JPH0620220A - 磁気ヘッドコアの製法 - Google Patents
磁気ヘッドコアの製法Info
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- JPH0620220A JPH0620220A JP28269691A JP28269691A JPH0620220A JP H0620220 A JPH0620220 A JP H0620220A JP 28269691 A JP28269691 A JP 28269691A JP 28269691 A JP28269691 A JP 28269691A JP H0620220 A JPH0620220 A JP H0620220A
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Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 強磁性酸化物材料よりなる第１、第２ウェハ
ー(１)(1')の夫々のギャップ突合せ面上に強磁性金属薄
膜を含む積層膜(５)(６)を形成し、両ウェハーをガラス
接合して溶着ウェハーを形成し、該溶着ウェハーを所定
幅のブロックに切りだす工程を含む磁気ヘッドコアの製
法において、溶着ウェハーの切断代に対応して、予め両
ウェハー(１)(1')上の積層膜(５)(６)をエッチングによ
って部分的に除去しておくことを特徴とする。 【作用及び効果】 溶着ウェハーの切断時に、切断用砥
石と積層膜(５)(６)が接触することはなく、積層膜(５)
(６)が砥石から直接に外力を受けることががなくなり、
膜浮き、膜端部からのガラスのヒビ割れの発生を抑える
ことができる。
ー(１)(1')の夫々のギャップ突合せ面上に強磁性金属薄
膜を含む積層膜(５)(６)を形成し、両ウェハーをガラス
接合して溶着ウェハーを形成し、該溶着ウェハーを所定
幅のブロックに切りだす工程を含む磁気ヘッドコアの製
法において、溶着ウェハーの切断代に対応して、予め両
ウェハー(１)(1')上の積層膜(５)(６)をエッチングによ
って部分的に除去しておくことを特徴とする。 【作用及び効果】 溶着ウェハーの切断時に、切断用砥
石と積層膜(５)(６)が接触することはなく、積層膜(５)
(６)が砥石から直接に外力を受けることががなくなり、
膜浮き、膜端部からのガラスのヒビ割れの発生を抑える
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピューターの外部記
憶装置であるハードディスクドライブに使用する浮動型
磁気ヘッドのうちのコンポジット型ヘッドのヘッドコア
に於て、特にギャップ部の両側に強磁性金属薄膜を形成
した所謂ダブルＭＩＧコアの製法に関する。
憶装置であるハードディスクドライブに使用する浮動型
磁気ヘッドのうちのコンポジット型ヘッドのヘッドコア
に於て、特にギャップ部の両側に強磁性金属薄膜を形成
した所謂ダブルＭＩＧコアの製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置に対
する小型化、高密度化の要求が著しく、このために抗磁
力が1200 Ｏe以上である様な磁気ディスクが媒体として
実用化されている。
する小型化、高密度化の要求が著しく、このために抗磁
力が1200 Ｏe以上である様な磁気ディスクが媒体として
実用化されている。
【０００３】この様な高抗磁力媒体に対応する浮動型磁
気ヘッドとして、ギャップスペーサを介して接合する１
対のウェハーの夫々の突合せ面に、センダスト等の高飽
和磁束密度材料からなる強磁性金属薄膜を成膜すること
によって記録能力を高めたダブルＭＩＧ磁気ヘッドが提
案されている。
気ヘッドとして、ギャップスペーサを介して接合する１
対のウェハーの夫々の突合せ面に、センダスト等の高飽
和磁束密度材料からなる強磁性金属薄膜を成膜すること
によって記録能力を高めたダブルＭＩＧ磁気ヘッドが提
案されている。
【０００４】上記ダブルＭＩＧヘッドのコアの従来の製
法を説明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩
形のフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウェハ
ーの(１)は両面を鏡面研磨する。
法を説明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩
形のフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウェハ
ーの(１)は両面を鏡面研磨する。
【０００５】第２ウェハー(1')は裏面を鏡面研磨した
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填した後に鏡面研磨を行な
う。
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填した後に鏡面研磨を行な
う。
【０００６】図３に示す如く、第１ウェハー(１)のギャ
ップ突合せ面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダ
