JPH01204420A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01204420A JPH01204420A JP63028042A JP2804288A JPH01204420A JP H01204420 A JPH01204420 A JP H01204420A JP 63028042 A JP63028042 A JP 63028042A JP 2804288 A JP2804288 A JP 2804288A JP H01204420 A JPH01204420 A JP H01204420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- temperature
- plate
- base body
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造における感光性樹脂液塗布工程
、あるいは現像処理工程に使用される半導体製造装置に
関するものである。
、あるいは現像処理工程に使用される半導体製造装置に
関するものである。
従来、例えば感光性樹脂液塗布工程においては、第３図
に示すように基体２に半導体基板１を真空吸着し、カッ
プ５内にて半導体基板１に感光性樹脂液を適量滴下させ
、基体２により基板１に遠心力を作用させてその表面に
感光性樹脂を塗布している。３は回転駆動力を基体２に
伝える回転軸、４は基体２を通して半導体基板を真空吸
着するポンプである。
に示すように基体２に半導体基板１を真空吸着し、カッ
プ５内にて半導体基板１に感光性樹脂液を適量滴下させ
、基体２により基板１に遠心力を作用させてその表面に
感光性樹脂を塗布している。３は回転駆動力を基体２に
伝える回転軸、４は基体２を通して半導体基板を真空吸
着するポンプである。
上述した従来の感光性樹脂等を適量滴下する装置にはそ
の前段に半導体基板の水分を蒸発させる焼きしめ装置が
設置しであるが、該焼きしめ装置にて加熱された半導体
基板が前記塗布装置で処理を行う時点で基板温度を一定
にすることは困難であり、さらに室温以下に基板温度を
調整することは不可能である。このため、感光性樹脂等
を適量滴下し、高速回転により遠心力を作用させて得ら
れる感光性樹脂の膜厚が連続処理される半導体基板間、
さらに面内で均一性が得られず、微細化が進む半導体装
置のパターン寸法のバラツキを生じさせる要因として問
題となっている。
の前段に半導体基板の水分を蒸発させる焼きしめ装置が
設置しであるが、該焼きしめ装置にて加熱された半導体
基板が前記塗布装置で処理を行う時点で基板温度を一定
にすることは困難であり、さらに室温以下に基板温度を
調整することは不可能である。このため、感光性樹脂等
を適量滴下し、高速回転により遠心力を作用させて得ら
れる感光性樹脂の膜厚が連続処理される半導体基板間、
さらに面内で均一性が得られず、微細化が進む半導体装
置のパターン寸法のバラツキを生じさせる要因として問
題となっている。
本発明の目的は前記課題を解消した半導体製造装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来の半導体製造装置に対し、本発明は基体に
真空吸着される半導体基板に接触し、温度調整を行うと
いう相違点を有する。
真空吸着される半導体基板に接触し、温度調整を行うと
いう相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明の半導体製造装置にお
いては、基体に真空吸着される半導体基板に接触し、温
度調整を行う温調器を有するものである。
いては、基体に真空吸着される半導体基板に接触し、温
度調整を行う温調器を有するものである。
次に本発明の一実施例について図を用いて説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図である
。
。
本発明の半導体製造装置は第１図に示すように、半導体
基板１を真空吸着する基体２と、基体２を上端に固定し
た回転軸３と、該回転軸３を回転駆動し、かつ該回転軸
３を通して基体２を真空引きするポンプ４と、感光性樹
脂液等を回転塗布する際１周囲への液体の飛散を防止す
るカップと、カップ５の内側で前記基体２の外側、かつ
半導体基板１の直下に位置し冷却用液体を循環させるた
め内側が空洞となっているプレート６及び冷却用液体の
温度調整を行う調整部７並びに液体の冷却用液体配管８
を有する構造となっている。ここに。
基板１を真空吸着する基体２と、基体２を上端に固定し
た回転軸３と、該回転軸３を回転駆動し、かつ該回転軸
３を通して基体２を真空引きするポンプ４と、感光性樹
脂液等を回転塗布する際１周囲への液体の飛散を防止す
るカップと、カップ５の内側で前記基体２の外側、かつ
半導体基板１の直下に位置し冷却用液体を循環させるた
め内側が空洞となっているプレート６及び冷却用液体の
温度調整を行う調整部７並びに液体の冷却用液体配管８
を有する構造となっている。ここに。
プレート６、調整部７、配管８等により半導体基板１の
温度調整を行う温調器が構成される。
温度調整を行う温調器が構成される。
さらに、第２図に示すように基体２はプレート６に対し
昇降可能になっている。
昇降可能になっている。
実−例において、第２図に示すように半導体基板１に感
光性樹脂液を適量滴下する前に、基体２をプレート６の
上面より下方に降下させて半導体基板１をプレート６に
て支え、配管８より液体を調整部７に送り込み、そこで
