JPH01202013A - 局部発振回路 - Google Patents
局部発振回路Info
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- JPH01202013A JPH01202013A JP63026856A JP2685688A JPH01202013A JP H01202013 A JPH01202013 A JP H01202013A JP 63026856 A JP63026856 A JP 63026856A JP 2685688 A JP2685688 A JP 2685688A JP H01202013 A JPH01202013 A JP H01202013A
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- Japan
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- circuit
- local oscillation
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
- H03J7/02—Automatic frequency control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
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- H03B2200/0042—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor the capacitance diode being in the feedback path
-
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- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Television Receiver Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は電子同調チューナに係り、特にＡＦＴ（自動
周波数調整）回路を備えた局部発振回路に関する。
周波数調整）回路を備えた局部発振回路に関する。
「従来の技術」
第４図は従来の局部発振回路の回路図である。
この局部発振回路は、増幅回路ｌと帰還回路２と共振回
路３とＡＦ’Ｔ回路４とからなる。
路３とＡＦ’Ｔ回路４とからなる。
まず、増幅回路ｌの構成を説明する。Ｔｒ、は発振用ト
ランジスタであり、電源電圧Ｖｃｃからバイアス抵抗Ｒ
４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ７を介して直流バイアスが加えられ
ている。コンデンサＣ６は接地コンデンサであり、交流
動作時にトランジスタＴｒ＋のベース端子を等測的に接
地仕しめるものである。
ランジスタであり、電源電圧Ｖｃｃからバイアス抵抗Ｒ
４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ７を介して直流バイアスが加えられ
ている。コンデンサＣ６は接地コンデンサであり、交流
動作時にトランジスタＴｒ＋のベース端子を等測的に接
地仕しめるものである。
トランジスタＴｒ、のエミッタ端子はコンデンサＣ４を
介して出力端子２１に接続される。また、出力端子２１
には、一端が接地されたコンデンサＣ７が負荷として接
続される。そして、この増幅回路ｌの入力端（トランジ
スタＴｒ＋のコレクタ端子）は、共振用インダクタンス
Ｌ１を介して後述する共振回路３と結合されており、こ
のインダクタンスし、の両端に発生する信号を増幅して
、出力端子２Ｉに出力する。
介して出力端子２１に接続される。また、出力端子２１
には、一端が接地されたコンデンサＣ７が負荷として接
続される。そして、この増幅回路ｌの入力端（トランジ
スタＴｒ＋のコレクタ端子）は、共振用インダクタンス
Ｌ１を介して後述する共振回路３と結合されており、こ
のインダクタンスし、の両端に発生する信号を増幅して
、出力端子２Ｉに出力する。
次に、帰還回路２の構成を説明する。増幅回路１の出力
