JPH01201838A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒体
に係わり、特に、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が向上し、
かつ、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが少なく、しかも
、長期に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体の改良
に関するものである。

［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第１２図〜第１３図に示すよう
にフォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグル
ープ（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）　　（ａ　）が施された
透明基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた記
録層（Ｃ）と、この記録ＪＢ（ｃ）全面に設けられた保
護層（ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記
録媒体（ｅ）への記録情報の入力は、第１４図に示すよ
うに集光レンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等
光源からの記録用集束光（ＣＩ）を上記記録層（Ｃ）の
所定部位へ照射し、その照射部位について記録層（Ｃ）
の相変化、磁化反転、あるいは変形等を起こさせ、非照
射部とは反射率若しくはカー回転角の異なる記録ドツト
（ｈ）（第１３図参照）を形成して行なわれるものであ
る。この場合、光源からの集束光ｉ）を上記記録！！１
（ｃ）の所定部位へ確実に照射させるため上記プリグル
ープ（ａ）を利用してフォーカシング、並びにトラッキ
ングサーボ制御を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の
幅寸法（Ｂ）を第１５図に示すように記録用集束光スポ
ット（ｉ）における強度変化が最も急峻な値を示す半値
幅（Ω２）程度に設定し、略同−サイズの記録ドツト（
ｈ）が安定して形成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第１６図〜第
１７図に示すように再生用集束光（９）を光記Ｂ媒体（
ｅ）の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受
光素子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場
合、再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されて
おり、第１５図に示すように代表的には再生用集束光ス
ポット（＋）における１／ｅ２全１（Ωｅ）領域の光が
再生信号に寄与するものと考えられる。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、従来の光記録媒体（０）は上述のように基板
（ｂ）の全面に記録層（Ｃ）を備えているため、以下に
示すような種々の問題点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（ＴＰ
）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないとこ
ろまで狭く設定することができ、その最小値（ＴＰ　　
・　）は再生時における隣接ト１ｎ ラックとのクロストークのみを考慮すると、第１８図（
ｄ）から （ＴＰｌｏ） ＝８／２＋　（Ωｅ−Ｂ）／２＋８／２＝（Ｂ＋Ωｅ）
／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツト（ｈ）の幅寸法、（Ωｅ）は
再生用集束光スポット（ｉ）における１／ｅ２全幅を示
している。

一方、従来において記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）は
上述のように記録用集束光スポット（ｉ）の半値幅くΩ
２）程度に設定されているため、光記録媒体におけるト
ラック密度を向上させるためには、結局、上記集束光（
ａ）のスポット径（Ωｅ１Ω２）を小さく設定するとい
った方法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）につ
いてもこれを余り小さく設定すると基板表面の僅かな寸
法誤差で記録誤動作を起こすことから一定以下に設定で
きない制約があるため、上記密度向上には一定の限界を
有する問題点があった。

また、上記記録層（Ｃ）を構成する記録材料は通常熱伝
導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記録
スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなって
記録幅が増大し、第１９図に示すように記録ドツト（ｈ
）の形状が所謂「涙滴形ドツト」となる場合があった。

このため、第５図においてαで示すように再生信号が歪
んでしまって大きなジッターが発生し易いと共に、Ｃ／
Ｎ比が低下するといった問題点があった。

更に、再生用集束光スポット（＋）の径寸法（Ωｅ）は
上述のように記録ドツト（ｈ）の径寸法（Ｂ）より大き
く、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基板
（ｂ）全面に記録層（Ｃ）が設けられているため、再生
時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大きく
影響を及ぼすといった欠点があった。

すなわち、第２０図に示すように光記録媒体（ｅ）の記
録層（Ｃ）面には、媒体自体の欠陥、結晶粒等に基因す
る反射率の異なるノイズ発生部位（ｎｌ）〜（ｎｌ）が
多数存在し、かつ、上記記録ドツト（ｈ）の周縁部にも
ドツト形状のむらに基因するノイズ発生部位（ｎ２）〜
（ｎ２）が存在してこれ等ノイズが再生信号に混入する
ため、再生信号におけるＣ／Ｎ比向上向上きな障害とな
っていた（第７図においてαで示されたＣ／Ｎ比参照。

