JPH01204206A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は高抗磁力のメタルテープに対応するために磁気
コアのギャップ近傍部に高飽和磁束密度の強磁性金属薄
膜を配置した所謂複合型の磁気ヘッド及びその製造方法
に関する。

（ロ）従来の技術 近年、ビデオテープレコーダ等の磁気記録再生装置に使
用される磁気テープにおいては高密度化が進められてお
り、磁性粉としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属粉末
を用いた抗磁力の高いメタルテープが使用されるように
なっている。一方、このメタルテープに記録を行う磁気
ヘッドとしては、例えば特開昭５８−１７５１２２号公
報（ＩＰＣ：Ｇ１１Ｂ５／２２　）に開示されているよ
うに、作動ギャップの近傍部分を磁気コアとして使用さ
れるフェライトよりも飽和磁化の大きな磁性材料（例え
ばパーマロイ、センダスト、アモルファス磁性体）で構
成した複合型の磁気ヘッドが提案されており、この複合
型の磁気ヘッドは信頼性、磁気特性、耐摩耗性等の点で
侵れた特性を有する。

この複合型の磁気ヘッドとしては、第１５図に示すよう
にＭｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物からなる一対
の磁気コア半体（１ａ）（１ｂ）のギャップ（２）近傍
部に飽和磁束密度の大きいセンダスト等の強磁性金属薄
膜（３ａ）（３ｂ）を配置したものがある。尚、（４）
は前記磁気コア半体（１ａ）（１ｂ）を接合するための
ガラス、（５）は巻線溝である。

しかし乍ら、上述のような複合型の磁気ヘッドの場合、
強磁性金属′４膜は鏡面研磨された強磁性酸化物基板の
上面にスパッタリングを行うことにより付着形成される
が、強磁性金属薄膜と強磁性酸化物基板との接合界面近
傍は成分元素の相互拡散や化学反応或いは結晶構造の非
整合性等によって非磁性化し、擬似ギャップとなって磁
気ヘッドとしての性能に悪影響を及ぼす。即ち、第１５
図に示すように本来のギャップ（２）の他に磁気コア半
体（１ａ）（１ｂ）と強磁性金属薄膜（３ａ）（３ｂ）
との接合界面に擬似ギャップ（６ａ）（６ｂ）が出来る
。

また、上述のような擬似ギャップの発生を抑えるだめに
第１６図に示すように磁気コア半体（１ａ）（１ｂ）と
強磁性金属薄膜（３ａ）（３ｂ）との接合界面を本来の
ギャップ（２）形成面に対して非平行とすることによっ
て、例え擬似ギャップが発生してもヘッドの性能には悪
影響を及ぼさないようにした複合型の磁気ヘッドも提案
されているが、この構造の磁気ヘッドは第１５図に示す
磁気ヘッドに比べて製造工程が複雑でありコスト高にな
るｄ 次に、第１５図に示す磁気ヘッドの製造方法について説
明する。

先ず、第１７図（ａ）（ト）に示すようにＭｎ−Ｚｎ系
フェライ′ト等の強磁性酸化物よりなる一対の基板（７
ａ）（７ｂ）上に鏡面研磨を施した後、スパッタリング
によりセンダスト等よりなる１〜１０μｍ厚の強磁性金
属薄膜（３ａ　）　（３ｂ　）と５ｉ０２等のギャップ
形成用の非磁性薄膜（８ａ）（８ｂ）とを順に形成する
。

次ｔこ、第１８図（功（ト）に示すように一方の基板（
７ａ）上面にトラック幅規制溝（９ａ）を、他方の基板
（７ｂ）上面にトラック幅規制溝（９ｂ）巻線溝（５）
及びガラス棒挿入溝側を夫々ダイシングソー等により形
成する。尚、前記トラック幅規制溝（９ａ）（９ｂＬ巻
線溝（５）、ガラス棒挿入溝ａαの加工により、非磁性
薄膜Ｂ３ａ）（８ｂ）、強磁性金属薄膜（３ａ）（５ｂ
）及び基板（７ａ）（７ｂ）が削り取られる。

次に、前記一対の基板（７ａ）（７ｂ）を洗浄した後、
第１９内に示すように前記基板（７ａ）（７ｂ）のギャ
ップ形成面（Ｉｌａ）（１１ｂ）同士を精度良く衝き合
わせ、ガラス棒挿入溝ααにガラス棒■を挿入する。

