JPH01204456A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01204456A JPH01204456A JP2826188A JP2826188A JPH01204456A JP H01204456 A JPH01204456 A JP H01204456A JP 2826188 A JP2826188 A JP 2826188A JP 2826188 A JP2826188 A JP 2826188A JP H01204456 A JPH01204456 A JP H01204456A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、成形性の優れた半導体装置に関するもので
ある。
ある。
〔従来の技術］
最近では、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子
はプラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流にな
っている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹
脂組成物が使用されており、良好な成績を収めている。
はプラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流にな
っている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹
脂組成物が使用されており、良好な成績を収めている。
上記エポキシ樹脂組成物としては、特に、エポキシ樹脂
と、硬化剤としてのフェノール樹脂と、その他、硬化促
進剤としての２−メチルイミダゾール、無機質充填剤と
してのシリカ粉末等の組成系で構成されているものが、
成形性（特にトランスファー成形）等に優れたものとし
て賞用されている。一般に、成形性という観点からこの
ような封止樹脂に要望されることは、■成形時に封止樹
脂が適度に溶解しキャビティ内を流れて充填せしめるこ
とができること、■所定の時間内で固化すること、■金
型と樹脂の離型が良好であること、■キャビティ内に充
填された封止樹脂内にボイドが少ないこと、■パッケー
ジとフレーム界面に発生する樹脂パリが少ないこと等で
ある。
と、硬化剤としてのフェノール樹脂と、その他、硬化促
進剤としての２−メチルイミダゾール、無機質充填剤と
してのシリカ粉末等の組成系で構成されているものが、
成形性（特にトランスファー成形）等に優れたものとし
て賞用されている。一般に、成形性という観点からこの
ような封止樹脂に要望されることは、■成形時に封止樹
脂が適度に溶解しキャビティ内を流れて充填せしめるこ
とができること、■所定の時間内で固化すること、■金
型と樹脂の離型が良好であること、■キャビティ内に充
填された封止樹脂内にボイドが少ないこと、■パッケー
ジとフレーム界面に発生する樹脂パリが少ないこと等で
ある。
しかしながら、上記各要望の中でも、特に、パッケージ
とフレーム界面に発生する樹脂パリが問題となっており
、従来の封止樹脂材料では、一般に厚み５〜５０μｍ程
度の樹脂パリといわれるものはその発生が防止されてい
なかった。したかつ。
とフレーム界面に発生する樹脂パリが問題となっており
、従来の封止樹脂材料では、一般に厚み５〜５０μｍ程
度の樹脂パリといわれるものはその発生が防止されてい
なかった。したかつ。
て、このような樹脂パリを取り除くためには、樹脂を溶
剤で溶解したり、機械的にハリ取りの処理を行うという
ようにハリ取りの余計な工程を経なければならないのが
現状である。
剤で溶解したり、機械的にハリ取りの処理を行うという
ようにハリ取りの余計な工程を経なければならないのが
現状である。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、樹
脂封止に用いる樹脂組成物中に特定の粒径の充填剤を一
定量含有させることにより樹脂パリの発生を抑制し、成
形性に著しく優れた半導体装置を提供することをその目
的とするものである。
脂封止に用いる樹脂組成物中に特定の粒径の充填剤を一
定量含有させることにより樹脂パリの発生を抑制し、成
形性に著しく優れた半導体装置を提供することをその目
的とするものである。
〔問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
半導体素子を下記の（Ａ）成分を含有する樹脂組成物で
封止するという構成をとる。
半導体素子を下記の（Ａ）成分を含有する樹脂組成物で
封止するという構成をとる。
（Ａ）平均粒径が１０〜２５μｍで、０．１μｍ以下の
微細粒子を０．２〜１．０重量％含有する充填剤。
微細粒子を０．２〜１．０重量％含有する充填剤。
すなわち、本発明者は、上記樹脂パリの発生を抑制する
ための一連の研究の過程で、樹脂ハリは低粘度の樹脂組
成物を用いたトランスファー成形時に樹脂組成物の注入
圧力を上げると樹脂ハリがよく発生し、注入圧力を下げ
ると樹脂パリの発生が減少することが確認されているこ
とがら、上記樹脂パリは、例えばエポキシ樹脂と硬化剤
との反応が不充分であり、架橋の不充分なエポキシ樹脂
組成物が注入圧力により流出し発生するものと考えた。
ための一連の研究の過程で、樹脂ハリは低粘度の樹脂組
成物を用いたトランスファー成形時に樹脂組成物の注入
圧力を上げると樹脂ハリがよく発生し、注入圧力を下げ
ると樹脂パリの発生が減少することが確認されているこ
とがら、上記樹脂パリは、例えばエポキシ樹脂と硬化剤
との反応が不充分であり、架橋の不充分なエポキシ樹脂
