌ−ビス
（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、１．ｌ−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサン、３．３−ビス（３−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、ビス
（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、３，３′−ジシクロへキシル−４，４′−ジヒド
ロキシビフェニル、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、■−フェニルー１，１−ビ
ス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１．２−ビス（３−シクロへキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ｌ、３−ビス
（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、１．４−ビス（３−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス
（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルブタン、２．２−ビス（３−シクロへキシル
−４−ヒドロキシフェニル）オクタン、１，８−ビス（
３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス−（３−シクロへキシル−４−ヒド
ロキシフェニル）スルフィド、ビス−（３−シクロへキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、１．ｌ
−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル
）シクロペンクン、２，２−ビス（２−シクロへキシル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロへキシルフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（２，３−ジメチル−４
−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）プロパン
、２．２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシ−５−シ
クロへキシルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
フェニル−４−ヒドロキシ−５−シクロへキシルフェニ
ル）プロパン、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、及び１，１−ビス（
３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘプタン等を挙げることができる。
これらの中で、特に２．２−ビス（３−シクロへキシル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１−フェニル−
１，１−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン、１．ｌ−ビス（３−シクロヘキシル−
４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、３，３−ビ
ス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）ペ
ンタン、及びビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルホンが好適に用いられる。
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１−フェニル−
１，１−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン、１．ｌ−ビス（３−シクロヘキシル−
４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、３，３−ビ
ス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）ペ
ンタン、及びビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルホンが好適に用いられる。
前記−形式（ＩＶ）で表される二価フェノール化合物の
具体例としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル
）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン
、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２．２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、４．４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へブタン
、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，ｌ−
ジフェニルメタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、１．１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１−フェニルメタン、１．１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−１−リルエタン、１
゜１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（α−ナ
フチル）エタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−（４−ビフェニリル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、２．２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル） −２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１．１−ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニルエタン、１．１−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−）リルエ
タン、１゜１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−（α−ナフチル）エタン、１．１−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ビ
フェニリル）エタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、１．１−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、４
．４゛−ジヒドロキシビフェニル、２．２−ビス（２−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−
ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニ
ル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−５−メチルフェニル）エタン、１．１−ビス（