但し、Ｃは主１シリア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベ
ルを夫々示している）。

また、記録・再生・消去用の光記録媒体においては、記
録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記録層の
感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラッキン
グずれ等の原因によって第２１図に示すように記録情報
を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一方、
この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径（Ω
）を記録用集束光のスポット径（Ω２）より大きく設定
すると、トラック密度の低下を招くといった問題点があ
った。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全面
に記録層（Ｃ）が形成されているため、記録層（Ｃ）形
成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録１（ｃ）との
膨張率の違い等によって、第２２図に示すように記録層
（Ｃ）に二次元的な内部ストレス（Ｓｔ）が加わり易く
経時的に記録性能が劣化し易い問題点があった。

尚、特開昭５８−３７８５７号公報には基板全面に記録
層を形成せずトラック状に配録層を形成した光記録媒体
が開示されているが、この公報に開示されている手段は
従来におけるトラッキングサーボ用のプリグループの形
成を省略し、単に、光記録媒体の製造コスト低減を図っ
たものに過ぎないものである。

従って、上記公報では上述した各諸問題について何等の
言及がなされておらず、製造コスト低減のため記録層を
トラック状に形成した以外は依然として上記諸問題が未
解決のものに過ぎないものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が高く
、かつ、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが少なく、しか
も長期に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体を提供
することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報の
記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体を前
提とし、基板と、この基板の少なくとも一面に間隔を介
し記録層にて形成された複数のトラックとで構成され、
上記トラックの幅寸法が記録用集束光スポットの半値幅
と同程度以下に設定されていることを特徴とするもので
ある。

この様な技術的手段において上記基板としては、この基
板側から集束光を照射させる関係上光透過性の材料が望
ましく、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、エポキシ樹脂
、ポリベンテン等が挙げられる。また、単一の光透過性
材料でもって上記基板を構成してもよく、あるいは上記
光透過性材料を複数積層して基板としても当然のことな
がらよい。更に、上記基板の形状については通常円形状
とするが、カード型の光記録媒体とする場合には矩形状
とするのが好ましい。またこの技術的手段におては、基
板に間隔を介し記録層にて形成された複数のトラックを
利用し、記録時、再生時、乃至消去時におけるフォーカ
シング、並びにトラッキングサーボ制御が可能となるた
め、従来におけるプリグループを備えていないものも基
板として使用することが可能である。尚、基板の反対側
から集束光を照射させて記録・再生、あるいは記録・再
生・消去を行う光記録媒体においては、当然のことなが
ら上記光透過性以外の光不透過性の材料でもって基板を
構成してもよい。

また、上記基板上においてトラックを形成する記録層は
、円形基板においては渦巻き状、若しくは同心円状に形
成された複数、若しくは単一の帯状層により構成され、
一方、矩形基板においては互いに平行に形成された複数
の帯状層により構成される。

そして、上記記録層の形成方法としては基板上に記録材
料を一様に形成し、次いで、上記トラック以外の部位の
記録材料を除去して形成する手段が適用できる。

具体的には記録材料を一様に形成する手段として、例え
ば、上記記録材料を直接基板上に形成する蒸着法、スパ
ッタリング法等のドライプロセスが、また、溶剤に溶解
若しくは分散された記録材料を基板上に塗布形成するウ
ェットプロセスが適用できる。

一方、上記トラック以外の部位に形成された余分な記録
材料を除去する手段としては、溶剤などを用いて部分的
に除去するエツチング法や、パフ研磨、レーザカッティ
ング等の機械的除去法等が適用できる。

更に、他の記録層の形成方法としては、基板上にパター
ン状にレジスト層を形成し、次いで、この全面上に記録
材料を一様に形成した後、上記レジスト層とこの上に形
成された記録材料層を除去することによっても可能であ
る。

尚、これ等手段によって形成される記録層、すなわちト
ラックの幅寸法■はトラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げる
ため記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、
好ましくはΩ２／３〜２ＸΩ２／３程度に設定するもの
であり、一方、上記トラックピッチＴＰについては、記
録用集束光スポットの１／ｅ２全幅をΩｅとした場合に
おいて、トラック密度を上げるため略（Ｔ＋Ωｅ）／２
に設定することが望ましい。