以後は、６００〜８００°Ｃまで加熱することにより前
記ガラス棒Ｏ２を溶融してトラック幅規制溝（９ａ）（
９ｂ）にガラス（４）を充填し、前記両基板（７ａ）（
７ｂ）を接合してブロックを形成する。そして、前記ブ
ロックを第１９図に示す破線Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂに沿って切
断し、研削研磨することにより第１５図に示す磁気ヘッ
ドが完成する。

しかし乍ら、上述の製造方法の場合、強磁性金属薄膜（
３ａ）（＋ｂ）をスパッタリング等により被着形成する
と、スパッタリングによる温度変化により前記基板（７
ａ）（７ｂ）と前記薄膜（３ａ）（３ｂ）との間には熱
膨張係数の違いから内部歪が生じ、第１８図に示すトラ
ック幅規制溝（９ａ）（９ｂ）の加工等によって前記薄
膜（３ａ）（３ｂ）が剥離し、歩留りが１０〜２０％と
悪かった。

また、出願人は特願昭６２−１９４８９３号に示すよう
に第１５図に示す平行型の磁気ヘッドにおいても磁気コ
ア半体（１ａ）（１ｂ）と強磁性金属薄膜（３ａ）（３
ｂ）との間に５ｉ０２等の耐熱性酸化物薄膜（図示せず
）を介在されることにより擬似ギャップを抑えることが
出来ることを見い出した。

しかし乍ら、この磁気ヘッドでは、強磁性金属薄膜（３
ａ　）　（３ｂ　）の付着力が弱くなるため、耐熱性酸
化物薄膜を介在させなかった磁気ヘッド−こ比べて更に
前記薄膜（３ａ）（３ｂ）の剥離が激しくなり歩留りが
悪くなった。

尚、前記耐熱性酸化物薄膜は擬似ギャップを抑える以外
にも、磁気コア半体（１ａ）（１ｂ）と強磁性金属薄膜
（３ａ　）　（３ｂ　）との間の歪も抑えるという効果
も有する。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、
強磁性金属薄膜が被着された基板にトラック幅規制溝、
巻線溝、ガラス棒挿入溝等の溝加工を施した時に前記薄
膜が剥離するのを防止した磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とするものである。

また、本発明は擬似ギャップを抑えるために耐熱性薄膜
を前記基板と強磁性金属薄膜との間に介在させた時に、
特に発生し易い上述の膜剥れを防止した磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とするものである。

また、本発明は磁気特性を劣化させることなく、強磁性
金属薄膜の剥離を防止した磁気ヘッドを提供することを
目的とするものである。

に）課題を解決するための手段 本発明の磁気ヘッドの製造方法は、強磁性酸化物よりな
る一対の基板の上面に強磁性金属薄膜を形成する第１の
工程と、前記強磁性金属薄膜のトラック幅規制溝、巻線
溝、ガラス棒挿入溝等の溝形成部に第１の歪分断溝を形
成して前記基板を露出させる第２の工程と、前記基板の
露出部に機械的溝加工を施して溝を形成すると←÷第３
の工程とを含むことを特徴とする。

また、本発明の別の磁気ヘッドの製造方法は、強磁性酸
化物よりなる一対の基板の上面に強磁性金属薄膜を形成
する第１の工程と、前記基板のうち一方の基板の強磁性
金属薄膜のトラック幅規制溝形成部に第１の歪分断溝を
形成して前記基板を露出させると共に、他方の基板の強
磁性金属薄膜のトラック幅規制溝形成部、巻線溝形成部
、ガラス棒挿入溝形成部に第１の歪分断溝を形成して前
記基板を露出させ、前記巻線溝形成部、ガラス棒挿入溝
のうち一方、若しくは両方に対向する前記一方の基板の
強磁性金属薄膜の部分に第２の歪分断溝を形成して前記
基板を露出させる第２の工程と、前記基板の為山部をこ
機械的溝加工を施してトラック幅規制溝、巻線溝、及び
ガラス棒挿入溝を形成する第３の工程とを含むことを特
徴とする。

また、本発明は上述の２つの磁気ヘッドの製造方法の第
１工程において、前記一対の基板の上面に耐熱性薄膜を
形成した後、強磁性金属薄膜を形成することを特徴とす
る。

また、本発明の磁気ヘッドは、磁気コア半体の強磁性金
属薄膜の巻線溝に対向する部分とガラス棒挿入溝に対向
する部分の一方若しくは両方に歪分断溝を形成し、該歪
分断溝により前記磁気コア半体を露出させたことを特徴
とする。