スト等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉ
Ｏ2膜及び接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を
形成する。
ップ突合せ面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダ
スト等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉ
Ｏ2膜及び接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を
形成する。
【０００７】又、第２ウェハー(1')は図４Ａの様に前記
充填ガラス(４)をＤ(１≦１０μｍ)深さだけエッチング
によって除去した後に、図４Ｂに示す如く、ガラス表面
を含むウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地
層、センダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペー
サとなるＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。
充填ガラス(４)をＤ(１≦１０μｍ)深さだけエッチング
によって除去した後に、図４Ｂに示す如く、ガラス表面
を含むウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地
層、センダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペー
サとなるＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。
【０００８】次に、図１１に示す様に両ウェハー(１)
(1')の積層膜(５)(６)の不要部分、即ち、ガラス露出
部、巻線溝予定部をエッチング等によって除去し、図６
Ａに点線で示す様に、第２ウェハー(1')にはデプスエン
ド規制溝(２)に一部が掛り、且つ該溝に沿う様に巻線溝
加工を行ない、図６Ｂに示す如く巻線溝(７)を形成す
る。
(1')の積層膜(５)(６)の不要部分、即ち、ガラス露出
部、巻線溝予定部をエッチング等によって除去し、図６
Ａに点線で示す様に、第２ウェハー(1')にはデプスエン
ド規制溝(２)に一部が掛り、且つ該溝に沿う様に巻線溝
加工を行ない、図６Ｂに示す如く巻線溝(７)を形成す
る。
【０００９】この後、図７に示す様に両ウェハー(１)
(1')の積層膜のパターンの位置を合致せしめて突合せた
後に加圧、加熱してガラス溶着を行ない、この溶着ウェ
ハーを図１２の斜線(83)で示す位置で、巻線溝(７)(７)
間にてダイヤモンド砥石によって切断し、ブロックを切
り出す。
(1')の積層膜のパターンの位置を合致せしめて突合せた
後に加圧、加熱してガラス溶着を行ない、この溶着ウェ
ハーを図１２の斜線(83)で示す位置で、巻線溝(７)(７)
間にてダイヤモンド砥石によって切断し、ブロックを切
り出す。
【００１０】次に図９に示す様にブロック(８)を斜線(8
4)で示す様に、巻線溝(７)に直交してスライスして図１
０に示すコア(81)を切り出し、該コア(81)の両側面(82)
(82)を所望の厚みｔまで鏡面研磨する。別途製作したス
ライダー(９)の溝(91)にコア(81)を嵌め、コアに巻線を
施して磁気ヘッドを完成する。
4)で示す様に、巻線溝(７)に直交してスライスして図１
０に示すコア(81)を切り出し、該コア(81)の両側面(82)
(82)を所望の厚みｔまで鏡面研磨する。別途製作したス
ライダー(９)の溝(91)にコア(81)を嵌め、コアに巻線を
施して磁気ヘッドを完成する。
【００１１】上記方法でダブルＭＩＧヘッドコアを製造
した場合、図１３に示す様に積層膜の浮上り(10)、ガラ
ス(４)のヒビ割れ(11)等の不良が多発し、歩留りが極め
て悪いという大きな問題が生じた。
した場合、図１３に示す様に積層膜の浮上り(10)、ガラ
ス(４)のヒビ割れ(11)等の不良が多発し、歩留りが極め
て悪いという大きな問題が生じた。
【００１２】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上記センダ
スト膜の浮上り、ガラスのヒビ割れの発生を抑えて、製
品の歩留りを向上させる磁気ヘッドコアの製法を明らか
にするものである。
スト膜の浮上り、ガラスのヒビ割れの発生を抑えて、製
品の歩留りを向上させる磁気ヘッドコアの製法を明らか
にするものである。
【００１３】
【課題を解決する手段】溶着ウェハーをブロックに切り
だす際の切断代部分に対応して、両ウェハー(１)(1')を
溶着する前工程で、両ウェハーの積層膜(５)(６)をイオ
ンエッチング等によって除去しておくことを特徴とす
る。
だす際の切断代部分に対応して、両ウェハー(１)(1')を
溶着する前工程で、両ウェハーの積層膜(５)(６)をイオ
ンエッチング等によって除去しておくことを特徴とす
る。
【００１４】