次に、上記記録層を構成する記録材料としては、光記録
材料として広く知られている全ての材料を使用すること
ができる。

すなわち、Ｔｅ、Ｓｅ、　Ｓ、、Ｓｂ、Ａｓ％Ｐ、Ｐｂ
、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓ　ｉ　、Ｔｊ、１ｎ１Ｑａ。

ＡＩ、Ｚｎ、Ａｕ、ＡｏＳ　Ｃｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｎｉ、Ｃｒ、及びＷ等の元素のうち少なくとも一成分以
上を含む単体、若しくは化合物、あるいはそれらが他の
材料中に分散された材料を使用することができる。この
うち１０％５ｅ−Ｔｅ。

Ｐｂ−８ｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ等は書換不能な記録・再生
タイプである穴開は形の材料に適しており、ＴｅＯ、Ｔ
ｅａｘ　（Ｇｅ、Ｓｎ添加）、Ｉｎ−× Ｓｅ、Ｉｎ−８ｂ１　Ｉｎ−Ｔｅ、５ｂ２Ｓｅ。

”ｒｅ−Ｇｅ−３ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ−Ａｕ、Ａｓ２
Ｓ３．５ｂ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｔｅ。

Ａａ−１ｎ、Ａｏ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃ
ｕ、　Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、　Ａｕ−Ｔｉ、及びＣｒ−Ｔ
ｉ等は書換可能な記録・再生・消去ターイブである相変
化形記録材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、Ｆｅ、Ｃ０
１Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属、及びＴｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ１Ｅｎ１Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、４ｍ、Ｙｂ、ｌｕ
等の希土類元素のうち少なくとも一成分以上を含む磁気
材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｄｙ
−Ｆｅ。

Ｍｎ−Ｂ　ｉ　、　Ｐｔ−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスビ０ピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

また、この技術的手段は片面側にのみ記録層を備える光
記録媒体に適用できる他、両面側に記録層を備える光記
録媒体にも適用できる。この場合後者のものは、記録層
を向い合せにし接着剤を介して２枚貼り合せて形成する
ことができ、また、この接着剤としては、ウレタン系接
着剤、エポキシ系接着剤、硬化性シリコーン樹脂、エチ
レン−酢酸ビニル樹脂等のホットメルト型接着剤、ポリ
塩化ビニル樹脂等の高周波接着剤等が利用できる。

一方、前者のものにおいては上記記録層を保護するため
の保護層を記録層側基板全面に設けてもよく、この材料
としてＳｉＯ２、ＺｎＳ１ｚｒ０２、ＡｌＮ１Ｓｉ３Ｎ
４等が利用できる。

また、この光記録媒体の記録層へ集束光を照射させて情
報の記録・再生、あるいは記録・再生・消去を行う光源
としては、従来法において利用されている光源が使用で
き、具体的にはＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ、ＧａＡＩ
ＩｎＰ系半導体レーザ、Ｇａ１ｎＡｓＰ系半導体レーザ
等の半導体レーザや、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、
Ｈｅ−Ｃｄレーザ等のガスレーザ等が挙げられる。

更に、本発明に係る光記録媒体は、コンパクトディスク
等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加えて計ｎ機用
光ディスク等各種用途に適用できる。

［作用］ 上述したような技術的手段によればこの光記録媒体は、
基板と、この基板の少なくとも一面に間隔を介し配録層
にて形成された複数のトラックとで構成され、互いに隣
接するトラック間には記録層が形成されていないため、
再生時における媒体ノイズが減少し、かつ、記録情報の
消去時における消し残りが発生し難いと共に、上記トラ
ック内の記録層は長さ方向においてのみ連続し幅方向に
おいては連続してないため記録層の内部ストレスが減少
し、一方、上記トラックの幅寸法は記録用集束光スポッ
トの半値幅程度以下に設定されているためトラックピッ
チを小さめに設定でき、かつ、記録ドツトの形状を略矩
形状に近似させることが可能となる。