また、本発明は上述の磁気ヘッドにおいて、磁気コア半
体と強磁性金属薄膜との間に耐熱性薄膜を介在させ、前
記磁気コア半体と前記強磁性金属薄膜との境界が前記作
動ギャップに対して平行であることを特徴とする。

（ホ）作　用 本発明の製造方法に依れば、歪分断溝により強磁性金属
薄膜の膜剥れの原因となる内部歪は分断されており、し
かも前記歪分断溝により形成される基板の露出部に機械
的溝加工が施されるので、前記強磁性金属薄膜には溝加
工による衝撃があまり伝わらない。

また、本発明の別の製造方法に依れば、更に強磁性金属
薄膜が分断され、内部歪も一層分断される。

また、本発明の製造方法に依れば、擬似ギャップを防止
するための耐熱性薄膜により強磁性金属薄膜の付着力が
劣化した場合においても十分に膜剥れを防止出来る。

また、本発明の構成の磁気ヘッドは磁路に歪分断溝が形
成されておらず、磁束が流れ易く、磁気特性が劣化しな
い。

また、本発明の構成に依れば、耐熱性薄膜により製造工
程が簡単である強磁性金属薄膜と磁気コア半体との界面
が作動ギャップに平行なタイプの磁気ヘッドにおいて、
前記強磁性金属薄膜の剥離を防止すると共に、歪分断溝
によって磁束の流れが悪くなるのが防止される。

（ハ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の第１実施例について詳
細に説明する。

第３図乃至第５図は夫々第１実施例の複合型磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。

先ず、第３図（ａ）＠に示すようにＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフ
ェライト等の強磁性酸化物よりなる一対の基板（７ａ）
（７ｂ）上に鏡面研磨を施した後、スパッタリングによ
りセンダスト等よりなる１〜１０μｍ厚の強磁性金属薄
膜（３ａ　）　（３ｂ　）と５ｉＯｚ等のギャップ形成
用の非磁性薄膜（８ａ）（８ｂ）とを連続的に順に形成
する。また、擬似ギャップの作用を抑えるために、基板
（７ａ）（７ｂ）上に鏡面研磨を施した後、前記基板（
７ａ）（７ｂ）上面にリン酸等によりエツチングを行い
、その後、前記基板（７ａ）（７ｂ）上面を不活性ガス
イオンで逆スパツタリングした後、前記基板（７ａ）（
７ｂ）上面１ｃｓｉ０２、Ｔｉ等の耐熱性薄膜（図示せ
ず）をスパッタリング等により形成し、その上に強磁性
金属薄膜（３ａ　）　（３ｂ　）を形成してもよい。

次に、第４図（ａ）＠に示すように一方の基板（７ａ）
に被着された非磁性薄膜（８ａ）と強磁性金属薄膜（６
ａ）のトラック幅規制溝形成部及び他方の基板（７ｂ）
に被着された非磁性薄膜（８ａ）と強磁性金属薄膜（３
ａ）のトラック幅規制溝形成部、巻線溝形成部、ガラス
棒挿入溝形成部を夫々、イオンビームエツチング等によ
り選択的に除去することにより第１の歪分断溝（１２ａ
）（１２ｂ）（１２ｃ）（１２ｄ）を形成して前記基板
（７ａ）（７ｔ））の上面を露出させる。尚、耐熱性薄
膜を形成した場合、該薄膜も除去される。

次に、第５図（功■に示すように、前記基板（７ａ）（
７ｂ）の前述のエツチング工程により露出した部分にダ
イシングソー等により溝加工を施すことによりトラック
幅規制溝（１３ａ）（１３ｂ）、巻線溝（１３ｃ）及び
ガラス棒挿入溝（１６ｄ）を形成する。

以後は、従来例と同様に前記一対の基板（７ａ）（７ｂ
）（７）ギャップ形成面（１１ａ）（１１ｂ）同士をガ
ラス接合してブロックを形成し、該ブロックを切断し、
研削研磨することにより磁気ヘッドが完成する。

