JPH01211919A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JPH01211919A JPH01211919A JP63037276A JP3727688A JPH01211919A JP H01211919 A JPH01211919 A JP H01211919A JP 63037276 A JP63037276 A JP 63037276A JP 3727688 A JP3727688 A JP 3727688A JP H01211919 A JPH01211919 A JP H01211919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- wafer
- vacuum suction
- suction base
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に於けるフォトレジスト工程
に使用される回転塗布装置に関する。
に使用される回転塗布装置に関する。
従来の回転塗布装置は、第２図に示すように、半導体ウ
ェーハ（以下単にウェーハという）１を真空吸着して回
転させる真空吸着基体２と、この真空吸着基体２に固定
されモータに連結した回転軸３と、フォトレジスト等の
飛散を防止するためのふた５及び真空吸着基体２に連結
する真空ポンプ４とから主に構成されていた。
ェーハ（以下単にウェーハという）１を真空吸着して回
転させる真空吸着基体２と、この真空吸着基体２に固定
されモータに連結した回転軸３と、フォトレジスト等の
飛散を防止するためのふた５及び真空吸着基体２に連結
する真空ポンプ４とから主に構成されていた。
回転塗布装置でウェーハ表面にフォトレジストを均一に
塗布するためには、ウェーハの温度は２１〜２４℃が望
ましい。
塗布するためには、ウェーハの温度は２１〜２４℃が望
ましい。
しかしながら、処理されるウェーハは、前工程で水分を
除去する為に加熱されるため、従来の回転塗布装置で処
理する場合の温度は一最に室温より高く、しかもウェー
ハごとにばらついている。
除去する為に加熱されるため、従来の回転塗布装置で処
理する場合の温度は一最に室温より高く、しかもウェー
ハごとにばらついている。
このため、ウェーハ表面に形成されるフォトレジストの
膜厚は、ウェーハ間及びウェーハ面内でばらつくという
欠点がある。
膜厚は、ウェーハ間及びウェーハ面内でばらつくという
欠点がある。
この７オトレジスト膜のばらつきは、微細化が進む半導
体装置のパターン寸法のばらつきの原因となり、半導体
装置の製造歩留り及び信頼性を′低下させる要因となる
。
体装置のパターン寸法のばらつきの原因となり、半導体
装置の製造歩留り及び信頼性を′低下させる要因となる
。
本発明の目的は、フォトレジスト膜を均一な厚さに形成
することのできる回転塗布装置を提供することにある。
することのできる回転塗布装置を提供することにある。
本発明の回転塗布装置は、半導体ウェーハを吸着する真
空吸着基体と、該真空吸着基体に固定され真空吸着基体
を回転させるための回転軸とを有する回転塗布装置であ
って、前記真空吸着基体の周囲には半導体ウェーハの温
度を調節するための温度調節用プレートが設けられてい
るものである。
空吸着基体と、該真空吸着基体に固定され真空吸着基体
を回転させるための回転軸とを有する回転塗布装置であ
って、前記真空吸着基体の周囲には半導体ウェーハの温
度を調節するための温度調節用プレートが設けられてい
るものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示す様に、回転塗布装置は、ウェーハ１を真空
吸着する真空吸着基体２と、この真空吸着基体２を上端
に固定した回転軸３と、回転軸３を通して真空吸着基体
２を真空引きする真空ポンプ４とフォトレジスト等の液
体の飛散を防ぐ為のふた５と、ウェーハ１直下の真空吸
着基体２の周囲に設けられた温度調節用プレート６と、
この温度調節用プレート６内に冷却水等の液体を循環さ
せるための配管８とから主に構成されている。
吸着する真空吸着基体２と、この真空吸着基体２を上端
に固定した回転軸３と、回転軸３を通して真空吸着基体
２を真空引きする真空ポンプ４とフォトレジスト等の液
体の飛散を防ぐ為のふた５と、ウェーハ１直下の真空吸
着基体２の周囲に設けられた温度調節用プレート６と、
この温度調節用プレート６内に冷却水等の液体を循環さ
せるための配管８とから主に構成されている。
このように構成された本実施例においては、処理される
ウェーハ１の温度が２１〜２４℃という所望の温度より
高い場合は、温度制御部７により制御された冷却水が配
管８より温度調節用プレート内に導入され、ウェーハ１
の温度を所望の温度にまで下げる。また室温が低い場合
は配管８より熱水を導入する。このためウェーハ１の温
度は所望の温度範囲内でほぼ均一になるため、この表面
に形成されるフォトレジスト膜の厚さも均一なものとな
る。
ウェーハ１の温度が２１〜２４℃という所望の温度より
高い場合は、温度制御部７により制御された冷却水が配
管８より温度調節用プレート内に導入され、ウェーハ１
の温度を所望の温度にまで下げる。また室温が低い場合
は配管８より熱水を導入する。このためウェーハ１の温
度は所望の温度範囲内でほぼ均一になるため、この表面
に形成されるフォトレジスト膜の厚さも均一なものとな
る。
尚、上記実施例においては温度調節用プレートの温度調
節を冷却水と熱水を用いた場合について説明したが、他
の冷却源や熱源を用いてよいことは勿論である。
節を冷却水と熱水を用いた場合について説明したが、他
の冷却源や熱源を用いてよいことは勿論である。
以上説明した様に本発明は、半導体ウェーハを真空吸着
し、これを回転真空吸着させる基体の周囲に、半導体ウ
ェーハの温度を一定にするための温度調節用プレートを
設けることにより、半導体ウェーハの温度を一定にでき
るなめ、その表面に形成するフォトレジスト膜の厚さを
均一にできるという効果がある。
し、これを回転真空吸着させる基体の周囲に、半導体ウ
ェーハの温度を一定にするための温度調節用プレートを
設けることにより、半導体ウェーハの温度を一定にでき
るなめ、その表面に形成するフォトレジスト膜の厚さを
均一にできるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の回
転塗布装置の一例の断面図である。 １・・・ウェーハ、２・・・真空吸着基体、３・・・回
転軸、４・・・真空ポンプ、５・・・ふた、６・・・温
度調節用プレート、７・・・温度制御部、８・・・配管
。
転塗布装置の一例の断面図である。 １・・・ウェーハ、２・・・真空吸着基体、３・・・回
転軸、４・・・真空ポンプ、５・・・ふた、６・・・温
度調節用プレート、７・・・温度制御部、８・・・配管
。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを吸着する真空吸着基体と、該真空吸
着基体に固定され真空吸着基体を回転させるための回転
軸とを有する回転塗布装置において、前記真空吸着基体
の周囲には半導体ウェーハの温度を調節するための温度
調節用プレートが設けられていることを特徴とする回転
塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63037276A JPH01211919A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63037276A JPH01211919A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211919A true JPH01211919A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12493163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63037276A Pending JPH01211919A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038469A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| US5578127A (en) * | 1993-02-08 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Ltd | System for applying process liquid |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63037276A patent/JPH01211919A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038469A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| US5578127A (en) * | 1993-02-08 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Ltd | System for applying process liquid |
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