［実施例］ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明すると
、この光記録媒体（１）は、第１図〜第２図に示すよう
に円形状のガラス製基板（２）と、この基板（２）上に
おいて同心円状に設けられた記録層（３）により形成さ
れたトラック（４）と、上記記録層（３）側基板（２）
面上に一様に形成された保護層（５）とでその主要部が
構成されるものである。

また、上記記録層（３）、すなわちトラック（４）の幅
寸法Ｔは記録用半導体レーザスポットの半値幅（Ω２）
［第３図（ｂ）及び（Ｃ）参照］以下の５０００オング
ストロームに設定されており、かつ、上記記録Ｂ（３）
は３００オングストローム厚のＴｅＯｘにより構成され
ている。

そして、上記同心円状の記録層（３）で形成されたトラ
ック（４）を利用してフォーカシング、並びにトラッキ
ング制御を行いながら、第２図〜第３図に示すように記
録層（３）の所定部位に記録用半導体レーザを照射しそ
の径が半導体レーザスポットの半値幅（Ω２）程度の記
録ドツト（６）を形成し記録情報の入力を行うと共に、
この記録ドツト（６）を再生用半導体レーザにより読取
って再生信号を得るものである。

尚、第１図中（７）は再生用の光ヘッドを示しており、
半導体レーザ〈７１）と、このレーザ光を光記録媒体（
１）面へ結像させる集光レンズ（７２）と、光記録媒体
（１）からの反射ビームを偏光させるビームスプリッタ
（７３）、ハーフミラ−（７４）と、及びサーボ信号検
出器（７５）並びに再生信号受光器（７６）とでその主
要部が構成されているものである。また、従来同様再生
用半導体レーザスポットの１／ｅ２全幅（Ωｅ）領域の
光が再生信号に寄与しているものと考えられる。

ここでこの光記録媒体（１）は、基板全面に記録層の形
成された従来の光記録媒体と比較して以下に示すような
種々の効果を有している。

先ずこの光記録媒体（１）は、従来の光記録媒体と較べ
てトラックピッチ（ＴＰ）を著しく小さく設定すること
が可能となる。

すなわち、光記録媒体のトラックピッチの最小値（ＴＰ
Ｉｌｌ、、）は上述したように、（ＴＰｆｆｉｉｎ） ＝８／２＋　　（Ωｅ−Ｂ）／２＋Ｂ／２＝（Ｂ＋Ωｅ
）／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツトの幅寸法、（Ωｅ〉は再生用
集束光スポットにおける１／ｅ２全幅を示している。

一方、この光記録媒体（１）においては、第３図（ｂ）
及び（ｄ）に示すように上記記録ドツト（６）の幅寸法
（Ｂ）がトラック（４）の幅寸法（Ｔ）と同一となって
おり、かつ、この幅寸法（Ｔ）は従来の光記録媒体にお
ける記録ドツト径（Ω２）より小さく設定されているた
め、実施例に係る光記録媒体（１）のトラックピッチの
最小値（ＴＰ’　　、　　’）と、従来における光記録
媒体の１ｎ トラックピッチの最小値（ＴＰ、）との関係は、１ｎ （ＴＰ”　・　）＜（ＴＰ・　） １１１ｎ　　　　　　　　　　　　　１ｌＩｎとなり、
従来と較べてトラックピッチ（ＴＰ）を著しく小さく設
定でき、トラック密度の向上が図れる利点を有している
。

また、実施例に係る光記録媒体（１）においてはそのト
ラック（４）が帯状の記録層（３）により構成されてい
るため、第４図に示すように従来の「涙滴形状」と異な
って矩形状に近い記録ドツト（６）を形成することがで
きる。

従って、第５図においてβで示すように再生時における
再生信号波形が歪まないため、従来と比較してＣ／Ｎ比
、及びジッター共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（１）においては、上記トラック
（４）以外の部位に記録層（３）を有していないため媒
体ノイズが低減し、しかも記録ドツト（６）の形状は、
トラック（４）にのみ形成された帯状の記録層（３）の
形状により規制されてばらつかないため、記録ドツト（
６）の境界部における反射率むらや磁区分布むらが低減
して再生信号におけるＣ／Ｎ比が向上する長所を有して
いる。