上述の第１実施例の製造方法に依れば、第１４図に示す
ように第１の歪分断溝（１２ａ）（１２ｂ）（１２ｃ）
（１２ｄ）の形成により非磁性薄膜（８ａ）（８ｂ）及
び強磁性金属薄膜（６ａ）（６ｂ）を除去してからダイ
シングソー圓等により機械的に溝加工が行われるので、
該溝加工時に前記強磁性金属薄膜（３ａ）（３ｂ）に加
わる衝撃は小さく、該薄膜（３ａ）（３ｂ）の剥離が減
少し、耐熱性薄膜を形成しない場合、歩留りが９０〜１
００％と大幅に向上する。しかし乍ら、耐熱性薄膜を形
成した場合は、歩留りに２０〜６０％と向上はするが、
米だ十分ではない。尚、第１４図は基板（７ａ）にトラ
ック幅規制溝（１６ａ）を形成する時の図である。

次に、本発明の第２実施例について詳細に説明する。

第３図〜第８図は第２実施例の複合型磁気ヘッドの製造
方法を示す図である。

先ず、第３図（ａ）（ｂ）に示すように第１実施例と同
様にして一対の基板（７ａ）’ｆ７ｂ）の上面に強磁性
金属薄膜（３ａ）（３ｂ）及び非磁性薄膜（８ａ）（８
ｂ）を形成する。尚、この場合も第１実施例と同様に耐
熱性薄膜を形成してもよい。

次に、第７図（ａ）（ｂ）に示すように第１実施例と同
様に前記非磁性薄膜（８ａ）（８ｂ）と強磁性金属薄膜
（３ａ）（３ｂ）とのトラック幅規制溝形成部、巻線溝
形成部及びガラス棒挿入溝形成部をイオンビームエツチ
ング等により除去することにより第１の歪分断溝（１２
ａ）（１２ｂ）（１２ｃ）（１２ｄ）を形成して前記基
板（７ａ）（７ｂ）の上面を露出させる。前記一方の基
板（７ａ）に被着された非磁性薄膜（８ａ）及び強磁性
金属薄膜（６ａ）のうち前記他方の基板（７ｂ）の第１
の歪分断溝（１２ｃ）（１２ｄ）と対向する部分をイオ
ンビームエツチング等により除去することにより第２の
歪分断溝（１２ｅ）を形成して前記基板（７ａ）（７ｂ
）の上面を露出させる。

次に、第８１（ω■に示すようをこ第１実施例と同様に
前記基板（７ａ）（７ｂ）の前述のエツチング工程によ
り露出した部分に溝加工を施すことによりトラック幅規
制溝（１３ａ）（１３ｂＬ巻線溝（１３ｃ）及びガラス
棒挿入溝（１３ｄ）を形成する。

以後は第１実施例と同様にして、第２実施例の磁気ヘッ
ドが完成する。

第１図はこの第２実施例の複合型磁気ヘッドの斜視図、
第２図は第１図のＣ−Ｃ断面図であり、第１５図と同一
部分に同一符号を付しである。この複合型磁気ヘッドの
一方の磁気コア半体（１ａ）のギャップ形成面のうち、
他方の磁気コア半体（１ｂ）の巻線溝（１３ｃ）に対向
する部分と、ガラス棒挿入＃／ｊ（１３ｄ）に対向する
部分（こは、第２の歪分断溝（１２ｅ）（１２ｆ）が形
成されており、強磁性金属薄膜（３ａ）が被着していな
い。

上述の第２実施例の製造方法に依れば、一方の基板（７
ａ）の強磁性金属薄膜（３ａ）も歪分断溝（１２ｅ）（
１２ｆ）によって他方の基板（７ｂ）と同様に狭い範囲
に分断され、前記基板（７ａ）と前記薄膜（３ａ）との
熱膨張係数の違いによって生じる歪も分断されるので、
後に機械的な溝加工を行ってもその時に生じる衝撃によ
る影響を小さく出来、前記薄膜（３ａ）にはヒビや剥離
が生じない。そして、この第２実施例の製造方法に依れ
ば、擬似ギャップを抑えるために耐熱性薄膜を形成して
も前記薄膜（３ａ）（３ｂ）の剥離は削減し、歩留りは
９５〜１００％と大幅に向上する。

尚、第２実施例の製造方法において、前記歪分断溝（１
２ｅ）（１２ｆ）を他方の基板（７ｂ）の十分に抑える
ことが出来るが、完成した磁気ヘッドにおいて、例えば
パックギャップ部に歪分断溝α勾が形成されていると磁
束が流れにくくなり、磁気特性が劣化する。即ち、磁束
が流れない巻線溝（１３ｃ）に対向する部分とガラス棒
挿入溝（１３ｄ）に対向する部分に歪分断溝（１２ｅ）
（１２ｆ）が形成されている第２実施例の複合型磁気ヘ
ッドは膜剥れがなく、ヘッド特性の点でも優れている。