端子２１には帰還用可変容量ダイオードＤ、のアノード
が接続されている。そして、この可変容量ダイオードＤ
２のアノードは抵抗Ｒ８を介して接地され、また、カソ
ードは共振回路３の節点ａに接続される。この結果、出
力端子２１に出力される増幅回路Ｉの出力信号は可変容
量ダイオードＤ２を介して共振回路３の節点ａに帰還さ
れる。
端子２１には帰還用可変容量ダイオードＤ、のアノード
が接続されている。そして、この可変容量ダイオードＤ
２のアノードは抵抗Ｒ８を介して接地され、また、カソ
ードは共振回路３の節点ａに接続される。この結果、出
力端子２１に出力される増幅回路Ｉの出力信号は可変容
量ダイオードＤ２を介して共振回路３の節点ａに帰還さ
れる。
次に、共振回路３の構成を説明する。共振回路３は前述
の通り増幅回路ｌの入力側に接続され、構成される。す
なわち、節点ａには共振用可変８墳ダイオードＤ３のカ
ソードとコンデンサＣ３の一端が接続され、可変容量ダ
イオードＤ３のアノードには一端が接地されたコンデン
サＣ７および抵抗Ｒ３の他端が接続され、コンデンサＣ
３の他端はインダクタンスし、とコンデンサＣ６とを直
列に介して接地される。そして、共振回路３は前述の通
りインダクタンスＬ、により増幅回路ｌと結合される。
の通り増幅回路ｌの入力側に接続され、構成される。す
なわち、節点ａには共振用可変８墳ダイオードＤ３のカ
ソードとコンデンサＣ３の一端が接続され、可変容量ダ
イオードＤ３のアノードには一端が接地されたコンデン
サＣ７および抵抗Ｒ３の他端が接続され、コンデンサＣ
３の他端はインダクタンスし、とコンデンサＣ６とを直
列に介して接地される。そして、共振回路３は前述の通
りインダクタンスＬ、により増幅回路ｌと結合される。
また、この共振回路３の節点ａは抵抗Ｒ７を介して局発
周波数制御端子１１に接続されている。
周波数制御端子１１に接続されている。
従って、可変容量ダイオードＤ３は、抵抗Ｒ７、Ｒ５を
介して、この局発周波数制御端子１１の局発周波数制御
電圧ＶＴＵによる直流バイアスを受け、容量値が制御さ
れる。この結果、この局発周波数が制御され、この局部
発振回路が使用されているチューナにおける選局が行わ
れる。
介して、この局発周波数制御端子１１の局発周波数制御
電圧ＶＴＵによる直流バイアスを受け、容量値が制御さ
れる。この結果、この局発周波数が制御され、この局部
発振回路が使用されているチューナにおける選局が行わ
れる。
ところで、前述した帰還回路２の可変容量ダイオードＤ
、もカソードが共振回路３の節点ａに接続されているの
で、抵抗Ｒ２、Ｒ８を介して、局発周波数制御電圧ＶＴ
Ｕによる直流バイアスを受け、容量値が制御される。す
なわち、可変容量ダイオードＤ、とＤ３とは、同一の局
発周波数制御電圧ＶＴＵによって容量値が制御される。
、もカソードが共振回路３の節点ａに接続されているの
で、抵抗Ｒ２、Ｒ８を介して、局発周波数制御電圧ＶＴ
Ｕによる直流バイアスを受け、容量値が制御される。す
なわち、可変容量ダイオードＤ、とＤ３とは、同一の局
発周波数制御電圧ＶＴＵによって容量値が制御される。
このようにする事で、バンドの全域に渡って帰還量がよ
り均一になり発振を安定化さ仕る事が可能となる。
り均一になり発振を安定化さ仕る事が可能となる。
次に、ＡＦＴ回路４の構成を説明する。ＡＦＴ回路４は
共振回路３と並列に接続され、構成される。
共振回路３と並列に接続され、構成される。
すなわち、節点ａにはコンデンサＣＩの一端が接続され
、コンデンサＣ８の他端には、アノードが接地された微
同調用可変容量ダイオードＤ、のカソードが接続され、
さらに抵抗Ｒ１を介して微同調制御端子Ｉ２に接続され
る。ここで、可変容量ダイオードＤ１は、カソードに抵
抗Ｉ？、を介して、微同調制御端子１２の自動微同調電
圧Ｖ ＡＦＴを受け、容量値が制御される。
、コンデンサＣ８の他端には、アノードが接地された微
同調用可変容量ダイオードＤ、のカソードが接続され、
さらに抵抗Ｒ１を介して微同調制御端子Ｉ２に接続され
る。ここで、可変容量ダイオードＤ１は、カソードに抵
抗Ｉ？、を介して、微同調制御端子１２の自動微同調電
圧Ｖ ＡＦＴを受け、容量値が制御される。
以上要約すると、この局部発振回路はコルピッツ型発振
回路の共振回路３に並列にＡＰＴ回路４が接続された構