、冷却用液体の温度を調整しこれをプレート６に供給し
、プレート６にて半導体基板１の温度を調整する。次い
で、基体２を上昇させてプレート６上の半導体基板１を
基体２に移し替え、ポンプ４にて真空引きして半導体基
板１を吸着する。その後は従来と同じ作用を行わせる。
光性樹脂液を適量滴下する前に、基体２をプレート６の
上面より下方に降下させて半導体基板１をプレート６に
て支え、配管８より液体を調整部７に送り込み、そこで
、冷却用液体の温度を調整しこれをプレート６に供給し
、プレート６にて半導体基板１の温度を調整する。次い
で、基体２を上昇させてプレート６上の半導体基板１を
基体２に移し替え、ポンプ４にて真空引きして半導体基
板１を吸着する。その後は従来と同じ作用を行わせる。
尚、実施例では感光性樹脂液塗布工程に適用した場合に
ついて説明したが、現像処理工程に適用しても良い。
ついて説明したが、現像処理工程に適用しても良い。
以上説明したように本発明は感光性樹脂等を適量滴下す
る半導体基板の温度を最適に、かつ均一にするため、半
導体基板の温度のバラツキによる感光性樹脂の塗布膜厚
のバラツキ、さらには半導体装置の素子寸法のバラツキ
を低減することができる効果を有する６
る半導体基板の温度を最適に、かつ均一にするため、半
導体基板の温度のバラツキによる感光性樹脂の塗布膜厚
のバラツキ、さらには半導体装置の素子寸法のバラツキ
を低減することができる効果を有する６
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３
図は従来装置を示す断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・基体３・・・回転
軸 ４・・・ポンプ５・・・カップ
６・・・プレート７・・・調節部
８・・・冷却用液体配管特許出願人 九州日本電気株
式会社 第１図 第２図
図は従来装置を示す断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・基体３・・・回転
軸 ４・・・ポンプ５・・・カップ
６・・・プレート７・・・調節部
８・・・冷却用液体配管特許出願人 九州日本電気株
式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- １、真空吸着した半導体基板に遠心力を作用させる基体
を有し、半導体基板表面に感光性樹脂液等を適量滴下す
る半導体製造装置において、基体に真空吸着される半導
体基板に接触し、温度調整を行う温調器を有することを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028042A JPH01204420A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028042A JPH01204420A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204420A true JPH01204420A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12237687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028042A Pending JPH01204420A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578127A (en) * | 1993-02-08 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Ltd | System for applying process liquid |
| EP0863438A1 (en) * | 1997-03-05 | 1998-09-09 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for processing photoresist, method of evaluating photoresist film, and processing apparatus using the evaluation method |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63028042A patent/JPH01204420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578127A (en) * | 1993-02-08 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Ltd | System for applying process liquid |
| EP0863438A1 (en) * | 1997-03-05 | 1998-09-09 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for processing photoresist, method of evaluating photoresist film, and processing apparatus using the evaluation method |
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