組成物が注入圧力により流出し発生するものと考えた。
そこで、上記エポキシ樹脂組成物に含有される充填剤が
エポキシ樹脂組成物の流出を抑制するのに効果的なので
はないかと考え研究を重ねた結果、封止樹脂中に含有さ
れる充填剤の粒径とその含有量によってトランスファー
モールド成形の際に樹脂組成物の流れ性が変化して樹脂
ハリの発生に影響を及ぼすことが確認された。これを中
心にさらに研究を重ねた結果、封止樹脂組成物中に添加
する充填剤として、粒径０．１μｍ以下の微粉末充填剤
を全充填剤中０．２〜１０％含有した充填剤を使用する
と、樹脂パリ等の形成が抑制されることを見いだしこの
発明に到達した。
エポキシ樹脂組成物の流出を抑制するのに効果的なので
はないかと考え研究を重ねた結果、封止樹脂中に含有さ
れる充填剤の粒径とその含有量によってトランスファー
モールド成形の際に樹脂組成物の流れ性が変化して樹脂
ハリの発生に影響を及ぼすことが確認された。これを中
心にさらに研究を重ねた結果、封止樹脂組成物中に添加
する充填剤として、粒径０．１μｍ以下の微粉末充填剤
を全充填剤中０．２〜１０％含有した充填剤を使用する
と、樹脂パリ等の形成が抑制されることを見いだしこの
発明に到達した。
この発明の半導体装置は、特殊な組成の充填剤を含有す
る樹脂組成物を用いて得られる。
る樹脂組成物を用いて得られる。
上記充填剤としては、酸化珪素、酸化チタン。
酸化アンチモン、炭酸カルシウムおよびタルク等の無機
質充填剤があげられ、特に、酸化珪素が好適に用いられ
る。
質充填剤があげられ、特に、酸化珪素が好適に用いられ
る。
つぎに、上記充填剤中０．２〜１０％、好ましくは０．
５〜５％の量の充填剤を予め粒径０．１μｍ以下の微粉
末にする。このようにすると、上記微粉末充填剤が堰を
つくりエポキシ樹脂組成物の流出を防ぎ、樹脂ハリ等の
形成を妨げるようになる。
５〜５％の量の充填剤を予め粒径０．１μｍ以下の微粉
末にする。このようにすると、上記微粉末充填剤が堰を
つくりエポキシ樹脂組成物の流出を防ぎ、樹脂ハリ等の
形成を妨げるようになる。
ただし、上記微粉末充填剤の使用量が０．２％未満にな
ると充填剤による目詰まり効果（充填剤が堰をつくり樹
脂の流出を防ぐ）が認められなくなりその結果樹脂パリ
が生じ、１０％を超えると充填剤の表面を樹脂が充分に
覆わなくなり光沢性の悪い樹脂封止の半導体装置となる
。
ると充填剤による目詰まり効果（充填剤が堰をつくり樹
脂の流出を防ぐ）が認められなくなりその結果樹脂パリ
が生じ、１０％を超えると充填剤の表面を樹脂が充分に
覆わなくなり光沢性の悪い樹脂封止の半導体装置となる
。
このような微粉末充填剤を前述の割合だけ含有する充填
剤は、平均粒径が１０〜２５μｍのものである。この数
値範囲をはずれると、樹脂組成物の未充填部分を生じ、
成形作業性に問題が生じると同時に不良品の発生率が高
くなる傾向がみられるからである。なお、充填剤として
は全てのものの数値が２００μｍ以下、特に１５０μｍ
以下であることが好ましい。
剤は、平均粒径が１０〜２５μｍのものである。この数
値範囲をはずれると、樹脂組成物の未充填部分を生じ、
成形作業性に問題が生じると同時に不良品の発生率が高
くなる傾向がみられるからである。なお、充填剤として
は全てのものの数値が２００μｍ以下、特に１５０μｍ
以下であることが好ましい。
なお、充填剤の粒径は、シーラスレーザー粒度解析モデ
ル７１５ （Ｇｒａｍｕｌｏｍｅｔｒｅ −７１５）に
より測定できる。
ル７１５ （Ｇｒａｍｕｌｏｍｅｔｒｅ −７１５）に
より測定できる。
上記のような充填剤とともに使用される樹脂は、特に限
定するものではなく、タレゾールノボラック型等、従来
から半導体装置の封止樹脂として用いられる各種のエポ
キシ樹脂等が使用される。
定するものではなく、タレゾールノボラック型等、従来
から半導体装置の封止樹脂として用いられる各種のエポ
キシ樹脂等が使用される。
上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノールノボラ
ック樹脂が好適に用いられる。
ック樹脂が好適に用いられる。
なお、硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール等
が用いられる。
が用いられる。
この発明に用いる樹脂組成物は、例えばつぎのようにし
て製造することができる。すなわち、エポキシ樹脂、エ
ポキシ樹脂硬化剤、充填剤およびその他の添加剤を適宜
配合し、例えば、トライブレンド法によって均一分散さ
せた後、押出混練機により溶融混合し、冷却固化後粉砕
を行い製遺す・ることができる。
て製造することができる。すなわち、エポキシ樹脂、エ
ポキシ樹脂硬化剤、充填剤およびその他の添加剤を適宜
配合し、例えば、トライブレンド法によって均一分散さ
せた後、押出混練機により溶融混合し、冷却固化後粉砕
を行い製遺す・ることができる。
微粉末充填剤を前述の割合だけ含有する充填剤は、樹脂
組成物全体の６５〜８５％に設定配合することが好まし
い。すなわち、充填剤全体の配合量が６５％未満になる
と樹脂組成物にチキソトロピー性を付与しにくく、した
がって、成形作業性に支障を生じると同時に応力歪みが
大きくなり、封止樹脂に悪影響を生じるようになるから
である。逆に、上記充填剤全体の配合量が８５％を超え
ると、トランスファーモールド成形等の成形作業におい
て、樹脂組成物の未充填部分が生じやはり問題が生じる
傾向がみられるからである。
組成物全体の６５〜８５％に設定配合することが好まし
い。すなわち、充填剤全体の配合量が６５％未満になる
と樹脂組成物にチキソトロピー性を付与しにくく、した