【作用及び効果】溶着ウェハーをブロックに切りだす
際、切断用砥石と積層膜(５)(６)が接触することはな
く、積層膜(５)(６)が砥石から直接に外力を受けること
はなく、膜浮き、膜端部からのガラスのヒビ割れを防止
できる。
際、切断用砥石と積層膜(５)(６)が接触することはな
く、積層膜(５)(６)が砥石から直接に外力を受けること
はなく、膜浮き、膜端部からのガラスのヒビ割れを防止
できる。
【００１５】
【実施例】以下、図面に従って本発明による実施例を説
明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩形のＭ
ｎ-Ｚｎフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウ
ェハーの(１)は両面を鏡面研磨する。
明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩形のＭ
ｎ-Ｚｎフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウ
ェハーの(１)は両面を鏡面研磨する。
【００１６】第２ウェハー(1')は裏面を鏡面研磨した
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填し、突合せ面に鏡面研磨
を行なう。
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填し、突合せ面に鏡面研磨
を行なう。
【００１７】次に、第１ウェハー(１)のギャップ突合せ
面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダスト等の強
磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉＯ2膜及び
接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を形成する。
面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダスト等の強
磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉＯ2膜及び
接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を形成する。
【００１８】又、第２ウェハー(1')は図４の様に前記充
填ガラスをＤ(１≦１０μｍ)深さだけ、フッ酸を用いた
化学エッチングによって除去した後に、ガラス表面を含
むウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地層、
センダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサと
なるＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。実施例の
エッチングによるガラスの削り取り深さは５〜１０μm
である。
填ガラスをＤ(１≦１０μｍ)深さだけ、フッ酸を用いた
化学エッチングによって除去した後に、ガラス表面を含
むウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地層、
センダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサと
なるＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。実施例の
エッチングによるガラスの削り取り深さは５〜１０μm
である。
【００１９】本実施例では、ＲＦマグネトロン型スパッ
タ装置を用いて、下地層５０オングストローム、センダ
スト膜２μｍ、ギャップスペーサー２０００オングスト
ローム、ガラススパッタ膜５００オングストロームを成
膜した。尚、積層膜(５)(６)の上記構成、材質に限定さ
れることはなく、ガラススパッタ膜は、第２ウェハー
(1')上の積層膜(６)にも含めることができ、又、両積層
膜からガラススパッタ膜を省くことができる。更に、ギ
ャップスペーサーは何れか一方の積層膜に設けるだけで
も可等、両ウェハーを溶着した際、ギャップスペーサの
両側に強磁性金属薄膜を有していれば構成を問わない。
タ装置を用いて、下地層５０オングストローム、センダ
スト膜２μｍ、ギャップスペーサー２０００オングスト
ローム、ガラススパッタ膜５００オングストロームを成
膜した。尚、積層膜(５)(６)の上記構成、材質に限定さ
れることはなく、ガラススパッタ膜は、第２ウェハー
(1')上の積層膜(６)にも含めることができ、又、両積層
膜からガラススパッタ膜を省くことができる。更に、ギ
ャップスペーサーは何れか一方の積層膜に設けるだけで
も可等、両ウェハーを溶着した際、ギャップスペーサの
両側に強磁性金属薄膜を有していれば構成を問わない。
【００２０】この様にして得られた成膜ウェハーを、図
５に示す様にイオンビームエッチングを用いて、第２ウ
ェハー(1')は、ガラス(４)上部分、後に巻線溝を設ける
部分及びブロックに切りだす際の切断部に切断代よりも