すなわち再生時における再生信号ノイズは、半導体レー
ザ等光源のノイズを充分に押えた場合、一般的には光記
録媒体の欠陥、結晶粒等に基因する媒体ノイズと、記録
ドツト形状のむらに基因する記録ノイズとが支配的とな
る。そしてこの光記録媒体においては、トラック（４）
以外の部位に記録層（３）を有していないため上記媒体
ノイズが低減すると共に、第６図に示すように記録ドツ
ト（６）の両側縁は高い精度で形成された帯状の記録層
（３）により規制されて形状むらが起こり難いため記録
ノイズも低減する。従って、再、生信号に上記のノイズ
信号が混入し難くなるため、第７図においてβにて示す
ようにＣ／Ｎ比が著しく向上する長所を有するものであ
る。

尚、この光記録媒体（１）においては記録ドツト（６）
の幅寸法（Ｔ）が従来のそれより狭くなるため、第７図
で示すようにキャリア信号レベルＣが若干減少するが、
ノイズ信号レベルＮについても大幅に減少するため結果
的にＣ／Ｎ比は増加することとなる。また、サーボ信号
ノイズも同様に減少するため、サーボ制御の安定化にも
貢献することとなる。特に、トラッキングザーボ制御は
、トラック部とトラック間との反射率差を大きく設定で
・きることと相まって大きく安定化する長所を有してい
る。

また更に、本発明を記録・再生・消去用の光記録媒体に
適用した場合、従来においては経時劣化を基因とする記
録層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラ
ッキングずれ等の原因によって記録情報を完全に消去で
きなくなるといった欠点が存したが、第８図に示すよう
に消し残りが発生する領域には記録層（３）が存在しな
いため、消し残りが生じない長所を有している。

また、上記トラック（４）を構成する帯状の記録層（３
）は長さ方向においてのみ連続し幅方向においては連続
していないため、第８図に示すように記録層（３）の内
部ストレス（Ｓｔ）は−次元的となって大幅に緩和され
ると共に、記録材料が相変化タイプの場合、記録消去工
程における結晶化、アモルファス化という原子移動過程
も一次元的に進行するため、記録層（３）内の組成変動
や組成の面内ばらつきが生じ難くなり、記録層（３）や
記録ビットの安定性の他に、繰返し書換え性も改善され
長期に亘って記録性能が安定する長所を有しており、か
つ、−次元的に記録・消去の過程が進行するため、各過
程の高速化が図れて高速の記録・消去が可能となる長所
を有している。

◎光記録媒体の製造 以下、実施例に係る光記録媒体（１）の製造法について
説明する。

（第一製法例） まず、第９図（ａ）に示す円形状のガラス製基板（２）
面上にスピンコード法によりポジタイプの７オトレジス
ト材料（ヘキスト社製　商品名ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布
し、２０００オングストローム厚の７オトレジスト層（
１０）を形成する（第９図す参照）。次いで、図示外の
フォトマスクを介し露光して露光部位のフォトレジスト
層（１０）を変質させ現像剤であるアルカリ水溶液に可
溶性とすると共に、そ１の露光部位をアルカリ水溶液に
より溶解除去して幅Ｔが５０００オングストローム、深
さ約２０００オングストロームの凹溝（１１）を形成す
る（第９図Ｃ参照）。尚、上記凹溝（１１）の深さ寸法
は５００〜６０００オングストローム、好ましくは１０
００〜４０００オングストローム程度に設定することが
望ましい。

この理由は、上記凹溝（１１）の段差を利用し以下工程
に基づいて所定部位に記録層（３）を形成する関係上、
上記深さ寸法が浅ずぎると各トラック（５）間の記録膜
が除去できなくなり、一方、深すぎると段差の影の部分
に記録膜が付き難くなるためである。

次いで、上記基板（２）のフォトレジスト層（１１）側
面上に３００オングストローム厚のＴｅＯ薄層（１２）
を蒸着法により均一に形成す× る（第９図ｄ参照）。尚、この？１層（１２）の層厚は
記録材料の種類により異なるが、通常、１００〜２００
０オングストローム程度に設定される。また、上記基板
（２）と記録材料との親和性が弱い場合には、必要に応
じ基板（２）面上に下地材料を塗布形成するとよい。