２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル
）プロパン、１．１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１．１−ビス（
２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル
）イソブタン、１．１−ビス（２−も−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−５−メチルフェニル）へブタン、１，１−ビ
ス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェ
ニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（２−ｔ−
アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン
、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン
、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）
メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２．２−ビス（３−フルオロ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブ
ロモー４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビ
ス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２．２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−シフ
’ロモー４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−
ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３゜５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）ブタン、２．２−ビス（３，５−
ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１．１−
ビス（３−フルオ０−４−ヒ）ロキシフェニル）−１−
フェニルエタン、１．１−ビス（３−フルオロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）−１−トリルエタン、１．１−ビス
（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１−（α
〜ナフチル）エタン、１，１−ビス（３−フルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ビフェニリル）エ
タン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、３．３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロ
キシビフェニル等を挙げることができる。
具体例としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル
）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン
、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２．２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、４．４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へブタン
、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，ｌ−
ジフェニルメタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、１．１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１−フェニルメタン、１．１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−１−リルエタン、１
゜１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（α−ナ
フチル）エタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−（４−ビフェニリル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、２．２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル） −２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１．１−ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニルエタン、１．１−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−）リルエ
タン、１゜１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−（α−ナフチル）エタン、１．１−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ビ
フェニリル）エタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、１．１−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、４
．４゛−ジヒドロキシビフェニル、２．２−ビス（２−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−
ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニ
ル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−５−メチルフェニル）エタン、１．１−ビス（
２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル
）プロパン、１．１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１．１−ビス（
２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル
）イソブタン、１．１−ビス（２−も−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−５−メチルフェニル）へブタン、１，１−ビ
ス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェ
ニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（２−ｔ−
アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン
、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン
、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）
メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２．２−ビス（３−フルオロ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブ
ロモー４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビ
ス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２．２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−シフ
’ロモー４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−
ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３゜５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）ブタン、２．２−ビス（３，５−
ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１．１−
ビス（３−フルオ０−４−ヒ）ロキシフェニル）−１−
フェニルエタン、１．１−ビス（３−フルオロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）−１−トリルエタン、１．１−ビス
（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１−（α
〜ナフチル）エタン、１，１−ビス（３−フルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ビフェニリル）エ
タン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、３．３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロ
キシビフェニル等を挙げることができる。
請求項１及び２の発明に用いられる芳香族ポリカーボネ
ートには、フィルムの特性を損なわない範囲で、他の二
価フェノール化合物を加えて製造される変性ポリカーボ
ネートも含まれる。上記の他の二価フェノール化合物と
しては、レゾルシン、ハイドロキノン等が挙げられる。
ートには、フィルムの特性を損なわない範囲で、他の二
価フェノール化合物を加えて製造される変性ポリカーボ
ネートも含まれる。上記の他の二価フェノール化合物と
しては、レゾルシン、ハイドロキノン等が挙げられる。
さらに、少量の、例えば、使用した二価フェノール化合
物の０．０５〜２．０モル％程度のポリヒドロキシ化合
物などを加えることにより製造された分岐を有する芳香
族ポリカーボネートも含まれる。
物の０．０５〜２．０モル％程度のポリヒドロキシ化合
物などを加えることにより製造された分岐を有する芳香
族ポリカーボネートも含まれる。
請求項１及び２の発明のフィルムを製造するにあたって
は、上記の１種又は２種以上の芳香族ポリカーボネート
に、必要に応じ、ポリアルキレンテレフタレート、ポリ
オレフィン、他のポリカーボネート、ポリエーテルサル
ホン、ボリアリレート、ポリサルホン、ポリフェニレン
サルファイドなどの熱可塑性樹脂を配合することができ
る。
は、上記の１種又は２種以上の芳香族ポリカーボネート
に、必要に応じ、ポリアルキレンテレフタレート、ポリ
オレフィン、他のポリカーボネート、ポリエーテルサル
ホン、ボリアリレート、ポリサルホン、ポリフェニレン
サルファイドなどの熱可塑性樹脂を配合することができ
る。
また、これら芳香族ポリカーボネートには、必要に応じ
、公知の添加剤、例えば、難燃剤、酸化防止剤、帯電防
止剤、充填剤、耐衝撃性改良剤、紫外線吸収剤、可塑剤
、加水分解安定剤、顔料、染料、着色安定剤等を配合す
ることができる。
、公知の添加剤、例えば、難燃剤、酸化防止剤、帯電防
止剤、充填剤、耐衝撃性改良剤、紫外線吸収剤、可塑剤
、加水分解安定剤、顔料、染料、着色安定剤等を配合す
ることができる。
請求項１及び２の発明のフィルムの成形方法としては、
従来公知の製膜法を用いることができる。
従来公知の製膜法を用いることができる。
例えば、熱プレス成形などのプレス成形；キャストロー
ル法、インフレーション法、チュブラ−法などの押出法
；ポリマー溶液をベルト上で流延し、溶媒を蒸発除去し
て薄膜化する方法；ポリマー溶液を物品に塗布した後溶
剤除去するコーティング法などが挙げられる。
ル法、インフレーション法、チュブラ−法などの押出法
；ポリマー溶液をベルト上で流延し、溶媒を蒸発除去し
て薄膜化する方法；ポリマー溶液を物品に塗布した後溶
剤除去するコーティング法などが挙げられる。
ポリマー溶液の調整に用いられる溶剤としては、クロロ
ホルム、塩化メチレン等のハロゲン系溶剤、トルエン等
の芳香族系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
剤等が挙げられる。
ホルム、塩化メチレン等のハロゲン系溶剤、トルエン等
の芳香族系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
剤等が挙げられる。
また、このようにして製膜されたフィルムは、必要に応
じ、従来慣用されている延伸法、例えばテンター法、チ
ューブラ−法、多段延伸法などにより延伸してもよい。
じ、従来慣用されている延伸法、例えばテンター法、チ
ューブラ−法、多段延伸法などにより延伸してもよい。
また、必要に応じ、熱処理を行うこともできる。
請求項１及び２の発明のフィルムの厚さについては、特
に制限はないが、通常０．１〜１０００μｍ、好ましく
は１〜５００μｍの範囲で選ばれる。
に制限はないが、通常０．１〜１０００μｍ、好ましく
は１〜５００μｍの範囲で選ばれる。
このようにして成形されたフィルムは、耐熱性、機械的
強度、電気絶縁性等においても、従来の芳香族ポリカー
ボネートフィルムと同様に優れているのみならず、低透
湿性及び表面硬度において著しく改良されたものである
。従って、耐熱性フィルム、低透湿フィルム、電気絶縁
性フィルム、として、各種の電子・電気機器の部品、塗
膜として好適に用いることができる。さらに、重合体材
料の溶剤等によるゲル化、結晶化が解消されたため、重
合体溶液を用いる製膜法による製膜が可能となった。
強度、電気絶縁性等においても、従来の芳香族ポリカー
ボネートフィルムと同様に優れているのみならず、低透
湿性及び表面硬度において著しく改良されたものである
。従って、耐熱性フィルム、低透湿フィルム、電気絶縁
性フィルム、として、各種の電子・電気機器の部品、塗
膜として好適に用いることができる。さらに、重合体材
料の溶剤等によるゲル化、結晶化が解消されたため、重
合体溶液を用いる製膜法による製膜が可能となった。
以下、請求項１及び２の発明を実施例に基づいてさらに
詳細に説明するが、これらの発明は下記の実施例により
なんら限定されるものではない。
詳細に説明するが、これらの発明は下記の実施例により
なんら限定されるものではない。
実施例１
金戒貫
モノマーとして２，２−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン１００ｇ（０，２５５
モル）を８％ＮａＯＨ水溶液５５０ｍ１、塩化メチレン
４００ ｍｌ、分子量調節剤とし、てｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノールＩｇ、および触媒としてトリエチルアミ
ンの１０％水溶液３成と共にじゃま板付き反応器内で激
しく攪拌しながらホスゲンガスを１０分間吹き込んで縮
合を行った。
−ヒドロキシフェニル）プロパン１００ｇ（０，２５５
モル）を８％ＮａＯＨ水溶液５５０ｍ１、塩化メチレン
４００ ｍｌ、分子量調節剤とし、てｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノールＩｇ、および触媒としてトリエチルアミ
ンの１０％水溶液３成と共にじゃま板付き反応器内で激