少し幅広な部分の積層膜(６)をイオンビームエッチング
等によって除去する。第１ウェハー(１)の積層膜(５)も
第２ウェハー(1')と積層膜(６)の除去部分に対応して部
分的に除去する。
５に示す様にイオンビームエッチングを用いて、第２ウ
ェハー(1')は、ガラス(４)上部分、後に巻線溝を設ける
部分及びブロックに切りだす際の切断部に切断代よりも
少し幅広な部分の積層膜(６)をイオンビームエッチング
等によって除去する。第１ウェハー(１)の積層膜(５)も
第２ウェハー(1')と積層膜(６)の除去部分に対応して部
分的に除去する。
【００２１】この後、図６Ａの点線で示す如く、第２ウ
ェハー(1')にはデプスエンド規制溝(２)に一部が掛り、
且つ該溝に沿う様に巻線溝加工を行ない、図６Ｂに示す
如く巻線溝(７)を形成する。
ェハー(1')にはデプスエンド規制溝(２)に一部が掛り、
且つ該溝に沿う様に巻線溝加工を行ない、図６Ｂに示す
如く巻線溝(７)を形成する。
【００２２】次に図７に示す様に両ウェハー(１)(1')
を、夫々の積層膜(５)(６)のパターンを合致せしめて突
合せて加圧、加熱しガラス溶着を行なった後に図８に示
す如く、巻線溝(７)(７)間にての斜線(85)の位置でブロ
ック切断を行なう。この際に、図５で示す様に、切断代
に対応して積層膜(５)(６)は除去されているため切断用
砥石と積層膜とは接触せず、積層膜(５)(６)が砥石から
直接に外力を受けることはなく、膜浮き、膜端部からの
ガラスのヒビ割れを防止できる。
を、夫々の積層膜(５)(６)のパターンを合致せしめて突
合せて加圧、加熱しガラス溶着を行なった後に図８に示
す如く、巻線溝(７)(７)間にての斜線(85)の位置でブロ
ック切断を行なう。この際に、図５で示す様に、切断代
に対応して積層膜(５)(６)は除去されているため切断用
砥石と積層膜とは接触せず、積層膜(５)(６)が砥石から
直接に外力を受けることはなく、膜浮き、膜端部からの
ガラスのヒビ割れを防止できる。
【００２３】この後、切断した溶着ブロックを所望の寸
法まで外形成形して、図９に示す溶着ブロック(８)を完
成させ、該ブロックをガラス充填予備加工溝(３)を含む
位置にて巻線溝(７)に直交してスライスしてコアを切り
出し、このコアの両側面(82)(82）を鏡面研磨して第１
０図のダブルＭＩＧコアを形成する。
法まで外形成形して、図９に示す溶着ブロック(８)を完
成させ、該ブロックをガラス充填予備加工溝(３)を含む
位置にて巻線溝(７)に直交してスライスしてコアを切り
出し、このコアの両側面(82)(82）を鏡面研磨して第１
０図のダブルＭＩＧコアを形成する。
【００２４】別途製作したスライダー(９)の溝(91)にコ
ア(81)を嵌め、コアに巻線を施して磁気ヘッドを完成す
る。本発明は上記実施例の構成に限定されることはな
く、特許請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が可能で
ある。
ア(81)を嵌め、コアに巻線を施して磁気ヘッドを完成す
る。本発明は上記実施例の構成に限定されることはな
く、特許請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が可能で
ある。
【図１】一対のウェハーの斜面図である。
【図２】一方のウェハーに溝を開設してガラスを充填し
た状態の斜面図である。
た状態の斜面図である。
【図３】ウェハーに積層膜を施した状態の斜面図であ
る。
る。
【図４】ガラスの表面を削り取り、ウェハーの積層膜を
被覆した状態の断面図である。
被覆した状態の断面図である。
【図５】本発明に於ける、積層膜の不要部分を除去した
状態の斜面図である。
状態の斜面図である。
【図６】巻線溝を形成する説明図である。
【図７】溶着ウェハーの斜面図である。
【図８】本発明に於ける溶着ウェハーのスライス位置と
積層膜の関係を示す説明図である。
積層膜の関係を示す説明図である。
【図９】ブロックのスライス位置を示す斜面図である。
【図１０】コア及びスライダーの斜面図である。
【図１１】従来例の積層膜の不要部分を除去した状態の
斜面図である。
斜面図である。
【図１２】従来例の溶着ウェハーのスライス位置と積層
膜の関係を示す説明図である。
膜の関係を示す説明図である。
【図１３】従来の製造方法による不良コアの拡大図であ
る。
る。
(１) ウェハー (1') ウェハー (４) ガラス (５) 積層膜 (６) 積層膜 (７) 巻線溝
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 磁気ヘッドコアの製法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピューターの外部記
憶装置であるハードディスクドライブに使用する浮動型
磁気ヘッドのうちのコンポジット型ヘッドのヘッドコア
に於て、特にギャップ部の両側に強磁性金属薄膜を形成
した所謂ダブルＭＩＧコアの製法に関する。
憶装置であるハードディスクドライブに使用する浮動型
磁気ヘッドのうちのコンポジット型ヘッドのヘッドコア
に於て、特にギャップ部の両側に強磁性金属薄膜を形成