成になっている。
回路の共振回路３に並列にＡＰＴ回路４が接続された構
成になっている。
次に、この局部発振回路の動作を説明する。第５図は、
第４図の局部発振回路における直流バイアス用抵抗およ
び直流阻止用コンデンサを省略して、発振動作時の等価
回路を表したものである。
第４図の局部発振回路における直流バイアス用抵抗およ
び直流阻止用コンデンサを省略して、発振動作時の等価
回路を表したものである。
この回路において、コンデンサＣｆｌは第４図の帰還用
可変容量コンデンサＤｔに対応し、コンデンサＣｒｔは
第４図のコンデンサＣ９に対応し、コンデンサＣＴＵは
第４図の共振用可変８債ダイオードＤ３に対応し、コン
デンサＣＡＰＴは第４図の微同調用可変容量ダイオード
Ｄ１に対応し、インダクタンスＬ１は第４図の共振用イ
ンダクタンスＬ＋に対応する。この等価回路図によれば
、この局部発振回路の局発周波数ｆは次式で表される。
可変容量コンデンサＤｔに対応し、コンデンサＣｒｔは
第４図のコンデンサＣ９に対応し、コンデンサＣＴＵは
第４図の共振用可変８債ダイオードＤ３に対応し、コン
デンサＣＡＰＴは第４図の微同調用可変容量ダイオード
Ｄ１に対応し、インダクタンスＬ１は第４図の共振用イ
ンダクタンスＬ＋に対応する。この等価回路図によれば
、この局部発振回路の局発周波数ｆは次式で表される。
・・・・・・（１）
この局部発振回路は上式（１）の局発周波数ｆで発振し
、その発振出力は出力端子２Ｉを介して後続の混合器に
供給される。混合器ではチューナの入力信号周波数と局
発周波数との差が検出され、これが規定値になるように
第４図の局部発振回路の微同調制御端子１２に自動微同
調制御電圧Ｖ ＡＦＴが送られ、局発周波数の自動微調
整が行われる。
、その発振出力は出力端子２Ｉを介して後続の混合器に
供給される。混合器ではチューナの入力信号周波数と局
発周波数との差が検出され、これが規定値になるように
第４図の局部発振回路の微同調制御端子１２に自動微同
調制御電圧Ｖ ＡＦＴが送られ、局発周波数の自動微調
整が行われる。
「発明が解決しようとする課題」
ところで、従来の局部発振回路では共振用可変容量ダイ
オードと並列に微同調用可変容量ダイオードが接続され
ているため、共振用可変容量ダイオードの容量値が小さ
い場合、すなわち発振周波数が高い場合には、微同調用
可変容量ダイオードの容量値変化が発振周波数に及ぼす
影響が太き過ぎ、逆に、同調用可変容量ダイオードの容
量値が大きい場合、すなわち発振周波数が低い場合には
、微同調用可変容量ダイオードの容簗値変化が発振周波
数に及ぼず影響が小さ過ぎる。従って、この局部発振回
路のバンド内において、高域と低域とで、自動微同調電
圧に対する局発周波数の変位量に大きな周波数偏差が生
じてしまうという問題があった。
オードと並列に微同調用可変容量ダイオードが接続され
ているため、共振用可変容量ダイオードの容量値が小さ
い場合、すなわち発振周波数が高い場合には、微同調用
可変容量ダイオードの容量値変化が発振周波数に及ぼす
影響が太き過ぎ、逆に、同調用可変容量ダイオードの容
量値が大きい場合、すなわち発振周波数が低い場合には
、微同調用可変容量ダイオードの容簗値変化が発振周波
数に及ぼず影響が小さ過ぎる。従って、この局部発振回
路のバンド内において、高域と低域とで、自動微同調電
圧に対する局発周波数の変位量に大きな周波数偏差が生
じてしまうという問題があった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、自動
微同調電圧に対する局発周波数の変位量の偏差が小さい
局部発振回路を提供することを目的としている。
微同調電圧に対する局発周波数の変位量の偏差が小さい
局部発振回路を提供することを目的としている。
「課題を解決するための手段」
この発明は、
（ａ）局発周波数制御電圧を与えられて電極間容量が制
御される共振用可変容量ダイオードを有する共振回路と
、 （ｂ） 前記共振回路の出力信号を増幅する増幅回路と
、 （Ｃ）前記局発周波数制御電圧によって電極間容量が制
御され、前記増幅回路の出力信号を前記同調回路に帰還
する帰還用可変８惧ダイオードと、（ｄ）前記増幅回路
の出力端と接地間に介挿されて、自動微同調電圧を与え