次に、本発明の第３実施例について詳細に説明する。

第１０図及び第１１図は第３実施例の複合型磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。

この第３実施例では第２実施例と同様にして一対の基板
（７ａ）（７ｂ）の上面に強磁性金属薄膜（３ａ）（３
ｂ）及び非磁性薄膜（８ａ）（８ｂ）を形成した後、第
１０図（ａ）＠に示すようにイオンビームエツチングに
より、第１、第２の歪分断溝（１２ａ）（１２ｂ）（１
２Ｃ）（１２ｄ）（１２ｆ）を夫々形成する。この第３
実施例では、巻線溝形成部に対向する第２の歪分断溝（
第２実施例における歪分断溝（１２ｅ））は形成されて
いない。

以後は、第１１図（ａ）（ハ）に示すように第２実施例
と同様に基板（７ａ）（７ｂ）にトラック幅規制溝（１
３ａ）（１３ｂ）、巻線溝（１３ｃ）、ガラス棒挿入溝
（１３ｄ）を形成し、前記基板（７ａ）（７ｂ）を接合
、切断、研削研磨することにより第３実施例の磁気ヘッ
ドが完成する。

−この第３実施例の磁気ヘッドは第９図に示すようにガ
ラス棒挿入溝（１３ｄ）に対向する磁気コア半体（１ａ
）のギャップ形成部には歪分断溝（１２ｆ）により強磁
性金属％！１ｔ（３ａ）が被着していない。

上述の第３実施例の製造方法に依っても、第２実施例に
比べて多少は劣るが、第１、第２の歪分断溝（１２ａ）
（１２ｂ）（１２ｃ）（１２ｄ）（１２ｆ）により強磁
性金属薄膜（３ａ）（３ｂ）の歪は十分に分断され、耐
熱性薄膜を形成した場合においても、強磁性金属薄膜（
３ａ）（３ｂ）の剥離は削減し、歩留りは大幅に向上す
る。

尚、上記第３実施例では第２の歪分断溝を巻線溝形成部
に対向する部分には設けず、ガラス棒挿入溝形成部に対
向する部分に設けたが、その逆で、ガラス棒挿入溝形成
部１こ対向する部分には設けず、巻線溝形成部に対向す
る部分に設けてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドは、上述の第１、第２、第３
実施例以外にも、第１２図に示すように巻線溝（１３ｃ
）に対向する部分に形成された歪分断溝（１２ｇ）を巻
線溝（１３ｃ）よりも小さくした磁気ヘッドや、第１３
図に示すように巻線溝（１３ｃ）に対向する部分に巻線
溝を兼ねた歪分断溝（１２ｈ）を形成した磁気ヘッドで
もよい。

尚、前記歪分断溝（１２ｈ）はイオンビームエツチング
の後、ダイシングソーにより形成される。

また、上述の第１、第２、第３実施例では強磁性金属薄
膜（３ａ）（３ｂ）を形成した後、すぐに非磁性薄膜（
８ａ　）　（８ｂ　）を形成したが、後の溝加工後１こ
非磁性薄膜を形成してもよい。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、強磁性金属薄膜の内部歪を分断緩和す
ると共に、溝加工による前記薄膜への衝撃を抑え、製造
工程中の溝加工により前記薄膜が剥離するのを防止し、
歩留りが悪化するのを防止した磁気ヘッドの製造方法を
提供し得る。