がって、成形作業性に支障を生じると同時に応力歪みが
大きくなり、封止樹脂に悪影響を生じるようになるから
である。逆に、上記充填剤全体の配合量が８５％を超え
ると、トランスファーモールド成形等の成形作業におい
て、樹脂組成物の未充填部分が生じやはり問題が生じる
傾向がみられるからである。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体封止は
特に限定されるものではなく、例えば、トランスファー
成形等の公知のモールド方法（マルチプランジャ方式を
含む）によって行うことができる。上記トランスファー
成形によって成形を行う場合には、その成形条件を、樹
脂材料あ注入圧力４０〜１２０ｋｇ／ａｄ、より好まし
くは６０〜８０ｋｇ／ｃｆｆｌ、成形温度１６０〜１９
０°Ｃ１成形時間４０秒〜３分間に設定することが好適
であり、キュアー条件を、例えば１５０〜１８０ ’Ｃ
で３〜５時間と設定することが好適である。
特に限定されるものではなく、例えば、トランスファー
成形等の公知のモールド方法（マルチプランジャ方式を
含む）によって行うことができる。上記トランスファー
成形によって成形を行う場合には、その成形条件を、樹
脂材料あ注入圧力４０〜１２０ｋｇ／ａｄ、より好まし
くは６０〜８０ｋｇ／ｃｆｆｌ、成形温度１６０〜１９
０°Ｃ１成形時間４０秒〜３分間に設定することが好適
であり、キュアー条件を、例えば１５０〜１８０ ’Ｃ
で３〜５時間と設定することが好適である。
Ｃ発明の効果〕
以上のように、この発明の半導体装置は、充填剤として
０．１μｍ以下の粒径を有する微粉末充填剤を充填剤全
体の０．２〜１０％含存する樹脂組成物によって被覆モ
ールドされているため、製造過程において樹脂組成物の
流出が上記微粉末充填剤の目詰まり効果によって妨げら
れ樹脂ハリの発生を抑制することができる。したがって
、樹脂パリの除去工程を省略することができる。
０．１μｍ以下の粒径を有する微粉末充填剤を充填剤全
体の０．２〜１０％含存する樹脂組成物によって被覆モ
ールドされているため、製造過程において樹脂組成物の
流出が上記微粉末充填剤の目詰まり効果によって妨げら
れ樹脂ハリの発生を抑制することができる。したがって
、樹脂パリの除去工程を省略することができる。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
〔実施例１〜４．比較例１〜３〕
後記の第１表に従って、各原料を配合し、ミギシングロ
ール機（ロール温度１００°Ｃ）で３分間溶融混練を行
い、冷却固化後粉砕を行って目的する微粉末状のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
ール機（ロール温度１００°Ｃ）で３分間溶融混練を行
い、冷却固化後粉砕を行って目的する微粉末状のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
つぎに、実施例および比較例によって得られた一徹粉末
状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランス
ファーモールドすることにより半導体装置を得た。
状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランス
ファーモールドすることにより半導体装置を得た。
（以下余白）
以上の実施例および比較例で得られた半導体装置につい
て、ハリ検査および外観検査を行った。
て、ハリ検査および外観検査を行った。
その結果を第２表に示した。
なお、パリ検査方法はつぎのようにして行った。第１図
および第２図（第１図のＡ−Ａ’断面図）に示すような
金型を用意し、トランスファープレスに装着する。１は
台、２は溝である。つぎに、金型とトランスファープラ
ンジャーを温度１７５°Ｃに上げ、エポキシ樹脂組成物
をポットに入れすくにトランスファー成形する。成形条
件は、トランスファー圧カフ０±５ ｋｇ ／ ｃＭ、
トランスファーラム速度３〜６ｎｕｎ／ｓｅｃに設定す
る。２分のキュアー時間を経た後、プレスを開く。つぎ
に、金型を開き、各々の溝２から出たパリの厚み２０μ
ｍ （’Ａ）、５μｍ （Ｂ）、５０μｍ （Ｃ
）の３種類のパリの長さについてノギスにより０．１
ｍｍまで測定する。
および第２図（第１図のＡ−Ａ’断面図）に示すような
金型を用意し、トランスファープレスに装着する。１は
台、２は溝である。つぎに、金型とトランスファープラ
ンジャーを温度１７５°Ｃに上げ、エポキシ樹脂組成物
をポットに入れすくにトランスファー成形する。成形条
件は、トランスファー圧カフ０±５ ｋｇ ／ ｃＭ、
トランスファーラム速度３〜６ｎｕｎ／ｓｅｃに設定す
る。２分のキュアー時間を経た後、プレスを開く。つぎ
に、金型を開き、各々の溝２から出たパリの厚み２０μ
ｍ （’Ａ）、５μｍ （Ｂ）、５０μｍ （Ｃ
）の３種類のパリの長さについてノギスにより０．１
ｍｍまで測定する。
（以下余白）
上記の表から明らかなように、０．１μｍ以下の粒径を
存する微粉末充填剤を０．２〜１０％含有した無機質充
填剤を使用した実施別品では、外観検査およびハリ検査
の結果が良好であり、したがって比較別品に比べて優れ
た半導体装置が得られていることがわかる。
存する微粉末充填剤を０．２〜１０％含有した無機質充
填剤を使用した実施別品では、外観検査およびハリ検査
の結果が良好であり、したがって比較別品に比べて優れ
た半導体装置が得られていることがわかる。
第１図は金型の平面図、第２図は第１図の金型のＡ−Ａ
’断面図である。 １・・・台 ２・・・溝 特許出願人 日東電気工業株式会社代理人 弁
理士 西 胚 征 彦（Ａ） （Ｂ）