しく攪拌しながらホスゲンガスを１０分間吹き込んで縮
合を行った。
反応混合物を塩化メチレン１２で希釈した後、水１１．
０．０１規定ＮａＯＨ水溶液５００ ｍｌ、ｙｋ ５０
０ｄ、０．０１規定ＨＣＩ水溶液５００ｄ、水５００−
の順で洗浄した。得られた重合体の塩化メチレン溶液を
３１のメタノール中に注ぎ再沈精製して白色粉末状の下
記構造の繰り返し単位を有する高分子量体を得た。
０．０１規定ＮａＯＨ水溶液５００ ｍｌ、ｙｋ ５０
０ｄ、０．０１規定ＨＣＩ水溶液５００ｄ、水５００−
の順で洗浄した。得られた重合体の塩化メチレン溶液を
３１のメタノール中に注ぎ再沈精製して白色粉末状の下
記構造の繰り返し単位を有する高分子量体を得た。
この重合体のテトラヒドロフラン１０重量パーセント溶
液を調製し、常温で一カ月間放置し、溶液粘度を測定し
た。−カ月放置後も白濁、ゲルの発生は起こらず、まっ
たく粘度変化は見られなかった。
液を調製し、常温で一カ月間放置し、溶液粘度を測定し
た。−カ月放置後も白濁、ゲルの発生は起こらず、まっ
たく粘度変化は見られなかった。
−Ｚ４」り聾陣欠形
ここで得られた重合体１重量部をクロロホルム５０重量
部中に溶解させて重合体溶液とした。この重合体溶液を
ガラス板上にドクターナイフを用いてキャストし、減圧
下に１２０°Ｃで２４時間乾燥して、肉厚２０μｍのフ
ィルムを得た。
部中に溶解させて重合体溶液とした。この重合体溶液を
ガラス板上にドクターナイフを用いてキャストし、減圧
下に１２０°Ｃで２４時間乾燥して、肉厚２０μｍのフ
ィルムを得た。
つぎに、オートグラフを用いて、得られたフィルムの引
張試験を行った。また、ＪＩＳ−Ｚ−０２０８、カップ
法Ｂ（４０°Ｃ１湿度９０％）により透湿度を、さらに
、ＪＩＳ−に−５４００に準じて鉛筆硬度試験を行い、
表面硬度を測定した。
張試験を行った。また、ＪＩＳ−Ｚ−０２０８、カップ
法Ｂ（４０°Ｃ１湿度９０％）により透湿度を、さらに
、ＪＩＳ−に−５４００に準じて鉛筆硬度試験を行い、
表面硬度を測定した。
これらの測定結果を第１表に示す。
実施例２
モノマーとして２，２−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパンの代わりに１−フェニ
ル−１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）エタン１１６ｇ（０，２５５モル）を用い
た以外はすべて実施例１の合成例と同様に実施し、下記
構造の繰り返し単位を有する高分子量体を得た。
−ヒドロキシフェニル）プロパンの代わりに１−フェニ
ル−１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）エタン１１６ｇ（０，２５５モル）を用い
た以外はすべて実施例１の合成例と同様に実施し、下記
構造の繰り返し単位を有する高分子量体を得た。
この重合体を用い、実施例１のフィルムの成形と同様の
操作を行い、フィルムを得た。
操作を行い、フィルムを得た。
各試験結果を第１表に示す。
実施例３
モノマーとして１．１−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１１０ｇ（０，
２５５モル）を用いた以外はすべて実施例１の合成例と
同様に実施し、下記構造の繰り返し単位を有する高分子
量体を得た。
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１１０ｇ（０，
２５５モル）を用いた以外はすべて実施例１の合成例と
同様に実施し、下記構造の繰り返し単位を有する高分子
量体を得た。
この重合体を用い、実施例１のフィルムの成形と同様の
操作を行い、フィルムを得た。
操作を行い、フィルムを得た。
各試験結果を第１表に示す。
実施例４
モノマーとして３．３−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）ペンタン１０７ｇ（０，２５５
モル）を用いた以外はすべて実施例１の合成例と同様に
実施し、下記構造の繰り返し単位を有する高分子量体を
得た。
−ヒドロキシフェニル）ペンタン１０７ｇ（０，２５５
モル）を用いた以外はすべて実施例１の合成例と同様に
実施し、下記構造の繰り返し単位を有する高分子量体を
得た。
この重合体を用い、実施例１のフィルムの成形と同様の
操作を行い、フィルムを得た。
操作を行い、フィルムを得た。
各試験結果を第１表に示す。
実施例５
モノマーとしてビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルホン１０６ｇ（０，２５５モル）を
用いた以外はすべて実施例１の合成例と同様に実施し、
下記構造の繰り返し単位を有する高分子量体を得た。
キシフェニル）スルホン１０６ｇ（０，２５５モル）を
用いた以外はすべて実施例１の合成例と同様に実施し、
下記構造の繰り返し単位を有する高分子量体を得た。
この重合体を用い、実施例１のフィルムの成形と同様の
操作を行い、フィルムを得た。
操作を行い、フィルムを得た。
各試験結果を第１表に示す。
実施例６
モノマーとして２．２−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン７９ｇ（０，２０モル
）と２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
１２ｇ（０，０５３モル）を用いた以外はすべて実施例
１の合成例と同様に実施し、下記構造の繰り返し単位を
有する高分子量体を得た。
−ヒドロキシフェニル）プロパン７９ｇ（０，２０モル
）と２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
１２ｇ（０，０５３モル）を用いた以外はすべて実施例
１の合成例と同様に実施し、下記構造の繰り返し単位を
有する高分子量体を得た。
この重合体を用い、実施例１のフィルムの成形と同様の
操作を行い、フィルムを得た。
操作を行い、フィルムを得た。
各試験結果を第１表に示す。
比較例１
市販ポリカーボネート（出光石油化学■製：出光ポリカ
ーボネートＡ２５００）のテトラヒドロフラン１０重量
％溶液を調整し、常温で１力月間放置したところ、白濁
、ゲルの発生が起こった。
ーボネートＡ２５００）のテトラヒドロフラン１０重量
％溶液を調整し、常温で１力月間放置したところ、白濁
、ゲルの発生が起こった。
この市販のポリカーボネートを用い、実施例１のフィル
ムの成形と同様の操作を行い、フィルムを得た。
ムの成形と同様の操作を行い、フィルムを得た。
各試験結果を第１表に示す。
請求項１及び２の発明により、低透湿性で表面硬度も高
く、耐熱性、機械的特性等において従来の芳香族ポリカ
ーボネートフィルムと比較して遜色なく、またはそれを
上回る芳香族ポリカーボネートフィルムを得ることがで
きた。このような芳香族ポリカーボネートフィルムは各
種の電子・電気機器の部品、塗膜として極めて有用であ
る。また、重合体が本質的に非品性であることから、溶
剤等によるゲル化や結晶化がなく、フィルムの機械的強
度や透明性の低下を招くようなことがない。
く、耐熱性、機械的特性等において従来の芳香族ポリカ
ーボネートフィルムと比較して遜色なく、またはそれを
上回る芳香族ポリカーボネートフィルムを得ることがで
きた。このような芳香族ポリカーボネートフィルムは各
種の電子・電気機器の部品、塗膜として極めて有用であ
る。また、重合体が本質的に非品性であることから、溶
剤等によるゲル化や結晶化がなく、フィルムの機械的強
度や透明性の低下を招くようなことがない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｘ＾１は、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、Ｒ＾３及
びＲ＾４はそれぞれ水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同