られて電極間容量が制御される微同調用可変容量ダイオ
ードと を具備する事を特徴としている。
御される共振用可変容量ダイオードを有する共振回路と
、 （ｂ） 前記共振回路の出力信号を増幅する増幅回路と
、 （Ｃ）前記局発周波数制御電圧によって電極間容量が制
御され、前記増幅回路の出力信号を前記同調回路に帰還
する帰還用可変８惧ダイオードと、（ｄ）前記増幅回路
の出力端と接地間に介挿されて、自動微同調電圧を与え
られて電極間容量が制御される微同調用可変容量ダイオ
ードと を具備する事を特徴としている。
「作用」
上記構成によれば、微同調用可変容量ダイオードが帰還
用可変容量ダイオードの容量値に略比例して共振用可変
容量ダイオードに結合され、局発周波数を決定せしめる
。しかも、この時の帰還用可変容量ダイオードの容量値
は、共振用可変容重ダイオードの容量値に連動して制御
される。従って、微同調用可変容量ダイオードは、共振
用可変容量ダイオードの容量値に略比例した割合て共振
用可変容重ダイオードに結合される。
用可変容量ダイオードの容量値に略比例して共振用可変
容量ダイオードに結合され、局発周波数を決定せしめる
。しかも、この時の帰還用可変容量ダイオードの容量値
は、共振用可変容重ダイオードの容量値に連動して制御
される。従って、微同調用可変容量ダイオードは、共振
用可変容量ダイオードの容量値に略比例した割合て共振
用可変容重ダイオードに結合される。
「実施例」
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
る。
第１図はこの発明の一実施例による局部発振器の回路図
である。この局部発振回路は、第４図に示す従来の局部
発振回路においてＡＰＴ回路４が共振回路３に並列に接
続されていたのに対し、ＡＦＴ回路４が増幅回路ｌの出
力端子２１に接続されている点のみが異なる。
である。この局部発振回路は、第４図に示す従来の局部
発振回路においてＡＰＴ回路４が共振回路３に並列に接
続されていたのに対し、ＡＦＴ回路４が増幅回路ｌの出
力端子２１に接続されている点のみが異なる。
次に、この局部発振回路の動作を説明する。第２図は、
第１図の局部発振回路におけろ直流バイアス用抵抗およ
び直流阻止用凸ンデンサを省略して、発振動作時の等両
回路を表したものである。
第１図の局部発振回路におけろ直流バイアス用抵抗およ
び直流阻止用凸ンデンサを省略して、発振動作時の等両
回路を表したものである。
この回路において、コンデンサＣｆ、、コンデンサＣｒ
ｔ、コンデンサＣＴＯ，コンデンサＣＡＰＴ、インダク
タンスし、は前述した第５図と同じものである。この等
価回路図によれば、この局部発振回路の局発周波数ｆは
次式で表される。
ｔ、コンデンサＣＴＯ，コンデンサＣＡＰＴ、インダク
タンスし、は前述した第５図と同じものである。この等
価回路図によれば、この局部発振回路の局発周波数ｆは
次式で表される。
・・・・・・（２）
式（２）により、微同調用可変容量ダイオードＤ１の容
量値ＣＡＦＴが△ＣＡＦＴだけ変化したとすると、その
局発周波数ｒへの影響は帰還用可変吉川ダイオードＤ！
の容量値Ｃｒ１の値に応じて制御される事がわかる。
量値ＣＡＦＴが△ＣＡＦＴだけ変化したとすると、その
局発周波数ｒへの影響は帰還用可変吉川ダイオードＤ！
の容量値Ｃｒ１の値に応じて制御される事がわかる。
第３図は、第１図に示すこの発明の一実施例による局部
発振回路と第４図に示す従来の局部発振回路とで、微同
調制御電圧Ｖ ＡＰＴに対する微同調周波数変位量△ｆ
を示したものである。この図より、本発明の局部発振回
路の方が全バンド内において微同調制御電圧Ｖ ＡＦＴ
に対する微同調周波数変位量△ｆが安定している事がわ
かる。
発振回路と第４図に示す従来の局部発振回路とで、微同
調制御電圧Ｖ ＡＰＴに対する微同調周波数変位量△ｆ
を示したものである。この図より、本発明の局部発振回
路の方が全バンド内において微同調制御電圧Ｖ ＡＦＴ
に対する微同調周波数変位量△ｆが安定している事がわ
かる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、微同調用可変
容量ダイオードは、共振用可変容量ダイオードに連動し
て容量値が制御される帰還用可変容量ダイオードを介し