した所謂ダブルＭＩＧコアの製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置に対
する小型化、高密度化の要求が著しく、このために抗磁
力が1200 Ｏe以上である様な磁気ディスクが媒体として
実用化されている。
する小型化、高密度化の要求が著しく、このために抗磁
力が1200 Ｏe以上である様な磁気ディスクが媒体として
実用化されている。
【０００３】この様な高抗磁力媒体に対応する浮動型磁
気ヘッドとして、ギャップスペーサを介して接合する１
対のウェハーの夫々の突合せ面に、センダスト等の高飽
和磁束密度材料からなる強磁性金属薄膜を成膜すること
によって記録能力を高めたダブルＭＩＧ磁気ヘッドが提
案されている。
気ヘッドとして、ギャップスペーサを介して接合する１
対のウェハーの夫々の突合せ面に、センダスト等の高飽
和磁束密度材料からなる強磁性金属薄膜を成膜すること
によって記録能力を高めたダブルＭＩＧ磁気ヘッドが提
案されている。
【０００４】上記ダブルＭＩＧヘッドのコアの従来の製
法を説明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩
形のフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウェハ
ーの(１)は両面を鏡面研磨する。
法を説明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩
形のフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウェハ
ーの(１)は両面を鏡面研磨する。
【０００５】第２ウェハー(1')は裏面を鏡面研磨した
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填した後に鏡面研磨を行な
う。
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填した後に鏡面研磨を行な
う。
【０００６】図３に示す如く、第１ウェハー(１)のギャ
ップ突合せ面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダ
スト等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉ
Ｏ2膜及び接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を
形成する。
ップ突合せ面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダ
スト等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉ
Ｏ2膜及び接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を
形成する。
【０００７】又、第２ウェハー(1')は図４Ａの様に前記
充填ガラス(４)をＤ(≦１０μｍ)深さだけエッチングに
よって除去した後に、図４Ｂに示す如く、ガラス表面を
含むウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地
層、センダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペー
サとなるＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。
充填ガラス(４)をＤ(≦１０μｍ)深さだけエッチングに
よって除去した後に、図４Ｂに示す如く、ガラス表面を
含むウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地
層、センダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペー
サとなるＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。
【０００８】次に、図１１に示す様に両ウェハー(１)
(1')の積層膜(５)(６)の不要部分、即ち、ガラス露出
部、巻線溝予定部をエッチング等によって除去し、図６
Ａに点線で示す様に、第２ウェハー(1')にはデプスエン
ド規制溝(２)に一部が掛り、且つ該溝に沿う様に巻線溝
加工を行ない、図６Ｂに示す如く巻線溝(７)を形成す
る。
(1')の積層膜(５)(６)の不要部分、即ち、ガラス露出
部、巻線溝予定部をエッチング等によって除去し、図６
Ａに点線で示す様に、第２ウェハー(1')にはデプスエン
ド規制溝(２)に一部が掛り、且つ該溝に沿う様に巻線溝
加工を行ない、図６Ｂに示す如く巻線溝(７)を形成す
る。
【０００９】この後、図７に示す様に両ウェハー(１)
(1')の積層膜のパターンの位置を合致せしめて突合せた
後に加圧、加熱してガラス溶着を行ない、この溶着ウェ
ハーを図１２の斜線(83)で示す位置で、巻線溝(７)(７)
間にてダイヤモンド砥石によって切断し、ブロックを切
り出す。
(1')の積層膜のパターンの位置を合致せしめて突合せた