（Ｃ）第１図 第２図
’断面図である。 １・・・台 ２・・・溝 特許出願人 日東電気工業株式会社代理人 弁
理士 西 胚 征 彦（Ａ） （Ｂ）
（Ｃ）第１図 第２図
Claims (1)
- （１）半導体素子を下記の（Ａ）成分を含有する樹脂組
成物で封止してなる半導体装置。 （Ａ）平均粒径が１０〜２５μｍで、０．１μｍ以下の
微細粒子を０．２〜１．０重量％含有する充填剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028261A JP2574364B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028261A JP2574364B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204456A true JPH01204456A (ja) | 1989-08-17 |
| JP2574364B2 JP2574364B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=12243628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028261A Expired - Lifetime JP2574364B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574364B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06116478A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 三酸化アンチモン含有フェノール樹脂組成物及びその製造方法 |
| JP2010118649A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-05-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用液状樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443021A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-05 | Minolta Camera Co Ltd | F/stop digital value display device of cameras |
| JPS59108026A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Toshiba Chem Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS60210643A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 充填剤及びその組成物 |
| JPS6164755A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-03 | Nippon Steel Corp | バリが発生しない封止材用シリカ充填樹脂組成物 |
| JPS6210159A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPS6243452A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-02-25 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 樹脂組成物 |
| JPS62128159A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Ltd | 高集積ｌｓｉプラスチツクパツケ−ジ |
| JPH01161065A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Tokuyama Soda Co Ltd | シリカおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63028261A patent/JP2574364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443021A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-05 | Minolta Camera Co Ltd | F/stop digital value display device of cameras |
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| JP2010118649A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-05-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用液状樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2574364B2 (ja) | 1997-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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