また、本発明に依れば、擬似ギャップを抑えるために耐
熱性薄膜を形成した場合においても前記薄膜が剥離する
のを十分に防止した磁気ヘッドの製造方法を提供し得る
。

また、本発明に依れば、磁気特性が劣化することなく、
強磁性金属薄膜が剥離するのが防止された磁気ヘッドを
提供し得る。

また、本発明に依れば、製造工程が簡単である磁気コア
半体と強磁性金属薄膜とが平行であり、耐熱性薄膜によ
り擬似ギャップを防止したものに１求 おいても、磁気特性が劣化すること八なく、強磁性金属
薄膜が剥離するのが防止された磁気ヘッドを提供し得る
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１４図は本発明に係り、第１図は第２実施
例の磁気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のＣ−Ｃ断面
図、第３図、第４図及び第５図は夫々、第１実施例の磁
気ヘッドの製造方法を示す図、第３図、第７図及び第８
図は第２実施例の磁気ヘッドの製造方法を示す図、第９
図は第３実施例の磁気ヘッドの断面図、第１０図及び第
１１図は第３実施例の磁気ヘッドの製造方法を示す図、
第１２図及び第１６図は他の実施例の磁気ヘッドの断面
図、第１４図は溝加工を示す図である。第１５図乃至第
１９図は従来例に係り、第１５図及び第１６図は夫々磁
気ヘッドの斜視図、第１７図、第１８図及び第１９図は
夫々磁気ヘッドの製造方法を示す図である。 （１ａ）（１ｂ）・・・磁気コア半体、（２）・・・ギ
ャップ、（３ａ　）　（３ｂ　）　・・・強磁性金属薄
膜、（７ａ’）　（７ｂ　）　・・・基板、（３ａ　）
　（８ｂ　）−非磁性薄膜、（１２ａ）（１２ｂ）（１
２ｃ）（１２ｄ）・・・第１の歪分断溝、（１２ｅ）（
１２ｆ）（１２ｇ）（１２ｈ）・・・第２の歪分断溝、
（１３ａ）（１ろｂ）・・・トラック幅規制溝、（１３
ｃ）・・・巻線溝、（１３ｄ）・・・ガラス棒挿入溝。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の作動ギャッ
   プ衝き合わせ面に強磁性金属薄膜を形成した磁気ヘッド
   の製造方法において、強磁性酸化物よりなる一対の基板
   の上面に強磁性金属薄膜を形成する第１の工程と、前記
   強磁性金属薄膜の溝形成部に第１の歪分断溝を形成して
   前記基板を露出させる第２の工程と、前記基板の露出部
   に機械的溝加工を施して溝を形成する第３の工程と を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
2. （２）前記第２の工程における溝形成部がトラック幅規
   制溝形成部、巻線溝形成部、ガラス棒挿入溝形成部等の
   うち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記
   載の磁気ヘッドの製造方法。
3. （３）強磁性酸化物よりなる磁気コア半体の作動ギャッ
   プ衝き合わせ面に強磁性金属薄膜を形成した磁気ヘッド
   の製造方法において、強磁性酸化物よりなる一対の基板
   の上面に強磁性金属薄膜を形成する第１の工程と、前記
   基板のうち一方の基板の強磁性金属薄膜のトラック幅規
   制溝形成部に第１の歪分断溝を形成して前記基板を露出
   させると共に、他方の基板の強磁性金属薄膜のトラック
   幅規制溝形成部、巻線溝形成部、ガラス棒挿入溝形成部
   に第１の歪分断溝を形成して前記基板を露出させ、前記
   巻線溝形成部、ガラス棒挿入溝のうち一方、若しくは両
   方に対向する前記一方の基板の強磁性金属薄膜の部分に
   第２の歪分断溝を形成して前記基板を露出させる第２の
   工程と、前記基板の露出部に機械的溝加工を施してトラ
   ック幅規制溝、巻線溝、及びガラス棒挿入溝を形成する
   第３の工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造
   方法。
4. （４）前記第１の工程において、前記一対の基板の上面
   に耐熱性薄膜を形成した後、強磁性金属薄膜を形成する
   ことを特徴とする請求項１、２又は３記載の磁気ヘッド
   の製造方法。
5. （５）前記第２の工程において、エッチングによ第１、
   第２の歪分断溝を形成することを特徴とする請求項１、
   ２、３又は４記載の磁気ヘッドの製造方法。
6. （６）強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体のギャ
   ップ形成面に強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属薄
   膜同士を非磁性材料を介して衝き合わせて作動ギャップ
   を構成してなる磁気ヘッドにおいて、前記磁気コア半体
   の強磁性金属薄膜の巻線溝に対向する部分とガラス棒挿
   入溝に対向する部分の一方若しくは両方に歪分断溝を形
   成し、該歪分断溝により前記磁気コア半体を露出させた
   ことを特徴とする磁気ヘッド。
7. （７）前記磁気コア半体と前記強磁性金属薄膜との境界
   が前記作動ギャップに対して平行であることを特徴とす
   る請求項６記載の磁気ヘッド。
8. （８）前記磁気コア半体と前記強磁性金属薄膜との間に
   耐熱性薄膜を介在させたことを特徴とする請求項６又は
   ７記載の磁気ヘッド。