一であっても異なっていてもよい。）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、ｎは５〜
１０の整数を表 す。）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、ｐは２〜
１０の整数を 表す。）、 単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、又は−ＳＯ＿２−
を表し、 Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞれハロゲン原子、炭素数１〜
６のアルキル基、又は炭素数６〜１２のアリール基を表
し、互いに同一であっても異なっていてもよく、 ｌ及びｍはそれぞれ０〜３の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよい。〕で表される繰り返し単
位を有するポリカーボネート重合体から成形された芳香
族ポリカーボネートフィルム。 ２、一般式（ I ）及び一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｘ＾１及びＸ＾２は、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、Ｒ＾３及
びＲ＾４はそれぞれ水素原子、、炭素数１〜６のアルキ
ル基、又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに
同一であっても異なっていてもよい。）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、ｎは５〜
１０の整数を表 す。）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、ｐは２〜
１０の整数を 表す。）、 単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、又は−ＳＯ＿２−
を表し、 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、及びＲ＾６はそれぞれハロゲ
ン原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数６〜１
２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なって
いてもよく、 ｌ及びｍはそれぞれ０〜３の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、 ｓ及びｔはそれぞれ０〜４の整数を表し、互いに同一で
あっても異なっていてもよい。〕で表される繰り返し単
位を有し、一般式（ I ）で表される繰り返し単位のモ
ル分率をｑとし、一般式（II）で表される繰り返し単位
のモル分率をｒとしたとき、ｑ／（ｑ＋ｒ）の値が０．
０５以上のものであるポリカーボネート共重合体から成
形された芳香族ポリカーボネートフィルム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275288A JPH01201329A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 芳香族ポリカーボネートフイルム |
| EP89101816A EP0329991A1 (en) | 1988-02-04 | 1989-02-02 | Aromatic polycarbonate film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275288A JPH01201329A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 芳香族ポリカーボネートフイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201329A true JPH01201329A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12091423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2275288A Pending JPH01201329A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 芳香族ポリカーボネートフイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201329A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990011274A1 (en) * | 1989-03-25 | 1990-10-04 | Yoshitomi Pharmaceutical Industries, Ltd. | Bis(cyclohexylphenol) compounds and their use |
| JPH05339390A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカーボネートフィルム |
| JPH0675113A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 位相差補償フィルム |
| JP2014201619A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-10-27 | 日東電工株式会社 | 光学フィルム |
| WO2024135761A1 (ja) | 2022-12-21 | 2024-06-27 | 出光興産株式会社 | 電子基板材料、樹脂、および樹脂の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP2275288A patent/JPH01201329A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990011274A1 (en) * | 1989-03-25 | 1990-10-04 | Yoshitomi Pharmaceutical Industries, Ltd. | Bis(cyclohexylphenol) compounds and their use |
| JPH05339390A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカーボネートフィルム |
| JPH0675113A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 位相差補償フィルム |
| JP2014201619A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-10-27 | 日東電工株式会社 | 光学フィルム |
| WO2024135761A1 (ja) | 2022-12-21 | 2024-06-27 | 出光興産株式会社 | 電子基板材料、樹脂、および樹脂の製造方法 |
| KR20250124321A (ko) | 2022-12-21 | 2025-08-19 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 전자 기판 재료, 수지, 및 수지의 제조 방법 |
| EP4640742A1 (en) | 2022-12-21 | 2025-10-29 | Idemitsu Kosan Co.,Ltd. | Electronic substrate material, resin, and method for manufacturing resin |
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