次に、アセトン等の有機溶剤により露光部位のフォトレ
ジスト層（１０）と、このフォトレジスト層（１０）上
の薄層（１２）を溶解除去して基板（２）上に幅Ｔが５
０００オングストローム、厚さ３００オングストローム
の記録層（３）を形成する（第９図ｅ参照）。

更に、第９図（ｆ）に示すように、上記記録層（３）側
基板（２）面上にＳｉＯ２にて構成される保護層（５）
を均一に形成し、基板（２）上において同心円状に設け
られた記録層（３）により形成されたトラック（４）を
備える光記録媒体（１）を製造した。

（第二製法例） まず、第１０図（ａ）に示す円形状のガラス製基板（２
）面上に、３００オングストローム厚で、Ｑｅ、３ｎが
添加されたＴｅＯｘ薄層（２０）を蒸着法により均一に
形成し、かつ、その面上にスピンコード法によりフォト
レジスト材料（ヘキスト社製　商品名Ａ１１３５０Ｊ）
を塗布し、５０００オングストローム厚のフォトレジス
ト層（２１）を形成する（第１０図Ｃ参照）。

次いで第１０図（ｂ）に示すように、Ｃｒ薄Ｉをバター
ニングして作成したフォトマスク〈２２）を上記フォト
レジスト層（２１）上に密着させた後、ＫｒＦを用いた
エキシマ−レーザ光（波長２４９０オングストローム）
を照射し、フォトレジスト層（２１）を部分的に現像液
可溶性に変質させて上記マスターパターンを転写する。

尚、露光光源としては上記以外に、ＸｅＣ１を用いたエ
キシマ−レーザ光（波長３０８０オングストローム）、
Ｘ線等が利用可能である。また、上記フォトレジスト層
（２１）面上にフォトマスク（２２）を密着させる代り
に、フォトレジスト層（２１）とフォトマスク（２２）
間に結像レンズを介装し、投影露光によって上記マスタ
ーパターンを転写する手段をとってもよい。

次に、フォトレジスト層（２１）の露光部位を現像液で
あるアルカリ水溶液により溶解除去し、幅Ｔが５０００
オングストロームのトラックパターンを形成する（第１
０図Ｃ参照）。更に、上記ＴｅＯｘのｉｌ！（２０）を
残留するフォトレジスト層（２１）により保護した状態
でもってエツチング処理を施し、露出するＴｅＯｘのｉ
ＥＩ層（２０）を溶解除去する（第１０図Ｃ参照）。こ
こで上記エツチング法としては、ＣＣｌ２Ｈ２をエツチ
ングガスとしたドライエツチング（反応性イオンエツチ
ング）法を使用した。尚、ドライエツチング法に替えＨ
Ｃ，１を主体とした溶剤を用いたウェットエツチング法
を適用してもよい。

次いで、残留する上記フォトレジスト層（２１）をアセ
トン等の有機溶剤により溶解除去した後、上記記録層（
３）側基板（２）面上にＳｉＯ２にて構成される保護層
（５）を均一に形成し、基板（２）上において同心円状
に設けられた記録層（３）にて形成されたトラック（４
）を備える光記録媒体（１）を製造した（第１０図Ｃ参
照）。

尚、この製法例においてはフォトマスク（２２）を使用
し、上記フォトレジストＩＩ（２１）をトラックパター
ン状に変質させる方法が採られているが、−様にフォト
レジスト層が形成された基板を回転させながら、上記フ
ォトレジスト層面に集束させたレーザ光を１トラツクず
つ照射させ、このフォトレジスト層（２１）をトラック
パターン状に現像液可溶性に変質させる方法を採っても
よい。この場合、Ａｒレーザ光（波長４５７９オングス
トローム）、Ｋｒイオンレーザ光（波長４１３１オング
ストローム）、及びＨｅ−Ｃｄレーザ光（１長４４１６
．ｔンクストローム）等のレーザ光が使用できる。