後に加圧、加熱してガラス溶着を行ない、この溶着ウェ
ハーを図１２の斜線(83)で示す位置で、巻線溝(７)(７)
間にてダイヤモンド砥石によって切断し、ブロックを切
り出す。
【００１０】次に図９に示す様にブロック(８)を斜線(8
4)で示す様に、巻線溝(７)に直交してスライスして図１
０に示すコア(81)を切り出し、該コア(81)の両側面(82)
(82)を所望の厚みｔまで鏡面研磨する。別途製作したス
ライダー(９)の溝(91)に所望のトラック幅ｔに加工した
コア(81')を挿入し、ガラス接合・研磨を行ないヘッド
スライダーを完成する。
4)で示す様に、巻線溝(７)に直交してスライスして図１
０に示すコア(81)を切り出し、該コア(81)の両側面(82)
(82)を所望の厚みｔまで鏡面研磨する。別途製作したス
ライダー(９)の溝(91)に所望のトラック幅ｔに加工した
コア(81')を挿入し、ガラス接合・研磨を行ないヘッド
スライダーを完成する。
【００１１】上記方法でダブルＭＩＧヘッドコアを製造
した場合、図１３に示す様に積層膜の浮上り(10)、ガラ
ス(４)のヒビ割れ(11)等の不良が多発し、歩留りが極め
て悪いという大きな問題が生じた。
した場合、図１３に示す様に積層膜の浮上り(10)、ガラ
ス(４)のヒビ割れ(11)等の不良が多発し、歩留りが極め
て悪いという大きな問題が生じた。
【００１２】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上記センダ
スト膜の浮上り、ガラスのヒビ割れの発生を抑えて、製
品の歩留りを向上させる磁気ヘッドコアの製法を明らか
にするものである。
スト膜の浮上り、ガラスのヒビ割れの発生を抑えて、製
品の歩留りを向上させる磁気ヘッドコアの製法を明らか
にするものである。
【００１３】
【課題を解決する手段】溶着ウェハーをブロックに切り
だす際の切断代部分に対応して、両ウェハー(１)(1')を
溶着する前工程で、両ウェハーの積層膜(５)(６)をイオ
ンエッチング等によって除去しておくことを特徴とす
る。
だす際の切断代部分に対応して、両ウェハー(１)(1')を
溶着する前工程で、両ウェハーの積層膜(５)(６)をイオ
ンエッチング等によって除去しておくことを特徴とす
る。
【００１４】
【作用及び効果】溶着ウェハーをブロックに切りだす
際、切断用砥石と積層膜(５)(６)が接触することはな
く、積層膜(５)(６)が砥石から直接に外力を受けること
はなく、膜浮き、膜端部からのガラスのヒビ割れを防止
できる。
際、切断用砥石と積層膜(５)(６)が接触することはな
く、積層膜(５)(６)が砥石から直接に外力を受けること
はなく、膜浮き、膜端部からのガラスのヒビ割れを防止
できる。
【００１５】
【実施例】以下、図面に従って本発明による実施例を説
明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩形のＭ
ｎ-Ｚｎフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウ
ェハーの(１)は両面を鏡面研磨する。
明する。図１に示す如く、第１、第２の一対の矩形のＭ
ｎ-Ｚｎフェライトウェハー(１)(1')を準備し、第１ウ
ェハーの(１)は両面を鏡面研磨する。
【００１６】第２ウェハー(1')は裏面を鏡面研磨した
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填し、突合せ面に鏡面研磨
を行なう。
後、突合せ面にデプスエンド規制溝(２)及び該溝に直交
して予備加工溝(３)を設け、図２に示す如く、これらの
溝(２)(３)にガラス(４)を充填し、突合せ面に鏡面研磨
を行なう。
【００１７】次に、第１ウェハー(１)のギャップ突合せ
面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダスト等の強
磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉＯ2膜及び
接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を形成する。
面に、下層から順にＳｉＯ2下地層、センダスト等の強
磁性金属薄膜、ギャップスペーサとなるＳｉＯ2膜及び
接合用ガラススパッタ膜を含む積層膜(５)を形成する。
【００１８】又、第２ウェハー(1')は図４の様に前記充
填ガラスをＤ(≦１０μｍ)深さだけ、フッ酸を用いた化
学エッチングによって除去した後に、ガラス表面を含む
ウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地層、セ
ンダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサとな
るＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。実施例のエ
ッチングによるガラスの削り取り深さは５〜１０μmで
ある。
填ガラスをＤ(≦１０μｍ)深さだけ、フッ酸を用いた化
学エッチングによって除去した後に、ガラス表面を含む