て共振用可変容量ダイオードに結合されるため、その結
合度は共振用可変容量ダイオードの容量値に略比例した
ものとなる。
容量ダイオードは、共振用可変容量ダイオードに連動し
て容量値が制御される帰還用可変容量ダイオードを介し
て共振用可変容量ダイオードに結合されるため、その結
合度は共振用可変容量ダイオードの容量値に略比例した
ものとなる。
従って、局発周波数全域において自動微同調電圧に対す
る局発周波数変位量を安定化する事ができる効果がある
。
る局発周波数変位量を安定化する事ができる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例による局部発振回路の構成
図、第２図は同実施例の局部発振回路の発振時の等価回
路図、第３図はこの発明の一実施例による局部発振回路
および従来の局部発振回路における自動微同調電圧に対
する局発周波数の変化を示す図、第４図は従来の局部発
振回路の構成図、第５図は従来の局部発振回路の発振時
の等価回路図である。 Ｄ、・・・・・・微同調用可変容重ダイオード、Ｄ、・
・・・・・帰還用可変容量ダイオード、Ｄ３・・・・・
・共振用可変容量ダイオード。 出願人 アルプス電気株式会社 代表各 片間 勝太部 第１図 且 第２図 ｈ 第３図 ｘ−−−−−Ｘ 本（うにの局部す答払Ｕ回路第４図 第５図 Ｃｆ＋
図、第２図は同実施例の局部発振回路の発振時の等価回
路図、第３図はこの発明の一実施例による局部発振回路
および従来の局部発振回路における自動微同調電圧に対
する局発周波数の変化を示す図、第４図は従来の局部発
振回路の構成図、第５図は従来の局部発振回路の発振時
の等価回路図である。 Ｄ、・・・・・・微同調用可変容重ダイオード、Ｄ、・
・・・・・帰還用可変容量ダイオード、Ｄ３・・・・・
・共振用可変容量ダイオード。 出願人 アルプス電気株式会社 代表各 片間 勝太部 第１図 且 第２図 ｈ 第３図 ｘ−−−−−Ｘ 本（うにの局部す答払Ｕ回路第４図 第５図 Ｃｆ＋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）局発周波数制御電圧を与えられて電極間容量が制
御される共振用可変容量ダイオードを有する共振回路と
、 （ｂ）前記共振回路の出力信号を増幅する増幅回路と、 （ｃ）前記局発周波数制御電圧によって電極間容量が制
御され、前記増幅回路の出力信号を前記共振回路に帰還
する帰還用可変容量ダイオードと、（ｄ）前記増幅回路
の出力端と接地間に介挿されて、自動微同調電圧を与え
られて電極間容量が制御される微同調用可変容量ダイオ
ードと を具備する事を特徴とする局部発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026856A JP2693959B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 局部発振回路 |
| KR1019880013292A KR910001649B1 (ko) | 1988-02-08 | 1988-10-12 | 국부발진회로 |
| GB8902366A GB2223903B (en) | 1988-02-08 | 1989-02-03 | Local oscillating circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026856A JP2693959B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 局部発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202013A true JPH01202013A (ja) | 1989-08-15 |
| JP2693959B2 JP2693959B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
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Patent Citations (3)
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