（第三製法例） この方法は、第１１図（ａ）〜（、Ｃ）に示すようにガ
ラス製基板（２）全面に形成されたＴｅＯｘの薄層をレ
ーザビームを照射させるレーザカッティング処理により
部分的に除去して記録層（３）を形成し、渦巻き状のト
ラック（４）を伺える光記録媒体（１）を製造するもの
である。

この場合、上記基板（２）にはトラッキングサーボ用の
凹溝（３０）を形成し、上記レーザビームを所定部位へ
確実に照射させる方法が採られる。

また、上記凹溝（３０）は、上述のようにレーザカッテ
ィング処理の際に利用されるものであって、光記録媒体
（１）の記録、再生時において利用されるもので無いた
め、第１１図（ｂ）に示すように上記凹溝（３０）と記
録層（３）の幅寸法は一致せずどもよい。

［発明の効果］ 本発明は以上のように、トラックピッチを小さめに設定
でき、媒体ノイズの減少が図れ、かつ、記録ドツトの形
状を矩形状に近似させることが可能となるため、トラッ
ク密度、Ｃ／Ｎ比、並びにジッターの向上を図ることが
可能になると共に、再生ノイズ等を減少できる効果を有
しており、しかも、記録層の内部ストレスが減少するた
め長期に亘って記録性能が劣化しない効果を有している
。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１１図は本発明の実施例を示しており、第１
図は実施例に係る光記録媒体の斜視図、第２図はその部
分断面斜視図、第３図（ａ）は光記録媒体の部分断面図
、第３図（ｂ）はその部分平面図、第３図（Ｃ）は記録
、再生用半導体レーザスポットの照度分布、第３図（ｄ
）はトラックピッチを最小にした場合の光記録媒体の部
分平面図、第４図、第６図、及び第８図は記録層、トラ
ック及び記録ドツトの形状を示す平面図、第５図は再生
信号レベルと時間との関係図、第７図は再生信号におけ
るキャリア信号レベルとノイズ信号レベルとの関係を示
す関係図、第９図（ａ）〜（ｆ）は光記録媒体の第−製
造例を示す工程説明図、第１０図（ａ）〜（ｅ）は光記
録媒体の第二製造例を示す工程説明図、第１１図（ａ）
〜（Ｃ）は第三製法例により得られた光記録媒体の断面
図を夫々示し、第１２図〜第２２図は従来における光記
録媒体を示しており、第１２図はその斜視図、第１３図
及び第１６図はその部分断面斜視図、第１４図は半導体
レーザ等光源の照度分布とその収束光スポットの照度分
布、第１５図は第１４図におけるＩの拡大図、第１７図
は光記録媒体の再生時における説明図、第１８図（ａ）
は光記録媒体の部分断面図、第１８図（ｂ）はその部分
平面図、第１８図（Ｃ）は記録、再生用半導体レーザス
ポットの照度分布、第１８図（ｄ）はトラックピッチを
最小にした場合の光記録媒体の部分平面図、第１９図〜
第２１図はトラック、記録層、及び記録ドツトの形状を
示す平面図、及び第２２図は記録層に加わる内部ストレ
スを示す説明図である。 ［符号説明］ （１）・・・光記録媒体 （２）　−・・基板 （３）・・・記録層 （４）・・・トラック （５）・・・保′Ｓ層 （６）・・・記録ドツト （７）・・・光ヘッド 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外３名
）第１図 第３図 第４図 第５図 時間 第６図 第７図 再生信号レベル（ｄＢ） 第８図 第９図 第１０図 力 第１１図 第１２図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１９図 り 第２０図 第２１図 第２２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束光を照射させて光学的に情報の記録再生、あ
   るいは記録再生消去を行う光記録媒体であつて、基板と
   、この基板の少なくとも一面に間隔を介し記録層にて形
   成された複数のトラックとを備え、上記トラックの幅寸
   法が記録用集束光スポットの半値幅と同程度以下に設定
   されていることを特徴とする光記録媒体。
2. （２）上記トラックの幅寸法をＴ、記録用集束光スポッ
   トの１／ｅ＾２全幅をΩｅとした場合において、上記ト
   ラックピッチが略（Ｔ＋Ωｅ）／２に設定されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
   。