ウェハーの突合せ面に下層から順にＳｉＯ2下地層、セ
ンダスト膜等の強磁性金属薄膜、ギャップスペーサとな
るＳｉＯ2膜を含む積層膜(６)を形成する。実施例のエ
ッチングによるガラスの削り取り深さは５〜１０μmで
ある。
【００１９】本実施例では、ＲＦマグネトロン型スパッ
タ装置を用いて、下地層５０オングストローム、センダ
スト膜２μｍ、ギャップスペーサー２０００オングスト
ローム、ガラススパッタ膜５００オングストロームを成
膜した。尚、積層膜(５)(６)の上記構成、材質に限定さ
れることはなく、ガラススパッタ膜は、第２ウェハー
(1')上の積層膜(６)にも含めることができ、又、両積層
膜からガラススパッタ膜を省くことができる。更に、ギ
ャップスペーサーは何れか一方の積層膜に設けるだけで
も可等、両ウェハーを溶着した際、ギャップスペーサの
両側に強磁性金属薄膜を有していれば構成を問わない。
タ装置を用いて、下地層５０オングストローム、センダ
スト膜２μｍ、ギャップスペーサー２０００オングスト
ローム、ガラススパッタ膜５００オングストロームを成
膜した。尚、積層膜(５)(６)の上記構成、材質に限定さ
れることはなく、ガラススパッタ膜は、第２ウェハー
(1')上の積層膜(６)にも含めることができ、又、両積層
膜からガラススパッタ膜を省くことができる。更に、ギ
ャップスペーサーは何れか一方の積層膜に設けるだけで
も可等、両ウェハーを溶着した際、ギャップスペーサの
両側に強磁性金属薄膜を有していれば構成を問わない。
【００２０】この様にして得られた成膜ウェハーを、図
５に示す様にイオンビームエッチングを用いて、第２ウ
ェハー(1')は、ガラス(４)上部分、後に巻線溝を設ける
部分及びブロックに切りだす際の切断部に切断代よりも
少し幅広な部分の積層膜(６)をイオンビームエッチング
等によって除去する。第１ウェハー(１)の積層膜(５)も
第２ウェハー(1')と積層膜(６)の除去部分に対応して部
分的に除去する。
５に示す様にイオンビームエッチングを用いて、第２ウ
ェハー(1')は、ガラス(４)上部分、後に巻線溝を設ける
部分及びブロックに切りだす際の切断部に切断代よりも
少し幅広な部分の積層膜(６)をイオンビームエッチング
等によって除去する。第１ウェハー(１)の積層膜(５)も
第２ウェハー(1')と積層膜(６)の除去部分に対応して部
分的に除去する。
【００２１】この後、図６Ａの点線で示す如く、第２ウ
ェハー(1')にはデプスエンド規制溝(２)に一部が掛り、
且つ該溝に沿う様に巻線溝加工を行ない、図６Ｂに示す
如く巻線溝(７)を形成する。
ェハー(1')にはデプスエンド規制溝(２)に一部が掛り、
且つ該溝に沿う様に巻線溝加工を行ない、図６Ｂに示す
如く巻線溝(７)を形成する。
【００２２】次に図７に示す様に両ウェハー(１)(1')
を、夫々の積層膜(５)(６)のパターンを合致せしめて突
合せて加圧、加熱しガラス溶着を行なった後に図８に示
す如く、巻線溝(７)(７)間にての斜線(85)の位置でブロ
ック切断を行なう。この際に、図５で示す様に、切断代
に対応して積層膜(５)(６)は除去されているため切断用
砥石と積層膜とは接触せず、積層膜(５)(６)が砥石から
直接に外力を受けることはなく、膜浮き、膜端部からの
ガラスのヒビ割れを防止できる。
を、夫々の積層膜(５)(６)のパターンを合致せしめて突
合せて加圧、加熱しガラス溶着を行なった後に図８に示
す如く、巻線溝(７)(７)間にての斜線(85)の位置でブロ
ック切断を行なう。この際に、図５で示す様に、切断代
に対応して積層膜(５)(６)は除去されているため切断用
砥石と積層膜とは接触せず、積層膜(５)(６)が砥石から
直接に外力を受けることはなく、膜浮き、膜端部からの
ガラスのヒビ割れを防止できる。
【００２３】この後、切断した溶着ブロックを所望の寸
法まで外形成形して、図９に示す溶着ブロック(８)を完
成させ、該ブロックをガラス充填予備加工溝(３)を含む
位置にて巻線溝(７)に直交してスライスしてコアを切り
出し、このコアの両側面(82)(82)を鏡面研磨して第１０
図のダブルＭＩＧコアを形成する。
法まで外形成形して、図９に示す溶着ブロック(８)を完
成させ、該ブロックをガラス充填予備加工溝(３)を含む
位置にて巻線溝(７)に直交してスライスしてコアを切り
出し、このコアの両側面(82)(82)を鏡面研磨して第１０
図のダブルＭＩＧコアを形成する。
【００２４】別途製作したスライダー(９)の溝(91)に所
望のトラック幅ｔに加工したコア(81')を挿入し、ガラ
ス接合・研磨を行ないヘッドスライダーを完成する。本
発明は上記実施例の構成に限定されることはなく、特許
請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が可能である。
望のトラック幅ｔに加工したコア(81')を挿入し、ガラ
ス接合・研磨を行ないヘッドスライダーを完成する。本
発明は上記実施例の構成に限定されることはなく、特許
請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】一対のウェハーの斜面図である。
【図２】一方のウェハーに溝を開設してガラスを充填し
た状態の斜面図である。
た状態の斜面図である。
【図３】ウェハーに積層膜を施した状態の斜面図であ
る。
る。
【図４】ガラスの表面を削り取り、ウェハーの積層膜を
被覆した状態の断面図である。
被覆した状態の断面図である。
【図５】本発明に於ける、積層膜の不要部分を除去した
状態の斜面図である。
状態の斜面図である。
【図６】巻線溝を形成する説明図である。
【図７】溶着ウェハーの斜面図である。
【図８】本発明に於ける溶着ウェハーのスライス位置と
積層膜の関係を示す説明図である。
積層膜の関係を示す説明図である。
【図９】ブロックのスライス位置を示す斜面図である。
【図１０】コア及びスライダーの斜面図である。
【図１１】従来例の積層膜の不要部分を除去した状態の
斜面図である。
斜面図である。
【図１２】従来例の溶着ウェハーのスライス位置と積層
膜の関係を示す説明図である。
膜の関係を示す説明図である。
【図１３】従来の製造方法による不良コアの拡大図であ
る。
る。
【符号の説明】 (１) ウェハー (1') ウェハー (４) ガラス (５) 積層膜 (６) 積層膜 (７) 巻線溝
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】
Claims (1)
- 【請求項１】 強磁性酸化物材料よりなる第１、第２の
一対のウェハー(１)(1')の夫々のギャップ突合せ面上に
強磁性金属薄膜を含む積層膜(５)(６)を形成し、この積
層膜(５)(６)どうしをガラス溶着して溶着ウェハーを形
成し、該溶着ウェハーを所定の幅に切断してブロックを
形成し、該ブロックを所定の厚みにスライスしてヘッド
コアを製造する磁気ヘッドコアの製法において、 前記第２ウェハー(1')に予備加工溝(３)及び該溝に直交
してデプスエンド規制溝(２)を設け、これらの溝(２)
(３)にガラス(４)を充填する工程、 前記第１、第２ウェハー(１)(1')のギャップ突合せ面上
に強磁性金属薄膜を含む積層膜(５)(６)を形成した後
に、第２ウェハー(1')のガラス上部分、巻線溝形成予定
部分、両ウェハー溶着後に砥石で切断する際の切断予定
部分及び第１ウェハー(１)のこれらとの対応部分の夫々
積層膜(５)(６)を除去する工程、 第２ウェハー(1')に巻線溝(７)を形成する工程、 前記第１、第２ウェハー(１)(1')を突合せてガラス溶着
し、金属磁性薄膜を含む積層膜(５)(６)が除去された領
域で巻線溝(７)と平行に切断してブロックを切りだす工
程を含む浮動型磁気ヘッド用ヘッドコアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3282696A JP2562752B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気ヘッドコアの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3282696A JP2562752B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気ヘッドコアの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620220A true JPH0620220A (ja) | 1994-01-28 |
| JP2562752B2 JP2562752B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=17655869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3282696A Expired - Fee Related JP2562752B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気ヘッドコアの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2562752B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204206A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH02139705A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3282696A patent/JP2562752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204206A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH02139705A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2562752B2 (ja) | 1996-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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